JPS60131541A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で８Ｎ比〔光電流ＣＩ、）　
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く照射する電磁波のス４クト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内圧容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以後８−８１と表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐□湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を図る必要があるというＪ！に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に１高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時罠おいて残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になるが或いは高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下するかなどの不
都合な点が生ずる場合が少なく□なかった。

更には、ａ−８ｌは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも゛長い波長領域の吸収係数が比
較的小さく、現在実用化されている単導体レーザとのマ
ツチングの点に於いて、通常使□用されているノ・ロダ
ンランプや螢光灯を光源とする場合長波長側の光合有効
に使用し得てい々いという点に於いて、夫々改良される
余地が残っている０ 又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持
体自体が光導電層を透過して莱る光に対する汐射率が置
い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉が
起って、画像の［ゲケＪが生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上りる為に照射スポレトを小さく
する程大きくなり、殊に半導体レーデを光源とする場合
には大きな画題となっている。

更に、ａ−８１拐料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等の）＼ロダン原子が、また電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含□有されるが、これ等の構成原子の
含有の仕方如何によっ゛ては形成した層の電気的或いは
光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

Ｖ即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって
発生じたフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
こと、或いは暗部において支持体側よシの電荷の゛注入
の阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なく：ない
。・ 従してａ’−８１材料そのものの特性改良が図られる一
方で光導電部材を設計する隙に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、＊−”８１
に就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光尋電部拐としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子（６）又はノ・ロダン
原子（３）のいずれか一方を少々くとも含有するアモル
ファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲ
ン化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
ｒ　ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され
、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかり
でなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点に
おいて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部拐
として著しく優れた特性を有していること及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。

本発明は電気的、光学的９光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用１際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とするＣ 本発明の別の目的は、全司視光域処於いて光感度が高く
、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、画像のデケのない、高品
質画像を得る手が容易に出来る電子写真用の光導電部材
を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、該支
持体上に１ゲルマニウム原子を含む非晶質側斜で構成さ
れた第１の層領域０）とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され光導電性を示す第２の層領域（８）とが前記
支持体側よシ顔に設けられた層構成の第一の層及びシリ
コン原子と窒素原子とを含む非晶質材、料で構成され７
’（第二の層から成る光受容層とを有し、前記第一の層
は、伝導性を制御する物質（Ｃ）を含有し、該物質（Ｃ
）の層厚方向分布濃度の最大値が前記第２の層領域（８
）中にあシ、且？該物質（Ｃ）をＡｌｌ記第２の層領域
（Ｓ）　Ｋ於いては前記支持体側の方に多く分布する律
態で含有している事を特徴とする〇 上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記じた諸問題の総てを解決したもので
、棲めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

５殊に、電子４真用像形成部材として適用させた場合に
は、可干渉光の使用に於い、ても干渉を充分防止するこ
とが出来るとともに、画像形成への残留電位の影響が全
く々く、その電気的特性が安定しておシ高感度でしかも
高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労性°及び繰返
し使用特性に長け、濃度が高くハーフトーンが鮮明に出
て且つ解像度の高い高品質の画像を安定□して繰返し得
ることができる。　・　、。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域１於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面１従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の／＃（１）１０２と第二
の層（ＩＩ）　１０５とから成る光受容層１０７を有し
、前記第・−の層（１）　］　０２は自由表面１０６を
一方の端面に有している。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシ、グル
マニウム原子と必要に応じてシリコン原子（ＳＩ）　。

水素原子（６）、ハロダン原子（イ）の少なくとも１つ
を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ−Ｇ＠（８１、Ｈ，Ｘ　
）　Ｊと略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）　
１０３と、ａ−８Ｌ（Ｈ＋Ｘ）で構成され光導電性を有
する第２の層領域（８）　１０４とが順に積層された層
構造を有する〇 第一の層（＋）　１０２は、伝導特性を制御する物質Ｃ
）を含有し、該物質（Ｃ）はその層厚方向の分布濃度の
最大値が第１０層領域釣）中にあり、且つ第２の層領域
ψ）に於いては支持体１０１側の方に多く分布する状態
で含有される。

第１の要領減り）中に於けるゲルマニウム原子は、支持
体の表面と平行な面内方向に於いては均一な状態で含有
されるが、層厚方向には均一であっても不均一であって
も差支えない。

又、第１の層領域（０３に於けるゲルマニウム原子の分
布状態が層厚方向に不均一な場合には、その層厚方向に
於ける分布濃度Ｃを、支持体側或いは第２の層領域（８
ン個に向って、次第に１或いはステツブ状に１又は、線
型的に変化させることが望ましいＯ 殊に、第１の層領域■中に於けるケ゛ルマニウム原子の
分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｇ）
が支持体側より第２の層領域（Ｓ）に向って減少する変
化が与えられている場合には、第１の層領域（Ｇ）と第
２の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後
述する様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃを極端罠大きくすることにより、半導体レーデ
等を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸
収し切れない長波長側の元を、第１の層領域（Ｇ）に於
いて実質的に完全に吸収することが出来、支持体面から
の反射による干渉を防止することが出来ると共に１層領
域軒）と層領域（８）との界面での反射を元分押えるこ
とが出来る＠ 第２図乃至第１０図には、不発明忙おける光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される・ 第２図乃至第し０図忙おいて、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、１Ｍｌの層領域（Ｇ）の層厚
を示し、ｔｌｌは支持体側の第１の層領域に）の端面の
位置を、ｔ、ｒａ支持体側とは反対側の第１の層領域←
）の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有
される第１の層領域Ｏ）はｔｌｌ側よｐｔＴ側に向って
層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１０層領域（２）が形成される支持体表面と該第１
の層領域に）の表面とが接する界面位置ｔｌｌよ）ｔｌ
の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣＩ）がＣ
Ｉなる一定の値を取シ乍らゲルマニウム原子が形成され
る第１の層領域−に含有され、位［ｔＩよシは濃度ｃ２
よシ界面位置１Ｔに至るまで徐々に連続約１減少されて
いる。界面位ＲｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃ＃′ｉ、Ｃｓとされる。

第３図に示される例において杜、含有されるダルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１ｍより位置ｔＴＫ至るまで
濃度Ｃ４がら徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度ｃｓとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、よシ位ｆｌ　ｔ　！までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ６と一定値とさ
れ、位置ｔ！と位置ｔ、ｒとの間において徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零
とされてぃふ（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置１Ｂより位置ｔ、に至るまで議度ｃ８よシ連続的忙徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第６図に示す例において杜、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１Ｂと位置ｔ３間においては濃度Ｃ９と一
定値であシ、位ｆｌｔｔＴにおいては濃度Ｃ，。される
。位置ｔｓと位置ｔＴとの間では分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３よシ位置ｔ、ｒＫ至るまで減少されている
。

第７図に示される例においては、分布濃度ｃＢ位置１Ｂ
よシ位置ｔ４までは濃度ｃ１．の一定値を取シ、位置ｔ
４よシ位置１Ｔまでは濃度ｃ１！よシ濃度ＣＩｓ　ｔで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔｊｌよシ位置ｔＴＫ
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ
４よシ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第９図においては、位置ｔｌｌよシ位置ｔ＠に至るまで
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｐｓより濃
度ｃｐｓまで一次関数的に減少され、位置１．と位置１
Ｔとの間においては濃度Ｃ１１ｌの一定値トサれた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１Ｂにおいて濃度ＣＩ？であル、位置
ｔ６に至るまではこの＃Ｉ度ｃ１７より初めはゆりくシ
と減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で濃
度Ｃｔｅとなシ、位置ｔ７と位置ｔ１１との間では、棲
めてゆりくシと徐々に減少されて位置ｔ＝において濃度
Ｃ，・に至る。位置ｔ８と位置１．の間においてはａ度
Ｃａｏよシ実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し＼界面ｔＴ側においては前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成ル低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層領域り）に設けられて
いる。

本発明に於ける光導電部材を構成する元受容層を構成す
る第１の層領域り）は好ましくは上記した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域（４）を有するのが望ましい。

本発明１於いては局在領域（４）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ、よシ５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
、より５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域に）を層領域（ＬＴ）の一部とするが又は全部
とするかは、形成される第一の層（１）Ｋ要求される特
性１従って適宜法められる。

局在領域（ト）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてグル１ニウム原子の分布濃
度の最大値ＣｍＸがシリコン原子との和に対しては、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ　以上、よシ
好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
は１　Ｘ　１０”ａｔｏｍｌ’ａ　ｐｐｍ　以−）、１
−Ａｉ−ス緬４１５−布状態となシ得る様に層形成され
る。

すυち、本発明においては、ゲルマニウム原子ノ含有さ
れる層領域り）は、支持体側からの局、τ（５μ以内（
ｔＩｌから５μ厚の層領域＋１’ｃｙ布濃度の最大値ｃ
ｍａｘが存在するｍＫ層形成れるのが好ましいものであ
る。

本発明において、第１の層領域←）中（含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的
に達成される様に一所望に従って適宜法められるが、好
ましくは１〜ｌ　０　Ｘ　ｌ　０５ａｔｏｍｉｃＰＰ”
％よシ好ましくｉｌｌ　’００〜９．５　Ｘ　１０５ａ
ｔｏ１０５ａｔｏ、最適には５００〜８　Ｘ　１０’　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とされる。

本発明に於いて第１の層領域（ロ）と第２の層領域（８
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の要領Ｍむ）の層！Ｔ−Ｈ１好ま
しくは、３ＯＸ〜５０μ、よシ好ましくは、４０１〜４
０μ、最適には、５０Ｘ〜３０μとされる。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、よシ好ましくは、１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされる。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の要領域但）の層
厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される
特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機
的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従
って適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よシ好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされる。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦１
なる関係を満足せしめるように夫々に対して適宜適切な
数値が選択される。

上記の場合に於ける層厚ＴＩｌ及び層厚Ｔの数値の選択
に於いて、よシ好ましくはＴ！ｌ／Ｔ≦０．９、最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ！
ｌ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１０層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量が１　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢ
としては、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０
μ以下とされる。

本発明において、第一の層（１）を構成する第１の層領
域（Ｃ）又は／及び第２の層領域（８）中に必要に応じ
て含有されるハロダン原子（３）としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙けることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ　（８１、Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域ａ）を形成するＫは、例えばグロー放
電法、ス／４’　、／タリンダ法、或いはイオングレー
ティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって
成される。例えば、グロー放電法によって、ａ　−Ｇｅ
　（８１、Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を
形成するＫは、基本的にはダルマニウム原子（Ｇｅ）を
供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シ
リコン原子（８１）を供給し得るＳｔ供給昂の原料ガス
水素原子（６）導入用の原料ガス又は／及びハロダン原
子（３）導入用の原料ガスを、で導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上に層形成すれば良い。ダルマニウ
ム原子を不均一え分布させ、には含、さ。暮岬ヤ〜＝つ
、ヮ子の分布濃度Ｃを所望の変化率曲線に従って制御し
乍らａ−Ｇｅ（Ｓｉ　、　Ｈ、Ｘ　）からなる層を形成
させｉｌ例えばＡｒ　＋　Ｈｅ等の不竺シス又はこれ等
のガスを漏−スとした混合ガスの雰囲気中で８１で構成
されたターｒ２ト、或いは、該ターゲットと、Ｇｅで構
成されたターゲットの二枚を使用して、又は、ＳＩとＱ
ｅの混合されたターゲットを使用して、必要に応じて、
Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され必要に応じて、水素
原子兜又は−／及びハロダン原子（３）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すると共に、前□記Ｇｅ供給用の原料
ガス又は／及び８１供給用の原料ガスのガス流量を所望
の変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターケ９ット
をスパッ″！Ｉ　ｙｆｔ、Ｃ＋ｔｐ“１阜シ イオンデレーテ、イ、ング法の場合には、例えば多結晶
シリコン又は単結晶とりコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ケート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクト
ロンビーム法（ＦＢ法）等忙よって加熱蒸発させ１．飛
翔蒸発物を所望のガスｆ　ラ、＋”マ雰囲気中を通導さ
せる以外は、スｉ４’　ツタリング法の場合と同様にす
る事で行うことが出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては１．　ＳｉＨ４、８１２Ｈ６、８１５
ＨＢ　＋Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、８Ｉ供給
効率の良さ等の点で８１Ｈ４、５ｉ２Ｉ（６が好ましい
ものとして挙けられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　、　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１ｏ　
、　Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１ａＧ＠７Ｈｊ６　＋　ｃ
ｅ８Ｈ１Ｑ　、Ｇ１１９Ｈ２０等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙けられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４。

Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５Ｈ６が好ましいものとして挙けられ
る。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なものには、多くのハロゲン化合物が挙け
らｆｌ、例えばハロゲンガス、）・ロダン化物、ハロゲ
ン間化合物°、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るへロダン化合物が好ましく
挙げられる＠又、更には、シリコン原子とハロゲン原子
とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロ
ゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして不
発明忙おいては挙げるととが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハＯｆ　ンがス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　Ｃ
ｌＦ５　、　ＢｒＦ５　。

ＢｒＦ５　＋　ＩＦ５　、　ＩＦ７　、　ＩＣｔ、　Ｉ
Ｂｒ等のハｅｌダン間化合物を挙けることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、仇謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
１Ｆ４　、８ｉ２Ｆ４　、８１Ｃｔ４　、５ＩＢｒ４等
のハロダン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。

この様女ハロｒ７原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によ；て本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共ＫＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８１Ｇｅか
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の要領
域幅）を作成する場合、基本的には、例えば８１供給用
の原料ガスとなるノ・ログン化硅素とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　＋　Ｉ２　ｒ　
Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にし
て第１の要領減軽）を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることＫよって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複゛数種
混合して使用しても差支えないものである。

スノｆツタリング法、イオングレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にノ・ロダン原子を導入するＫ
は、前記のへログレ化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化゛合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ２、或いは前記したシ・ラン類又は
／及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ノ葛ロダン原子導入用の原料ガスと
して上記され九ノ＼ロダン化合物或いハノ・口ダンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その・他に、ＨＦ　ｒ　ＨＣｌ　＋　ＨＢｒ　＋Ｈ
Ｉ等のハｏｆｙ化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　＋　５ｉＨ２Ｉ
２　。

１１Ｈ２ｃ１２　、５ｉＨＯｔ３　ｖ　８１Ｈ２１１ｒ
２　ｒ　５ＩＨＢｒ５等のノーロダン置換水素化硅素、
及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＩ２Ｆ２　、　ＧｅＩ５Ｆ１
　。

ＧｅＨＢｒ５　、　Ｇ５Ｈ２Ｃ４ｚ　、　ＧｍＨ５ＣＬ
　、　ＧｅＨＢｒ５　、　ＧｅＩ２Ｂｒ２　。

ＧｅＨＢｒ５、　ＧｅＨＩ３．ＧｅＩ２Ｉ２　、　Ｇｅ
Ｈ５１等の水素化ノ）ログン化ｒルマニウム、等の水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン原子、ＧｅＦ４　
、　ＧｅＣＡ４　、　ＧｅＢｒ４　＋ＧｅＩ４　、　Ｇ
ｅＦ２　、９ｅＣｔ２　、　ＧｅＢｒｚ　、　ＧｅＩ２
等のハロｅｙ化・ゲルマニウム、等々のガス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な第１′の層領域（６）形成
用の出発物質として挙げる事が阻・来・る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロダン化物は、第１
の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或い杜光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ダン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他ＫＨ２、或いは８１Ｈ４、ｓ＋２ｎ４　。

５ｉ３ＨＢ　、　８ｉ４Ｈ＋ｏ等の水素化硅素をＧｏを
供給する為のｒルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いはｓ　ＧｅＨ４＋　Ｇｅ２Ｈ６＊　Ｇａ３ＨＢ　＋
　Ｇｅ５Ｈ１２ｒ　Ｇｅ５Ｈ１２ｒｃｅ６）１１４　、
　Ｇｅ７Ｈ＋６　、　Ｇｅ７Ｈ＋６　、　Ｇ１１２Ｈ２
０等の水素化ｒルマニウムとＳｌを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（ロ）の量
又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は好ましくはｏ、ｏｉ〜４０　
ａｔｏｍｉａ％　、よシ好適忙は０．０５〜３０ａｔｏ
ｍｉｅ９６、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉａ４と
される。

第１の層領域に）中に含有される水素原子（６）又は／
及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子斡）、或いはへ〇ケ゛ン原
子（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

本発明の光導電部材に於いては、ｒルマニウム原子の含
有されない第２の層領域（８）、ｒルマニウム原子の含
有される第１の層領域■には、伝導特性を制御する物質
（ｑを含有させる仁とにより、核層領域（Ｓ）及び該層
領域（Ｑの伝導特性を所望に従って任意に制御すること
が出来る。

この際、第２の層領域（Ｓ）　Ｋ含有される前記物質（
Ｃ］は、第１の層領域り）の全領域又は一部の層領域に
含有されて良いが、いずれの場合も支持体側の方に多く
分布する状態として含有される必要があるＯ 即ち、第２の層領域（８）に設けられる物＊　（Ｃ）の
含有される層領域（ｓｐＮ）は、第２の層領域（８）の
全層領域として設けられるか又は、第２の層領域（８）
の一部として支持体側端部層領域（ＢＥ）として設けら
れる。前者の全層領域として設けられる場合には、その
分布濃度Ｃ（Ｓ）が支持体側の方向に向って、線型的忙
又はステップ状に、或い□は曲線的忙増大する様に設け
られる。

分布濃度Ｃ（Ｓ）が曲線的に増大する場合には、支持体
側に向って、単調的に増、大する様に伝導性を制御する
物質（Ｃ）を層領域（Ｓ）中に設けるのが望ましい。

層領域（ＳＰＮ）を第２の層領域（８）中に１その一部
として設ける場合には、層領域（８ＰＮ）中忙於ける物
質（ｑの分布状態は支持体の表面と平行な面内方向に於
いてれ均一とされるが、層厚方向に於いては均一でも不
均一でも差支えない。この場合、層領域（１３ＰＮ）に
於いて、物質（Ｃ）が層厚方向に不均一に分布する様に
設けるＫは、゛前記の第１の層領域（８）の全層領域に
設ける場合と同様の分布濃度線となる様に設けるのが望
ましい。

第１の層領域（Ｇ）Ｋ伝導性を制御する物質（ｑを含有
させて該物質（Ｃ）の含有される層領域（ＧＰＮ　）を
設ける場合も第２の層領域（Ｓ）　Ｋ層領域（ＳＰＮ）
を設ける場合と同様に行うことが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域０）及び第２の層領域
（８）のいずれにも伝導特性を制御する物質（Ｑを含有
させ今場合、両層！域に含有される物質（Ｃ）は同種で
も互いに異種、であっても良い。

丙午ら、一層領域に同ａｌｔ１の伝導性を制御する物質
（Ｃ）を含有させる場合には、該物質（Ｃ）の層厚方向
に於ける最大分布濃度音第２の層領域（Ｓ）にある、即
ち、第２の層領域（８）の内部又は、第１の層領域（Ｇ
）との界面にある様に設けるのが好ましい。

、殊に、、前記の最大分布濃度が第ｌの層領域←）との
接触界面又は、該界面近傍に設けるのが望ましい・ 本発明に於いては、上記の様に第一の層（１）中に伝導
特性を制御、する物１　（Ｃ）を含有させて該物質Ｃ）
、を含有する層領域（ＰＮ　）を、第２ＯＮＩ領域（Ｓ
）の少なくとも一部の層領域を占める様忙、好ましくは
第２の層領域（８）の支持体側端部層領域（Ｓｇ　）と
して設ける。

層領域（ＰＮ）が第１の層領域（Ｓ）及び第１の層領域
幅）の両者に跨る様に設けられる場合には、伝導特性を
制御する物質（Ｃ）の層領域（ＧＰＮ）　Ｋ於ける最大
分布濃度Ｃ（Ｇｉ　ａ　ｘと層領域（５ＰＮ）に於ける
最大分布濃度Ｃ（Ｓ）ｍａｘとの間にはＣ（Ｇ）ｍａｘ
　＜　Ｃ（Ｓ）ｍａｘなる関係式が成立する様に物質（
Ｃ）が第一の層（１）中に含有される。

層領域（ＰＮ）に含有される伝導性を制御する物質（Ｑ
としては、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げる
ことが出来、本発明に於いては、Ｓｌ又はＧｅＫ対して
、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｉ型伝導特性
を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第１１族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ｋｌ（
アルミニウム）、Ｇｅ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔｔ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ％Ｇｏである。

口型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｍ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｌ（ビスマス）等であす、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明において、第一の層（１）中に設けられる層領域
（ＰＮ）Ｋ含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量は、該層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或
いは該層領域（ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体
或いは池の層領域との接触界面における特性との関係等
、有機的関連性において、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域に１ＩｉＫ接触して設けられる池の層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面における特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｑの含
有量が適宜選択される。

本発明において、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１　Ｑ’ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ　、
より好適には０．５〜１　Ｘ　１０　ａｔｏｍｌ　ｃ　
ｐｐｍ　ｓ最適には１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐ
ｍとされる。

本発明において、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）を第１の層領域（Ｓ）と第２の層
領域り）の接触界面に接して、或いは層領域（ＰＮ）の
一部が第１の層領域り）の□少□なくとも一部を占める
様ＫＬ、且つ層領域（ＰＮ）Ｋおける該物質（Ｃ）の含
有量を、好ましくは３０　ａｔｏｍｌｊ’　ｐｐｍ以上
、より好適には５０　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ以上、最適
には１００　ａｔｏｍｌ　ｅｐｐｍ以上とすることによ
って、例えば該含有させる物質が前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面かの極性に帯電処理を受け
た際に支持体側から第２の層領域り）中へ注入される電
子の移動を効果的Ｋ１１ｌｌ止することが出来、又、前
記含有させる物質が前記のｎ型不純物の場合に杜、光受
容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持
体側から第２の層領域り）中へ注入される正孔の移動を
効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、本発明の□前述した基本構成の下
に前記層領域（ｐＮ）を除いた部分の層領域り）Ｋは、
層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性を支配する物質の
極性とは別の極性の伝□導特性を支配する物質を含有さ
せても良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物
質を層領域（ＰＮ）に含有される実際の量よりも一段と
少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域り）中に含有される前記伝導
特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ）
Ｋ：含有される前記物質の極性や含有量に応して所望に
従って適宜決定されるものであるが、好ましくは、ｏ、
ｏｏｉ〜１’０００ａＶｏｍｌｅ　Ｉ）ｆｌｆｆ１％よ
り好適には０．０５〜Ｆ＋００ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ’
、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍとされ
る。

本発明において、層領域（ＰＮ）及び層領域（６）Ｋ同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域（６）における□含有量としては、好ましくは、３　
Ｑ′ａ’ｔｏ晶１ｅｐｐｍ以下どするのが望ましい。

上記した場合の他に１本発明においては、第一の層（１
）中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性・を支配
・する物質を”含有させた層領域とをｌＩＫ接触する様
に・設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも□
・出来る。つまり、例えば第一の層［１）中に、前□記
のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含
有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接
合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

第１１図乃至第２４図には、第一の層（１）中に含有さ
れる伝導特性を制御する物質（０）の層厚方向の分布状
態の典型的陀０が示されろ。

これ等の図に於いて、横軸は物質（０）の層厚方向の分
布濃度Ｃ（ＰＲ）を、縦軸は第一の層（１）の支持体側
からの層厚ｔを示しである。ｔＢは第１の層領域（Ｇ）
の支持体側の耐曲の位置、ｔ、は第２の層領域（Ｓ）の
支持体側とは反対の耐曲の位置、ｔｏは層領域０）と層
領域（Ｓ）の接触界面の位置を示す。

第１１図には、第一の層（１）中に含有される伝導特性
を制御１−る物質（Ｉｊ）の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物ｆｉ　（Ｃ１は、層領域
（Ｇ）には含有されておらず、層領域（Ｓ）　Ｋのみ濃
度Ｃ□の一定分布磯度で含有されている。つまり、層領
域（８）は１ｏと１．間の端部層領域に物質（Ｇ）が濃
度Ｃ１の一定の分布濃度で含有されている。

第１２図の例では、要領減軽）には、物質（Ｃ）は万偏
無く含有されてはいるが、層領域（Ｓ）には物質（Ｃ′
）は含有されてない。

そして、物質（Ｃ）はｔｏとｔ２の間の層領域には、分
布濃度がＣ！と一定濃度で含有され、ｔ２とｔ、の間の
層領域にはＣ！よりは遥かに低い濃度Ｃ３の一定濃度で
含有されている。

この様な分布濃度Ｃ（ＰＮ）で物質（Ｃ）を第一の層（
１）を構成する層領域（Ｓ）に含有させることで、層領
域（Ｇ）より層領域（８）に注入される電荷の表面方向
への移動を効果的に阻止することが出来ると同時に、光
感度及び暗抵抗の向上を計ることが出来る。

第１３図の例では、層領域（Ｇ）　Ｋ物質（Ｃ）が万偏
無く含有されてはいるが、ｔｏに於ける濃度Ｃ４よシ上
表面方向に単調的に減少してｔＴに於いて濃度０となる
様に分布濃度Ｃ（ＰＮ）が変化している状態で物質（０
が含有されている。層領域１Ｇ）には物質（０は含有さ
れてない。

第１４図及び第１５図の例の場合は、物質（Ｃ）が第２
の層領域■）の下部端部層領域に偏在的に含有されてい
る例である。即ち、第１４図及び第１５図の例の場合は
、層領域（８）は、物質（Ｑの含有されでいる層領域と
、物質Ｃ）の含有されていない層領域とが、この順で支
持体側より積層された層構造を有する。

第１４図と第１５図の例の場合に於いて異なる点は、第
１４図の場合が分布濃度ｃ（ＰＮ）がｔｏと１３間に於
いてｔｏの位置での濃度Ｃ１より１．の位置での濃度０
ｉで単調的に減少しているのに対して、第１５図の場合
は、ｔｏとｔ−４間に於いて、１．の位置での濃度Ｃ６
よりｔ４の位置で９Ｉｌ１度０まで線形的に連続して減
少していることである。第１４図及び第１５図の例の場
合も、第１・の層領域（Ｑには物質（０は含有されてい
ない。・ 第１６図乃至第２４図の例に於いては、第１の層領域り
）及び第、２の層領域（８）の両者に伝導性を制御する
物質（ロ）が含有されている・場合が示される。

第１６図乃至第２２図の例の・挿合は、第２の層、。

領域（８＞は、物質（Ｃ）が含有されている層領域と、
物質（Ｑが含有されてない層領域が支持体側よりこの順
で積層された２層構造を有しているのが共通している。

その中で第１６図乃至第２１図の例に於いては、いずれ
も第１の層・領域（Ｇ）に於ける物質（Ｃ）の分布状態
は、第２の層領域（８）との界面位置ｔ。

より支持体側に向って減少している分布濃度Ｃ（ＰＮ）
の変化状態を有していることである。

第２３図及び第２４図の：例の場合は、第一の層（１）
の全層領域に亘りて層厚方向に物質（Ｃ）が万偏無く含
有されている。加えて第２３図の場合は、第１の層領域
（Ｇ）に於いては１．ｔＢＫ於ける濃度Ｃｆ１Ｓよりｔ
ｏに於ける濃度ＣＳＺまでｔＢよりｔ６に向って線形的
に増加し、第２の層領域、（８）　Ｋ於いては、ｔｏに
於ける濃度Ｃ＊ｔよりｔＴに於ける濃度０までｔｏより
ｔＴＫ向って単調的に連続して減少している。

第、２４図の場合は、ｔＢとｔｌｌの間の層領域に於い
ては、濃度ＣＷ４の一定分５布濃度で物質（Ｃ）が含有
され、ｔ１３とｔＴの間の属領・域に於いては、濃度Ｃ
□より線形的に減少して、ｔＴＫ於いてＯＫ至っている
。

以上第１１図乃至第２４図に於いて、第一の層（１）中
に於ける伝導性を制御する物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ（Ｐ
Ｎ）の変化例の代我的な場合を説明した様に、いずれの
例に於いても、物質（Ｑの最大分布濃度が第２の層領域
（Ｓ）　Ｋ存する様に物質（Ｃ）が第一の層（Ｉ）中に
含有される。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（８）を形成するには前記した第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質（１）の中より、Ｇｅ供給用の原
料がスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質句）〕を使用して、第１の層領
域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従って行
うことが出来る。

即ち、本発明しζ於いて、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層領域（Ｓ）を形成するには飼えばグロー
放准法、ス・切タリング法、門いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって、ａ　−８１（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２の層領域（８）を形成するには、
基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る
８１供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子知
導入用の又は／及びハロダン原子（ト）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持表面上にａ−８１（ＨＦＸ）からなる
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈ礫等の不活性がス又はこれ
等のがスをペースとした混合がスの雰囲気中でＳｔで構
成されたターゲットをスパッタリングする際、水素原子
ａ◇又は／及びハロゲン原子（３）導入用のガスをスパ
ッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
第２０層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（６）の量
又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロダン原
子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは、１〜４　Ｑ　ａ
ｔｏｍｌｃ　％、より好適には５〜３０　ａｔｏｒｎｌ
ｃチ、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とサレル。

第一の層（１）を構成する層領域中に、伝導特性を制御
する物質（Ｑｌ　例えば、第■族′原子或いは第Ｖ族原
子を構造的に導入して前記物質（Ｑの含有され□た層領
域（ＰＮ）を形成する忙は、層形成あ際に、第１族原子
導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質を
ガス状頭で堆積室中に、第一の層（１）を形成する為め
池の出発物質と共に導入してや□゛れは良い。との様な
第１族原子導入用の出発物質と成り得るものと口ては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下゛士
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましａｏそ
の様な第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼
素原子−入用としては、Ｂ２Ｈ６，ｍ４馬０１　ＢＳ”
９１　Ｂ５Ｈ１１ｔＢ６Ｈ１゜ｔ　Ｂ６Ｈ１２ｔ　Ｂ６
Ｈ１４等の水素化硼素二ＢＦ−５＋　ＢＣＬ５ｒＢ　Ｂ
　ｒ　ｓ等のハロゲン化硼素等が１けられる。この他、
ｈｔｃｔ、、　ａｃｔ３．　ＧＩＬ（ＣＨ，）３．”’
　ｉ’ｎＣ′ｔ３ｔ　Ｔｔｃｔ、５等も挙げることが出
来る。　″ 第１族原子導入用の出発物質として、本発明に゛おいて
有効□に使用されるのはミ燐原子導入用とし′ては、Ｐ
Ｈ，、Ｐ２Ｈ４等の水素ンヒ燐、　ＰＨ４Ｉ、　ＰＦ３
．ＰＦ、。

ＰＣｌ５．　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３．”Ｐ′Ｉｒ５．　
”ＰＩｓ’等の／％　ｌ：ｌ　ｊｆ　ン比隣が挙げられ
る。この池、ＡｓＨ２，ＡｓＦ３．　ＡｓＣｔ３＋Ａｓ
Ｂｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ，、ＳｂＦ５．　ＳｂＦ
５．５ｂＣ１６，５ｂＣ１５゜ｎｔＨ３，ｎｔｃｚ３．
　Ｂｉｅｒ　’　Ｗｉも第Ｖ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることが出来る。

第１図Ｋｍされる光導電部材１Ｏ０に於いては第一の層
（ｒ）　１０２上に構成される第二の層（Ｉｔ）１０５
は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用
特性、電気的４１１使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一０Ｍ（１）１０２と第二の
層（［１）１６５とを構成する非晶質材料の各々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有してい名ので、積層
界面に肩いて化学的な安定性の確保が充分成されている
。

本発明に於ける第二メ藤ω）は、シリコン原子（Ｓｔ）
と窒素原子軸と、必１に応じて水素原子（６）又は／及
び・・ログン原子ｏｏ左を含む非晶質材料（以後、ｒ　
ａ　−（ｓ４Ｎ、−ｘ）、（ＨｔＸ）、−、Ｊ　と記す
。但し、ｏ　＜　ｘ　、ｙ　＜　１　）で構成される。

ａ　−（８１ｘＮ、−、）、（Ｈ，Ｘ）、−、で構成さ
れる第二の層（■）の形成はグロー放電法、スノやツタ
リング法、エレクトロンビーム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光＃尾部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望せる
特性を有する光専電部材を製造するための作製％件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に窒素原子及
びハロゲン原子を、作製する第二の層（ＩＩ）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はス
・母ツタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とツノ４ツタリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層ｆｆ１）を
形成してもよい。

グロー放電法によって第二０層＜１）を形成するにはａ
　−（Ｓｉ　ｘＮｌ　−Ｘ　）ｙ　（ＨｅＸ）　１−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈がスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでがスグラズマ化して、前記支持体上に既に形成され
である第一の層（１）上Ｋ　＆　−（８１１Ｎ１−ｘ　
）ｙ（Ｈ＋Ｘ）（−ｙを堆積させれば良い。　一 本発明に於いて、ａ　−（８１ｘＮ、−ｘ）、（Ｈ，Ｘ
）、−、形成用の原料ガスとしてｔま、シリコン原子（
ｓｓ　）、窒素原子軸、水素原子（６）、ノ・ロダン原
子（３）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

８１、Ｎ、Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料がスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原子と
する原料がスと、Ｎを構成原子とする原料がスと、必要
に応じてＨｔ構成原子とする原料がス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｎ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＮ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、別を構成原子とする原料ガスと、Ｓ
ｌ、Ｎ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、Ｓ
ｔ、Ｎ及びＸの３つを構成原子とする原料がスとを混合
して使用することができる。

又、別にＢ、ｓｔとＨとを構成原子とする原料ガスＫＮ
を構成原子とする原料がスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを！成原子とする原料てスにＮを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層〔）中に含有されるハロゲン
原子（２）として好適な（’）　悼Ｆ　Ｆ　Ｃ１ｊＢｒ
　ｐ　Ｉでア抄、殊ＪｆＣＦ、Ｃ１が望ましいものであ
る・本発明に於いて、第二の層ω）を形成するのに有効
に使用される原料がスと成り得るものとしては、常温常
圧に於いてがス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

スパッタリング法で第二の層〔）を形成する場合には、
例えば次の様にさむる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性がス又はこれ等
のガスをペースとした混合がスの雰囲気中で引で構成さ
れたターゲットをス／ぐツタリングする。

際、窒素原子■導入用の原料ガスを必ＱＫ応じて水素原
子（ロ）導入用の又は／及びノ・ロダン原子■導入ｍの
原料ｆｆｘ４共にス・やツタリングを行う真空ｊ＃積皇
室内導入してやれば良い・ 第二には、ネノやツタリンダ用のターゲットとして、８
ｉ、Ｎ、で構成、された１ターゲツトか、或いはＳｌで
構成されたターゲットとＥｊｌ、Ｎ４で構成されたター
グ、ットの二枚か、又はＳＩとＳｉ、Ｎ４とで構成され
たターゲットを使用することで形成される第二の層（ｒ
ｌ）中へ窒素原子軸を導入することが出来る。この際、
前記の窒素原子軸導入用の原料ガスを併せて使用すれ、
ばそ、や流量を制御すること第二の層（ｎ）中に導入さ
れる声−原、子−の量を任意に制御するととが容易でセ
る。

第二の層ω）中）導入される。声素原子軸の含有量は、
窒素原子軸導入、用の原料、ガスが堆積室中へ導入され
る際の流量を制御するか、又は窒素原子軸導入用のター
ゲット中瞥含、有される窒素原子（社）の割合を、該タ
ーゲットを作成する際に調整するか、虐いは、こ９両、
者を行うことによって、って任意に制御することが出来
る。

本発明において使用され°るｓｉ供給用の原料ガスとな
る出発物質としては、８１Ｈ４，Ｓｌ□Ｈ６，８１，Ｈ
８゜８　ｌ　４Ｈ，。等のがス状態の又はがス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率
の良さ等の点で５ＩＨ４，８１２Ｈ６が好ましいものと
して挙けられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を一適切に
選択することＫよって形成される第二の層り）中ＫＳＩ
と共にＨも導入し得る。

８１供給用の原料がスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の池に、ノ・ロダン原子（イ）を含む
硅素化合物、所ｇＦ］、ノ・ロダン原子で置換されたシ
ラン誘導体、具体的には例えば５ＩＦ４゜ｓｔ、ｉ’６
．８％ｃｚ４．８ＬＢｒ４等の／％　０　Ｉ”ン化硅素
が好ましいものとして挙けることが出来る。

更には、５ＩＨ２Ｆ２．５ＩＨ２Ｉ２．８ｋＨ２ＣＬ２
．５ｔｔｉｃｚ、。

５ＩＲ２Ｂｒ２．８１ＨＢｒ、等の７％ロダン置換水素
化硅素、等々のがス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成要素の１つとする／・ロゲン化物も有効な第二
の層ω）の形成の為のＳＩ供給用の出発物質として挙げ
る事が出来る。

これ等の／％　ｏ　ｆン原子（３）を含む硅素化合物を
使用する場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択
によって、形成される第二〇Ｎ４ＱＩ）中［Ｓｌと共に
Ｘを導入することが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含む）１０グン化硅素
化合物は、第二の層（Ｉｆ）の形成の際に層中にハロゲ
ン原子匈の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御
に極めて有効な水素原子（６）も導入されるので、本発
明においては好適なノ・ログン原子閃導入用の出発物質
として使用される。

本発明において第二の層Ｑｌ）を形成する際に使用され
るハロダン原子■導入用の原料がスとなる有効な出発物
質としては、上記したものの他に、−１えば、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素のノ１０ダンがス、ＢｒＦ、　Ｃｊ
ｌＦｔ　ＣｌＦ５＊　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ５ｐ　ＩＦ７
．ＩＣｔ、ＩＢｒ、ＩＦ。

等のハロゲン間化合物、ＨＦＨＨＣＬ、　ＨＢｒ、　Ｈ
Ｉ等のハロダン化水素を挙けることが出来る。

第二の層Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（ｌＶ
＋）４入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ
Ｈ，）　ｅヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジイヒ水
素（ＨＮ３）　？アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ！、　
）等のガス状の又はガス化し得る９素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物を挙けることが出来る。このｆｉｌ
＋に、窒素原子■の導入に加えて、Ｉ・ロダン原子（至
）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（ＦＡＮ）
　＊四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のノ・口でン化窒素化合
物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の層（ｊ７）をグロー放電法又は
ス・母ツタリング法で形成すや際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希が−、例えば）ｉｓ　、Ｎｏ　。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ＞は、その要求される特
性が所望通りに与えられる！に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、Ｎ％必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取υ１電気物性的には、
導電性から手心体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電、的性質から非光導電的性質を、各、々示すので本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
ｓｔｘＮ、−１）ア（鳴Ｘ）ｔ□が形成される様に１所
望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例え
ば、第二の層（ＩＩ）を電気的耐圧性？向上を主な目的
として設けるにはａ　−（Ｓ　ｌ　ｘＮ　１−＝？　ｙ
　（ＨＴＸ）　１−ｙ　、は使用環境に於いて電気絶縁
性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用璃境特性の向上を主たる
目的として第二の層り）が設けられる場合には上艷の電
気絶縁性？度合はある程度緩和され、照射される光に対
しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（Ｓ
ｉ、Ｎ、−ｘ）、（Ｈ，Ｘ）、、が作成される。

第一の層（１）の表面にａ−（８１ｘＮ　１−Ｘ　）ｙ
　（ＨｖＸ）　１−ｙ　から成る第二の層〔）層形成す
る際、層形成中の支持体温度は、構成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であって、本発明に於いて
は、目的とする特性を有するａ−（８１ＸＮｌ−ｘ）ｙ
（”＊Ｘ）１−ｙ　が所望通りに作成され得る様に層作
成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（［１）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層（ＩＩ）の形成が実行されるが、好
ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされる。第二の層＜１
１＞の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用が
有利でちるが、これ等の層形成法で第二の層（ｆｌ）を
形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の
際の放電パワーが作成されるａ　−（Ｓ　１−ｘＮ　１
−ｘ　）ｙ　（Ｈｙ　Ｘ）　＋　□の特性を左右する重
要な因子の−りである・ 本発明に於ける目的が達成されるための！特性を有する
ａ　−（Ｓｉ、Ｎ、ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙが生産性良
く効果的に作成されるための放電／４’ワ−φ件として
は好ましくは１．０〜３００Ｗ％　よシ好適にＶｉ２．
０〜２５０Ｗ１最適には５．０〜２００Ｗとされるのが
望ましい。

堆積室内のガス圧は好ましくはＯＯ１〜ｌ　Ｔｏｒｒｓ
より好適には、０１〜Ｑ、　５　Ｔｏｒｒ程度とされる
のが望ましい。

本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するための支
持体温度、放電・やワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ　−（ｓｔｘＮ、−ｘ）ｙ（ｕ、ｘ）、−。

から成る第二の層（Ｉｔ）が形成される様に相互的有機
的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決め
られるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる窒素原子の量は、第二の層（Ｉｔ）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら本発明に
於ける第二の層（■）゛に含有される窒素原子の！−１
ｄ、ａニの層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種蒙及び
その特性に応じて適宜所“望に応じて決め□られるもの
である。

□即ち、前記一般式ａ　−（’５ｔｘＮ、−Ｘ）ｙ（Ｈ
，Ｘ）１．で示□される非晶質祠料は、大別すると、シ
リコン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後
、ｒ　＝　＝ｓｊ、ｒｔｒ、ｌ、　Ｊと記す。但し、Ｏ
（ａ’　（，１’　”）、てリコン原子と９素原子と水
素原孕とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（’
Ｑ：ｔ’：’Ｎ、−，）ｅＨ，−０」と記す。但し、’
ｏ（ｂ、ｃ（１）、シリコン原子と窒素原子とハロゲノ
原子と必要に応じて水素原子とで構成きれる非晶質材料
（以後、ｒ　ａ　−（５ｌｄＮ、−ｄ）。

（ｔ（：ｘ）；−’、　Ｊと記す。但しＯ’（”ｄ　、
　ｅ　（１）、に分類される。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｔ）がａ−８ＩａＮ、−
１で構成される場合、第二の層（■）老含有される窒素
原子の量は好ましくは、１’Ｘ１０”’６’　０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、よ゛り好適には１〜５’Ｏａｔｏ’ｍｌＣ
チ、最適には１０〜４’　５　ａｔｏｒｎｉｅ％とされ
る。即ち、先のａ−８ｉ　ａＮ　＋　−ａの８の表示で
行えば、亀が好ましくは０，４〜０９９９９９、よシ好
適には０．５〜０９９、最適には０５５〜８、９’−ｒ
：ある。

本発明に於いて、第二の層０）が’−（”ｂＮｌ−ｂ）
ｅＨ−で構成される場合、第二の層（ＩＩ）に含有され
る窒素原子の量は、□好ましくは１Ｘ１０−’〜５５　
ａｔｏｍｉｃ俤とされ、より好ましくは′１〜５５　ａ
ｔｏｒｎｉｃチ、最ｊ商には１０〜５ちａｔｏｍｉｃ　
％とされる。水素原子の含有酸としては、好ましくは１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　、よυ好ｃ％、最適には５
〜３　Ｏａｔｏｍｉｃ−とされるのが望４ｔ＜、これ等
の範囲に水素厚手含有量がある場谷に形成ｉれる光導電
部材は、実際面に於いて優れたものｊして充分運用させ
（尋６゜　□ 即ち、先のａ　−（ＳｔｂＮ’：”−、、）、、■■、
−８の表示で行えばｂが好ましｋは０．４５〜０９９９
９９、よシ好適には０４５〜０．９９、最適には０４５
〜０．９、Ｃ７５；好ｉし’＜はＯ６〜０．９９、よシ
好適には０．６５〜０．９８、□最適には０．７〜０．
９５である。　□第二の層（Ｉｔ）が、ａ−（８１ｄＮ
　＋　、、、ａ　）ｅ　（Ｈ、Ｘ　）　、−ａで構成さ
れる場合には、第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原
子の含有液としては、好ましくは、１×１０−３〜６０
　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には１〜，６０　ａｔｏｍ
ｉＣ％、最ｉｍＫは１０〜５５１ＦｔｏＩＴＩＩＣ％と
される。／Ｎ　ロＩｆ”　７原子の含有−訃としては、
好ましくは、１〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、よシ好適には
１〜１８　ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１５　ａｔｏ
ｍｉｃチとされ、これ等の範囲に一ロダン原子含有屑が
ある場合に作成される光導電部材を実際面に充分適用さ
せ得るものである。必要に応じて含有される水素原子の
含有吋としては、好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃ％以下
、より好適にはｌ　３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるの
が望ましい。

即ち、先の＊　−（８１，Ｎ、　−（１）ｅ（Ｈ，Ｘ）
　、−、のｄ、ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．
４〜０．９９９９９、より好適には０．４〜０，９９、
最適には０１４５〜０．９、ｅが好ましくはｏ、　”ｉ
ｌ　〜ｏ、９９１ｋｌ、よシ好適には０１２〜０．９９
、最適にはＯ，８５〜０．９ｇである。

本発明に於ける第二のＭ　（ｎ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するだめの重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（Ｉｆ）中に含有
される窒素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。

更に加え得るに、生産性や敬意性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＴ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、より好適には０００４〜２
０μ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１０μとされる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い′。導電性支持体としては、
例えば、Ｎ１Ｃｒ１　ステンレス、Ａｔ。

Ｃｒ％Ｍｏ５Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、ＶＸＴｉＸＰｔＳ
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン　、Ｉ？リカ゛−ボネート、セルローズアセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ボリア゛ミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用され
る。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面、。

を導電処理され、該導電処理された表向側に他の層が設
けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれ屯ｙの表面に、Ｎ１Ｃｒ。

Ａｌｓ　Ｃｒ　−、Ａｕ　ｓ　Ｍｏ　％　Ｊ　ｒ　ｓ　
Ｎｂ　％　Ｔａ　ｓ　Ｖ　％　Ｔｊ、ｐｔ。

Ｐｄ、　Ｉｎ２Ｏ，，５ｎｏ２、ＩＴＯ（ｌｎ２０３　
＋５ｎＯ２）等から成るＷＪＩ膜を設けることＫよりて
導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合
成樹脂フィル、ムであれば、ＮｌＣｒ　ｔ、　Ａｔ、　
Ａｇ　、　Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎ１、Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ５Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸、着、ス・ぐツタリ
ング等でその表面に設け、又、畔前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状として竺、、、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用
像形成部材として使用するのであれぐ連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限シ薄くされる。丙午ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２５図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスゴンペには、本発明の光−
電部、材を形成するだめの原料ガスが密封されておシ、
その１例へしてたとえば２０２は、Ｉ（ｅで稀釈された
８１）Ｉ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ，／
）Ｉ・と略す。）？ン、ぺ、２０３はＨｅで稀釈された
Ｇｅ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ　＠　Ｈ
４Ａ１　ｓと略す。）？ンぺ、２０４ｉｊＨｅで稀釈さ
れたＳｉＦ、ｆｆス（純度９９．９９％、以下８１　Ｆ
　＜７’ｌ（ｓと略す。）テンペ、２０５はＨ６で稀釈
された８２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下、Ｂｚ
Ｈ６／ｈｅと略す。）キンペ、２０６ｄＨ２ガス（純度
９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１１Ｃ流入させるにはガスボ
ンベ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２６、リークパ
ルプ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パ
ルプ２１２〜２１６、流出バルブ２１７〜２２１１補助
バルブ２３２．２３３が開かれていることを確認して、
先ずメインバルブ２３４を開いて反応室２０１、及び各
ガス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５
×１０−’　ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２３２
．２３３、流出パルプ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上に光受容層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よりｓ　＋　Ｈ
４／”’ｅガス、ガスボンベ２０３よＪ）　伽ＨａＡｅ
ガスを、ノクルブ２２２．２２３を夫々間いて出口圧グ
ーノ２２７．２２８の圧を１ｋｇ／ｃｆｎ２に調整し、
流入パルプ２１２．２１３を徐々に開けて、マス７０コ
ントローラ２０７．２０８内に夫々を流入させる。引き
続いて流出パルプ２１７，２１８、補助バルブ２３２を
徐々に開いて夫々のガスを反応室２０１に流入させる。

このときのＳ　Ｉ　Ｈ４／４（ｓガス流量とＧｅＩ（＜
、／１１　ｅガス流量との比が所望の値になるように流
出パルプ２１７．２１８を調整し、又、反応室２０１内
の圧力が所望の値になるように真空計２３６の読みを見
ながらメインバルブ２３４の開口を調整する。そして基
体２３７の温度が加熱ヒーター２３８によシ５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後
、電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内に
グロー放電を生起させて基体２３７上に第１の層領域←
）を形成する。所望の層厚に第１の層領域幅）が形成さ
れた時点に於いて、流出パルプ２１８を完全に閉じるこ
と及びガスボンベ２０５よシＢ２Ｉ（６／４Ｉ＠ガスを
前記８　ｉ　Ｔ（ａ／ｌ（ｅガスと同様なバルブ操作に
より反応室２０１内に導き所望のドーピング曲線にした
がってマス７０コントローラ２１０を制御する、又、必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放電を維持することで、
前記の第１の層領域し）上にｒルマニウム原子が実質的
に含有されていない第２の層領域■）を形成することが
出来る。

この様にして、第１の層＠緘←）と第２の層領域（ト）
）とで措成された第一の層が基体２３７上に形成される
。

上記の様にして所走層厚に形□成された第一の層（菖）
上′に第二の１（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１
）の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えば５Ｉ
Ｔ（４ｆｆス、ＮＨ５の夫々を必要に応じてＨｅ等の稀
釈ガスで稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を
生起させることによって成される。第二の層（ｎ中にハ
ロダン原子を含有させるには、例えば８１Ｆ４ガスとＣ
２Ｔ（４ガス、或いは、これに８１Ｈ４ガスを加えて上
記と同様にして第二〇屑（Ｉｔ）を形成することによっ
て成される。

美々の層を形成する際に必要なガスの流出・ぐルゾ以外
あ流出・ぐルテは全て閉じること社言うまで娘なく、又
夫なの層□を形成−ｊ水際、前層の形成に使用したガス
が反応室２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応
室２０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ２１７〜２２１を閉じ、補助バルブ２
３２．２３３を開いてメインバルブ２３４を全開して系
内金一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原子の量は例えば
、グロー放電による場合ｄＲ１Ｈ４ガスと、ＮＨ，ガス
の反応室２０１内に導入される流量比を所望に従って変
えるか、或いは、ス／ヤツターリングで層形成する一合
には、／　’ｙ”　ｙ　トを形成する際シリコンウェハ
と窒化シリコン板のスノやツタ面積比率を変えるか、又
はシリコン粉末と窒化シリコン粉末め混合比率を□変え
てターグットを成型することばよりて所微に応じて制御
子ることが出来る。第二の層（［１）中に含有されるハ
ロダンｌ（子（３）の量は、−・ログン原子琳入用の原
料ガス、例えば５ｔＦ４ガス力ｉ反応室２０１′内に導
入される際の流計を調整することによ−て晟される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体２３７はモータ２３９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２５図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての各試料を形成した（第２表参照）。

層領域（８）の形成の際、Ｂ２Ｈ６ガス及びＰＲ，ガス
の流敗比を予め股引された変化率線に従って変化させる
ことによって、第２６図に示す分布濃度を夫夫各試料に
就て形成した。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．０　ｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光量はタングステンラング光源を
用い、２１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチャー
トを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を各試料の光受容層表面をカスケードすること
によって、光受容層表面上に良好なトナー画像を得た。

光受容層上のトナー画像を、■５．０　ｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、各試料ともに解像力に優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源をタングステンラングの代シに８１
０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様にして
、各試料に就いてトナー転写画像の画質評価を行ったと
ころ、各試料とも解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明
な高品位の画像が得られた。

実施例２ 第２５図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＡ
某体上に第３岩に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての各試料を形成した（第４表参照）。

層領域り）及び層領域（８１の形成の際［８２Ｈ６ガス
及びＰＨ，ガスの流量化を予め設計された変化率線に従
って変化させることによって、第２７図に示す分布濃度
を夫々、各試料に就て形成した。

これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就て３８℃、８０ＳＲ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
とこや、いずれの試料も画像品質の低下は見られながち
た。

実施例３ 第２５図に示した製造装置により、シリンダー状めＡｔ
基体上に第５表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料／ｆｔ３１−１〜３７−１２）を夫々作
成した（第６表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第２
８図に、又、不純物原子の含有分布濃度は第２６及び第
２７図に示される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テ誠卜を行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与え□た。父、各試料に就て３８℃、８０Ｓ
ＲＨの１境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行っ
たところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなか
った。

実施例４ 第二０層（１０の作成条件を第７表に示す各条件にした
以外は、実施例１の試料Ａ　Ｉ　−１，１−２。

］−３と同様の条件と手順に従って、電子写真用像形成
部材の夫々（試料ＡＩ　−１−１〜１−１−８゜１−２
−１〜１−２−８．１−３−１〜１−３−８の２４個の
試料）を作成した。

こうして得られた各′毘子写真用像形成部材の夫夫を個
別に複写装置に設置し、ｅ５ｋｖでＯ，２ｓ’ｅｃ間コ
ロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステン
ラングを用い、光量は１．０１ｕｘ−ｓｅｃ　、！：し
た。潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む
）によって現像され、通常の紙に転写された。転写画像
は、極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材上に残ったトナー
は、ゴムブレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場
合も画像の劣化は見られなかった。

各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第８表に示す。

実施例５ 第二の層（ＩＩ）の形成時、ＡｒとＰｌｌｌ（３の混合
ガスとシリコン原子ノ〜と窒化シリコンのターゲツト面
積比を変えて、第二の層（ｎ）に於けるシリコン原子と
窒素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１の試
料Ａｌ−１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々
を作成した。こうして得られた像形成部材の夫々につき
、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの
工程を約５万回繰り返した後画像評価を行ったところ第
９表の如き結果を得た。

実施例６ 第二の層（１）の層の形成時、８ｉＨ４ガスとＮＨ５ガ
スの流量比を変えて、第二の層（ＩＩ）に於けるシリコ
ン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は実が６
例１の試料点１−２と全く同様な方法によって１象形酸
部材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材
につき、実施例１に述べた如き方法で転写までの工程を
約５万回繰り返した後、画１象評価を行ったところ、第
１０表の如き結果を得た。

実施例７ 第二の層（１）の屑の形成時、Ｓ　ＩＴ（４ガス、５Ｉ
Ｆ４ガス、ＮＨ，ガスの流量比を変えて、第二の層（ｎ
）に於けるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施トリ１の試料扁１−３と全く同様な方
法によって像形成部材の夫々を作成した。こうして得ら
れた各像形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回縛り返した後、画像
評価を行ったところ第１１表の如き結果を得た。

実施例８ 第二０層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１の試
料Ａ１−４と全く同様な方法によって像形成部材の夫々
を作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰シ返し第１２表の結果を得た。

□１ 第　１２　表 以上の本発明の実施例における共通の層作成条件を以下
に示す 基体温度：＋″ルマニウム原子［有］）含有層・・・約
２００℃ダルマニウム原子（Ｇ、）非含有層・・・約２
５０℃放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　Ｑ、３　Ｔａｒｔ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫夫層領域り）中
のダルマニウム原子の分布状態全説明する為の説明図、
第１１図乃至第２４図は夫々光受容層中の不純物原子の
分布状態を説明する為の説明図、第２５図は本発明で使
用された装置の模式的説明図、第２６図乃至第２８図は
夫々本発明の実施例に於ける各原子の分布状態を示す説
明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・光受容層 −−−→−Ｃ Ｃ −一一−→−Ｃ −一一→−Ｃ −Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） □Ｃ（ＰＮ） 一一一一一一伽Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） −（、（ＰＮ） −一一一一一伽Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） □Ｃ（ＰＮ） 一一一一一一伽Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、核支持体上にグル賓ニ
   ウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領域（
   Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
   性を示す第２の層領域（８）とが前記支持体側よシ順に
   設けられた層構成の第一の層及びシリコン原子と窒素原
   子とを含む非晶質材料で構成された第二の層から成る光
   受容層とを有し、前記第一の層は伝導性を制御する物質
   （Ｃ）を含有し、該物質（Ｃ）の層厚方向分布濃度の最
   大値が前記第２の層領域（８）中にあり、且つ該物質（
   Ｃ）を前記第２の層領域（２））に於いては前記支持体
   側の方に多く分布する状態で含有している事を特徴とす
   る光導電部材０ （２）第１の層領域り）中にシリコン原子が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。　・、
   。 （３）　第１の層領域０）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が層厚方向に不均一である特許請求の範囲第
   １項に記載、の光導電部材。 、（４）　第１の層領域に）中に於けるダルマニウム原
   子の分布状態が層厚方向に均一である特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材。 （５）第１の層領域←）及び第２の層領域（Ｓ）の少な
   くともいずれか一方に水素原子が含有されている特許請
   求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （６）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項又は同第５項に記載の光導電部材
   、　。 （７）第一の層領域Ｏ）中罠於けるゲルマニウム原子の
   分布休憩が前記支持体側の方に多く分布する分布状態で
   ある特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 （８）　伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第■族
   に属する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。　、 （９）伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第■族に
   属する原子である特許請求の範囲第Ｊ項に記載の光導電
   部材。