JPS60130148A - 高周波増幅用トランジスタパツケ−ジ - Google Patents
高周波増幅用トランジスタパツケ−ジInfo
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- JPS60130148A JPS60130148A JP23831783A JP23831783A JPS60130148A JP S60130148 A JPS60130148 A JP S60130148A JP 23831783 A JP23831783 A JP 23831783A JP 23831783 A JP23831783 A JP 23831783A JP S60130148 A JPS60130148 A JP S60130148A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は高周波増幅用トランジスタパッケージに関し
、特にトランジスタチップの破壊時あるいはその交換な
どに際して、再利用できるようにした高周波増幅用トラ
ンジスタパッケージに係るものである。
、特にトランジスタチップの破壊時あるいはその交換な
どに際して、再利用できるようにした高周波増幅用トラ
ンジスタパッケージに係るものである。
従来例によるこの種の高周波増幅用トランジスタパッケ
ージの概要構成を第１図（ａ） 、 （ｈ）Ｋ示す。
ージの概要構成を第１図（ａ） 、 （ｈ）Ｋ示す。
これらの各図において、符号１は放熱板、２はこの放熱
板１上に取シ付けられるところの、良好な放熱効果を得
るためにベリリア材などを用いた基板であってトランジ
スタチップ６とか内部整合用コンデンサＴなどを半田付
けにより搭載させである。また３は入出力の整合回路な
どを組み込んで、この基板２上に取シ付けられるセラミ
ック基板、４はキャッピングのだめのフレーム、５はそ
のキャップである。
板１上に取シ付けられるところの、良好な放熱効果を得
るためにベリリア材などを用いた基板であってトランジ
スタチップ６とか内部整合用コンデンサＴなどを半田付
けにより搭載させである。また３は入出力の整合回路な
どを組み込んで、この基板２上に取シ付けられるセラミ
ック基板、４はキャッピングのだめのフレーム、５はそ
のキャップである。
そしてこの従来例での構成にあって、トランジスタテッ
プ６はその放熱効果を向上させるために、当然のことで
はあるが同トランジスタテップ６の裏面とベリリア基板
２の金メタライズ面とを良くなじませる必要があって、
通常は金・シリコンの共晶反応（４００℃前後の加熱に
よる）により取り付けられる。
プ６はその放熱効果を向上させるために、当然のことで
はあるが同トランジスタテップ６の裏面とベリリア基板
２の金メタライズ面とを良くなじませる必要があって、
通常は金・シリコンの共晶反応（４００℃前後の加熱に
よる）により取り付けられる。
従ってこの従来例構成の場合、べ１７ リア基板へのト
ランジスタチップの取ｐ付けが高温度でなされるために
、半田付は作業を短時間で完了させることが望ましく、
またひとたびこれらのトランジスタチップとか内部整合
用コンデンサなどを半田伺けしだべりリア基板では、同
基板の金メタライズ面が酸化しているために、再度トラ
ンジスタチップの裏面とベリリア基板の金メタライズ面
とをなじませることができず、トランジスタチップの破
壊時あるいはその交換などのパッケージ再利用は到底不
可能なものであった。
ランジスタチップの取ｐ付けが高温度でなされるために
、半田付は作業を短時間で完了させることが望ましく、
またひとたびこれらのトランジスタチップとか内部整合
用コンデンサなどを半田伺けしだべりリア基板では、同
基板の金メタライズ面が酸化しているために、再度トラ
ンジスタチップの裏面とベリリア基板の金メタライズ面
とをなじませることができず、トランジスタチップの破
壊時あるいはその交換などのパッケージ再利用は到底不
可能なものであった。
この発明は従来装置のこのような欠点に鑑み、ベリリア
基板はこれを限定した大きさとしてトランジスタチップ
のみを前記のようにして取シ付け、またセラミック基板
には入出力の整合回路および内部整合用コンデンサなど
を取り付けると共に、このセラミック基板に形成した空
間部に、トランジスタチップのみを取り利けたベリリア
基板を受け入れるようにして、これらのベリリア基板お
よびセラミック基板をそれぞれに放熱板上に取り付ける
ようにさせ、トランジスタチップの破壊時あるいはその
交換などに際して、このパッケージを再利用可能にした
ものである。
基板はこれを限定した大きさとしてトランジスタチップ
のみを前記のようにして取シ付け、またセラミック基板
には入出力の整合回路および内部整合用コンデンサなど
を取り付けると共に、このセラミック基板に形成した空
間部に、トランジスタチップのみを取り利けたベリリア
基板を受け入れるようにして、これらのベリリア基板お
よびセラミック基板をそれぞれに放熱板上に取り付ける
ようにさせ、トランジスタチップの破壊時あるいはその
交換などに際して、このパッケージを再利用可能にした
ものである。
以下この発明に係る高周波増幅用トランジスタパッケー
ジの一実施例につき、第２図（ａ） 、 （ｂ）を参照
して詳細に説明する。
ジの一実施例につき、第２図（ａ） 、 （ｂ）を参照
して詳細に説明する。
第２図（ａ） 、 （ｂ）はこの実施例による高周波増
幅用トランジスタパッケージの概要構成を示している。
幅用トランジスタパッケージの概要構成を示している。
この第２図（ａ） 、 （ｂ）実施例において、符号１
１は放熱板、１２はこの放熱板１１上に取り付けられる
ところの、良好な放熱効果を得るためにべＩＪ ＩＪア
材などを用いた基板で、トランジスタチップ１６のみを
半田付けによシ搭載させである。また１３はこの基板１
２を受け入れる空間部１３ａを有し、かつ入出力の整合
回路など＼共に内部整合用コンデンサ１Ｔを組み込んで
前記放熱板１１上に取り付けられるセラミック基板、１
４はキャンピングのだめのフレーム、１５はそのキャン
プである。
１は放熱板、１２はこの放熱板１１上に取り付けられる
ところの、良好な放熱効果を得るためにべＩＪ ＩＪア
材などを用いた基板で、トランジスタチップ１６のみを
半田付けによシ搭載させである。また１３はこの基板１
２を受け入れる空間部１３ａを有し、かつ入出力の整合
回路など＼共に内部整合用コンデンサ１Ｔを組み込んで
前記放熱板１１上に取り付けられるセラミック基板、１
４はキャンピングのだめのフレーム、１５はそのキャン
プである。
従って前記実施例構成の場合には、べＩＪ ＩＪア材な
どを用いた基板１２上にはトランジスタチップ１６のみ
が取シ付けられているために、トランジスタチップの破
壊時あるいはその交換などに際しては、放熱板１１面よ
ｐ板取り換えあるいは交換対象であるところの、古くな
ったトランジスタチップ１６をその基板１２毎取シ除き
、新しいトランジスタチップ１６を取υ付けた基板１２
をこの放熱板１１上に付は換え搭載させればよく、これ
によってこの新しいトランジスタチップ１６の裏面とベ
リリア材などを用いた基板１２の金メタライズ面の共晶
反応を良好になじませることができ、パッケージ全体を
廃棄させずに済み、単なるトランジスタチップおよびベ
リリア材などを用いた基板のみの付は換え搭載によって
容易に当初の性能を得られるのである。
どを用いた基板１２上にはトランジスタチップ１６のみ
が取シ付けられているために、トランジスタチップの破
壊時あるいはその交換などに際しては、放熱板１１面よ
ｐ板取り換えあるいは交換対象であるところの、古くな
ったトランジスタチップ１６をその基板１２毎取シ除き
、新しいトランジスタチップ１６を取υ付けた基板１２
をこの放熱板１１上に付は換え搭載させればよく、これ
によってこの新しいトランジスタチップ１６の裏面とベ
リリア材などを用いた基板１２の金メタライズ面の共晶
反応を良好になじませることができ、パッケージ全体を
廃棄させずに済み、単なるトランジスタチップおよびベ
リリア材などを用いた基板のみの付は換え搭載によって
容易に当初の性能を得られるのである。
以上詳述したようにこの発明によれば、ベリリア材など
を用いた基板にはトランジスタチップのしいトランジス
タチップを取シ付けたベリリア材などの基板自体のみを
付は換え搭載させればよく、従って高価なパンケージ全
体を廃棄させずに済み、このパッケージ自体を簡単かつ
容易に再生使用できるものであって、特にトランジスタ
の試験時などに社、そのトランジスタの取り換え交換が
頻繁であることから極めて有用である。
を用いた基板にはトランジスタチップのしいトランジス
タチップを取シ付けたベリリア材などの基板自体のみを
付は換え搭載させればよく、従って高価なパンケージ全
体を廃棄させずに済み、このパッケージ自体を簡単かつ
容易に再生使用できるものであって、特にトランジスタ
の試験時などに社、そのトランジスタの取り換え交換が
頻繁であることから極めて有用である。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来例による高周波増幅用
トランジスタパッケージの概要構成を示す一部を切り欠
いた平面図、同上断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は
この発明の一実施例による高周波増幅用トランジスタパ
ッケージの概要構成を示す一部を切り欠いた平面図、同
上断面図である。 １１・・・・放熱板、１２・・・・ベリリア材などの基
板、１３・・・・セラミック基板、１３ａ・・・・セラ
ミック基板の空間部、１４・・・・キャッピングフレー
ム、１５・拳・・キャンプ、１６・・・・トランジスタ
チップ、１１・・・・内部整合用コンデンサ。 代理人 大 岩 増 雄 第１ （Ｃ１） 第２ （ａ） １ （ｂ） 図 ＜ｂ） 手 続 補 正 書（自発） ２、発明の名称 高周波増幅用トランジスタパッケージ ：３．袖止をする者 事イ′Ｉとの関係 ！ｈ１１ｔ’１出１９「］人住 所
東京都千代１１．１区丸の内二Ｊ’ｌ＋２番：３ 、
；；名 称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山ｆ：八部 ４代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
トランジスタパッケージの概要構成を示す一部を切り欠
いた平面図、同上断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は
この発明の一実施例による高周波増幅用トランジスタパ
ッケージの概要構成を示す一部を切り欠いた平面図、同
上断面図である。 １１・・・・放熱板、１２・・・・ベリリア材などの基
板、１３・・・・セラミック基板、１３ａ・・・・セラ
ミック基板の空間部、１４・・・・キャッピングフレー
ム、１５・拳・・キャンプ、１６・・・・トランジスタ
チップ、１１・・・・内部整合用コンデンサ。 代理人 大 岩 増 雄 第１ （Ｃ１） 第２ （ａ） １ （ｂ） 図 ＜ｂ） 手 続 補 正 書（自発） ２、発明の名称 高周波増幅用トランジスタパッケージ ：３．袖止をする者 事イ′Ｉとの関係 ！ｈ１１ｔ’１出１９「］人住 所
東京都千代１１．１区丸の内二Ｊ’ｌ＋２番：３ 、
；；名 称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山ｆ：八部 ４代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容
Claims (1)
- 放熱板と、トランジスタチップを半田付けさせて前記放
熱板上に取ｐ付けたベリリア材などを用いた基板と、こ
の基板を受け入れる空間部を有して同様に前記放熱板上
に取ｐ付けられ、かつ入出力の整合回路など＼共に内部
整合用コンデンサ１７を組み込んだセラミック基板とを
少なくとも備えたことを特徴とする高周波増幅用トラン
ジスタパンケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23831783A JPS60130148A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 高周波増幅用トランジスタパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23831783A JPS60130148A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 高周波増幅用トランジスタパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130148A true JPS60130148A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17028406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23831783A Pending JPS60130148A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 高周波増幅用トランジスタパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2621173A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Bull Sa | Boitier pour circuit integre de haute densite |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23831783A patent/JPS60130148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2621173A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Bull Sa | Boitier pour circuit integre de haute densite |
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