JPS60127477A - Logical circuit - Google Patents
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- JPS60127477A JPS60127477A JP58235391A JP23539183A JPS60127477A JP S60127477 A JPS60127477 A JP S60127477A JP 58235391 A JP58235391 A JP 58235391A JP 23539183 A JP23539183 A JP 23539183A JP S60127477 A JPS60127477 A JP S60127477A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分骨〕
本発明は特定の信号線を任意の論理レベルに固定して保
持することができ、かつこの状態を外部から調べること
ができる論理回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Substances of the Invention] The present invention relates to a logic circuit that can fix and hold a specific signal line at an arbitrary logic level and that can check this state from the outside.
たとえば相補形tJ o s (以下C−14O8と略
称する)スタティック型うングムアクセスメモリではア
ドレスとメモリーせルとは対応しているので2n 個の
メモリセルを有するものではn本のアドレス線の各論理
値の紹合せによって任意のメモリセルの指定を行なうよ
うにしている。For example, in a complementary tJ o s (hereinafter abbreviated as C-14O8) static type access memory, addresses and memory cells correspond to each other, so in a device with 2n memory cells, n address lines An arbitrary memory cell is specified by introducing each logical value.
ところで2n個のメモリセルを有するC−MOSスタテ
ィックランダムアクセスメモリでは1個のメモリセルで
も不良であれば、チップそのものも当然不良品となり全
く製品価値はなくなる。By the way, in a C-MOS static random access memory having 2n memory cells, if even one memory cell is defective, the chip itself naturally becomes a defective product and has no product value at all.
しかしながらここで上記不良なメモリセルを含オない2
個のメモリセルからなるc−uosスタティックラン
ダムアクセスメモリとするならば充分な製品価値がある
。そしてこのような場合は、特定の1本のアドレス線を
論理1H″または1L”に固定すればよい。したがって
、このような手段で使用することができる製品について
は、たとえば予め定めた印をつけておき、この印によっ
て使用者が指定されたアドレス線の論理値を固定すれば
よい。しかしながらこのためには、論理値を固定すべき
アドレス線をフローティング状態としたままではアドレ
スの誤選択の可能性があり、強制的に所定の論理値に固
定する必要がある。However, here, the above-mentioned defective memory cells are not included.
If it is a C-UOS static random access memory consisting of 1 memory cell, it has sufficient product value. In such a case, one specific address line may be fixed to logic 1H'' or 1L''. Therefore, for products that can be used by such means, for example, a predetermined mark may be attached, and the logic value of the address line designated by the user may be fixed by this mark. However, for this purpose, if the address line whose logical value is to be fixed is left in a floating state, there is a possibility that an incorrect address will be selected, so it is necessary to forcibly fix the logical value to a predetermined logical value.
ところでC−MOSスタティック型ランダムアクセスメ
モリのアドレス入力回路は、たとえば第1図に示すよう
なインバータ回路、第2図に示すようなノア回路が用い
られている。Incidentally, the address input circuit of a C-MOS static random access memory uses, for example, an inverter circuit as shown in FIG. 1 or a NOR circuit as shown in FIG. 2.
すなわち第1図に示すインバータ回路ではPチャネルI
JO8)ランジスタT、のソースを正電、 4 va
Cに接続し、ドレインをNチャネルMO8トランジスタ
T2のドレインに接続する。更に、このNチャネル)、
(OS )ランジスタT2のソースを接地し、上記各ト
ランジスタT、、T、のゲートを共通に接続して入力端
子11とし、共通接続にしたドレイン側を出力端子12
として反転出力を得るようにしている。That is, in the inverter circuit shown in FIG.
JO8) The source of transistor T is a positive voltage, 4 va
C and its drain is connected to the drain of an N-channel MO8 transistor T2. Furthermore, this N channel),
(OS) The source of the transistor T2 is grounded, the gates of the transistors T, , T, and the like are commonly connected to form the input terminal 11, and the commonly connected drains are the output terminal 12.
I am trying to get an inverted output as follows.
また第2図に示すものでげ、PチャネルMO3トランジ
スタT、のソースをlE電源V○0に接続し、ドレイン
iPチャネル)JO8)ランジスタT4のソースに接続
し、ドレインをNチャネルIJ OS )ランジスタ’
r、+’r6のドレインへ接続する。さらに、これらの
Nチャネル1708)ランジスタT、、T、のソースを
接地する。そして上記Pチャネルトランジスタ’r、、
NチャネルM OS )ランジスタT6のゲートを共通
接続とし、ゲートの共通接続点を入力端子13とし、上
Ij己Pチャネルuosトラ/ジスタT3、Nチャネル
)J OS )ランジスタT、のゲートの共通接続点を
制7i11罹号入力端子14とする。そしてPチャネル
IvIO8)ランジスタ’I’4、NチャネルM08ト
ランジスタT、IT、の谷ドレインを出力端子I5に共
通に接続している。In addition, as shown in Fig. 2, the source of a P-channel MO3 transistor T is connected to the lE power supply V○0, the drain is connected to the source of an N-channel IJO8) transistor T4, and the drain is connected to an N-channel MO3 transistor T4. '
Connect to the drain of r, +'r6. Furthermore, the sources of these N-channel transistors T, , T, 1708) are grounded. And the above P-channel transistor 'r,
The gates of the transistor T6 (N channel M OS) are connected in common, the common connection point of the gates is the input terminal 13, and the gates of the transistor T3 (N channel) J OS) are connected in common. The point is set as the signal input terminal 14 of 7i11. The valley drains of the P-channel IvIO8) transistor 'I'4 and the N-channel M08 transistors T and IT are commonly connected to the output terminal I5.
したがって、このようなインバータ回路あるいはノア回
路等の出力を任意の論理値に固定することができれば、
たとえばC−1JOsスタテイツク型ランダムアクセス
メモリで1個のメモリセルが不動作の場合、全体の半分
のメモリセルからなる良品のC−1JOBスタテイツク
型ラングムアクセスメモリとして使用することができる
。Therefore, if the output of such an inverter circuit or NOR circuit can be fixed to an arbitrary logical value,
For example, if one memory cell in a C-1 JO static random access memory is inactive, it can be used as a good C-1 JOB static random access memory consisting of half of the memory cells.
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、任意の信
号線を任意の論理レベルに固定して保持することができ
かつこの状態を外部から調べることができる論理回路を
提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a logic circuit that can fix and hold any signal line at any logic level and check this state from the outside. That is.
すなわち本発明は、第1の電源と信号線との間にPチャ
ネルMO8)ランジスタと抵抗を直列に介挿し、この信
号と第2の電源との間に抵抗とNチャネル1.40E3
)ランジスタを直列に介挿し、−上記PチャネルMOS
トランジスタのゲートと第10′11ノ源および上記N
チャネルMOSトランジスタのゲートと第2の電源との
間にそれぞれ介挿したヒユーズ素子を周択的に溶断する
ことを特徴とするものである。That is, in the present invention, a P-channel MO8) transistor and a resistor are inserted in series between the first power supply and the signal line, and a resistor and an N-channel MO1.40E3 transistor are inserted between this signal and the second power supply.
) A transistor is inserted in series, - the above P-channel MOS
The gate of the transistor and the 10th and 11th sources and the above N
This method is characterized in that fuse elements inserted between the gates of the channel MOS transistors and the second power source are selectively blown out.
以下本発明の一実施め1を第3図に示す回路図を参照し
て詳細に説明する。PチャネルUOSトランジスタ2I
のドレインを第1の電源、すなわちIE電@ Vcc
K接続し、ソースを抵抗22を介してノード23に接続
している。そして付チャネルMO8)ランジスタ24の
ソースを第2の電源、すなわち接地′N、位に接続し、
ドレインを抵抗25を介してノード23に接続している
。そして第1の電曲VccとPチャネルVOSトランジ
スタ2Zのゲートとの間に第1のヒユーズ26を介挿し
、かつこのゲートと第2の電源との間に高抵抗27を介
挿している。またNチャネル)70S)ランジスタ24
のゲートを高抵抗28を介して第1の電源r(接続し、
このゲートを第2のヒユーズ29を介して第2の電源に
接続している。なお)−ド23の両端にはそれぞれ入力
端子23a1出力・端子2 、? l)を設けている。Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be explained in detail with reference to the circuit diagram shown in FIG. P channel UOS transistor 2I
The drain of is connected to the first power supply, i.e.
K connection, and the source is connected to the node 23 via the resistor 22. and connect the source of the transistor 24 (channel MO8) to the second power supply, that is, to the ground 'N,
The drain is connected to node 23 via resistor 25. A first fuse 26 is interposed between the first electric voltage Vcc and the gate of the P-channel VOS transistor 2Z, and a high resistance 27 is interposed between this gate and the second power supply. Also N channel) 70S) transistor 24
The gate of the first power supply r (connected through the high resistance 28,
This gate is connected to a second power source via a second fuse 29. Furthermore, the input terminals 23a1 and 23a1 are connected to the output terminals 23a1 and 23a1 and the terminals 2 and 2 are connected to both ends of the -domain 23, respectively. l).
このよう々構成であれば、今第1、第2の各ヒユーズ2
6.29が全通していると、PチャネルIJO8)ラン
ジスタ21のゲートに第1の電源Vaaがそのまま印加
されるので該トランジスタ2Iはオフとなる。またNチ
ャネル+J OSトランジスタ24のゲートには、第2
の電源の′態位が印加され該トランジスタ24もオフす
る。With this configuration, each of the first and second fuses 2
When 6.29 is fully passed, the first power supply Vaa is directly applied to the gate of the P-channel IJO8) transistor 21, so the transistor 2I is turned off. Further, the gate of the N-channel +J OS transistor 24 has a second
The state of the power supply is applied, and the transistor 24 is also turned off.
したがって入力端子23aに印加された信号はそのま捷
出力端子23bから出力される。またこの場合、各高抵
抗27.28を流れる′電流は極めて微少である。Therefore, the signal applied to the input terminal 23a is output as is from the output terminal 23b. Further, in this case, the current flowing through each of the high resistances 27 and 28 is extremely small.
そして、第1のヒユーズ26を溶断したjA合は、Pチ
ャネルIJO8)ランジスタ2Iのゲートへ高抵抗27
を介して接地電位が印加され該トランジスタ2Iはオン
となる。したがって、ノード2,9け第1の電源VaO
の電位となり入力端子23aへ与えられる信号を無視し
て出力端子2.9blC1′i常に第1の電源Vccの
電位が出力される。If the first fuse 26 is blown, a high resistance 27 is applied to the gate of the P-channel IJO8) transistor 2I.
A ground potential is applied through the transistor 2I, and the transistor 2I is turned on. Therefore, the first power supply VaO of nodes 2 and 9
The potential of the first power supply Vcc is always output at the output terminal 2.9blC1'i, ignoring the signal applied to the input terminal 23a.
捷た第2のヒユーズ29を溶断l〜た場合は、Nチャネ
ル+AOS )ランジスタ24のゲートへ高抵抗28を
介して第1の鐙神Vcaの′4位が印加され、該トラン
ジスタ24(Iiオンとなる。したがって、)−ド23
はti:b 2の′X17、源のt位、すなわち接地電
位となり、人力仏M子23aへ与えられる信号を無視し
て出力端子23bには常に接地1i;位が出力される。When the broken second fuse 29 is blown, the voltage of the first stirrup voltage Vca is applied to the gate of the N-channel + AOS transistor 24 through the high resistance 28, and the transistor 24 (Ii Therefore, )-do23
is 'X17 of ti:b2, which becomes the t position of the source, that is, the ground potential, and the signal applied to the human power sensor M element 23a is ignored, and the ground level 1i; is always outputted to the output terminal 23b.
なお、へ)1のヒユーズ26を溶断した場合、入力端子
23aを接池′IIL位とすれば負の′電流、すなわち
blLれ出し電流を検出することができるっまたイジ2
のヒユーズ29を溶断した場合、入力端子23aを第1
の電源VCCの電位とすわば旧の電力1、すなわち流れ
込み電流を検出することができる。したがって、入力端
子2.9 aに印加する電圧レベルと、その時の電流の
流れる向きから溶断されたヒユーズを外部から知ること
ができる。In addition, when the fuse 26 in step 1 is blown, if the input terminal 23a is connected to the voltage level IIL, it is possible to detect the negative current, that is, the blL leakage current.
If the fuse 29 is blown, the input terminal 23a is
It is possible to detect the potential of the power supply VCC and the old power 1, that is, the inflow current. Therefore, the blown fuse can be known from the outside from the voltage level applied to the input terminal 2.9a and the direction in which the current flows at that time.
以上のように本発明によれば、f”A竿な構成でノード
を任意の?111位に保持することができ、かつその状
態を外部から確認できる論理回路を提供することができ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a logic circuit in which a node can be held at an arbitrary position of -111 with an f''A configuration, and its state can be checked from the outside.
第1図はインバータの一例を示す回路図、第2図はノア
回路の一例を示す図、第3図は本発明の一実姉例を示す
回1洛図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of an inverter, FIG. 2 is a diagram showing an example of a NOR circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a sister example of the present invention.
Claims (1)
ノードとの間に直列に介挿したPチャネルMO8)ラン
ジスタおよび抵抗と、このノードと第2の電源との間に
直列に介挿した抵抗およびNチャネルqO8)ランジス
タと、第1の電源と上記Pチャネル!408)ランジス
タのゲートとの間に介挿され溶断されると上記ノードを
@lの電源の電位に保持するヒユーズ素子と、上記Pチ
ャネルIAOS )ランジスタのゲートと第2の電源と
の間に介挿した高抵抗と、第2の電源と上記Nチャネル
MO8)ランジスタのゲートとの間に介挿され溶断され
ると上記ノードを第2の電源の電位に保持するヒユーズ
素子と、上記Nチャネル+40 S )ランジスタのゲ
ートと第1の電源との間に介挿した高抵抗とを具備する
論理回路。(1) A P-channel MO inserted in series between the first power supply and the node from which the input terminal and output terminal are derived8) A transistor and a resistor inserted in series between this node and the second power supply. resistor and N-channel qO8) transistor, the first power supply and the P-channel! 408) A fuse element interposed between the gate of the transistor and holding the node at the potential of the @l power supply when blown out; and the P-channel IAOS; a fuse element which is inserted between the second power supply and the gate of the N-channel MO transistor and holds the node at the potential of the second power supply when blown; S) A logic circuit comprising a high resistance inserted between the gate of the transistor and a first power source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235391A JPS60127477A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Logical circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235391A JPS60127477A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Logical circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60127477A true JPS60127477A (en) | 1985-07-08 |
Family
ID=16985384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58235391A Pending JPS60127477A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Logical circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60127477A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63100818A (en) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
US6060899A (en) * | 1997-05-27 | 2000-05-09 | Nec Corporation | Semiconductor device with test circuit |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58235391A patent/JPS60127477A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63100818A (en) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
US6060899A (en) * | 1997-05-27 | 2000-05-09 | Nec Corporation | Semiconductor device with test circuit |
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