JPS60126654A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広ＭＧの光で、紫外光線、可視
光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度でＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）　
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求される。殊に、事務機
としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれ
る電子写真用像形部材の場合には、上記の使用時におけ
る無公害性はｔ要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ｉ−ｓ＋ト表ｆｆｉす）が
あシ、例えは、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部側は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性向
上を計る必要があるという更に改良される可き点が存す
るのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化と高暗抵抗化を同時に創ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観劇され、この釉の光導電部材は長時間繰シ返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になるか或いＬ高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下するかなどの
不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングの点に於いて、通常使用されているハロゲンラン
プや螢光灯を光源とする場合長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別に位、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持
体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が高
い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉が
起って、画像の「Ｍケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スポットを小さく
する程大きくなシ、殊に半導体レーデを光源とする場合
には大きな問題となっている。

従ってａ−８１材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導′成部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必袂がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｌに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料、殊にシリコン原子を
母体とし、水素原子（ロ）又は・・ログン原子（３）の
いずれか一方を少なくとも含有するアモルファス制料、
所１１Ｖ水素化アモルファスシリコン、ハロ乞ン化アモ
ルファスシリコン、或いはハロダン含有水素化アモルフ
ァスシリコン〔以後これ等の総称的衣記としてｒａ−８
１（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光導電性を
示す光受容層を有する光導電部材の層構成を以後に説明
される様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上旧バ叛れた特性を示すばかシでなく、従来の
光導電部材と較べてみてもあらゆる点において受電して
いること、殊に電子写真用の光導′駐部材として、イし
く優れた特性を有していること及び長波長側に於ｔプる
吸収スペクトル特性に後れていることを見出した点に基
いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型でちシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に賑しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に光導体レーデとのマツチングに優れると共に干渉
阻止に優れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供するこ
とである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分ある光導′酸部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、該支
持体上に、ゲルマニウム原子と必璧に応じてシリコン原
子、水素原子、ハロダン原子（至）の少なくとも１つを
含む非晶質材料（以後ｒａ−Ｇｅ（８１、Ｈ，Ｘ）　Ｊ
と記す）、で構成された層領域（Ｑとシリコン原子を含
む非晶質材料で構成され光導電性を示す層領域（Ｓ）と
が前記支持体側よシ順に設けられ九Ｍ構成の第一の層及
びシリコン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた第二の層から成る光受容層とを有し、前記第一の層
は、酸素原子を含有す４層領域（０）を有し、該層領域
（０）に於ける酸素原子の層厚方向の分布濃度線が、第
一の層の上部端面方向に滑らかに連続して増大している
領域を有する事を％徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得たもの
で、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気
的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなくその電気的特
性が安定しており、高感度でしかも高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労性及び繰返し使用特性に長け、濃
度が高く・−一７トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且
つ干渉阻止に優れ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００＃−１：、光導電部材用
としての支持体１０１の上に、第一の層（Ｉ）１０２と
第二〇府ω）ｉ　０３とからなる光受容層を有し、該光
受容層１０７は自由表面１０６を一方の端面に有してい
る。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシａ−Ｇ
ｅ（Ｓｉ　、Ｈ，Ｘ）で構成された陥穎城Ｇ）　ｌ　０
４と、ａ　−８ｉ　（ｆ（、Ｘ）で構成された光導電性
を有するに４領域（Ｓ）１０５とが順に８Ｌ層された層
構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０４中に含弔されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層箇城籾１０４中に５遍無く均一に
分布する様に含有されても良いし、或いは、層厚方向に
は５遍無く含有されてはいるが分布象度が不均一であっ
ても良い。ｉｎＪ乍らいずれの場合にも支持体の表面と
平行な面内方向に於いて龜、均一な分布で５遍無く含有
されるのが面内方向に於ける特性の均一化を計る点から
も必要である。妹に、第一のＪｉｌ）　ｌ　Ｏ２の層厚
方向には５遍無く含有されていて且つ前記支持体１０１
の設けられである側とは反対の側（第一の層（１）　１
０２の第二の層（■）との界面１ｔ１１）の方に対して
前記支持体１０１側の方に多く分布した状態となる様に
するか、或いは、この逆の分布状態となる様に前記層領
域（Ｇ）　１０４中に含有される。

本発明の光棉電都祠においては、前記した様に層領域（
Ｇ）中に含有されるダルマニウム原子の分布状態は、胤
すリ方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持
体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされる
のが望ましい。

本発明に於いては、層領域（Ｇ）上に設けられる層領域
（Ｓ）中には、ダルマニウム原子は含有されておらず、
この様な層構造に第一の層（１）を形成することによっ
て、可視光領域を倉む比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れた光尋電部材
とし得るものである。

又、好ましい実施態様例の１つに於いては、層領域←）
中に於けるダルマニウム原子の分布状態は全１−領域に
ゲルマニウム原子が連続的に５遍無く分布し、ゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より層領域
（Ｓ）に向って減少する変化が与えられているので、層
領域（Ｑと層領域（８）との間に於ける親和性に優れ、
且つ後述する様に、支持体側端部に於いてゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半導
体レーザ等を使用した場合の層領域（Ｓ）では殆んど吸
収し切れない長波長側の光を、層領域（Ｇ）に於いて実
質的に兄全に吸収することか出来、支持体面からの反射
による干渉を防止することが出来る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導′区部材
のｔＶ層領域Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態が、不均一な場合の典型的例が示され
る。

第２図乃至第１０図において、４声軸はダルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（Ｇ）の層＋４を示し
、ｔＢは支持体１−のｊり領域０）の端面の位Ｉθ１を
、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（Ｇ）のｙ４面の
位置を示す。即ち、ダルマニウム原子の含治されるｌ−
領域（Ｇ）はｔＢ側よｐｔＴ側に向って層形成がなされ
る。

第２図には、ｊすＩ領域（Ｇ）中に含肩これるダルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域幹）が形成される皮付体表面と該層領域←）の
表面とが接する界面位１＋Ｑ：　ｔＢよシｔ！の位置ま
では、ダルマニウム原子の分布（ｌ一度ＣがＣ，なる一
定の値を＊シ乍らゲルマニウム原子が形成される層領域
（Ｇ）に含有され、位Ｍｔｌ　よりは一度Ｃ２より界面
位置ｔ、に至るまで徐々に連続的に減少されている。界
面位置ｔＴにおいてはダルマニウム原子の分布ｍ４　Ｗ
　Ｃｉｄ　Ｃａ　とされる。

第３図に示される例においては、含有されるダルマニウ
ム原子の分布９度Ｃは位ｉｉｔ、よシ位ｆｆ１ｔＴに至
るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
おいて一度Ｃｓとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置輸よ多位置ｔ２まではダルマニ
ウム原子の分・市さ度Ｃはご二度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ　ｘ　と位〜ｔＴとの間において余々に連続的に
減少され、位１ｎｔアにおいて分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界殖未渦の
場合である）。

Ｍ５図の場合には、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢよ多位置１Ｔに至るまで濃度Ｃ８より連続的に徐
々に減少され、位１ｆｆｉｔＴにおいて実質的に零とさ
れている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布斜
度Ｃは、位置１Ｂと位置ｊａ１４ｉｊにおいては斜度Ｃ
９と一定値であり、位１ηｔＴにおいては一度ＣＩＧと
される。位１４ｔ３と位ｌｉ：ＩｔＴとの間では、分布
濃度Ｃは一次蘭数的綽位置ｔ３よシ位置叫に至るまで減
少されている。

第７図に示される例においては、分布一度Ｃは位置１Ｂ
より位１Ｑｔ４までは番二度Ｃ目の一定値を亨シ、位置
ｔ４より位ｉｇｔ、ｔ、までは濃度Ｃ１□よシ龜度０１
３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置ｔＴに至
るまで、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃは献度Ｃ目よシ
実質的に零に至る株に一次胸数的に減少している。

第９図においては、位ｆａｔＢより位置ｔｓ　に至るま
ではゲルマニウム原子の分布Ｉ＋＋”ｚ　Ｈ５Ｃは、齢
度ＣＩｇ　よシ鎖度Ｃ１ｍまで一次関数的に減少され、
位ｌ１ｉｔ　ｓ　と位置ｔＴとの間においては、ｋｌｆ
ｆｉｃｔｓの一定値とされた例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＩＩにおいて濃度ｃ１γであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７よシ初めはゆっくシ
と減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置ｔ６と位（ｔ　ｔ　７　との間においては、初め急
激に減少されて、その後は緩かに徐々に減少されて位置
ｔ７で濃度ＣＩ９　となシ、位置ｔ７と位置ｔ８との間
では、極めてゆっくシと徐々に減少されて位Ｍｔｓにお
いて６度０２Ｇに至る。位ｆｉｔ　ｔ　ｓ　と位置叫の
間においては濃度Ｃｏｏ　よシ実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、層領域（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分
含有し、界面ｔＴ側においては前記分布濃度Ｃは支持体
側に較べて可成シ低くされた部分を有するダルマニウム
原子の分布状態が層領域（Ｇ）に設けられている揚台が
好適な例の１つとして挙げられる。

本発明に於ける光導電部側を構成する第一の層（１）を
構成する層領域（Ｇ）は、好ｔＬ＜は上記した様に支持
体側の方にダルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
るが、これとは逆に自由表面側の方にゲルマニウム原子
が比較的画濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有す
るようにしてもよい。

例えば局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔ、よシ５μ以内に設
けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（４）は、界面位置１
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域仏）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される第一の層（Ｄに要求される特性
に従って適宜決められる。

一局在領域ｈ＞ｕその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ＣｍＡｘがシリコン原子との和に対して、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
Ｉ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な
分布状態となり得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域０）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢ
から５μＪｑＯ層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ＆Ｘが
存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において層領域ＩＧ）中に含有されるダルマニウ
ム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜決められるが、シリコン原
子との和に対して、好ましくは１−１０　Ｘ　１０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ５　より好ましくは１００−９．５
　Ｘｉ　Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ５最適には５００〜８
　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

本発明において層領域Ｃ）と１−領域（８）との層厚は
、本発明の目的を効果的に達成させる為の重役な因子の
１つであるので形成される光導電部材に所望の特性が充
分与えられる様に、光尋′亀部拐の設＠１の際に充分な
る注意が払われる心安がある。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）の層ＩｖＴ、ｌは、好ま
しは、３０Ｘ〜５０μ、より好ましくは＋ｏｉ〜４０μ
、最適には５０Ｘ〜２３０μとされる。

又、層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ｌしくは、０．５〜９
０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされる。

層領域（Ｇ）　ノ層厚ＴｌｌとＪｆ４　ｎｌｉ域＜１３
＞ノＥＡ　Ｉｌｌ　Ｔ　ノ和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両
層領域に安水される特性と第一の／ｖｉｒｃＩ）全体に
要求される特性との相Ｅｉ−１ｉＵの有機的関連性に基
いて、光尋袖１部材の層設計の際に所望に従って適宜決
定される。

本発明の光導電部材に於いてｔよ、上記の（Ｔｌｌ十Ｔ
）の数値範囲としでは、好ましくは１〜ｌＯＯμ、よシ
好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされる。

本発明のよシ好ましい実施態様列に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ　Ｂ／　Ｔ≦
１なる関係を満足せしめるように夫々に対して適宜適切
な数値が選択される。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適には
ＴＩｌ／Ｔ≦０，８なる関係が満足される様に層厚Ｔ、
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域←）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の含有量がＩ　Ｘ　ｌ　０５ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、層領域Ｏ）の層厚ＴＩｌとしては、
可成シ薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とさ
れる。

本発明において、必要に応じて第一０Ｍ（１）を構成す
る層領域Ｏ）又は／及び層領域（Ｓ）中に含有されるハ
ロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙けることが出来る。

本発明の光４電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化を図シ、更には支持体と光受容層との間の密着性の改
良を図る目的の為に、第一の層（１）中には、酸素原子
が含有される層領域（０）が設けられる。第一の）Ｍ　
（１）中に含有される酸素原子は、第一の層（１）の全
層領域に５逼なく含有されても良いし、或いは第一の７
ｈ（１）の一部の層領域のみに含有させて遍在させても
良い、。

本発明に於いて、層領域（０）に於ける酸素原子の分布
状態は分布疫度Ｃ（０）が、支持体の表面と平行な面内
方向に於いては均一であっても、第２図乃至第１０図を
用いて説明したダルマニウム原子の分布状態と同様に分
布む度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一である。

＠１１層乃至第１６図には、第一の層（１）全体として
の酸素原子の分布状態の典型的例が示される。

これ等の図に於いて横軸は酸素原子の層厚方向の分布濃
度を、縦軸は光導電性を示す■−の層（１）の層厚を示
し、ｔ、は支持体側の第一のＩｒｊ（１）の端面（下部
端面）の位置を、１Ｔは支持体側とは反対側の第一の層
（１）の端面（上部端面）の位置を夫々示す。つまシ、
第一の層（１）はｔ、＠よシｔＴＩＪＩｌに向クー　て
層形成される。

第１１図に示した例では、位ｔｔ、がら位ｆｆ１ｔｔ４
までの層領域に拡酸素原子は含有されず、位置ｔ。

から第一の層（１）の第二０層（ｎ）との界面位置ｔＴ
　０層領域に於いてｔ９側よシ１．側に向って次第に酸
素原子の分布濃度Ｃ初が増加し、１Ｔに至って酸素原子
の分布濃度Ｃｆｏ）は濃度Ｃ２１に至る。

第１２図に示した例では、位ｆ＋ｔｔ、がら位ｉｔＴま
での第一の層（１）の全Ｉ＃ｌ領域に酸素原子が含有さ
れており、分布す度Ｃ（０）はｔ、で０でそれよシ徐々
に滑らかに単調的にｔ、まで増加し、ｔＴに至って酢度
Ｃ１！　となっている。

第１３図に示した例では、位置ｔ３からｔ１６までの層
領域では酸素の分布濃度Ｃ（Ｏ）は０がらＣ２３まで単
調的に増加し、位＃、　ｔ　ｓ　ｏからｔＴまでの層領
域に於いては酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）は濃度ＣＺＳ
で一定である。

第１４図に示した例では、位ｆｆｔ、からｔｉｔまでの
層領域に於いては酸素の分布濃度Ｃ（Ｏ）がＣ２４から
Ｃｐｓにゆるやかに減少し、位置ｔｌｌがらｔｔｘまで
の層領域では分布濃度Ｃ（（２）は一定濃度Ｃ２５であ
り、位９’：；　ｔ　１２から１Ｔまでの１ｇ１領域で
は酸素原子の分布都度Ｃ（Ｏ）がＣ２５からＣ２６に至
るまで連続的に増加している。

第１５図に示した例では、酸第原子の含有される層領域
（０）を２つ有する場合が示される。即ち、位ｇｔｔＢ
からｔ１３までの層領域に於いては酸素原子の分布濃度
Ｃ（０）はＣ２７からＯまで減少し、位置ｔＬ３からｔ
１４までの廂佃域には酸素原子は含まれておらず、位Ｗ
ｉ　ｔ　１４からｔＴまでの層領域に於いては分布濃度
Ｃ（０）がＯからＣＺＳに単晶１句的に増加している。

第１６図の例の場合には、位ｉｉ７．ｔＩｌからｔｘｓ
までの層領域に於いては酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が
ｃｘｅ　と一定でろシ、位ｔｉｔ　ｔ　Ｉ　Ｉ＋からｔ
Ｔまでの層領域に於いては初め除々にゆっくり」４を加
しその後急峻に増してｔＴでＣＳＯに至っている。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）に設けられる酸素原子
の含有されている層領域（０）は、光感匹と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には第一０層（りの全層領域
を占める様に設けられ、光受容層の自内表面からの電荷
の注入を防止するためには自由表面側の界面近傍に設け
られ、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図るの
を主たる目的とする場合には支持体側端部層領域（ト）
を占める様に設けられる。

層領域（０）中に含有される酸素原子の含有量は、上記
の第１の場合には高光感度を維持する為に比較的少なく
され、第２の場合には光受容層の自由表面からの電荷の
注入を防ぐために自由表面側界面近傍に多くされ、第３
の場合には支持体との密着性の強化を確実に図る為に比
較的多くされるのが望ましい。

又、上記王者を同時に達成する目的の為には、支持体側
に於いて比較的高濃度に分布させ、中央に於いて比較的
低濃度に分布させ、自由表面側の界面層領域には酸素原
子を多くした様な酸素原子の分布状態を層領域（０）中
に形成すれば艮い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
０）に含有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自
体に要求される特性、或いは該層領域（０）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於りる特性との関係等、重機的関連性に於いて適宜
選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考属されて、酸素
原子の含イ〕康が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の宛は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じてＤ１望に従って
適宜法められるが、好ましくは０００１〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　４、よシ好ましくは、０．００２−４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％とされる。

本発明に於いて、層領域（０）かぁ−の層（１）の全域
を占めるか、或いは、第一のＪｍ（１）の全域を占めな
くとも、層領域（０）の層厚Ｔｏの弗−の層（１）のノ
ー厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、ｊ−領域（０
）に含有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よ
シ充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔｏが第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子
の飯の上限としては、好ましくは３゜ａｔｏｍｉｃ％以
下、より好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、最適
には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされる。

本発明において、第一の層（１）を構成する酸素原子の
含有される層領域（０）は、上記した様に支持体側及び
自由表面側近傍の方に酸素原子が比較的高濃度で含有さ
れている局在領域０）を有するものとして設けられるの
が望ましく、この場合には、支持体と光受容層との間の
密着性をよシ一層向上させること及び受容電位の向上を
図ることが出来る。

上記局在領域の）は、第１１図乃至第１６図に示す記号
を用いて説明すれば、界面層Ｍｔ！ｌまたはｔ。

より５μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面層ｉｔ
、または１．より５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされ
る場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場
合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第一０層（１）に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布簡度の最大値Ｃｎ１
．ＬＸが好ましくは５０．Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適に
は１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布
状態となシ得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、Ｍ禦原子の含有される層領域
（０）は、支持体側または自由表面（ｆからの層厚で５
μ以内（ｔＢまたはｔＴから５μ厚の層領域）に分布礫
度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが望ま
しい。

本発明において、ａ　−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）
で半、４成される層領域（Ｇ）を形成するには例えばグ
ロー放を法、ス／？ツタリング法、或いはイオングレー
ティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって
成される。例えば、グロー放電法によってａ−Ｇｅ（Ｓ
ｌ　、Ｈ，Ｘ）で構成される層領域（Ｇ）を形成するに
は、基本的にはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと、必要に応じてシリコン原子（
Ｓｌ）を供給し得るＳｌ供給用の原料ガス、水素原子（
搏導入用の原料がス又は／及びハロダン原子凶導入用の
原料がスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位１角に設置されである所定の支持体表面上
にａ−Ｇｏ（８１，Ｈ，Ｘ　）から成る層を形成すれば
良い。又、ゲルマニウム原子を不均一な分布状態で含有
させるにはゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率
曲想に従って制御し乍らａ−Ｇｅ（８１，Ｈ，Ｘ　）か
らなる層を形成さぜれは良い。

又、スノヤツタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、Ｈｅ尋の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとし
た混合ガスの雰囲気中でｓｉで構成されたターゲット、
或いは、該ターゲットとＧｏで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳＩとＧｅの混合されたターｒヮ
トを使用して、必要に応じて、Ｈｅ　ｌ　Ａｒ等の稀釈
ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料がスを、又、必要に
応じて水素原子ａ■又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人
用のガスをス・臂ツタリング用の堆積室に導入し、所望
のがスのグラズマ雰囲気を形成することによって成され
る。ゲルマニウム原子の分布を不均一にする場合には、
例えば前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流証を所望の変
化率曲想に従りて制御し乍ら前記のターゲットをス・母
ツタリングしてやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ＩＨ４，８１２Ｈ６，Ｓｔ、Ｈ８
゜Ｓ　Ｉ　４Ｈ１゜晴のガス状態の又はガス化しイυる
水素化硅素（シラン類）が有効に使用さｉするものとし
て楯げられ、殊に、Ｍ作成作業時の取扱い易さ、ｓｉ供
給効率の良さ等の点で５ｉｌ（４，Ｓｔ、、、Ｈ６が好
しいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
４＋　Ｇｅ２Ｈ６＊　Ｇｅ５ＨＢ、Ｇ（！４Ｈ１ｇｌＧ
ｅ５Ｊ２＋　Ｇ６６Ｈ１４＋Ｇｅ７Ｊ６＊　ＧｅＢＨ４
Ｂ＋　Ｇｔ３ｑＨ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得る
水素化ｒルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さやＧｏ供給効率
の良さ等の点で、Ｇｅｋ１４゜Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ５ＨＢ
が好ましいものとして卒けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なものには、多くのハロダン化合物が挙げ
られ、例えばハロダンガス、ハロゲン化物、ハロダン間
化合物、ハロダンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロダン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得るハロダン原子を含む
水素化硅素化合物も有効なものとして本発明においては
挙げることが出来る。

本発明において、好適に使用し得るへロダン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣＬＦ、ＣｌＦ３．ＢｒＦ５　。

ＢｒＦ、、　ＩＦ、、　ＩＦ７．　ｒｃｔ、　ＩＢｒ等
のハロダン間化合物を挙けることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、ＰｆｒＦｊＮ　、ハロ
ダン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的に
は例えば５ＩＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６．５ＩＣ１４，５ＩＢ
ｒ４等＜７）ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明のＱＨ＆的な光導電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、ＰＪｒｇの支持体上にハロダン原子を含むａ−８ｉ
Ｇａから成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る
。

グロー放％Ｌ法に従って、ハロゲン原子金含む層領域（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えはＳ１供給用の
原料ガスとｌるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料がス
となる水素化ケ°ルマニウムとＡｒ　。

Ｈ２ｒ　Ｈｅ　叫のガス等を所定の混合比とガス流幇に
なる様にして層領域←）を形成する准槓案に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのグラズマ昼囲気を形
成することによって、θを望の支持体上に層領域Ｇ）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を
−Ｊ−容易になる様に」する為にこれ等のがスに更に水
素ガス又は水素原子を廿む硅素化合物のガスも所望≦−
混合して層形成しても良い。

又、各がスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

イオンブレーティング法に依ってＢ−Ｇｅ（８１＋Ｈ＋
Ｘ）から成る層領域（Ｇ）を形成するには、例えば多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ビート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発
物を所望のがスグラズマ界囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。

この際、スフ４ツタリング法、イオンブレーティング法
の倒れの場合にも形成される層中にハロダン原子を導入
するには、前記のハロダン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該がス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子尋入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロダンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ　。

Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓｉｎ、、Ｆ、、　５ｉＨ２
Ｉ２．５ＩＨ２ＣＬ２゜Ｆ３１ＨＣ１５，５ＩＨ２Ｂｒ
、　５ｉＨＢｒ３等のハＯダン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３．　ＧｅＦ２Ｆ２．ＧｅＨ５Ｆ、　ＧｅＨＣｌ
５　ｒＧｅＨ２Ｃ１２，ＧｅＨ，ＣＬ、　ＧｅＨＢｒ３
．　ＧｅＦ２Ｂｒ２．ＧｅＨＢｒ３ウ マニウム、等の水素原子を構成狭素の１つとするハロダ
ン化物、ＧｅＦ４．ＧｅＣｌ４．ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ
、、　ＧｅＦ２゜ＧｅＣｔ２＋　ＧｅＢｒｚ、ＧａＩ２
　等のハ０ダン化ダルマニウム、叫々のガス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な層領域（Ｇ）形成用の出発
物質として摩ける小が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロダン化物は、層領
域Ｏ）形成の除に層中に・・ログン原子の導入と同時に
電気的或いは光′に的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロダン
導入用の原料として使用される。

水素原子をＪ−領域（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他ＫＨ２、或いは５ＩＨ４＋　５Ｉ２Ｈ６＋　８
１５ＨＢ　＊８１４Ｈ，ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のダルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、Ｇｅ　Ｈ４＋Ｇｅ２Ｈ６ｒ　Ｇｅ３Ｈａ、　Ｇｅ４
Ｈ１ｏ＋　Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７Ｈ１
６１Ｇ１６ＨＩＢ＋　Ｇ１１？Ｈ２０等の水素化ゲルマ
ニウムとｓｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成されるｍ−の！　（
Ｉ）を構成するｊ−領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（６）の址又はハロゲン原子（３）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の１の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０、０
１−４０　ａｔｏｍｉｃ　％、よシ好適には０．０５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．１〜２５　ａｔ
ｏｍｉｃ　％とされる。

層領域ＩＧ）中に含有される水素原子（ロ）又は／及び
ハロゲン原子（３）の掃を制御するには、例えは支持体
温度又は／及び水素原子（Ｉｎ　、或いは・・ロダン原
子（３）を含有させる為に使用される出発物質の畦積装
置系内へ導入する量、放’ｔ４Ｌ　’ｊＪ（、力等を制
御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ＪＩ（Ｈ，Ｘ）で構成される）
層領域（Ｓ）を形成するには、前記した層領域（Ｇ）形
成用の出発物質（１）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔ｊ層領域（Ｓ）形成
用の出発物質０）〕を使用して、層領域（Ｇ）を形成す
る場合と、同様の方法と条件に従って行う事が出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ＋　Ｘ　）で構成
される層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法
、スフ９ツタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空准槓法によって成される。

例えば、グロー放電法によりて、ａ−５ｌ（Ｈ、Ｘ）で
構成される層領域（Ｓ）　ｆ：形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（ｓｉ）を供給し得る８１供給
用の原料ガスと共に、心安に応じて水素原子（ロ）導入
用の又は／及び・・ログン原子ｏＯ導入用の原料ガスを
、内部が減圧にしイ１４るｔ＠績室内に尋人して該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
てちる所定の支持体表面上にａ　−８ｌ　（Ｈ＝Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。又、ス・ぐツタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ　ｌ　Ｈ＠等の不活性
がス又蛙これ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気
中で８１で構成されたターゲットをスパッタリングする
際、水素原子（ｆ（ｌ又は／及びハロダン原子（イ）導
入用のがスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い。

本発明に於いて、形成される第一の１曽（１）を構成す
る層領域（Ｓ）中に含有されろ水素原子（旬のけ又はハ
ロダン原子（イ）の撤又は水素原子とＩ・ロダン原子の
量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｌｅ
　％、より好適には５−３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とされる。

本発明に於いて、第一の層（１）に酸素原子の含有され
九層領域（０）を設けるには、第一の層（１）の形成の
際に酸素原子導入用の出発物質を前記した層形成用の出
発物質と共に使用して形成される層中にその鯖を制御し
乍ら含有せしめれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一０層（１）形成用の出づ１１物質の
中から所望に従つて選択されたものに酸素原子導入用の
出発物質か加えられる。その様な絃索原子導入用の出発
物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中
の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓ＋）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ロ）又は及びハロダン原子（３）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）　を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（ロ）を
構成原子とする原１１ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸素原子
（０）及び水素原子供）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（ｓｉ）と水素原子（ロ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０５）　。

−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化
窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）　、二酸
化窒素（Ｎｏ、）、シリコン原子（８１）と酸素原子（
０）と水素原子（ロ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（Ｈ，５ＩＯ８ｉＨｓン、トリシロキサン（
ｆ（，５ＩＯ８ｉＨ２０Ｓｉ！（、）等の低級シロキサ
ン等を挙げることが出来る。

ス／４’　２タリング法によって、酸素原子を含有する
層領域（０）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ％
ウェーハー又１ｊ：ｓｔｏ□ウェーハー、又ハＳＩトＳ
ｌＯ□が混合されて含有されているウェーハーをターダ
ウトとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸Ｘ！子と必要に応じて水素原子又は／及びハロダン
原子を尋人する為の原料がスを必要に応じて怖沢ガスで
稀釈して、ス・母ツタ用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのがスプラズマを形成して前記Ｓｌウェーハーをス
・やツタリングすれば良い。

又、別にｕ、Ｓｔと８１０□とは別々のターゲットとし
て、又はｓｉと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッタ用のガスとしての稀釈
ガスの撲囲気中で又は少なくとも水素原子（ロ）又は／
及び−・ロダン原子■を構成原子として含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって成される。酸
素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電
の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパッタリングの場合にもＭ効なガスとして１史用
され得る。

本発明に於いて、第一の層（１）の形成の際に、酸素原
子の含有される層狽城（０）を設ける場合、該層領域（
０）に含有される酸素原子の分布像度Ｃ（Ｏ）をｊｖ３
厚方向に変化させて、所望の層線方向の分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（０）を形
成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｏ）
を変化させるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、
そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
乍ら堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通當用いられて
いる（ｉ’Ｊらかの方法により、ガス流路糸の途中に設
けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる
操作を行えば良い。このとき、例えばマイコン等を用い
て、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制
御し、所望の含有曲線を得ることもできる。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向で
変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、酸素原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導
入する際のが入流量を所望に従って適宜変化させること
によって成される。

第二ニハ、ス／４’ツタリング用のターゲットを、例え
はＳＩと５Ｉ０２との混合されたターゲットを使用する
のであれは、ＳＩとＳｌＯ□との混合比を、ターゲット
の層厚方向に於やて予め変化させておくことによって成
される。

本発明の光導電部材に於いては、ｒルマニウム原子の含
有される層領域（Ｇ）又は／及びｒルマニウム原子の含
有されない層領域（Ｓ）には、伝導特性を制御する！／
ｉ質（Ｑを含有させることにより、該層領域（Ｇ）又は
／及び該層領域（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に
制御することが出来る。

本発明に於いては、伝導付性を制御する物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）は、弔−の層（１）の一部又は
全層領域に設けて良い。或いは、ハ、７狽域（ＰＮ）は
ｊ−領域（Ｇ）又はＢＩ！領域（Ｓ）の一部又は全ｊ−
領域に設けても良い。

伝導特性を制御する物質（Ｃ）としては、ｐ）（Ｉｎ　
％半導体分野で云われる不純物を挙けることが出来、本
発明に於いては、３１又はＧｅに対して、ｐ型伝導特性
を与えるｐ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ＡＡ　（
アルミニウム）、Ｇａ　（がリウム）、Ｌｎ　（インジ
ウム）　、Ｔｔ（タリウム）吟が１）、殊に好適に用い
られるのはＢ　、　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ　（鴫）、ｓｂ　
（アンチモン）、ＢＩ（ビスマス）等でアシ、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、第一の層（１）に含有される伝導特性
を制御する物質（Ｃ）の含有量は、該第−の層（１）に
要求される伝導特性、或いは該第−のＭ（１）Ｋ直に接
触して設けられる他の層や支持体の特性や、該他の層や
支持体との接触界面に於ける特性との関係吟、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を第一の１６（１）
中に含有させるのに、該第−の層（１）の所望される層
領域に局在的に含有させる場合、殊に、ｋＥ−の層（１
）の支持体側端部層領域（匂に含有させる場合には、該
層領域＠）に直に接触して設けられる他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮に入れて、伝導特性を制御する物質の含有量が適宜
選択される。

本発明に於いて、層絵域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有ｈｔとしては、好ましく
は０．０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｌｎ、ｓ最適には１−５　Ｘ　Ｉ　Ｏａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされる。

本発明に於いて、伝嬌、粘性を支配するｖｌ實（Ｃ）が
、含有される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（ｑの含有
量が好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より
好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、１４ｋ　Ｍ
には、１００　ａｔｏｍｊｃｐｐｍ以上の場合には、前
記物質（Ｃ）は、第一０層（１）の一部の層領域に局所
的に含有させるのが望ましく、殊に第一の層（１）の支
持体（ｌｅｌ端部端部域領域にｊ１在する様に含Ｍさせ
るのが望ましい。

上記の中、第一０層（１）の支持体側端部層領域（匂に
前記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導特性を支
配する物質（０を含有させることによって、例えば該含
有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光
受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持
体側から光受容層中へ注入される電子の移動を効果的に
阻止することが出来、又、前記含有させる物質が前記の
ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中へ注入さ
れる正孔の移動を効果的に阻止することが出来る。

この様に、前記端部層領域（匂に一方の極性の伝導特性
を支配する物質を含有させる場合には、第一の層（１）
の残シの層領域、即ち、前記端部層領域（６）を除いた
部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を支配す
る物質を含有させても良いし、或いは同極性の伝導特性
を支配する物質を端部層領域（Ｐ５に含有される笑際の
賞よシも一段と少ないｌｆ）にして含有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｑの含有蓋としては、端部層領
域（Ｅｌに含有される前記物質の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
０．００１−１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

よシ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　％最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
される。

本発明に於いて、端部ｊ一層領域匂及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物°質を含有させる場合には、
層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ以下とする。上記した場合の
他に、本発明に於いては、第一の層（１）中に、一方の
極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域
と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有さ
せたＪｖｆｉ領域とを砲に接触する様に設けて、該接触
狽域に所謂空乏層を設けることも出来る。つまり、例え
は、第一のＪ−（Ｉ）中に前記のｐ型不純物を含有する
層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接
触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、を７層を
設けることが出来る。

第一の層（Ｉ）中に伝４特性を制御する物質（Ｃ）、例
えは第■族原子或いは第■族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質或いは第
Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、第
一の１−（■）を形成する為の他の出発物質と共に導入
しそやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質
と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発
物質として具体的にはｆｌＩｆｆＩ素原子導入用として
は、Ｂ２１（６１Ｂ４Ｈ４ｏＩＢ５Ｈ２，Ｂ５Ｈ１，１
Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、
Ｂ１０．　ＢＣｌ３．　ＢＢｒ３等のハロダン化硼素等
が挙げられる。この他、ｋｔｃｔ５．　ＧａＣ６３゜Ｇ
ａ（ＣＨ３）３．ＩｎＣｌ３．　ＴｔＣ１３等も挙ける
ことが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子尋入用としては、ＰＨ５ｒ
　Ｐ２Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ、　ＰＦ、。

ｐｉｒ５．ＰＣｌ５．　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３＋　ＰＢ
ｒ３＋　ＰＩ５Ｑｊ＝のハＤダン化燐が挙げられる。こ
の他、ＡｇＨ，ＡｓＦ、　ＡｓＣｔ。

ＡｓＢｒ３＋　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３，ＳｂＦ５．　Ｓ
ｂＦ５．５ｂＣ１５，５ｂＣ１５゜ＢｉＨ５，ＢＩＣ４
３，Ｂ１Ｂｒ３　等もｋＶ族原子導入用の出発物質の肩
効なものとして挙けることが出来る。

第１図に示される光導電部材１００においては第一〇盾
（１）　ｔ　ｏ　ｚ上に形成される第二のＩｄｅａ　（
Ｉｆ）　１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰
返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性　耐久性に
おいて本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明における第二の層（ｎ）は、シリコン原子（８１
）と９素原子■と、必要に応じて水素原子（員又は／及
び−・ログン原子（イ）とを含む非晶負月料（以後、ｒ
　ａ　−（Ｓ　ｉ　ｘＮ　、−Ｘれ（Ｈ，Ｘ）、−ｙＪ
但し、０〈ｘ。

ｙ＜１、と記す）で徊Ｊ祝される。

ａ　−（Ｓ　Ｉ　ｘＮ、−ｘ　）ｙ　（”　Ｘ）＋−７
で４１４成される第二のｊ藍（Ｉｔ）の形成はグロー放
′亀法、スパッタリング法、イオンインシランチージョ
ン法、イオングレーティング法、エレクトロンビーム法
号によって成される。これ等の製造法は、製造条件、設
（１ｉ＋ｉ資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
光導電部材にｂ「望される特性等の要因によって適宜選
択されて採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易である、
シリコン原子と共に窒素原子及び−・ロダン原子を、作
製する第二の層（ＩＤ中に導入するのが容易に行える等
の利点からグロー放電法或いはス・やツタ−リング法が
好適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスｉ’？ツタ
ーリング法とを同一装置系内で併用して第二の１＊（［
１）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の７８　（ＩＩ）を形成する
には、ａ−（ＳｔｘＮ、　、−、）ｙ（ＬＸ）、−ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定：ｉｉ
（の混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積
用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を
生起させることでガスゾラズマ化して、前記支持体上に
既に形成されておる第一０層（１）上にａ−（Ｓｔ、Ｎ
、−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙを堆積させれば良い。

本発明において、ａ−（ｓｉ、Ｎ、−、）ｙ（Ｈ，Ｘ）
、−、形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｔ
）、窒素原子杓、水素原子ｑ復、・・ログン原子閃の中
の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をがス化したものの中の大概のものが使
用され得る。

Ｓｔ＋　Ｎ＋　ｆ（＋　Ｘの中の１つとしてＳｔを構成
原子とする原料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構
成原子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする）５Ａ刺
ガスと、必要に応じてＨを構成腔子とする原料ガス又は
／及びＸを構成原子とする原料ガスとを趙望の混合比で
混合して使用するか、又はＳｉＱ構成原子とする原料力
′スと、Ｎ及びＩ（を構成原子とする原料ガス又は／及
びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で混合するか、或いはＳｉを構成原子とする原料
ガスと、８１．Ｎ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、別。

Ｎ及びＸの３つを（１イ成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを檜ＤＭ　＆子とする扉、料ガスにＮを構
成原子とする原料ガスを混合して１史用しても良い。

本発明において、第二の層（Ｉｔ）中に含有されるハロ
ゲン原子（３）として好適なのはＦ　、　Ｃ１＋　Ｂｒ
ｒ　Ｉであυ、殊にＦ　、　ＣＬが望ましいものである
。

本発明において、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料がスと成シ得るものとしては、常温常
圧においてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることが出来る。

本発明において、第二の層（ＩＩ）形成用の原料がスと
して有効に使用されるのは、ＳｔとＨとを構成原子とす
るＳｉＨ４，５ＩＨ６，５Ｉ２Ｈ６，５ｉ５Ｈ６，５１
４Ｈ，ｏ等の７ラン（５ｌｌｉｎｅ　）類等の水素化硅
素ガス、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子
とする例えば＠Ｘｅ（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ６）　
、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素（ＨＮ、
）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ５）等のガス状の
又はガス化し祷る窒素、窒化物及びアジ化物叫の墾素化
合物を挙げることが出来る。この他に、望素原子軸の導
入に加えてハロゲン原子（３）の尋人も行えるという点
から、三弗化窒素（Ｆ５Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）
等の・・ロダン化窒素化合物を挙げることが出来る。

−・ロダン原子（イ）導入用の原料ガスとなる有効な出
発物質としては、例えは、フッ素、塩素、臭紫、ヨウ素
のハＯグア　ｉｆ　スＢｒＦ、　ＣシＦ　、ＣＺＦｓ　
、Ｂ　ｒ　Ｆ　５　ｒＢｒＦ３．　ＩＦ３ｒ　ＩＦ７．
ＩＣＺ＋　ＩＢｒ　＠のハロダン間化合物、ＨＦ、　Ｈ
Ｃｌ、　ＨＢｒ、　Ｈｌ等のハロダン化水素を挙げるこ
とが出来る。

これ等の第二の／＠ｉ　（ｉｔ）形成物質は、形成され
る第二０Ｍ　（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコンル
）、子、窒素原子及びハロダン原子と必要に応じて水素
原子七が含有される様に、第二の層（１）の形成の除に
所望に従って悠択されて使用される。

例えば、シリコン原子と掌素原子導入用の原料ガスと、
必要に応じて水素原子尋人用又は／及びハロゲン原子導
入用の原料ガスを＠口（室内に導入して、グロー放電を
生起させることによりてａ−（ＳｉｘＮ１−ｘ）ｙ（Ｈ
ＩＸ）、、から成る第二〇ｋｉ　（ＩＩ））を形成する
ことが出来る。

スフ４ツターリング法によって第二〇胸（Ｉｔ）を形成
するには、単結晶又は結晶のＳｉウェーハー又は５１３
Ｎ４ウエーハー又は８１と５Ｉ５Ｎ４が混合されて含有
されているウェーハーをターゲットとして、これ等を必
要に応じて・・ロダン原子又は／及び水素原子を構成要
素として含む種々のガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって行えば良い。

例えは、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、８１．Ｎ４とＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スバ、ター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのがスグラズマを形成
して前記Ｓｔラウェ−・−をスパッターリングすれば良
い。

又、別には、ＳｔとＳｔ、Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｔと８１３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、必要に応じて水素原子又は
／及びハロダン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタ
ーリングすることによって成される。Ｎ、Ｈ及びＸの導
入用の原料ガスとなる物質としては先述したグロー放電
の例で示した第二の層（ＩＤ形成用の物質がスパッター
リング法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明において、第二の層（Ｉｔ）をグロー放電法又は
スミ４’ツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂、希ガス、例えばＨｅ、ＮｏｒＡｒ
等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明における第二の層（１０は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｎ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
等電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので本発明においては、目的に応じた所望の特性を有
するａ−（８１ｘＮ、−り、（Ｈ，Ｘ）７．が形成され
る様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成さ
れる。例えば、第二のＩｎ　（Ｉｔ）を電気的耐圧性の
向上を主力目的として設けるにはａ　−（ｓ　ｔ　ＸＮ
、−ｘ　）ｙ　（Ｈ２Ｘ）　ｔ　−ｙは使用環境におい
て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成され
る。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（のが設けられる場合には上記の電
気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対
しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（Ｓ
ｌｘＮ、、）ｙ（ｆ（、Ｘ）、−ｙが作成される。

第一の層（＋）の表面にａ−（ＳＩＸＮ、−ｘ）ｙ（Ｈ
，Ｘ）、−、から成る第二の層（ｎ）を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成」れる層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明においては、目的
とする特性を有するａ　−（Ｓ　ｌ　ｘＮ　１−ｘ　）
ｙ　（Ｈ＋　Ｘ　）　、−ｙが所望通シに作成され得る
様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ま
しい。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
第二のＪｍ　（１０の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層（ＩＩ）の形成が実行されるが、好
ましくは、２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされる。第二の層（Ｉ
Ｉ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパッターリング法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の層（■）を形
成する場合には、前記の支持体温度と同様にＪｔｍ形成
の際の放電ノ切−が作成されるａ−（！ｉｘＮ、−ｘ）
ｙＸ、−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。

本発明における目的が達成される為の特性を有するａ−
（ＳＩｘＮｌ−Ｘ）ｙＸ、−ｙが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては好ましくは１０〜
３００Ｗ、よシ好適には２０〜２５ｏｗ１最適には５０
〜２００Ｗとされる。

Ｑ積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ
より好適には、０．ｌ〜Ｑ、　５　Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明においては第二の１ｍ　（ＩＩ）を作１＞ｇする
為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値軸Ｖとして
前記した範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ−（ｓｓｘＮ、−Ｘ）ｙ（）１．Ｘ）＋−，
がら成る第二の層（ＩＩ）が形成される様に相〃的有機
的関連性に基づいて各ノー作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる窒素原子の量は、第二の層（Ｉｔ）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二
の層（ｆｆ）が形される重要な因子である。本発明にお
ける第二の層（のに含崩される窒素原子の量は、第二の
層（ｎ）を構成する非晶質材料の種類及びその特性に応
じて適宜所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式＆−（８１ｘＮ、−、）ｙ（ｆ（、Ｘ
）　、−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリ
コン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、
「ａ−８ｉ　、Ｎ　、−、Ｊ　と記す。但し、Ｏ〈ａ（
１）、シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ｓ　ｉ、Ｎ、　−ｂ　
）　ｃＨｌ−０」と記す。

但し、０（ｂ　、　ｃ（１）、シリコン原子と窒素原子
とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、ｒａ　−（ＳｌｄＮ、−ｄ）。（Ｈ
２Ｘ）＋−ｅ’と記す。但し０（ｄ、５（１）に分類さ
れる。

本発明において、第二のノー（ｎ）がａ　−８ｉ　ａＮ
　、−、で構成される場合、第二の層（Ｉｔ）に含有さ
れる窒素原子の量は好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０””　〜
９０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には１〜８０　ａｔｏ
ｍｉｃ　％、最適には１０−７５　ａｔｏｍｉｃ　％と
される。ν１」ち、先のａ　−Ｓ　Ｌ　、Ｎ　＋　−、
のａの表示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０、９９
９９９、より好適には０．２〜ｏ、９９、最適には０２
５〜０．９である。

本発明において、第二のＩＮ　（ＩＦ）がａ　−（Ｓｉ
ｂＮ、−、）ｃＨ，−０で構成される場合、第二の層（
ｎ）に含有される窒素原子の瀘は、好ましくはＩ　Ｘ　
１０−’　〜９０　ａｔｏｍｉｃ係とされ、よシ好まし
くは１〜９０　ａｔｏｍｌｅ　係、最適には１０〜８０
　ａｔｏｍｉｃ　％とされる。水素原子の含有量として
は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、よシ好まし
くは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ係、最適には５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％とされ、これ等の範囲に水素含有量がある
場合に形成される光導電部拐は、実際面において優れた
ものとして充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ−（Ｓｌ、Ｎ、−ｂ）ｃ馬−０の表示で行
えばｂが好ましくは０．１−０．９９９９９、より好適
には０．１〜０．９９、最適には０１５〜０．９、Ｃが
好ましくは０．６〜０９９、よシ好適にはｏ、６５〜０
．９８最適には０．７〜０．９５である。

第二の層（Ｉｔ）が、ａ　−（ｓ　ｔ　ａＮ　１−　ａ
八（ＨＩＸ）１−、で構成される場合には、第二の層（
Ｕ）中に含有される窒素原子の含有量としては、好まし
くはＩ　Ｘ　１０−３〜９゜ａｔｏｍｉｃ　％、よシ好
適には１−９０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８
０　ａｔｏｍｉｃ　％とされる。ハロゲン原子の含有量
としては、好ましくは、１〜２０　ａｔｏｍｉｃ俤、よ
シ好適には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には２〜
１５　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、これ等の範囲にハロゲ
ン原子含有量がある場合に作成される光導電部材を実際
面に充分適用させ得るものである。必要に応じて含有さ
れる水素原子の含有量としては、好ましくは１９　ａｔ
ｏｍｉｃ　％以下、よυ好適には１３　ａｔｏｍｌｃ係
以下とされる。

即ち、先のａ−（ｓ＋、ｌＮ１−．１八（ＨＩＸ）　＋
−６のｄｓ　ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは０．１
〜０．９９９９９、より好適には０．１〜０．９９、最
適には０．１５〜０．９ｅが好ましくは０．８〜ｏ、９
９、よシ好適には０８２〜０．９９、最適には０．８５
〜０．９８である。

本発明における第二の層（ＩＩ）のＪ−η、の数範囲は
、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二のｗｌ（Ｉｌ）の層厚は、該＃ｊ　（１０中に
含有される窒素原子の葉や第一の層（１）のｊ−厚との
関係においても、各々の１曽領域に要求される特性に応
じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される
必要がある。

更に加えるに、生産性や社産性を加味した経済性の点に
おいても考慮されるのが＝ｔｉしい。

本発明における第二の層（Ｉｌ）の層厚としては、好ま
しくはＯ，ＯＯ３〜３０μ、より好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．　ＯＯ５〜１０μとされる。

また、本発明においては、窒素原子で得られる効果を史
に助長させる為に、第二のＪＶｉ（■）中に窒素原子と
供に炭素原子を含有させてもよい。緩素原子を第二の層
（１０に導入する為の炭素原子導入用の原料ガスとして
は、ＣとＨとを４１４成原子とする、例えば炭素数１〜
５の飽和炭化水蓄、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が享げられる
。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、　エタン（Ｃ２Ｈ６）、グロノクン（Ｃ３Ｈ８）　
、　ｎ　−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ，ｏ）、４ンタン（Ｃ５
Ｈ４２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４
Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４
Ｈ８）、４ンテン（Ｃ５Ｈ，。）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４’）、ブテン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる
。

これ等の他にＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として５ｉ（ＣＨ，）４．５ｌ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ
化アルキルを挙げることが出来る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス、Ａｔ、Ｃｒ。

Ｍｏ、　Ａｕ＋　Ｎｂ、　Ｔａ、　ｖ、　’ｒｔ、　ｐ
ｔ、　ｐａ　’４ｊの金属又はこれ曝、の合金が挙り”
られる。

％５気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、チリ
プロピレン、Ｉり塩化ビニル、ポリｍ化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート１．ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表１ｏｉ
ｉ側に他のノーが設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ　Ｃｒ　＋
Ａｔ、　Ｃｒ、Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ＋　Ｔａ
＋　Ｖ＋　Ｔｉ、　Ｐｔ＋　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ５，５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋　５ｎ
０２　）　＠から成る尚膜を設けることによって導ｊｔ
ｔ性がイ′−］力され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　）１１　Ａ
ｇ＋　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｌ、　Ａｕ、　Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　等の
金属の薄膜を頁墾蒸着、電子ビームＩＡ　’７’ａｆ　
％　スー２ツタリング勢でその表面に設け、又は前記全
域でその表面をラミネート処理して、その表面に４電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状
は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を
電子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が散水される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら
、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、好ましくは、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１７図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
九〇ｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下８１Ｈ，／
Ｈｅと略す。）ざンペ、１１ｏ３はＨｅで稀釈されたＧ
ｅ　Ｈ４がス（純度９９．９９９係、以下Ｇ　ｅ　Ｈ４
／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１ｏ４はＮｏがス（純度
９９．９９　％　）　、ｆ？ボンベ１１ｏ５はＨｅガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２Ｎス（
純度９９．９９９優）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはｉスｓ
ｅンヘ１１０２〜１１０６０ハルフ１１２２〜１１２６
、！ｊ−クパルプ１１３５が閉じられてい不ことを確認
し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１
１１７〜１１２１、補助パルプ１１３２．１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインパルプ１１３４
を開いテ反応室１１０１．及び各ガス配管内を排気する
。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０””ｔｏ
ｒｒになった時点で補助パルプ１１３２，１１３３、流
出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よＪ）　５
ＩＨ４７４（ｅがス、ガスゲンペ１１ｏ３よりＧｅＨ４
／Ｈｅガス、がスデンベ１１ｏ４よ、９　Ｎｏがスをパ
ルプ１１２２，１１２３．１１２４を開いて出口圧ゲー
ジ１１２７，１１２８．１１２９の圧を１　ｋｇ　／　
ｃｍに１整し、流入パルプ１１１２゜１１１３．１１１
４を徐々に開けて、マス７０コントローラ１１０７，１
１０８．１１０９内に夫夫流入させる。引き続いて流出
パルプ１１１７゜１１１８．１１１９、補助パルプ１１
３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入
させる。このときの５ＩＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＨ４
／Ｈａガス流量とＮｏがス流閂との比が所望の値になる
ように流出パルプ１１１７　、　ｌ　１１８　、　ｌ’
ｌ　１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望
の値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイ
ンパルプ１１３４の開口を調贅する。そして基体１１３
７の温度が加熱ヒーター１１３８にょシ５０〜４００℃
の範囲の温度に設定されていることを確認した後、電源
１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従ってＧ＠Ｈ４／ＨｅガスおよびＮｏガスの流
量を手動ちるいは外部駆動モータ等の方法によってパル
プ１１１８バルブ１１２０の開口を漸次変化させる操作
を行なって形成される層中に含有させるダルマニウム原
子及び酸素原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放′亀を維持して、所
望層厚に、基体１１３７上にに領域（Ｇ）を形成する。

所望層厚に層領域（Ｇ）が形成された段階に於いて、流
出パルプ１１１８を完全に閉じること、及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
、所望時間グロー放電を維持することで層領域（Ｇ）上
にダルマニウム原子の実質的に含有されない層領域（Ｓ
）を形成することが出来る。

層領域（Ｇ）および層領域（Ｓ）中に、伝、ｉＪ５性を
支配する物質（Ｃ）を含有させるには、層領域（Ｇ）お
よび層領域（団の形成の際に例えばＢ２Ｈ６，ＰＨ５等
のガスを堆積室１１０１の中に導入するガスに加えてや
れば良い。

上記の様にして所望の層厚に形成された第一の９Ｊ（１
）上に＆（二のＪ曽（ＩＩ）を形成するには、第一のノ
ー（１）の形成の際と同様なパルプ操作によって、例え
ば５ＩＨ４ガス、ＮＨ３ガスの夫々を必要に応じてＨｅ
等の稀釈ガスで稀釈して、有望の条件に従って、グロー
放電を生起させることによって成される。

第二の層（］）中にハロダン原子を含有させるには、例
えばＳｉＦ４ガスとＮＨ，ガス、或いはこれに５ＩＨ２
がスを加えて上記と同様にして第二０Ｍ　（ＩＩ）を形
成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必璧なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閑じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１ｏ１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応至
１１ｏ１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出ハルｆ　１１１７〜１１２１を閉じ、補助パ
ルプ１１３２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４
を全開して系内を−ａ高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

第二の層（ｎ）中に含有される蟹鍬原子の量は例えば、
グロー放電による場合は５ｊＨ４ガスと、ＮＨ３ガスの
反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従って変
えるか、或いは、ス・やツタ−リングで層形成する場合
には、ターゲットを形ｈｊｃする際シリコンウェハとＳ
Ｉ３Ｎ４ウモハのスパッタ面積比率を変えるか、又はシ
リコン粉末とＳ　ｉ　３Ｎ４粉末の混合比率を変えてタ
ーゲットを成型することによって所望に応じて制御する
ことが出来る。第二の層（ｎ）中に含有されるハロゲン
原子（３）のバーは、ハロゲン原子導入用の原料ガス、
例えばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に尋人される隙
の流量を、Ｉｉｒ！ｌ整することによって成される。

又、層形成を行っている間はＪｔＡ形成の均一化を削る
ため基体１１３７はモータ１１３９にょシ一定速度で回
転させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１７図に示した製造装置によりシリンダー状のＡｔ基
体上に第１表に示す条件で釦、子写真用像形成部材とし
ての試料（試料４１１−１〜１７−３）を夫々作成した
（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
８図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１９図に示さ
れる。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源を
用い、２１１ｕｃ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、（ｐ　５．０　ｋＶのコロナ
帯電で転写紙上に転写した〃１１いずれの試料に於いて
も解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高渥度の画像
が得られた。

上記に於いて、光源をタングステンラングの代シに８１
０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーデ（１０ｍＷ）を用い
て、静電像の形成を行った以外は、上記と同様のトナー
画像形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、いずれの試料も解像力に優れ
、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例２ 第１７図に示した製造装置にょシシリンダー状のＡｔ基
体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料Ａ　２１−１〜２７−３）を夫々作成した
（第４表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
８図に、又、酸素原子の含有分布濃度は棺１９図に示さ
れる。

これ吟の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写ｉＩ！ｉｉ　４Ｍを与えた。又、各試料に就て３８
℃、８０１１ＲＨの環境に於いて２０万回の繰返し使用
テストを行ったところ、いずれの試料もｌｌ１ＩＩ像品
質の低下は見られなかった。

実施例３ 層（ＩＩ）の作成条件を第５表に示す各条件にした以外
は、実施例１の試料墓１１−１．１２−１゜１３−１の
各実施例と同様の条件と手順に従って電子写真用像形成
部材の夫々（試料１１−１−１〜１ｔ−ｉ−ｓ、１２−
１−１〜１２−１８．１３−１−１〜１３−１−８の２
４個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様の条
件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成部材
の夫々について、転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合１ｉ６ｉ質評価と、繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第６表に示す。

実施例４ 層（１！＞の形成時、シソコンクエバとグラファイトの
ターゲツト面積比を変えて、層（■）Ｋおけるシリコン
原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例
１の試料ム１ｉ−ｔと全く同様な方法によって像形成部
材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の夫
々につき、実施例ＩＫ述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を行った
ところ第７表の如き結果を得た。

実施例５ 層（Ｉ［）の層の形成時、５ｉｎ４ガスとＮＨ，がスの
流量比を変えて、層（［Ｉ）におけるシリコン原子と炭
素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の試料４
１２−１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を
作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返した後、
画像評価を行ったところ、第８表の如き結果を得た。

実施例６ 層（Ｉｔ）のＮの形成時、８１１（４ガス、５１Ｆ４ガ
ス、ＮＨ，ガスの流量比を変えて、層（ＩＩ）　Ｋおけ
るシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外
は、実施例１の試料４１３−１と全く同様な方法によっ
て像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた各像
形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、クリ
ーニングの工程を約５万回繰シ返した後、画像評価を行
ったところ第９表の如き結果を得た。

実施例７ 層（Ｉｔ）の層厚を変える以外は、実施例１の試料煮１
４−１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作
成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニ
ングの工程を繰り返し第１０表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度　：ダルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・
・・・約２００℃ダルマニウム原子（Ｇｏ）非含有層・
・・約２５０℃放電周波数：１３．５６■ｈ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々第一の層（
１）中のダルマニウム原子の分布状態を説明する為の説
明図、第１１図乃至第１６図は夫々第一の層＜１）中の
酸素原子の分布状態を説明するための説明図、第１７図
は、本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１８
図、第１９図は夫々本発明の実施例に於ける各原子の含
有分布濃度状態を示す分布状態図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二のノー（ＩＩ）
１０７・・・光受容層 −一一一一〇 一一一−→−Ｃ −一一→−Ｃ Ｃ（０） Ｃ（の

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）　光導電部材用の支持体と、該支持体上にダルマ
   ニウム原子と必要に応じてシリコン原子を含む非晶質材
   料で構成された層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され光導電性を示す層領域（Ｓ）とが前記
   支持体側よシ順に設けられたＮ構成の第一の層及びシリ
   コン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第
   二の層から成る光受容層とを有し前記第一の層は、酸素
   原子を含有する層領域（０）を有し、該層領域（０）に
   於ける酸素原子の層厚方向の分布線度線が、第一の層の
   上部端面方向に滑らかに連続して増大している領域を有
   する事を特徴とする光導電部材。
2. （２）　層領域（Ｇ）及び層領域（Ｓ）の少なくともい
   ずれか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲
   第１項に記載の光４電部制。
3. （３）　層領域（２）及び層領域（Ｓ）の少なくともい
   ずれか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の
   範囲第１項又は同第２項に記載の光４電部材。
4. （４）−７８領域（Ｑ中に於けるダルマニウム原子の分
   布状態が不均一である特許請求の範囲第１項に記載の光
   導電部材。
5. （５）　層領域（Ｇ）に於けるダルマニウム原子の分布
   状態が均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導電
   部材。
6. （６）第一の層中に伝導性を支配する物質が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
7. （７）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部拐。
8. （８）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に楓する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導′亀部材
   。