JPS60126628A - Optical modulating method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な光変調方法、更に詳しくは、光変調装置
、表示装置、記録装置および記憶装置等に利用する光学
素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel light modulation method, and more particularly to an optical element used in a light modulation device, a display device, a recording device, a storage device, etc.
現在、各種の事務用機器や計測用機器に於ける端末表示
器、或は、テレビやビデオカメラ用モニターに於ける表
示器として、陰極線管(所謂、CRT)が広く利用され
ている。しかし、このCRTに就いては、画質、解像度
、表示容量の面で銀塩若しくは電子写真法を用いたハー
ドコピー程度のレベルに達していないと言う不満が残さ
れている。又、CRTに代わるものとして、液晶により
ドツトマトリックス表示する所謂、液晶パネルの実用化
の試みも試されているが、この液晶パネルに就いても、
駆動性、信頼性、生産性、耐久性の面で未だ満足できる
ものは得られていない。Currently, cathode ray tubes (so-called CRTs) are widely used as terminal displays in various office equipment and measuring instruments, or as displays in televisions and video camera monitors. However, dissatisfaction remains with this CRT in that its image quality, resolution, and display capacity do not reach the level of hard copies made using silver halide or electrophotography. In addition, as an alternative to CRT, attempts are being made to put so-called liquid crystal panels into practical use that display dot matrix images using liquid crystals.
Nothing satisfactory has yet been achieved in terms of driveability, reliability, productivity, and durability.
そこで、本発明は、斯かる技術分野に於ける従来技術の
解決し得なかった課題を解決することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to solve the problems that could not be solved by the conventional techniques in this technical field.
つまり、本発明の目的は、光変調装置や高解像度で良質
の画像を表示する、駆動性、生産性、耐久性、信頼性に
優れた表示装置、記録装置、記憶装置Tに利用する光変
調方法を提供することを目的とする。In other words, it is an object of the present invention to provide light modulation for use in a light modulation device, a display device, a recording device, and a storage device T that display high-resolution, high-quality images and have excellent drive performance, productivity, durability, and reliability. The purpose is to provide a method.
本発明の光変調方法は、入力信号に応じて熱を発生する
手段により疎水部分と親木部分とを有する有機化合物分
子よりなる単分子膜又は単分子層累積膜を加熱して相転
移をおこさしめ、そこを通過する光を散乱ないしは光路
変化せしめることにより光変調を行なうことを特徴とす
る特以下に本発明に係る光変調方法を利用する表示素子
の例を図面に従って説明する。第1図は本発明に係る光
変調方法を利用する表示素子の断面図であり、第1図(
^)は透過型の表示素子DEを、またR1図(B)は反
射型の表示素子DEを夫々示している。1は基板、2は
発熱rl素、3は単分子膜または単分子層累積膜、4は
保護用基板である。The light modulation method of the present invention heats a monomolecular film or a monomolecular layer stack made of organic compound molecules having a hydrophobic part and a parent part by means of generating heat in response to an input signal to cause a phase transition. An example of a display element using the light modulation method according to the present invention will be described below with reference to the drawings, in which light modulation is performed by scattering or changing the optical path of the light passing therethrough. FIG. 1 is a cross-sectional view of a display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG.
^) shows a transmissive display element DE, and Figure R1 (B) shows a reflective display element DE. 1 is a substrate, 2 is a heat generating RL element, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, and 4 is a protective substrate.
第1図(A)の透過型の表示素子の作像原理は。The image forming principle of the transmissive display element shown in FIG. 1(A) is as follows.
次のとおりである。It is as follows.
作像のためにあるパターンに従い1発熱要素2の所望す
る位置を加熱し、加熱された発熱要素2]ユの単分子膜
又は単分子層累積膜3あ加熱部5において物性変化を生
ぜしめる。この表示素子の基板l側からY行光である照
明光7を入射させると、加熱部5以外の部分を通過する
光と5加熱部6を通過する光とで、光路が変化したり、
散乱が生じたりする。この変化を直接1間接にとらえ表
示する。A desired position of one heat generating element 2 is heated according to a certain pattern for image formation, and physical property changes are caused in the heated monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 of the heated heat generating element 2 and the heating section 5. When the illumination light 7, which is the Y-row light, is incident from the substrate l side of this display element, the optical path changes between the light passing through the parts other than the heating section 5 and the light passing through the heating section 6.
Scatter may occur. This change is captured and displayed both directly and indirectly.
第1図(日)の反射型の表示素子においては、照射光7
を透過型とは逆に保護用基板4側から入射し、単分子膜
又は単分子層累積膜3より基板l側に設けである不図示
の反射膜によって反射せしめ、加熱部5と加熱部5以外
の部において反射される反射光の光路の変化をとらえ表
示する。In the reflective display element shown in Figure 1 (Japanese), the irradiation light 7
Contrary to the transmission type, the light enters from the protective substrate 4 side and is reflected by a reflection film (not shown) provided on the substrate l side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3. Changes in the optical path of reflected light reflected at other parts are captured and displayed.
本発明の光変調方法を利用する光学素f−の単分子膜ま
たは単分子層累積膜の構成分子としては。Molecules constituting a monomolecular film or a monomolecular layer stack of optical element f- using the light modulation method of the present invention are as follows.
分子内に疎水部分と親木部分を有する有機化合物であれ
ば広く用いることができる。A wide range of organic compounds can be used as long as they have a hydrophobic part and a parent part in the molecule.
このような有機化合物としては、以下のものが例示され
る。Examples of such organic compounds include the following.
(1)高級脂肪酸
CH3(CR7)x C00)l
C)13(C:R7)+6COOH
CH3(CH2)18 CC00
HC:4(CH2)4(CH3CCH2)4 (CTo
)2C00BCTo= CH(CH2)11 C00H
CH2;(H((Hz) IへC00)lC:H2=
CH(CH2)7゜(1:00HCH3CCH2)tt
CC00H
c!1l(2
CH3CCH2)B C−C−C−1(CH2)8 (
OOHCHsCCH>>9C?C−C; C(CR7)
、C00HCH3(CR7)II C=C−C=C(C
H2)8COOHCH3(CH2)13 0 =C−C
=C(CH2)11 C00H(2)シアニン色素
一般式 I
X−(CH= CHiX’
(式中又はIIまたは■の基であり、x′は■〜Xの基
であり、nはOまたは正の整数である)で示されるシア
ニン色素。(1) Higher fatty acid CH3(CR7)x C00)l C)13(C:R7)+6COOH CH3(CH2)18 CC00 HC:4(CH2)4(CH3CCH2)4 (CTo
)2C00BCTo= CH(CH2)11 C00H
CH2; (H((Hz) C00 to I) lC:H2=
CH(CH2)7゜(1:00HCH3CCH2)tt
CC00H c! 1l(2 CH3CCH2)B C-C-C-1(CH2)8 (
OOHCHsCCH>>9C? C-C; C (CR7)
,C00HCH3(CR7)II C=C-C=C(C
H2)8COOHCH3(CH2)13 0 =C-C
=C(CH2)11 C00H(2) Cyanine dye general formula I cyanine dye, which is an integer of ).
(II) (璽)
+IV) (V)
(ト)
(3)
■■カらX(7)式中、ZはN−R,、O,Se、c(
Me)2であり、YはH又は2− M e テあり、R
3はCI”4のアルキル基であり、R2はCIO〜3o
のアルキル基である。(II) (Seal) +IV) (V) (G) (3) In the formula (7), Z is NR,, O, Se, c(
Me) 2, Y is H or 2-Me), R
3 is an alkyl group of CI"4, and R2 is CIO~3o
is an alkyl group.
一般式■で示されるシアニン色素の具体例を以下に例示
する。Specific examples of the cyanine dye represented by the general formula (2) are illustrated below.
3)アゾ色素
(R,はC8゜〜3゜のアルキル墓である)(4)リン
脂質
レシチン
スフィンゴミエリン
プラスマロゲン
ケファリンン
(5)長鎖シアルキリアンモニウム塩
I
(mは、。〜3゜の整数)
前記有機化合物を用いて単分子膜または単分子層累積膜
を作成する方法としては、例えば、■。3) Azo dye (R, is an alkyl grave of C8° to 3°) (4) Phospholipid lecithin sphingomyelin plasmamalogen kephalin (5) Long chain sialkyl ammonium salt I (m is . to 3 (integer of °) Examples of methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film using the organic compound include (1).
Langmuirらの開発したラングミュアーブロジx
−/ト法(LB法)を用いる。ラングミュア・プロジ
ェット法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の分
子において、両者のバランス(両親媒性のバランス)が
適度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に
向けて単分子の層になることを利用して単分子膜または
単分子層の累積膜を作成する方法である。水面」−の単
分子層はm:二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散
開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧■との間
に二次元理想気体の式、
nA= kT
が成り立ち、゛気体膜°゛となる。ここに、kはポルツ
マン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり一次元固体の゛凝縮膜(または
固体膜)°゛になる。凝縮膜はカラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分
子膜または単分子層累積膜は例えば次にようにして製造
する。Langmuir blog x developed by Langmuir et al.
-/to method (LB method) is used. The Langmuir-Prodgett method is based on the Langmuir-Prodgett method, in which a molecule has a parent wood group and a hydrophobic group within the molecule, and when the balance between the two (balance of amphiphilicity) is maintained appropriately, the molecule has a parent wood group on the water surface. This is a method of creating a monomolecular film or a cumulative film of monomolecular layers by using the fact that the film turns downward into a monomolecular layer. The monomolecular layer on the water surface has the characteristics of a two-dimensional system. When the molecules are sparsely dispersed, the two-dimensional ideal gas equation nA=kT holds true between the area per molecule A and the surface pressure ■, resulting in a ``gas film''. Here, k is Portzmann's constant and T is absolute temperature. If A is made sufficiently small, the intermolecular interaction will be strengthened, resulting in a one-dimensional solid "condensed film (or solid film)". The condensed film can be transferred layer by layer to the surface of a substrate such as a glass. Using this method, a monomolecular film or a monomolecular layer stack is produced, for example, as follows.
まず有機化合物を溶剤に溶解し、こ′れを水相中に展開
し、有機化合物を膜状に析出させる。次にこの析出物が
水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように仕切板(
または浮子)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合
状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧■を得る
。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集
合状態を制御し、表面圧を徐々に七Aさせ、累積膜の製
造に適する表面圧nを設定することができる。この表面
圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直にト下させる
ことにより単分子膜が基板トに移しとられる。単分子膜
は以上で製造されるが、単分子一層累積膜は、前記の操
作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累LA
Iliが形成される。First, an organic compound is dissolved in a solvent, and this is spread into an aqueous phase to precipitate the organic compound in the form of a film. Next, a partition plate (
(or a float) is provided to limit the development area and control the state of aggregation of the membrane material, thereby obtaining a surface pressure (2) proportional to the state of aggregation. By moving this partition plate, the developed area can be reduced to control the agglomeration state of the membrane material, and the surface pressure can be gradually increased to 7 A to set the surface pressure n suitable for producing a cumulative membrane. By gently lowering the clean substrate vertically while maintaining this surface pressure, the monomolecular film is transferred onto the substrate. Although a monomolecular film is produced by the above steps, a monomolecular single-layer cumulative film can be produced by repeating the above operations to obtain a monomolecular layer cumulative LA with a desired degree of accumulation.
Ili is formed.
成膜分子は、前記の有機化合物から1種または2種以1
−選択される。The film-forming molecules include one or more of the organic compounds listed above.
- selected.
単分子1模又は単分子層累積膜の厚さは30人〜300
μmが適しており、特に3000λ〜30gmが適して
いる。Thickness of monomolecular 1 model or monomolecular layer cumulative film is 30 to 300
μm is suitable, especially 3000λ to 30gm.
単分子層を基板上に移すには、上述した垂直浸せき法の
他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水乎伺
着法は基板を水面に水fに接触させて移しとる方法で、
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸
せき法では。In order to transfer the monolayer onto the substrate, in addition to the above-mentioned vertical dipping method, methods such as horizontal deposition method and rotating cylinder method are used. The water transfer method is a method in which the substrate is transferred to the water surface by contacting it with water.
The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate. In the vertical immersion method mentioned above.
水面を横切る方向に基板をおろすと−・層めは親木基が
基板側に向いた単分子層が基板]二に形成される。前述
のように基板をヒ下させると、各行程ごとに1枚ずつ中
分子層が重なっていく。成1便分子の向きが引上げ行程
と浸せき行程で逆になるので、この方法によると、各層
間は親木基と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うY型
膜が形成される。このようにして作成された小分p層累
積膜の模式図を第2図に示“す。図中、8−1は親木基
、8−2は疎水基である。When the substrate is lowered in a direction across the water surface, a monomolecular layer with the parent wood group facing the substrate is formed on the substrate. When the substrate is lowered as described above, the middle molecular layers are overlapped one by one at each step. Since the direction of the prefabricated molecules is reversed between the pulling process and the dipping process, according to this method, a Y-shaped film is formed between each layer in which the parent wood group and the parent wood group and the hydrophobic group and the hydrophobic group face each other. A schematic diagram of the small p-layer cumulative film thus prepared is shown in FIG. 2. In the figure, 8-1 is a parent wood group and 8-2 is a hydrophobic group.
それに対し、水平伺着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子層
が基板]−に形成される。この方法では、累積しても、
成膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基
が基板側に向いたX型膜が形成される6反対に全ての層
において親木基が基板側に向いた累積膜はX型膜と呼ば
れる。On the other hand, the horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and a monomolecular layer with hydrophobic groups facing the substrate is formed on the substrate. With this method, even if you accumulate
There is no change in the direction of the film-forming molecules, and an X-type film is formed in which the hydrophobic groups face the substrate in all layers.6On the other hand, a cumulative film in which the parent groups face the substrate in all layers is an X-type film. called a membrane.
回転円筒法は1円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。The rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer a monomolecular layer onto the surface of the substrate.
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面gi基板を用いる時には、基板ロール
から水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る
。また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもできる
。The method of transferring the monomolecular layer onto the substrate is not limited to these methods, and when using a large GI substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into an aqueous phase may also be used. Furthermore, the orientation of the aforementioned parent wood group and hydrophobic group toward the substrate is a general rule, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.
単分子膜または単分子層累積膜を作成する他の方法とし
ては、スパッタリング法、プラズマ重合法、−1分子膜
作製法などがある。Other methods for creating a monomolecular film or a monomolecular layer stack include a sputtering method, a plasma polymerization method, a -1 molecular film manufacturing method, and the like.
基板lとして使用することのできるものとしては、ガラ
ス、アルミニウムなどの金属、プラスチック、セラミッ
クなどが挙げられる。第1図(A)に示した透過型の場
合には、できる限り耐圧性のある透光性のガラスやプラ
スチック、特に無色乃至淡色のものが好ましい。また、
基板表面の洗浄が不十分であると、単分子層を水面から
移しとる時に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または
単分子層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを
使用する必要がある。Examples of materials that can be used as the substrate 1 include glass, metals such as aluminum, plastics, and ceramics. In the case of the transmission type shown in FIG. 1(A), it is preferable to use pressure-resistant and transparent glass or plastic, especially colorless or light-colored ones. Also,
If the substrate surface is insufficiently cleaned, the monomolecular layer will be disturbed when it is transferred from the water surface, making it impossible to form a good monomolecular film or monomolecular layer accumulation, so use a substrate with a clean surface. There is a need.
保護用基板4としては、できる限り耐圧性のある透光性
のカラスやプラスチックが適しており、特に無色乃至淡
色のものが好ましい。保護用基板4を設けることは、単
分子膜または単分子層累積膜の耐久性、安定性を向−ヒ
させるためには、好ましいことであるが、成膜分tの選
択によって保護用基板は設けても設けなくてもよい。As the protective substrate 4, a transparent glass or plastic that is as pressure resistant as possible is suitable, and a colorless or light-colored one is particularly preferable. Although it is preferable to provide the protective substrate 4 in order to improve the durability and stability of the monomolecular film or the monomolecular layer stack, the protective substrate 4 can be It may or may not be provided.
発熱要素2は、ドツトマトリックス状(点打列状)、ド
ツトライン状(点線状)、ライン状、島状等の種々の形
態で発熱して熱伝導により単分子膜又は単分子層累積膜
を加熱するためのものである。The heating element 2 generates heat in various forms such as a dot matrix shape (dotted line shape), a dot line shape (dotted line shape), a line shape, an island shape, etc., and heats a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film by heat conduction. It is for the purpose of
発熱要素2としては、赤外線などによる輻射線加熱を利
用するものや抵抗加熱等のジュール熱を利用するもの等
があげられる。前者としては各種の無機あるいは有機材
料、例えばCd m Tba Feの合金、カーボン争
ブラック等の無機顔料、ニグロシン等の有機染料、アゾ
系等の有機顔料などが適している。後者としては、例え
ば硼化ハフニウムや窒化タンタル等の金属化合物やニク
ロム等の合金が適している。発熱要素2の膜厚はエネル
ギー伝達効率及び解像力に影響を及ぼす、これらの観点
より、発熱要素2の好適な膜厚は1000〜200OA
である0表示素子が透過型の場合、発熱要素2は可視光
に対して透過性であることが要件となる。Examples of the heat generating element 2 include those that utilize radiation heating such as infrared rays, and those that utilize Joule heat such as resistance heating. As the former, various inorganic or organic materials are suitable, such as alloys of Cd m Tba Fe, inorganic pigments such as carbon black, organic dyes such as nigrosine, and organic pigments such as azo. As the latter, metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome are suitable. The thickness of the heat generating element 2 affects energy transfer efficiency and resolution. From these points of view, the preferred thickness of the heat generating element 2 is 1000 to 200 OA.
When the display element is of a transmission type, the heating element 2 is required to be transparent to visible light.
しかし、発熱要素2は、特別に設けなくとも、ト記特性
を具備した基板材料を選択することにより、基板lが発
熱要素を兼ねることもできる。However, even if the heating element 2 is not specially provided, the substrate 1 can also serve as the heating element by selecting a substrate material having the above characteristics.
反射膜としては、高融点の金属材料又は金属化合物材料
を用いて金属膜、誘電ミラーなどを単分子−膜又は単分
子層累積膜3より基板l側にスパッタリング法、蒸着法
などにより設ける0反射膜も発熱要N2同様、基板lの
材料を光を反射しうる材料を選択することにより、基板
lに兼ねさせることもできる。As the reflective film, a metal film, dielectric mirror, etc. using a metal material or a metal compound material with a high melting point is provided on the substrate l side from the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 by sputtering method, vapor deposition method, etc. Similarly to the heating element N2, the film can also serve as the substrate 1 by selecting a material that can reflect light.
基板上の単分子膜又は単分子層累積膜は、十分に弾く固
定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほと
んどないが、接着力を強化する目的で、基板と単分子膜
または単分子層累amの間に接着層を設けることもでき
る。さらに単分子層形成条件、LB法であれば例えば水
相の水素イオン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選択
等によっても接着力を強化することもできる。The monomolecular film or monomolecular layer cumulative film on the substrate is sufficiently repellent and fixed and hardly peels off or peels off from the substrate. An adhesive layer can also be provided between the molecular layer stacks. Furthermore, the adhesive force can be strengthened by selecting the monomolecular layer formation conditions, for example, the hydrogen ion concentration of the aqueous phase, the ion species, or the surface pressure in the case of the LB method.
前述した加熱部5における物性変化とは、特に光学的物
性の変化を意味し、たとえば、具体的には単分子膜又は
単分子層累積膜を構成している分子集合体の相転移を意
味している。The above-mentioned change in physical properties in the heating section 5 particularly means a change in optical properties, for example, specifically a phase transition of a molecular assembly constituting a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film. ing.
この相転移は、温度および圧力などの変化によって生じ
る。相転移を起こす温度、すなわち相転移温度(Tc)
は物質によって固有であり、単分子膜又は単分子層累積
膜を形成する有機化合物は、Tc以下で結晶相であり、
Tc以りで液晶相に相転移するものが特に好ましい。This phase transition is caused by changes in temperature and pressure, etc. Temperature at which phase transition occurs, i.e. phase transition temperature (Tc)
is unique depending on the substance, and the organic compound forming a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film is in a crystalline phase below Tc,
Particularly preferred are those that undergo a phase transition to a liquid crystal phase at Tc or higher.
また、Tcは50− 100°Cのものが適している0
例えばジアルキルアンモニウム塩のTcは20℃〜60
℃である。一般的ニTcは、アルキル鎖長とともにTc
はJ:封する。第3図はジアルキルアンモニウム塩の場
合の相転移現象を模式的に示したものである。加熱温度
はTc以りに設定することがより好適である。さらに累
積膜の構成分子を適当に選ぶことによって結晶相から液
晶相に、又はある種の液晶相からある種の液晶相に相移
転することによって光散乱ないし不透光を5する。本発
明はこのような光散乱などの相転移による物性変化を作
像に用いるものである。In addition, Tc is 0 which is suitable at 50-100°C.
For example, the Tc of dialkyl ammonium salt is 20°C to 60°C.
It is ℃. Typical Tc is Tc along with the alkyl chain length.
J: Seal. FIG. 3 schematically shows the phase transition phenomenon in the case of a dialkylammonium salt. It is more preferable to set the heating temperature to Tc or higher. Furthermore, by appropriately selecting the constituent molecules of the cumulative film, light scattering or opacity can be achieved by phase transition from a crystalline phase to a liquid crystalline phase, or from a certain type of liquid crystalline phase to a certain type of liquid crystalline phase. The present invention uses changes in physical properties due to phase transition such as light scattering for image formation.
発熱要素2の加熱部6が発熱して単分子膜又は単分子層
累積膜3の物性が前述のように変化する程度に加熱され
て加熱部5が形成される。発熱要素2のその他の部位は
発熱していないのでそれに対応する単分子膜又は単分子
層累積膜3の低温領域の物性の変化はほとんどなく、そ
の物性は近似的に一様である。低温領域においても実際
には加熱部等からの熱伝導によって、加温され、光学的
物性は変化するであろうが、加熱部の変化からみると、
相対的に無視できる程度である。The heating portion 6 of the heat generating element 2 generates heat and is heated to such an extent that the physical properties of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 change as described above, thereby forming the heating portion 5. Since the other parts of the heating element 2 do not generate heat, there is almost no change in the physical properties of the corresponding monomolecular film or monomolecular layer stacked film 3 in the low temperature region, and the physical properties are approximately uniform. Even in the low-temperature region, it is actually heated by heat conduction from the heating part, etc., and the optical properties change, but from the perspective of changes in the heating part,
It is relatively negligible.
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を通過する照明
光7は、この部分に熱的に生じた屈折率勾配(グラディ
エンドインデックス)によって屈折、散乱、回折等して
単分子膜又は単分子層累積11り3内を直進せず屈折し
て光路変化する。このため、中分子1模又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過する照明光7と、そこを通過しな
い照明光7とは、表示素f−DEを射出してきた時、平
行光とはならず、それらの射出方向は互いに異なる。発
熱要素2の加熱部6が加熱しなくなれば、単分子膜又は
単分子層累積膜の加熱部5は冷却されてなくなり、表示
素1’DEから射出する照明光7の方向は全て同じ方向
となる。故に、単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部
5の高温領域を通過する照明光7と、加熱部でない部位
の単分子膜又は単分子層累積膜の低温領域を通過する照
明光7とが光゛プ°的に識別される。The illumination light 7 passing through the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film is refracted, scattered, diffracted, etc. due to the refractive index gradient (gradient index) thermally generated in this part, and the illumination light 7 passes through the heating part 5 of the monomolecular film or monomolecular layer accumulation film. The optical path does not go straight through the monomolecular layer stack 11 but is refracted and the optical path changes. For this reason, the illumination light 7 that passes through the heating section 5 of the middle molecule 1 model or monolayer cumulative film and the illumination light 7 that does not pass through it are different from parallel light when they are emitted from the display element f-DE. Rather, their emission directions are different from each other. When the heating part 6 of the heat generating element 2 stops heating, the heating part 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stack is no longer cooled, and the direction of the illumination light 7 emitted from the display element 1'DE is all in the same direction. Become. Therefore, the illumination light 7 that passes through the high temperature region of the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3, and the illumination light 7 that passes through the low temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack that is not the heating section. are optically identified.
本発明に係る光変調方法を利用する表示素子は一定の条
件(例えば、平行光による照明)の下では直視表示も可
能であるが、後述の結像光学系との組合わせによって更
に表示装置としての用途及び利用価値は広がる。透過型
の表示素Fの直視表示の場合、単分子膜又は単分子層累
積膜の加熱部5を通過してきた光の方向に対して位置し
た不図示の観察眼に到達する光量差に基づき表示画素の
識別ができる。相転移による光散乱を利用すると、直視
表示はより簡単で効果的である。Although the display element using the light modulation method according to the present invention can be used for direct viewing under certain conditions (for example, illumination with parallel light), it can also be used as a display device in combination with the imaging optical system described below. Its uses and utility value will expand. In the case of direct-view display using the transmission type display element F, the display is based on the difference in the amount of light that reaches an observation eye (not shown) positioned with respect to the direction of the light that has passed through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film. Pixel identification is possible. Using light scattering due to phase transition, direct viewing display is simpler and more effective.
反射型の表示素子と後述の結像光学系との組合わせの場
合、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5の結像光学
系による結像位置と発熱要素2によって加熱されていな
い(発熱要素2によって単分子膜又は単分子層累積膜3
が予熱されている場合も含む)単分子膜又は単分子層累
81膜3の低温領域の部分(以下、非加熱部という)の
結像光学系による結像位置が異なるためにデフォーカス
することにより表示点の識別がより明確に行なわれる。In the case of a combination of a reflective display element and an imaging optical system described below, the imaging position of the heating unit 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stacked film by the imaging optical system and the position that is not heated by the heating element 2 (A monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film 3
Defocusing occurs because the imaging position of the low-temperature region portion (hereinafter referred to as non-heated portion) of the monomolecular film or monomolecular layer stack 81 film 3 (including the case where the monomolecular layer is preheated) differs by the imaging optical system. This allows the display points to be identified more clearly.
従って、デフォーカスすることにより明点を暗点に反転
させて表示することもできる。後述の結像光学系を用い
ない場合には、表示素子の表示効果を増すために照明光
7として平行光を用い、後述のような遮光格子を付設す
れば表示効果は飛躍的に向−卜する。なお、第1図にお
いて、発熱要素2は単分子膜又は単分子層累積@3と直
接接して単分子膜又は単分子層累J31膜を加熱してい
るが、単分子膜又は単分子層累積膜の近辺に発熱要素2
を配置し熱伝導加熱により単分子膜又は単分子層累積膜
3を加熱してもよい。たとえば、第1図(B)において
、発熱要素2が光を反射しない場合、単分子膜又は単分
子層累積膜3と発熱要素2との間に光反射性の金属膜、
誘゛市ミラー等を介在させてもよい。Therefore, by defocusing, a bright spot can be inverted and displayed as a dark spot. If the imaging optical system described below is not used, parallel light is used as the illumination light 7 to increase the display effect of the display element, and if a light-shielding grating as described later is attached, the display effect can be dramatically improved. do. In Fig. 1, the heating element 2 is in direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation @3 and heats the monomolecular film or the monomolecular layer accumulation J31 film. Heat generating element 2 near the membrane
The monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 may be heated by heat conduction heating. For example, in FIG. 1(B), when the heat generating element 2 does not reflect light, a light-reflecting metal film is placed between the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 and the heat generating element 2.
An attraction mirror or the like may be interposed.
なお、第1図では2説明をわかり易くするために表示素
子DEに入射する光束を平行光としたが、特に平行光に
かぎるものではなく1本質的には表示素子DEに入射す
る光が発熱要素2の加熱部6の発熱によって光路中に単
分子膜又は単分子層累積III 3の高温領域、すなわ
ち加熱部5が形成されることにより、加熱部5が形成さ
れない前の光路と比較して光路変化をするということを
利用するものである。Note that in FIG. 1, the light beam incident on the display element DE is shown as parallel light in order to make the explanation easier to understand. However, this is not limited to parallel light; 1 Essentially, the light incident on the display element DE is a heat-generating element. A high temperature region of a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation III 3, that is, a heating part 5, is formed in the optical path by the heat generated by the heating part 6 of No. It takes advantage of the fact that change occurs.
第4図は本発明に係る光変調方法を利用する表示素子の
作像原理を更に具体的に説明するための表示素子の断面
図であり、第4図(A)は透過型の表示素子を、第4図
(B)は反射型の表示素子を夫々示している。FIG. 4 is a cross-sectional view of a display element for more specifically explaining the principle of image formation of a display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG. 4(A) is a cross-sectional view of a transmissive display element. , and FIG. 4(B) respectively show reflective display elements.
図に於て、9は輻射線lOを吸収して発熱する輻射線吸
収層、3は単分子膜又は単分子層累aM。In the figure, 9 is a radiation absorbing layer that absorbs radiation IO and generates heat, and 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack aM.
4は保護用基板を示す、なお、第3図(B)に示されて
いる反射型の表示素子DEに於て、11は表示に利用す
る照明光7を反射するための反射膜、12は単分子膜又
は単分子層累積膜3を予め加熱しておくための発熱体層
である。これら反射膜111発熱体層12は必ずしも表
示素子〇Hに必要とするものではなく、必要に応じて設
けられる。たとえば、輻射線吸収層9が光反射性を有す
る時には反射fillは用いられない、また、輻射線強
度が充分に強い場合も発熱体N12は不要である。但し
、発熱体層12については後述するので、第4図(B)
においては発熱体M12はないものとして説明する。ま
た1発熱体層12は必要に応じて第4図(A)に示され
ている透過型の表示素子にも設けられる。輻射線吸収層
9は輻射線lOとりわけ赤外線を効率的に吸収して発熱
するが、それ自身は発熱することによって溶融し難いも
のでなければならない、この輻射線吸収!f!r9は各
種の無機或は有機材料を成M(多層膜を含む)して得ら
れる。尚、この輻射線吸収層9自身は膜厚数#L8!度
なので、4[シて支持機能に乏しいから、不図示のガラ
スやプラスチック等からなる輻射線透過性支持板を基板
として付加するのが一般的である。単分子膜又は単分子
層累積膜3を構成する有機化合物には前述のような種類
があり、一般に可視光線に対して透光性を有するものが
適しているが赤外線等の輻射線lOに対して透光性であ
るか否かは問わない、13は格子で、単分子膜メは単分
子層累積膜3が加熱されていない時、表示素子に入射し
て透過型の表示素子を透過したり、反射型の表示素子に
よって反射されて表示素子から射出する照明光7を遮光
している。このように構成された表示素子DHに対して
、図面右方から輻射線(特に、赤外線)lOを照射する
と、輻射線吸収層9の対応点が発熱する。この様にして
輻射線吸収層9の一部が発熱すると、これに接している
かもしくは近接している部分の単分F膜又は単分子層累
積膜3は熱伝導によって加熱され、温度が上昇して、そ
の物性が加熱前より変化し、単分子膜又は単分子層累積
膜3の高温領域の加熱部5が形成される。この加熱部5
を通過する照明光7は、加熱部5を通過する時、第1図
に於て前述したメカニズムによりその光路を変化させら
れる。この光路変化をうけた照明光7の少なくとも一部
は表示素子DEを射出した時、格子13の開口を通過す
る。一方、加熱部5を通らない照明光7は全て格子13
によって遮光されるので、この格子13を介して表示素
子DEを見た場合、加熱部5が形成された単分子膜又は
単分子層累積膜の部分を通過する照明光と非加熱部を通
過する照明光7とが識別される。Reference numeral 4 indicates a protective substrate; in the reflective display element DE shown in FIG. 3(B), reference numeral 11 indicates a reflective film for reflecting the illumination light 7 used for display; This is a heating element layer for preheating the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3. The reflective film 111 and the heat generating layer 12 are not necessarily required for the display element 〇H, but are provided as necessary. For example, when the radiation absorbing layer 9 has light reflectivity, the reflective fill is not used, and also when the radiation intensity is sufficiently strong, the heating element N12 is not necessary. However, since the heating element layer 12 will be described later, FIG. 4(B)
In the following description, it is assumed that the heating element M12 is not provided. Further, one heating element layer 12 is also provided in the transmission type display element shown in FIG. 4(A) as needed. The radiation absorbing layer 9 efficiently absorbs radiation, especially infrared rays, and generates heat, but it must be difficult to melt due to the generation of heat. f! r9 can be obtained by forming various inorganic or organic materials (including multilayer films). Incidentally, this radiation absorbing layer 9 itself has a film thickness number #L8! 4. Since the support function is poor, it is common to add a radiation-transparent support plate made of glass, plastic, etc. (not shown) as a substrate. There are various types of organic compounds constituting the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 as described above, and those that are generally transparent to visible light are suitable, but those that are transparent to radiation such as infrared rays are suitable. Reference numeral 13 denotes a grating, which may or may not be translucent, and when the monomolecular layer cumulative film 3 is not heated, the light enters the display element and passes through the transmissive display element. In addition, the illumination light 7 reflected by the reflective display element and emitted from the display element is blocked. When the display element DH configured in this way is irradiated with radiation (particularly infrared rays) lO from the right side of the drawing, corresponding points on the radiation absorption layer 9 generate heat. When a part of the radiation absorption layer 9 generates heat in this way, the single F film or the monomolecular layer cumulative film 3 in the part that is in contact with or in close proximity to it is heated by thermal conduction, and the temperature rises. As a result, its physical properties change from before heating, and a heated portion 5 in a high temperature region of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 is formed. This heating section 5
When the illumination light 7 passes through the heating section 5, its optical path is changed by the mechanism described above in FIG. At least a portion of the illumination light 7 that has undergone this optical path change passes through the opening of the grating 13 when exiting the display element DE. On the other hand, all of the illumination light 7 that does not pass through the heating section 5 is transmitted through the grating 13.
Therefore, when viewing the display element DE through this grating 13, the illumination light passes through the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film portion where the heating section 5 is formed, and the illumination light passes through the non-heating section. The illumination light 7 is identified.
勿論、非加熱部を通過す゛る照明光7が、格子13の開
口を通過するようにすれば、加熱部5が形成された時に
、この部分を通過する照明光7は格子13によって遮光
されるので、照明光7が通過しない格子13の開口もあ
り、前述の例の逆の形態の表示素子も可能となる。Of course, if the illumination light 7 passing through the non-heating part is made to pass through the opening of the grating 13, the illumination light 7 passing through this part will be blocked by the grating 13 when the heating part 5 is formed. , there is also an aperture in the grating 13 through which the illumination light 7 does not pass, and a display element having the reverse form of the previous example is also possible.
格子13がない場合でも、単分子膜又は単分子層累積膜
3の加熱部5を通過する照明光7の方向と、非加熱部を
通過する照明光7の方向とは表示素子DEを射出してき
た場合、互いに異なっているので、どちらか一方の光束
がくる方向にむかって見た場合、光学的に照明光7は識
別される。Even if there is no grating 13, the direction of the illumination light 7 passing through the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 and the direction of the illumination light 7 passing through the non-heating section are the same as those emitted from the display element DE. Since the illumination light beams 7 are different from each other, the illumination light beams 7 can be optically distinguished when viewed in the direction in which either one of the light beams comes.
尚、表示素子DEに対して輻射線10を照射する場合、
所定の画像に対応する様にパターン状に照射することも
できるし、レーザ光源を利用して、輻射線10をビーム
として多数のビームをドツト状に一括して照射すること
もできるが、lビーム又はlラインビームを輻射線吸収
e9−ヒに走査させる方法をとることもできる。Note that when irradiating the display element DE with the radiation 10,
It is possible to irradiate in a pattern corresponding to a predetermined image, or it is possible to use a laser light source to irradiate a large number of beams at once in a dot shape using the radiation 10 as a beam. Alternatively, a method may be adopted in which the l-line beam is scanned by radiation absorbing e9-hi.
又輻射線lOを照射する方向は、第4図(A)に示され
ている透過型の表示素子DEの場合1図示例のみに限定
されない、つまり、保護用基板4及び単分子膜又は単分
子層累積膜3を輻射線10が透過する場合には、輻射線
ioを図面左方から照射することも可能である。尚、表
示の消去は単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱部5の
冷却によって自然に為される。In addition, the direction in which the radiation 1O is irradiated is not limited to the one illustrated example in the case of the transmission type display element DE shown in FIG. 4(A). When the radiation 10 passes through the layer accumulation film 3, it is also possible to irradiate the radiation io from the left side of the drawing. Incidentally, the display is erased naturally by cooling the heating section 5 of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3.
尚、以1−では輻射線加熱によって表示画素を形成する
方法に就いて説明したが、本発明では第4図の輻射線吸
収M9を後述のように不図示の金属等から成る伝熱層に
代え、これに不図示の発熱素f−を近接L゛シ〈は接触
させて単分子膜又は単分子一層累a膜を伝導加熱する様
に変形することも可能である。In 1-, a method for forming display pixels by radiation heating has been described, but in the present invention, the radiation absorbing layer M9 in FIG. Alternatively, it is also possible to bring a heating element f- (not shown) into close contact with this to heat the monomolecular film or monomolecular single-layer stacked a film by conduction.
本発明では、表示画素の識別効果を更に高める為に、輻
射線吸収層9と単分子膜又は単分子層累msの間に前述
したように可視光線の反射1i111を別途、介在させ
ることもできる。斯かる反射膜11は、熱伝導の際、そ
れ自身が溶融することのない高融点の金属材料又は金属
化合物材料によって形成する必要がある。In the present invention, in order to further enhance the discrimination effect of display pixels, a visible light reflection layer 1i111 may be separately interposed between the radiation absorption layer 9 and the monomolecular film or monomolecular layer ms as described above. . Such a reflective film 11 needs to be formed of a high melting point metal material or metal compound material that does not melt itself during heat conduction.
本発明を利用する表示素子に於て有効な表示を得るため
には単分子膜又は単分子層累積Il!3の輻射線吸収層
9と接する面及びその近傍が加熱される必要があるが、
その加熱が単分子膜又は単分子層累積膜3の保護用基板
4に接する而及びその近傍にまで及ぶことは要件ではな
い。しかしながら、単分子膜又は単分子層累積膜3の輻
射線吸収層9の加熱面に接する面及びその近傍の温度が
周辺領域の単分子膜又は単分子層累積[3の温度より高
い程、表示素子DEの表示のコントラストは向上するこ
とが実験の結果判った。更に、これを積極的に利用すれ
ば、単分子膜又は単分子層累積III 3を加熱するた
めの熱量を異ならしめることにより中間調を表示するこ
とが可能になる。In order to obtain an effective display in a display element using the present invention, it is necessary to use a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation Il! It is necessary to heat the surface in contact with the radiation absorption layer 9 in No. 3 and its vicinity, but
It is not a requirement that the heating extends to the portion of the monomolecular film or the monomolecular layer stack 3 that is in contact with the protective substrate 4 and its vicinity. However, the higher the temperature of the surface of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in contact with the heating surface of the radiation absorbing layer 9 and its vicinity is higher than the temperature of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film [3] in the surrounding area, Experiments have shown that the display contrast of element DE is improved. Furthermore, if this is actively utilized, it becomes possible to display halftones by varying the amount of heat for heating the monomolecular film or the monomolecular layer stack III 3.
尚、輻射線吸収層9上に輻射線IOを照射する照射スポ
ット径は小さい程表示のコントラストが良くl!I適な
輻射線lOのスポット径(直径)は0.5に〜 100
ル位が適当である。Note that the smaller the diameter of the irradiation spot for irradiating the radiation absorption layer 9 with the radiation IO, the better the contrast of the display. The spot diameter (diameter) of suitable radiation lO is between 0.5 and 100
The appropriate position is
しかしながら幅2iu+長さiomsの矩形状の光束の
輻射線10で輻射線吸収層9を照射しても表示像は得ら
れるものである1本発明の詳細な説明に於てしばしば用
いる単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5とは後者の
範囲も含むものである。However, even if the radiation absorbing layer 9 is irradiated with the radiation 10 of a rectangular beam having a width of 2 iu and a length of ioms, a displayed image can be obtained. The heating section 5 of the monomolecular layer stack includes the latter range.
もっとも、単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5が微
小でなくとも加熱面の温度が−・様でないために加熱部
5に於ける光の光路の方向と非加熱部に光の光路の方向
に差異が生ずれば識別効果は生ずる。したがって、本発
明に於ては、単分子膜又は単分子一層累積膜の加熱部5
を微小範囲に限定するものではない。However, even if the heating part 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film is not very small, the temperature of the heating surface is not like -. If a difference occurs in the direction of , a discrimination effect occurs. Therefore, in the present invention, the heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular single-layer cumulative film
is not limited to a minute range.
未発明を利用する表示素子においては、第4図(B)に
示されているように、表示画素としての単分子膜又は単
分子層累積膜の加熱部5の形成速度を大いに速めるため
に、反射膜を用いない場合は、表示素子DEの輻射線吸
収層9と単分子膜又は申分P層累積膜3との間に、反射
膜ト用いる場合は、輻射線吸収層9と反射膜11との間
にジュール熱によって発熱する発熱体層12を設け、所
定の単分子膜又は単分子層累積膜を予熱することが望ま
しい場合もある。尚、この時、輻射線吸収層9或は反射
膜11が導体である場合には、これ等と発熱体層12と
の間に不図示の絶縁層を設けることが望ましい。In the display element using the uninvented method, as shown in FIG. 4(B), in order to greatly accelerate the formation speed of the heating portion 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film as the display pixel, When a reflective film is not used, the radiation absorbing layer 9 and the reflective film 11 are placed between the radiation absorbing layer 9 of the display element DE and the monomolecular film or the P-layer cumulative film 3 when a reflective film is used. In some cases, it may be desirable to provide a heating element layer 12 that generates heat by Joule heat between the two and preheat a predetermined monomolecular film or monomolecular layer stack. At this time, if the radiation absorbing layer 9 or the reflective film 11 is a conductor, it is desirable to provide an insulating layer (not shown) between them and the heat generating layer 12.
このような発熱体層12としては、はぼ、輻射線ビーム
の−又は複数の走査線に対応する線状発熱体や格子状発
熱体(何れも不図示)等が好適である。発熱体層12が
線状発熱体の場合、この幅方向に於て発熱部は微小であ
るから良好な表示結果が得られるものと思われる。この
とき輻射線lOの輻射線吸収層9への照射と発熱体層1
2による単分子膜又は単分子層累積膜3の加熱とを同期
させるのが好適である。この様な発熱体層12の素材と
しては、硼化ハフニウムや窒化タンタル等に代表される
金属化合物、ニクロム等の合金を挙げることができる。As such a heating element layer 12, a dowel, a linear heating element corresponding to one or more scanning lines of a radiation beam, a grid-shaped heating element (none of which are shown), etc. are suitable. When the heating element layer 12 is a linear heating element, it is thought that good display results can be obtained because the heating portion is minute in the width direction. At this time, the radiation absorption layer 9 is irradiated with radiation lO and the heating element layer 1
It is preferable to synchronize the heating of the monomolecular film or monomolecular layer stack 3 by 2. Examples of the material for such a heating element layer 12 include metal compounds such as hafnium boride and tantalum nitride, and alloys such as nichrome.
又、本発明を利用する表示素子に於ては、単分子膜又は
単分子層累積膜に直接、腐蝕性の構成要素が接触する様
な表示素子の構成は、素子の寿命を低下させることにな
るので、避けるべきである。単分子1り又は単分子層累
積膜に腐蝕性の構成要素が接している構成では、化学腐
蝕、熱酸化等が生じて表示素子が損傷又は劣化する場合
が大きいからである。Furthermore, in the display element using the present invention, a structure of the display element in which a corrosive component comes into direct contact with the monomolecular film or the monomolecular layer stack may shorten the life of the element. Therefore, it should be avoided. This is because, in a configuration in which a corrosive component is in contact with a single monomolecular or monomolecular layer stack, chemical corrosion, thermal oxidation, etc. occur, and the display element is often damaged or deteriorated.
従って、この様な場合には、単分子膜又は単分子層累積
膜と腐蝕性の構成要素の界面に、耐蝕性の保護1模(不
図示)を形成することが望ましい。Therefore, in such a case, it is desirable to form a corrosion-resistant protection pattern (not shown) at the interface between the monomolecular film or the monomolecular layer stack and the corrosive component.
そして、この保護膜の素材としては、酸化硅素、酸化チ
タン等の誘電体や耐熱性プラスチック等を挙げることが
できる。この保護膜を反射膜がその機能を兼ねることも
ある。Examples of the material for this protective film include dielectric materials such as silicon oxide and titanium oxide, heat-resistant plastics, and the like. A reflective film may also serve as this protective film.
なお、輻射線吸収層9として金属等を用いるときは、こ
れは、一般に、基板としての輻射線透過性支持板上に成
膜されるのが汁通であるから、輻射線吸収層9を加熱し
た時、これは外部空気によって酸化される心配はない。Note that when a metal or the like is used as the radiation absorbing layer 9, the radiation absorbing layer 9 is generally formed on a radiation transparent support plate as a substrate, so the radiation absorbing layer 9 is heated. When this happens, there is no need to worry about it being oxidized by outside air.
輻射線吸収層9の輻射線吸収率が完全でない場合には、
これに輻射線10を照射する側に反射防止膜(不図示)
を施すことにより輻射線吸収層9の輻射線10の吸収率
を著しく高めることもできる。If the radiation absorption rate of the radiation absorption layer 9 is not perfect,
An anti-reflection coating (not shown) is provided on the side to which the radiation 10 is irradiated.
By applying this, the absorption rate of the radiation 10 of the radiation absorption layer 9 can be significantly increased.
次に第5図および第6図によってライトパルプ式投写装
置について説明する。ライトパルプ(光ブt)は光を制
御あるいは調節するものの意であり、従って、独立した
光源からの光を適当な媒体(本発明の場合、表示素子の
単分子膜又は単分子層累積膜)で制御してスクリーン上
に投写表示する方式のディスプレイはすべてこれに含ま
れることになる。この方式は、ブラウン管のような自発
光型ディスプレイに比べると原理的には、使用する光源
を強くすることにより表示画面のサイズと明るさをいく
らでも増加できるので、特に光量を必要とする大画面デ
ィスプレイに適している。そのうち、第5図に示すもの
は、シュリーレンライトパルプとも呼ばれているもので
、入力信号に応じて制御媒体である単分子膜又は草分F
層累a膜に光の屈折角、回折角あるいは反射角の異なる
パターンあるいは散乱−によるパターンをつくり、シュ
リーレン光学系を用いてその変化を明暗像に変換し、ス
クリーンに投写する方式である。Next, the light pulp type projection device will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. Light pulp means something that controls or adjusts light, and therefore, light from an independent light source is transferred to an appropriate medium (in the case of the present invention, a monomolecular film or a monomolecular layer stack of a display element). This includes all displays that are controlled by a computer and projected onto a screen. Compared to self-luminous displays such as cathode ray tubes, this method can theoretically increase the size and brightness of the display screen by increasing the intensity of the light source used, so it is especially suitable for large screen displays that require a large amount of light. suitable for Among them, the one shown in Fig. 5 is also called schlieren light pulp, and the control medium, monomolecular film or grass F, is produced according to the input signal.
This is a method in which patterns with different refraction angles, diffraction angles, or reflection angles or scattering patterns of light are created in the layered a-film, and a Schlieren optical system is used to convert the changes into bright and dark images, which are then projected onto a screen.
第5図はその表示装置の基本原理を説明するための概要
構成図である。第1格了13aの各スリットの像はシュ
リーレンレンズ14によって第2格子13b各バーのI
;に遮光されるように人々結像するように配置されてい
る。シュリーレンレンズ14と第2格子13bとの間に
おかれた透過型の表示素子DEの媒体としての単分子膜
又は単分子層累M膜が加熱されておらず、その物性が一
様に平滑であれば、第1格子13aを通過した入射光は
すべて第2格子13bにより遮られてスクリーン15に
到達しない。しかし、表示素子DEの中分子膜又は単分
子層累積膜3の=一部が発熱要素により加熱されて高温
になり単分子膜又は単分子一層累積膜の加熱部5が形成
されると、そこを通過する光の光路が前述したように変
化するので、そこを通過した入射光16は第2格子13
bで遮られることなく第2格子13bの間隙(開口)を
通ってスクリーン15に到達する。従って、表示素子D
Eの単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5を加熱して
いる加熱面又はその近傍の媒体面をスクリーン15に結
像するように結像レンズ17を配置すれば、表示素子D
Eの単分子膜又は重分F層累積膜の温度変化量に対応し
た明暗像がスクリーン15 、、Jlに得られる。なお
、これに用いられる第1及び第2格子13a及び13b
の開口は線状、点状の如何を問わない。FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining the basic principle of the display device. The image of each slit of the first grating 13a is transferred to the I of each bar of the second grating 13b by the Schlieren lens 14.
; They are arranged so that people are imaged so that they are blocked from light. The monomolecular film or monomolecular layer multilayer M film as a medium of the transmission type display element DE placed between the schlieren lens 14 and the second grating 13b is not heated, and its physical properties are not uniformly smooth. If there is, all the incident light that has passed through the first grating 13a will be blocked by the second grating 13b and will not reach the screen 15. However, when a portion of the intermediate molecular film or monomolecular layer cumulative film 3 of the display element DE is heated by the heating element and reaches a high temperature, a heated portion 5 of the monomolecular film or monomolecular single layer cumulative film is formed. Since the optical path of the light passing through changes as described above, the incident light 16 that has passed through it changes to the second grating 13.
It reaches the screen 15 through the gap (opening) of the second lattice 13b without being obstructed by the second grid 13b. Therefore, display element D
If the imaging lens 17 is arranged so that the heating surface heating the heating section 5 of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of E or the medium surface in the vicinity thereof is imaged on the screen 15, the display element D
A contrast image corresponding to the amount of temperature change of the monomolecular film of E or the cumulative film of overlapping F layers is obtained on the screens 15, , Jl. Note that the first and second gratings 13a and 13b used for this
The opening may be linear or dotted.
第6図は透過型ライトバルブ式投写装置の概略構成図で
あり、透過型の表示素子に対する信号入力手段の配置例
を示している。13aは第1格7−、DEは透過型の表
示素子、14はシュリーレンズ、13bは第2格−4,
17は結像レンズ、15はスクリーンで、これらの構成
は第5図の表示装置の構成に類似している。不図示のレ
ーザー光源及び光変調器を通して変調された輻射線(主
に、赤外線)10の信号光は水平スキャナー18として
の回転多面鏡によって水平走査され、レンズ20を介し
、垂直スキャナー19としての回転多面鏡、又はガルバ
ノミラ−によって垂直走査され、コールドフィルタ21
によって反射されて第4図(A)に示した透過型の表示
素子での輻射線吸収層9に結像し、単分子−膜又は単分
子層累積膜をドツトマトリ・ンクス状に加熱して嘔分子
膜又は単分子層累積膜の加熱部5の2次元像を形成する
。一方、第1格子13aを通過した入射光16はコール
ドフィルタ21を通過するので、第5図に於て前述せる
メカニズムによりスクリーン15上に、表示素子DHの
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部5に対応した二次
元の可視像を形成するものである。本図に於て用いられ
る表示素子DEの輻射線吸収層は可視光に対しては透過
性のものでなければならないことはもちろんである。FIG. 6 is a schematic diagram of a transmission type light valve type projection device, and shows an example of the arrangement of signal input means for a transmission type display element. 13a is the first case 7-, DE is the transmission type display element, 14 is the Schley lens, 13b is the second case-4,
Reference numeral 17 represents an imaging lens, and reference numeral 15 represents a screen, the construction of which is similar to that of the display device shown in FIG. Signal light of radiation (mainly infrared rays) 10 modulated through a laser light source and a light modulator (not shown) is horizontally scanned by a rotating polygon mirror serving as a horizontal scanner 18, passed through a lens 20, and then rotated as a vertical scanner 19. The cold filter 21 is vertically scanned by a polygon mirror or a galvano mirror.
The radiation is reflected by the radiation absorbing layer 9 of the transmission type display element shown in FIG. A two-dimensional image of the heating portion 5 of the molecular film or monomolecular layer cumulative film is formed. On the other hand, since the incident light 16 that has passed through the first grating 13a passes through the cold filter 21, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the display element DH is formed on the screen 15 by the mechanism described above in FIG. A two-dimensional visible image corresponding to the heating section 5 is formed. Of course, the radiation absorbing layer of the display element DE used in this figure must be transparent to visible light.
なお、半導体レーザアレf又は発光ダイオードアレイ(
ライン状に並べられたもの)を用いれば、水平スキャナ
ーは省略される。又コールドフィルタとガルバノミラ−
とを共用しても良い。In addition, semiconductor laser array f or light emitting diode array (
If a horizontal scanner is used, the horizontal scanner can be omitted. Also cold filter and galvano mirror
may be shared.
第7図は、本発明に係る光変調方法を利用する表示装置
としてのライトパルプ式投写装置のブロック[剥である
。FIG. 7 is a block diagram of a light pulp type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention.
22は映像信号を発生する映像発生回路、23は映像信
号を制御してこの信号を映像増幅回路24及び水平、垂
直駆動回路25に与えるための制W回路、26はレーザ
光源、27はレーザ光源からのレーザビームを映像増幅
回路24からの信ルーシに従って変調する光変調器、光
変調器27により変調された光は、水平スキャナー18
もしくは垂直スキャナー19に入射する。また、水平ス
キャナー18、垂直スキャナー19は水平及び垂直駆動
回路25による夫々映像44号に同期した駆動信号をう
けて動作する。他の破線内の部分の構成については前述
した構成と同じなので説明を省略する。22 is a video generation circuit that generates a video signal; 23 is a W control circuit that controls the video signal and supplies this signal to the video amplification circuit 24 and the horizontal and vertical drive circuits 25; 26 is a laser light source; 27 is a laser light source The light modulated by the optical modulator 27, which modulates the laser beam from the image amplifier circuit 24 according to the signal output from the image amplification circuit 24, is transmitted to the horizontal scanner 18.
Alternatively, it enters the vertical scanner 19. Further, the horizontal scanner 18 and the vertical scanner 19 operate in response to drive signals synchronized with the image number 44 from the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. The configuration of the other portions within the broken line is the same as the configuration described above, so the description thereof will be omitted.
映像発生回路22より出力された映像信号は制御回路2
3を介して映像増幅回路24で増幅される。増幅された
映像信号の入力により光変調器27は駆動し、レーザ光
源26より出射されるレーザビームを変調する。一方、
制御回路23より水平同期信号及び垂直同期信号が出力
され、水平、垂直駆動回路25を介して夫々水平スキャ
ナー18及び垂直スキャナー19を駆動する。このよう
にして表示素子DEの単分子膜又は単分子層累積膜内に
熱的二次元像が形成される。この後の破線内の構成動作
については前述した通りでありここでは簡単のため省略
する。なお、TV主電波受信する場合には映像発生回路
22に代えて受信機を用いればよい。The video signal output from the video generation circuit 22 is sent to the control circuit 2.
3 and is amplified by the video amplification circuit 24. The optical modulator 27 is driven by input of the amplified video signal and modulates the laser beam emitted from the laser light source 26. on the other hand,
A horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal are output from the control circuit 23 and drive the horizontal scanner 18 and vertical scanner 19 via the horizontal and vertical drive circuits 25, respectively. In this way, a thermal two-dimensional image is formed within the monomolecular film or monomolecular layer stack of the display element DE. The subsequent configuration operations within the broken line are as described above and will be omitted here for simplicity. Note that when receiving TV main radio waves, a receiver may be used in place of the video generation circuit 22.
第8図は、本発明に係る光変調方法を利用するカラー表
示素子の例であり、説明の便宜上、上半分を透過型の表
示素子を、下半分を反射型の表示素fとして断面図で示
しである。9は輻射線吸収層、11は反射膜であり、本
図の4二手分に示した透過型の表示素子には設けていな
い、28は、カラーモザイクフィルタで、これの具体的
構成及び製造技術に就いては、既に、特公昭52−13
094号公報及び特公昭52−36019号公報に於て
詳しく説明されている通りであるから、これらを援用す
ることとして、ここでは、詳細な説明を省略する。FIG. 8 is an example of a color display element using the light modulation method according to the present invention, and for convenience of explanation, the upper half is a transmissive display element and the lower half is a reflective display element f, and is shown in cross section. This is an indication. 9 is a radiation absorption layer, 11 is a reflective film, which is not provided in the transmission type display element shown in section 42 of this figure, and 28 is a color mosaic filter, its specific structure and manufacturing technology. As for the
Since it is as explained in detail in Japanese Patent Publication No. 094 and Japanese Patent Publication No. 52-36019, the detailed explanation will be omitted here as these are cited.
3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護用基板、2
8はカラーモザイクフィルタを示す。3 is a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film, 4 is a protective substrate, 2
8 indicates a color mosaic filter.
図示例に於て、カラーモザイクフィルタ28の赤色フィ
ルタ部(R)に接する単分子膜又は単分子層累積膜3は
輻射線ioを吸収した8M剤縁線吸収9により熱伝導加
熱され、この上に単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部
5が生ずると、反射膜11により反射されるか、もしく
は輻射線吸収層9を透過してきた平行照明光7は単分子
膜又は単分子一層累8N膜の加熱部5を通過することに
より、前述のようなメカニズムにより、破線で示したよ
うな加熱部5がない場合に通過してきた光の光路とは異
なった2点鎖線で示したような屈曲した光路を通って1
表示素子DE外に射出してくる。白色光が赤色フィルタ
部(R’)に入射した場合、表示素子DEから出てくる
透過光もしくは反射光は、赤が視覚される光(以下、赤
色光という)のみである。青色フィルタ部(B)及び緑
色フィルタ部(G)を通過してくる光についても赤色フ
ィルタ部(R)を通過する前述の光の進路と同様である
。但し、第8図の場合、緑色フィルタ部(G)ついては
、加熱部5を通過しない場合の光線のみ図示しである。In the illustrated example, the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film 3 in contact with the red filter portion (R) of the color mosaic filter 28 is heated by thermal conduction by the 8M edge wire absorption 9 that absorbs the radiation io, and then When a heating section 5 of a monomolecular film or a monomolecular layer stack is generated, the collimated illumination light 7 reflected by the reflective film 11 or transmitted through the radiation absorption layer 9 is heated to a monomolecular film or a monomolecular stack. By passing through the heating section 5 of the 8N film, due to the mechanism described above, the optical path of the light as shown by the two-dot chain line, which is different from the optical path of the light that has passed without the heating section 5 as shown by the broken line, is created. 1 through a curved optical path
The light is emitted outside the display element DE. When white light enters the red filter section (R'), the transmitted light or reflected light that comes out from the display element DE is only light that makes red visible (hereinafter referred to as red light). The path of the light passing through the blue filter section (B) and the green filter section (G) is also the same as the path of the light passing through the red filter section (R). However, in the case of FIG. 8, only the light rays from the green filter section (G) that do not pass through the heating section 5 are shown.
また、入射光が白色光の場合、青色フィルタ部(B)を
通過してきた光は、青が視覚される光(以下、青色光と
いう)のみであり、また緑色フィルタ部(G)を通過し
てきた光は、緑が視覚される光(以下、緑色光という)
のみである、この単分子膜又は単分子一層累積膜の加熱
部5を通過してくる光の方向に向って、表示素PDEを
見た場合、不図示の観察者は、加色法による擬似カラー
を視覚するものである。例えば、相隣接したカラーモザ
イクフィルタ28の赤色フィルタ部(R)、緑色フィル
タ部(G)、青色フィルタ部(B)に於て同時に単分子
膜又は草分F層累積+t!i! 3を加熱して加熱部5
が形成された吟には、不図示の観察者は白色を視覚する
こμができる。Furthermore, when the incident light is white light, the light that has passed through the blue filter section (B) is only the light that makes blue visible (hereinafter referred to as blue light), and the light that has passed through the green filter section (G). This light is the light by which green is perceived (hereinafter referred to as green light).
When the display element PDE is viewed in the direction of the light passing through the heating section 5 of this monomolecular film or monomolecular single-layer cumulative film, an observer (not shown) can see the It is something that allows you to see colors. For example, in the red filter portion (R), green filter portion (G), and blue filter portion (B) of the adjacent color mosaic filters 28, the monomolecular film or grass F layer accumulation +t! i! 3 and heating section 5.
When the color is formed, an observer (not shown) can see a white color.
また、第4図に於いて説明したように、表示素r−DE
から出てくる光の内型分子膜または重分を層累積膜の加
熱部5を通過してくる光のみを不図示の遮光格子の開口
に通すことにより、更に明瞭な加色法による擬似カラー
表示を−うることができる。Furthermore, as explained in FIG. 4, the display element r-DE
By passing only the light that passes through the heating section 5 of the layer stack film through the opening of a light-shielding grating (not shown), a more clear pseudo color is produced by the additive coloring method. You can get the display.
第9図は、本発明に係る光変調方法を利用するメqの表
示素子の断面図であり、第9図(A)は透過型の、また
第9図(B)は反射型の表示素子を夫々示している。FIG. 9 is a cross-sectional view of a meq display element using the light modulation method according to the present invention, FIG. 9(A) is a transmissive type display element, and FIG. 9(B) is a reflective type display element. are shown respectively.
図に於て、3は単分子膜又は単分子層累積膜、4は保護
用基板、28はカラーモザイクフィルタを示し、これ等
は第1図、第4図にて説明したものと同じ機能を持つ要
素である。29は熱伝導性の絶縁層であり、この両面に
は、発熱要素としての複数の発熱抵抗線30.31が、
互いに絶縁層を挟んで交叉する様にマトリックス状に2
次的に配列しである。■は、これ等発熱抵抗線3Q、3
I及び絶縁層28の支持板としての基板である。第9図
(A)に示した透過型の表示素子DEの場合は、これら
発熱抵抗線30.31.基板l及び絶縁層28は透明で
あり、たとえば発熱抵抗線30.31はインジウム・テ
ィン拳オキサイド′の透明P!j、膜から構成されてい
る。そして、これらの表示素子ICEに於ては、所定の
発熱抵抗線30.31が共に選択ルれ発熱したときのみ
、両者の交叉領域に於て単分子膜又は単分子層累積膜3
中に表示可能な高温領域の加熱部(不図示)が形1&J
れる様、設計しである。カラーモザイクフィルタは、少
なくとも発熱抵抗線30と31の交叉部に設けられれば
よい。また、第4図において前述したように反射膜11
は必要に応じて設けられる。In the figure, 3 is a monomolecular film or a monomolecular layer stack, 4 is a protective substrate, and 28 is a color mosaic filter, which have the same functions as those explained in FIGS. 1 and 4. It is an element that has. 29 is a thermally conductive insulating layer, and a plurality of heating resistance wires 30 and 31 as heating elements are provided on both sides of the layer.
2 in a matrix shape so as to intersect each other with an insulating layer in between.
Next is the arrangement. ■ is these heating resistance wires 3Q, 3
This is a substrate that serves as a support plate for I and the insulating layer 28. In the case of the transmission type display element DE shown in FIG. 9(A), these heating resistance wires 30, 31. The substrate 1 and the insulating layer 28 are transparent, and for example, the heating resistance wires 30 and 31 are made of transparent P! j, It is composed of a membrane. In these display elements ICE, only when the predetermined heat generating resistance wires 30 and 31 are both selected and generate heat, the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 is formed in the intersection area between the two.
The heating part (not shown) in the high temperature area that can be displayed inside is the type 1&J.
It is designed so that it can be used. The color mosaic filter may be provided at least at the intersection of the heating resistance wires 30 and 31. Further, as described above in FIG. 4, the reflective film 11
is provided as necessary.
次に第10図を用いて斯かる表示! ’7’−をマトリ
ックス駆動する例に就いて、更に詳しく説明する。Next, use Figure 10 to display such a display! An example of matrix driving of '7'- will be explained in more detail.
図に於て、DEは表示素子を示し、第9図で説明したの
と同様の詳細構成を持つ、この表示素子DEはXI 、
Xs、 Xn、 Xo、 Xpノ行軸の発熱抵抗線(
これらを行線と呼ぶ)とYc、Yd、Yeの列軸の発熱
抵抗線(これらを列線と呼ぶ)等で構成されており列1
IYc、Yd、Yeの一方は共通直流電源に接続されて
おり、他方は夫々エミンタ接地されてトランジスタTr
l−Tr3のコレクタ側に接続されている。In the figure, DE indicates a display element, and this display element DE has the same detailed configuration as explained in FIG.
Xs, Xn, Xo, Xp row axis heating resistance wire (
These are called row lines) and the column-axis heating resistance wires of Yc, Yd, Ye (these are called column lines), etc.
One of IYc, Yd, and Ye is connected to a common DC power supply, and the other is connected to the emitter of each transistor Tr.
It is connected to the collector side of l-Tr3.
行線XI、Xll、Xn、Xo、Xp ニ順次、加?h
用’it tE ハJl/スを印加すると、これ等の
行線に対応する単分子膜又は単分子層累積膜(不図示)
が順次、線状に加熱されるが、このと3.加熱の程度を
単分子膜又は単分子層累積膜の加熱表示の護値以下にな
るように設定しであるので、単分子膜又は単分子層累a
ll!中に加熱表示用の高温領域の加熱部は発生しない
、一方、加熱用電流信号の印加に同期させながら、エミ
ッタ接地されたトランジスタTrl〜Tr3のベース側
にビデオ信号用パルスを加えてトランジスタTrl〜T
r3をオンすることにより、これらトランジスタTr1
−Tr3と夫々接続している6列線Yc、Yd、Yeに
対して、所定のビデオ信りを印加する。このビデオ信号
の印加によって、列導@ Y c + Y d + Y
eに対応する単分子膜又は単分子一層累積膜は線状に
加熱される。これによって、加熱用電流パルスとビデオ
信号とが同期した行線と列線との交叉部分においては両
者の発熱により加算的に加熱されて蛍分子膜又は単分子
一層累積膜の加熱の程度が加熱表示の閾値を越え、選択
された行線と列線の交叉部分に単分子膜又は草分P層累
a膜の加熱部5が形成される。Row lines XI, Xll, Xn, Xo, Xp 2 sequentially, add? h
When tE is applied, the monolayer or monolayer cumulative film (not shown) corresponding to these row lines is
are sequentially heated linearly, and 3. Since the degree of heating is set to be less than the protection value of the heating display for a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film,
ll! On the other hand, in synchronization with the application of a heating current signal, video signal pulses are applied to the base sides of the transistors Trl to Tr3 whose emitters are grounded, and the transistors Trl to Tr3 are heated. T
By turning on r3, these transistors Tr1
- A predetermined video signal is applied to the six column lines Yc, Yd, and Ye connected to Tr3, respectively. By applying this video signal, column conduction @ Y c + Y d + Y
The monomolecular film or monomolecular single-layer cumulative film corresponding to e is linearly heated. As a result, at the intersection of the row line and the column line where the heating current pulse and the video signal are synchronized, heat is generated additively from both, and the degree of heating of the fluorescent molecule film or the single-layer monolayer film increases. When the display threshold is exceeded, a heating portion 5 of a monomolecular film or a grass P-layer a-layer film is formed at the intersection of the selected row line and column line.
なお、以上の例において、駆動方式を次の様に変えた場
合にも、全く同様に作像することができる。即ち、行線
にビデオ信号を印加し、列線に加熱用電流信号を印加す
る様に変形しても、効果は全く同じである。このように
第9図に例示した表示素子DEは、マトリックス駆動を
も可能とするものである。表示素子DEの単分子膜又は
単分子層累積膜の厚さが非常に薄い場合、」:記の如く
、ストライプ状に配列される発熱抵抗線を保護用基板側
と基板側の両方に設置するごとにより、以下の効果が発
生する。Note that in the above example, even when the driving method is changed as follows, images can be formed in exactly the same way. That is, even if a modification is made in which a video signal is applied to the row lines and a heating current signal is applied to the column lines, the effect is exactly the same. In this way, the display element DE illustrated in FIG. 9 also enables matrix driving. If the thickness of the monomolecular film or monomolecular layer cumulative film of the display element DE is very thin, heat-generating resistance wires arranged in stripes are installed on both the protective substrate side and the substrate side as shown in the following. Depending on the situation, the following effects will occur.
■ 製作工程が簡単になり、歩留りが向」ニする。■ The manufacturing process becomes simpler and the yield rate improves.
<*I @分子−膜又は単分子層累積膜を両側から加温
するので、熱効率が良い。<*I @Molecular film or monomolecular layer cumulative film is heated from both sides, so thermal efficiency is good.
等である。etc.
発熱抵抗線の放熱効果を高めるため放熱板を別途、設け
ることが望ましい、この放熱板には基板l(第9図)を
代用することが可能である。In order to enhance the heat dissipation effect of the heat-generating resistance wire, it is desirable to separately provide a heat radiating plate. The substrate 1 (FIG. 9) can be used as a substitute for this heat radiating plate.
なお、両信号線のすべてが発熱抵抗体によって形成され
る必要はない、むしろ、エネルギーの節約を図る」二か
ら行線と列線の交叉部分のみを発熱抵抗体によって構成
し、それ以外はAIなどの良導体で構成する方が好まし
いと言えるが、その分、製造工程が複雑になる欠点はあ
る。Note that it is not necessary that all of both signal lines be formed by heat-generating resistors; rather, it is intended to save energy."From the second, only the intersections of the row lines and column lines are formed by heat-generating resistors, and the rest are formed by AI. It can be said that it is preferable to use a good conductor such as, but this has the disadvantage of complicating the manufacturing process.
又、第1θ図々示例の如きマトリックス駆動を行なうの
に好適な表示素子を構成するための発熱要素としての発
熱素子の他の例に就いて第11図により説明する。Further, another example of a heat generating element as a heat generating element for configuring a display element suitable for matrix driving as shown in the 1θth figure will be explained with reference to FIG.
第11図は、発熱素子の一部領域を模式的に描いた外観
斜視図である0図に於いて32は発熱抵抗層を示し、こ
れは、公知の発熱抵抗体(例えば、ニクロム合金、硼化
ハフニウム、窒化クンタル等)を面状に成膜して得られ
る。図示されていないが、この抵抗層32は、勿論、図
面下方にも延在している。又、33a、33b、33c
m、33 dは何れも列導線であり、34a、34b、
34 cは何れも行導線である。そして、これ等全ての
導線は、金、銀、銅、アルミニウム等の良導体により得
られる(なお、言及していないが、導線は5i07の絶
縁膜(不図示)によって被覆されるのが一般的である)
。図示発熱素子に於いて、例えば、列導線の33bと行
導線の34cが選択されてこれ等に共に電圧が印加され
たときには、両者の交叉部35に対応する抵抗層32の
一部に通電が為されて発熱する。FIG. 11 is an external perspective view schematically depicting a partial area of the heating element. In FIG. It is obtained by forming a planar film of hafnium chloride, kunthal nitride, etc.). Although not shown, this resistance layer 32 naturally extends downward in the drawing. Also, 33a, 33b, 33c
m, 33d are all column conductors, 34a, 34b,
34c are all row conductors. All of these conductive wires are made of good conductors such as gold, silver, copper, aluminum, etc. (Although not mentioned, the conductive wires are generally covered with a 5i07 insulating film (not shown). be)
. In the illustrated heating element, for example, when the column conductor 33b and the row conductor 34c are selected and a voltage is applied to them, the part of the resistance layer 32 corresponding to the intersection 35 of the two is not energized. It causes fever.
この様にして、行導線及び列導線の任意の(行・列)交
叉部を発熱させることができる。In this way, any (row/column) intersection of the row conductor and the column conductor can be heated.
従って、図示発熱素子をPI3図の発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層29からなる発熱要素としての発熱素子の
かわりに組込んだ表示素子に於いては、第9図々示例と
同様なマトリックス駆動方式によって、ドットマトリッ
クス画像の表示が可能である。Therefore, the heating element shown in the diagram is connected to the heating resistance wire 30.3 in the PI3 diagram.
In the display element incorporated in place of the heat generating element consisting of the heat generating element 1 and the insulating layer 29, a dot matrix image can be displayed using a matrix driving method similar to the example shown in FIG.
ところで、第11図に示した発熱素子に於いて、発熱抵
抗層32を1行導線34と列導線33との交叉部にのみ
分割して設ける(その他の領域では導線同志を絶縁する
)ことも可能であり、この様な構成(第12図)に於い
ては、信号に忠実な作像にとって不都合なりロストーク
の発生を実質的に防止することがでyる。By the way, in the heating element shown in FIG. 11, the heating resistance layer 32 may be divided and provided only at the intersection of the first row conductor 34 and the column conductor 33 (the conductors may be insulated from each other in other areas). This is possible, and in such a configuration (FIG. 12), it is possible to substantially prevent the occurrence of losstalk, which is inconvenient for image formation faithful to the signal.
第12図の例に於いては、行導線34a、34b・・・
(以下、行導線34という)と列導線33a、33b・
・・(以下、行導線33という)はSiO+、 Si3
N4等の絶縁膜(不図示)を介して配設されるが、行導
線34と列導線33の交叉領域の絶縁膜は取り除かれ、
代りにその部分に発熱抵抗体32a、32b、・・・(
以下、発熱抵抗体32という)が埋めこまれている。In the example of FIG. 12, the row conductors 34a, 34b...
(hereinafter referred to as row conductors 34) and column conductors 33a, 33b.
... (hereinafter referred to as the row conductor 33) is SiO+, Si3
Although it is arranged through an insulating film (not shown) such as N4, the insulating film in the intersection area of the row conductor 34 and column conductor 33 is removed.
Instead, heat generating resistors 32a, 32b, ... (
Hereinafter, a heating resistor 32) is embedded.
次に第13図に於いて斯かる第12図に示した発熱要素
としての発熱素子を第9図に示した発熱抵抗線30.3
1及び絶縁層29からなる発熱素子の代わりに組込んだ
表示素子をマトリックス駆動する例について、更に詳し
く説明する。針軸選択回路36は行軸駆動回路37a
、 37b・・・・・・(以下、行軸駆動回路37とい
う)と信号線により電気的に結合されており、さらに夫
々の行軸駆動回路37の各出力端子は夫々の行導線34
と結合している。出力端子と行導線34の結合の[、が
たは様々あるが、本明細書に於ては基本的な態様につい
て説明するため、出力端子は行導線34の個数だけあり
、一つの出力端子は−の行導線と結合しているとする。Next, in FIG. 13, the heating element as the heating element shown in FIG. 12 is connected to the heating resistance wire 30.3 shown in FIG.
An example in which a display element incorporated in place of the heat generating element consisting of the heat generating element 1 and the insulating layer 29 is driven in a matrix will be described in more detail. The needle axis selection circuit 36 is a row axis drive circuit 37a.
, 37b (hereinafter referred to as the row axis drive circuit 37) by a signal line, and each output terminal of each row axis drive circuit 37 is connected to the respective row conductor 34.
is combined with There are various types of connections between the output terminals and the row conductors 34, but in order to explain the basic aspect in this specification, there are as many output terminals as there are row conductors 34, and one output terminal is Assume that it is connected to the - row conductor.
動軸選択回路38、動軸駆動回路39a、39b、・・
・・・・(以下1列軸駆動回路38という)及び列導線
33相互の関係についても同様である。画像制御回路4
0は針軸選択回路36及び動軸選択回路38ど信吐線に
より電気的に結ばれている。画像制御回路40は画像制
御信号を出力することによって1行軸選択回路36がど
の釘軸を選択すべきかを指令し、動軸選択回路38に対
しても同様である。即ち、画像制御回路40からの画像
制御信号によって針軸選択回路36は行軸駆動回路37
のいずれかを介して特定の釘軸(行導線)を選択(スイ
ッチ・オン)する0例えば、針軸選択回路36が行導線
Xpを選択すればXp行選択信号を発し、それを受けて
行軸駆動回路37Xpは、行導線Xpに対しても針軸駆
動信号を入力する。一方、画像制御回路40からの画像
制御i@号の一つであるビデオ信号が動軸選択回路38
に入力されると、その指令を受けて動軸選択回路38は
所定の動軸(列導線)を選択する0例えば、動軸選択回
路38が列導線Yeを選択すれば、動軸駆動回路39Y
eは動軸選択回路38から発せられたYe列週択信号を
受けて列導線Yeをスイッチ・オン(導n)状態にする
。Dynamic axis selection circuit 38, dynamic axis drive circuits 39a, 39b,...
The same applies to the relationship between the column conductor 33 (hereinafter referred to as the first column axis drive circuit 38) and the column conductor 33. Image control circuit 4
0 is electrically connected to the needle axis selection circuit 36 and the moving axis selection circuit 38 by a communication wire. The image control circuit 40 outputs an image control signal to instruct the 1-row axis selection circuit 36 which nail axis to select, and the same applies to the dynamic axis selection circuit 38. That is, the needle axis selection circuit 36 is activated by the image control signal from the image control circuit 40 to the row axis drive circuit 37.
For example, if the needle axis selection circuit 36 selects the row conductor Xp, it will issue an Xp row selection signal, and in response, the The shaft drive circuit 37Xp also inputs a needle shaft drive signal to the row conducting wire Xp. On the other hand, the video signal which is one of the image control i@ signals from the image control circuit 40 is sent to the moving axis selection circuit 38.
For example, if the dynamic axis selection circuit 38 selects the column conductor Ye, the dynamic axis selection circuit 38 selects a predetermined dynamic axis (column conductor) in response to the command. For example, if the dynamic axis selection circuit 38 selects the column conductor Ye, the dynamic axis drive circuit 39
E receives the Ye column selection signal issued from the dynamic axis selection circuit 38 and turns on the column conductor Ye (conductor n).
釘軸の選択と動軸の選択が同期してなされれば、本例の
場合、行道!JaXpと列導線Y8の交叉点(選択点;
Xp−Ye)にある発熱抵抗体に電流が流れ、ジュー
ル熱が発生し、不図示の単分子膜又は単分子層累積膜に
加熱部が形成される。非選択点にもリーク電流は流れる
が単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部形成電流値以下
であるので、単分子膜又は単分子層累積膜に加熱部は形
成されない。また、発熱抵抗体にダイオード機能を持た
せることにより、リーク電流をさらに微弱にすることが
できる。If the selection of the nail shaft and the selection of the moving shaft are done in synchronization, in this example, it is the road! Intersection point of JaXp and column conductor Y8 (selected point;
A current flows through the heating resistor located at Xp-Ye), generates Joule heat, and a heated portion is formed in a monomolecular film or a monomolecular layer accumulation film (not shown). Although a leakage current flows also at the non-selected points, the current value is less than the current value for forming the heating part of the monomolecular film or the monomolecular layer stack, so that no heating part is formed in the monomolecular film or the monomolecular stack stack. Further, by providing the heating resistor with a diode function, the leakage current can be made even weaker.
このように第1O図に於て説明したと同様に、第13図
に於ても、針軸駆動信号で線順次走査し、かつそれに同
期して動軸選択信号を出力し、動軸駆動回路39を介し
て選択された列導線33を導通状態にすることにより二
次元の画像表示を行うことができる。尚、動軸選択回路
38はビデオ信号による指令を受けて動軸選択信号を出
力するものである。この時、発熱抵抗体を流れる電流の
向きは問わない。このような、行、及び動軸選択回路3
B、38と行、及び動軸駆動回路37.33とはシフト
トランジスタやトランジスタアレイ等を用いて公知の技
術により構成されるものである。In this way, in the same way as explained in FIG. 1O, in FIG. 13, line-sequential scanning is performed using the needle shaft drive signal, and a moving shaft selection signal is output in synchronization with the needle shaft drive signal, and the moving shaft drive circuit A two-dimensional image display can be performed by bringing the selected column conducting wire 33 into a conductive state via the line 39. Note that the moving axis selection circuit 38 outputs a moving axis selection signal in response to a command by a video signal. At this time, the direction of the current flowing through the heating resistor does not matter. Such a row and moving axis selection circuit 3
The rows B and 38 and the dynamic axis drive circuits 37 and 33 are constructed by known techniques using shift transistors, transistor arrays, and the like.
尚、以上説明した発熱素子を利用したマトリックス駆動
による表示方式に於ても、第4図(B)に於て前述した
ように第9図(B)に示した構成の表示素子DEにも、
必要に応じて単分子膜又は単分子層累積膜3と反射膜も
しくは単分子膜又は単分子層累積膜3と発熱素子(たと
えば、その内の発熱抵抗vi30)との間に耐蝕性の酸
化硅素膜や窒化シリコン膜を介在させることにより単分
子膜又は単分子層累積膜とそれらとの反応腐蝕を適宜防
止することもできる。In addition, in the matrix drive display method using the heating elements described above, the display element DE having the configuration shown in FIG. 9(B) as described above in FIG. 4(B) also
If necessary, corrosion-resistant silicon oxide may be added between the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 and the reflective film or the monomolecular film or the monomolecular layer cumulative film 3 and the heating element (for example, the heating resistor vi30 thereof). By interposing a film or a silicon nitride film, reaction corrosion between the monomolecular film or the monomolecular layer stacked film and these can be appropriately prevented.
また、第8図に示したカラーモザイクフィルタの赤色フ
ィルタ部(R)や緑色フィルタ部(G)や青色フィルタ
部(B)を、適宜、発熱要素としての発熱部(たとえば
第9図に示した表示素子DEに於いては、発熱抵光線3
0と31の交叉点部、また、第12図に示した発熱素子
においては、発熱抵抗体32の部分)上に夫々〜あわせ
て配列して設けることによって、第8図図示例と同様な
構成を採用することにより、第9図、第12図に示した
発熱素子を夫々用いた表示素子で、第8図と同様な原理
でカラー表示を行うことができることは勿論である。In addition, the red filter part (R), the green filter part (G), and the blue filter part (B) of the color mosaic filter shown in FIG. In the display element DE, the heat generating resistance line 3
0 and 31 (or, in the case of the heating element shown in FIG. 12, the heating resistor 32), the same structure as the example shown in FIG. 8 can be obtained. Of course, by employing this, color display can be performed using the same principle as in FIG. 8 with a display element using the heating elements shown in FIGS. 9 and 12, respectively.
このようなマトリックス駆動型の表示素子は第5図及び
第6図に示したライトバルブ式投写装置にも適用できる
。 本発明はこの外にも感光性分子、強a!!電性物質
、錯体等の機能性分子と表面活性物質との結合によって
、光、電気、イオン等によって制御することができる単
分子膜又は単分子層累積膜を有する光学素子を得ること
もできる。Such a matrix drive type display element can also be applied to the light valve type projection device shown in FIGS. 5 and 6. In addition to this, the present invention also includes photosensitive molecules, strong a! ! By combining functional molecules such as electrical substances and complexes with surface-active substances, it is also possible to obtain optical elements having monomolecular films or monomolecular layer stacks that can be controlled by light, electricity, ions, etc.
本発明の主要な効果はまとめると以下の通りである。The main effects of the present invention are summarized as follows.
(1)微少な単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部の1
個を表示画素単位として高密度に配列することが可能で
あるから、高解像度の画像表示ができる。(1) 1 of the heating part of a minute monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film
Since these pixels can be arranged in high density as display pixel units, high resolution images can be displayed.
(2)表示画素としての単分子膜又は単分子層累積膜の
加熱部の存続時間をiA節することによって、静止画、
又は、スローモーションを含む動画の表示が容易にでS
る。(2) Still images,
Or you can easily display videos including slow motion.
Ru.
(3)多色表示、並びに、フルカラー表示を容易に実施
することができる。(3) Multicolor display and full color display can be easily implemented.
(4)素子の構造が比較的、簡略であるから、その生産
性に優れているし、素子の耐久性が高く信頼性に優れて
いる。(4) Since the structure of the device is relatively simple, productivity is excellent, and the device has high durability and reliability.
(5)広範囲な駆動方式に適応できる。(5) Applicable to a wide range of drive systems.
(6)ラングミュア−プロジェット法を用いて単分子膜
又は単分子層累積膜を作製できるので、大面積化が極め
て容易に図れる。(6) Since a monomolecular film or a monomolecular layer cumulative film can be produced using the Langmuir-Prodgett method, it is extremely easy to increase the area.
(7)液晶のような液体を用いないので、製作が容易で
あり、かつ安全である。(7) Since no liquid such as liquid crystal is used, manufacturing is easy and safe.
(8)相転移温度はそれ程高くないので、表示素子等に
用いる電力が少なくて済み、それだけ電源部、即ち光変
調装置や表示装置を小型化できる。(8) Since the phase transition temperature is not so high, less power is required for the display element, etc., and the power supply unit, that is, the light modulator and the display device, can be made smaller.
(9)本発明に係る光変調方法を利用する光学素子は、
表示装置への応用に限らず、電子写真等に用いられる米
麦211置への応用も可能である。(9) Optical elements using the light modulation method according to the present invention include:
Application is not limited to display devices, but can also be applied to rice and wheat 211 units used for electrophotography and the like.
(10)単分子I!又は単分子層累積膜の相転移を利用
する場合に於いて、累積膜構成分子の構造によっては、
相転移した状態を長く保持するものもある。このような
場合には1本発明に係る光学素子は記録装W(材料)、
記憶装置(材料)として利用することもできる。(10) Single molecule I! Or, when utilizing the phase transition of a monomolecular layer cumulative film, depending on the structure of the molecules constituting the cumulative film,
There are some that maintain a phase transition state for a long time. In such a case, the optical element according to the present invention includes a recording device W (material),
It can also be used as a storage device (material).
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
あげる。In order to explain the present invention more specifically, Examples are given below.
実施例1 表示素子を以下のようにして製造した。Example 1 A display element was manufactured as follows.
50mm角のガラス基板表面りにスパッタリング法によ
り膜厚1500人のGd・↑b*Fe(ガドリニウム・
テレビラム・鉄)層を付着して、輻射線吸収層9を形成
した。このGd−TbeFe層の酸化を防止するため、
そのLに5i02保護膜で被覆した。A film of 1500 mm thick was deposited on the surface of a 50 mm square glass substrate using a sputtering method.
The radiation absorbing layer 9 was formed by depositing a layer of iron (TVram/iron). In order to prevent oxidation of this Gd-TbeFe layer,
The L was coated with a 5i02 overcoat.
次に、−」1記基板を充分洗浄後、ジョイスーレープル
(Joyce −Loebl)社製のLB膜製作装M
(Trough−4)の水相中に浸漬した。その後、ジ
ステアリルジメチルアンモニウムブロマイド5X]0
’mat ヲ含むクロロホルムWl O,1mlを水相
中にシリンジを用いて滴下した。クロロホルムの揮発後
、ジステアリルジメチルアンモニウムブロマイドの単分
子層が表面圧30dyne/ cm2になるよう調節し
、Icm/winの速度で引上げと浸漬を繰り返すこと
により、 5i02膜の表面」二に膜厚5〜IOμmの
Y型累積膜をイリ着形成し、その」二に保護用基板4と
してガラス基板を被せた。さらに、ガラス基板4の外側
表面に密接ないし近接して5本/ff1I!の線状格子
を設置した。Next, after thoroughly cleaning the substrate described in 1.
(Trough-4) in the aqueous phase. Then, distearyldimethylammonium bromide 5X]0
1 ml of chloroform WlO containing 'matwo was added dropwise into the aqueous phase using a syringe. After volatilization of chloroform, the surface pressure of the monomolecular layer of distearyldimethylammonium bromide was adjusted to 30 dyne/cm2, and by repeating pulling and dipping at a speed of I cm/win, the surface of the 5i02 film was reduced to 5. A Y-type cumulative film of ~IO μm was formed by iris deposition, and a glass substrate was placed over the second layer as a protective substrate 4. Furthermore, 5 pieces/ff1I! are placed closely or close to the outer surface of the glass substrate 4! A linear grid was installed.
輻射線熱源として、波長83Qn+wを発光する半導体
レーザを使用した。ジステリアルジメチルアンモニウム
ブロマイド層は半動体レーザの照射によって60℃以上
に加温され、その時相転移を起こして散乱が生じ、表示
効果が確認された。A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 83Qn+w was used as a radiant heat source. The disterial dimethyl ammonium bromide layer was heated to 60° C. or higher by irradiation with a semi-dynamic laser, and a phase transition occurred at that time, causing scattering, and a display effect was confirmed.
実施例2 表示素子効果を以下のようにして製造した。Example 2 The display element effect was manufactured as follows.
50mm角のカラス基板表面に、膜厚1500人のイン
シジウム・ティン・オキサイド(I−T−0)をスパッ
タリング法によりつけた0次にフォトエツチング法によ
り、10本/lの線状パターンを形成して、透明発熱抵
抗線31を得る。なお、■・T・0のエツチング液とし
ては、塩化第2鉄水溶液と1!!酸の混合液を用いた0
次に、透明発熱抵抗線31が設置されたガラス基板表面
に膜厚2000人の5i02膜をスパッタリング法によ
り付着して、絶縁層2Bを形成した。さらに、その上に
、膜厚1500λの工・T−0を付け、フォトエツチン
グ法により。On the surface of a 50 mm square glass substrate, a 1500 mm thick incidium tin oxide (IT-0) was applied by sputtering, and a linear pattern of 10 lines/l was formed by zero-order photoetching. As a result, a transparent heat generating resistance wire 31 is obtained. Note that the etching solutions for ■・T・0 include ferric chloride aqueous solution and 1! ! 0 using a mixture of acids
Next, a 2000-thickness 5i02 film was deposited on the surface of the glass substrate on which the transparent heating resistance wire 31 was placed by sputtering to form an insulating layer 2B. Furthermore, a film T-0 with a film thickness of 1500λ was added thereon by photo-etching.
透明発熱抵抗線30を前記透明発熱抵抗線31と直交す
るように形成した。A transparent heating resistance wire 30 was formed to be perpendicular to the transparent heating resistance wire 31.
次に上記基板の上にジステアリルジメチルアンモニウム
ブロマイドの累積膜を実施例1と同様の条件・工程に従
って膜厚5−10ルmになるように形成し、そのしにガ
ラス基板4を被せた。Next, a cumulative film of distearyldimethylammonium bromide was formed on the above substrate to a thickness of 5 to 10 μm according to the same conditions and steps as in Example 1, and a glass substrate 4 was placed over it.
輻射線熱源として、波長830nmを発光する半導体レ
ーザを用いた。A semiconductor laser that emits light at a wavelength of 830 nm was used as a radiant heat source.
適当なシュリーレン光学系と組み合わせて駆動させると
所定の光変調効果があることを確認した。即ち、半導体
レーザの照射によって、ジステアリルジメチルアンモニ
ウムブロマイド層の所定箇所が80℃以上に加温された
とき、相転移を起こして光散乱が生じた。It was confirmed that when driven in combination with an appropriate Schlieren optical system, a predetermined light modulation effect can be obtained. That is, when a predetermined portion of the distearyldimethylammonium bromide layer was heated to 80° C. or higher by irradiation with a semiconductor laser, a phase transition occurred and light scattering occurred.
第1図(A)は、本発1町に係る光変調方法を利用する
透過型の表示素子の断面図、第1図(B)は1本発明に
係る光変調方法を利用する反rJ4型の表示素子の断面
図、第2図は、単分子層累積膜の模式図、第3図は、単
分子層累積膜における相転移現象の模式図、第4図は1
本発明に係る光変調方法を利用する表示素子の作像原理
の説明図であり、第4図(A)は、透過型表示素子の場
合。
第4図(B)は1反射型表示素子の場合である。
第5図、第6図は本発明に係る光変調方法を利用する表
示素子を組み込んだライトバルブ式投写装置の概略構成
図である。第7図は本発明に係る光変調方法を利用する
表示装置としてのライトバルブ式投写装置のブロック図
である。第8図は1本発明に係る光変調方法を利用する
カラー表示素子の断面図、第9図は1本発明に係る光変
調方法を利用するマトリ、クス駆動型の表示素子の構成
例を示す断面図であり、第9図(A)は、透過型表示素
子、第9図(B)は、反射型表示素子である。第1θ図
は1本発明に係る光変調方法を利用する作像方式の模式
的説明図、第11v4、第12図は発熱素子の各構成例
を説明するための外観部分斜視図、第13図は、マトリ
ックス駆動表示装置のブロック図である。
DE;表示素子
1:&板
2−発熱要素
3:単分子膜又は重分子層累alFJ
4:保護用基板
5:単分子膜又は単分子層累積膜の加熱部6:9.熱要
稟の加熱部
7:照明光
8−1:親木基
8−2=疎水基
9:輻射線吸収層
10:輻射線
11:反射膜
12:発熱体層
13:格子 13a:第1格子
13b:2i′52格子
14:シュリーレンレンズ
15ニスクリーン
16:入射光
17:結像レンズ
18:水平スキャナー
lθ:垂直スキャナー
20:レンズ
21:コールドフィルタ
22:映像発生回路
23:制御回路
24:映像増幅回路
25;水平駆動回路、垂直駆動回路
26:レーザ光源
27:光変調器
2日:カラーモザイクフィルタ
29:絶縁層
3(1,31+発熱抵抗線
32、32a、32b、33c、−:発熱抵抗層1発熱
抵抗体33.33a、33b、33cm :列導線34
.34a、34b、34c・−・:行導線35:交叉部
36−針軸選択回路
37.37a、37b−:針軸駆動回路38:列軸選択
回路
39.39a、Hb−:外軸駆動回路
40:画像制御回路
図面の浄Z(内容に変更なし)
(A’)(B)
第 1 図
)E
第2図
第 3 囚
図面の浄ご(内容に変更なし)(1121cm′□’1
13121)第 4 図
第 5 図
第 6 区
第 7 図
(A) (s)
第 9 図
手 続 補 正 書 (方式)
昭和59年 4月2b日
特許庁長官 殿
1、事件の表示 昭和58年 特許願 第234352
号2、発明の名称
光変調方法
3、補正をする者
111件との関係 特許出願人
(100)キャノン株式会社
4、代 理 人
住所 東京都港区赤坂1丁目9番20号5、補正命令の
口利
発送1」:昭和58年3月27日
6、補正の対象
図面
7、補正の内容
!81図、第4図〜第13図を別紙の通り補正する。(
内容に変更なし)FIG. 1(A) is a cross-sectional view of a transmissive display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view of a transmissive display element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a monomolecular layer stack, FIG. 3 is a schematic diagram of a phase transition phenomenon in a monolayer stack, and FIG. 4 is a schematic diagram of a monolayer stack.
FIG. 4A is an explanatory diagram of the principle of image formation of a display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG. 4(A) shows a case of a transmissive display element. FIG. 4(B) shows the case of one reflective display element. 5 and 6 are schematic configuration diagrams of a light valve type projection device incorporating a display element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 7 is a block diagram of a light valve type projection device as a display device using the light modulation method according to the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view of a color display element using the light modulation method according to the present invention, and FIG. 9 shows an example of the structure of a matrix- or matrix-driven display element using the light modulation method according to the present invention. FIG. 9(A) is a cross-sectional view of a transmissive display element, and FIG. 9(B) is a reflective display element. Fig. 1θ is a schematic explanatory diagram of an image forming method using the light modulation method according to the present invention, Figs. 1 is a block diagram of a matrix drive display device. DE; Display element 1: & plate 2 - Heat generating element 3: Monomolecular film or multilayer stacked AlFJ 4: Protective substrate 5: Heating section of monomolecular film or stacked monomolecular layer film 6: 9. Heating part 7 of heat source: illumination light 8-1: parent wood base 8-2 = hydrophobic group 9: radiation absorption layer 10: radiation 11: reflective film 12: heating element layer 13: lattice 13a: first lattice 13b: 2i'52 grating 14: Schlieren lens 15 Niscreen 16: Incident light 17: Imaging lens 18: Horizontal scanner lθ: Vertical scanner 20: Lens 21: Cold filter 22: Image generation circuit 23: Control circuit 24: Image amplification Circuit 25; Horizontal drive circuit, vertical drive circuit 26: Laser light source 27: Light modulator 2nd: Color mosaic filter 29: Insulating layer 3 (1, 31 + heating resistance wires 32, 32a, 32b, 33c, -: heating resistance layer 1 Heat generating resistor 33. 33a, 33b, 33cm: Column conductor 34
.. 34a, 34b, 34c...: Row conductor 35: Crossing portion 36-Needle axis selection circuit 37.37a, 37b-: Needle axis drive circuit 38: Column axis selection circuit 39.39a, Hb-: Outer axis drive circuit 40 : Image control circuit drawing Z (no change in content) (A') (B) Fig. 1) E Fig. 2 3 Cleaning of prison drawing (no change in content) (1121cm'□'1
13121) Figure 4 Figure 5 Figure 6 District Figure 7 (A) (s) Figure 9 Proceedings Amendment (Method) April 2b, 1980 Commissioner of the Patent Office Sir 1, Indication of the case 1988 Patent application No. 234352
No. 2, Name of the invention Light modulation method 3, Relationship with the person making the amendment 111 Patent applicant (100) Canon Co., Ltd. 4 Agent address 5-9-20, 1-9 Akasaka, Minato-ku, Tokyo Order for amendment 's Profit Shipping 1': March 27, 1981 6, drawings subject to amendment 7, contents of amendment! Figure 81 and Figures 4 to 13 are corrected as shown in the attached sheet. (
(No change in content)
Claims (1)
木部分とを有する有機化合物分子からなる単分子膜又は
単分子層累積膜を加熱して相転移をおこさしめ、そこを
通過する光を散乱ないしは光路変化せしめることにより
光変調を行なうことを特徴とする光変調方法。A monomolecular film or a monomolecular layer stack consisting of organic compound molecules having a hydrophobic part and a parent part is heated by a means that generates heat in response to an input signal to cause a phase transition, and light passing through the film is heated. A light modulation method characterized by performing light modulation by scattering or changing the optical path.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58234352A JPS60126628A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Optical modulating method |
US06/674,602 US4796981A (en) | 1983-11-26 | 1984-11-26 | Optical element for modulation of light by heating a monomolecular film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58234352A JPS60126628A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Optical modulating method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60126628A true JPS60126628A (en) | 1985-07-06 |
Family
ID=16969650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58234352A Pending JPS60126628A (en) | 1983-11-26 | 1983-12-14 | Optical modulating method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60126628A (en) |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58234352A patent/JPS60126628A/en active Pending
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