JPS60124037A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS60124037A JPS60124037A JP58231932A JP23193283A JPS60124037A JP S60124037 A JPS60124037 A JP S60124037A JP 58231932 A JP58231932 A JP 58231932A JP 23193283 A JP23193283 A JP 23193283A JP S60124037 A JPS60124037 A JP S60124037A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、記憶、再生、及び消去が可能な光記録材料、
特に光ディスクに関するものである。
特に光ディスクに関するものである。
従来の技術の説明
従来の光を用いた記憶方式としては、レーザビームを集
光して記録薄膜を照射し、照射部分に小孔、いわゆるビ
ットを形成して情報を記憶し、その再生時には低出力の
レーザを照射し、その反射光でピットの有無を読み出す
方式が主流であった。
光して記録薄膜を照射し、照射部分に小孔、いわゆるビ
ットを形成して情報を記憶し、その再生時には低出力の
レーザを照射し、その反射光でピットの有無を読み出す
方式が主流であった。
しかしながら、この孔あけによる方式の記録は永久記録
であり、記録の消去、再書き込みは不可能である。これ
に対し、材料の非晶質・結晶質相転移に伴う光学的性質
の変化を利用し、このような非晶質・結晶質の可逆的な
転移の可能な材料を記録層として用い、レーザビームに
よる加熱条件を変化することにより情報の書き込み、消
去、再書き込みの可能な記憶媒体が提案されている。
であり、記録の消去、再書き込みは不可能である。これ
に対し、材料の非晶質・結晶質相転移に伴う光学的性質
の変化を利用し、このような非晶質・結晶質の可逆的な
転移の可能な材料を記録層として用い、レーザビームに
よる加熱条件を変化することにより情報の書き込み、消
去、再書き込みの可能な記憶媒体が提案されている。
このような非晶質・結晶質相転移を利用して繰返し使用
可能な記憶媒体としてＴｅ及びＴｅ系化合物、或いはそ
れらの混合物からなる記録層を有する光ディスクがある
。
可能な記憶媒体としてＴｅ及びＴｅ系化合物、或いはそ
れらの混合物からなる記録層を有する光ディスクがある
。
こうした材料の非晶質・結晶質相転移を説明すると、例
えば最初に結晶質にある記録薄膜をレーザビームの出力
、照射時間、ビーム径等を調整してレーザ照射し、融点
以上に加熱すると非晶質となる。これはレーザ照射では
微小部分を瞬間的に加熱することができるため、急冷が
可能だからである。こうして書き込んだ情報を消去する
には、レーザビーム照射の条件を調整し、該当部分を非
晶質・結晶質相転移点と融点の間に加熱すると、その部
分が徐冷されて初期の結晶質の状態に戻る。
えば最初に結晶質にある記録薄膜をレーザビームの出力
、照射時間、ビーム径等を調整してレーザ照射し、融点
以上に加熱すると非晶質となる。これはレーザ照射では
微小部分を瞬間的に加熱することができるため、急冷が
可能だからである。こうして書き込んだ情報を消去する
には、レーザビーム照射の条件を調整し、該当部分を非
晶質・結晶質相転移点と融点の間に加熱すると、その部
分が徐冷されて初期の結晶質の状態に戻る。
このようにして情報の書き込み、消去が可能となり、こ
れらの光ディスクは原理上繰り返し使用可能であるが、
次のような欠点を有する。
れらの光ディスクは原理上繰り返し使用可能であるが、
次のような欠点を有する。
即ち、上述したＴｅ及びＴｅ系材料は低融点材料であり
、室温と融点との中間に、非晶質・結晶質相転移点を有
することから、温度マージン、特に消去時の温度マージ
ン（相転移点から融点までの温度範囲）が狭い。
、室温と融点との中間に、非晶質・結晶質相転移点を有
することから、温度マージン、特に消去時の温度マージ
ン（相転移点から融点までの温度範囲）が狭い。
他方、書き込んだビットを消去するには上述の狭い温度
マージン内の温度に加熱し、徐冷する必要がある。しか
しながら、書き込み、消去に使用するレーザビームは強
度分布を有するため、消去時には低出力のレーザビーム
を長時間照射して所期の温度域に加熱すると同時に消去
すべきビットの周囲乃至は基板に吸熱を行わせしめて徐
冷を可能としなければならない。
マージン内の温度に加熱し、徐冷する必要がある。しか
しながら、書き込み、消去に使用するレーザビームは強
度分布を有するため、消去時には低出力のレーザビーム
を長時間照射して所期の温度域に加熱すると同時に消去
すべきビットの周囲乃至は基板に吸熱を行わせしめて徐
冷を可能としなければならない。
従って、これらの従来の光ディスクの書き込み消去には
ビーム径を大とする必要があり、記憶のいわゆるビット
・ハイ・ビット消去が極めて困難となり、コンピュータ
への使用等のディジタル情報の記憶、再生、消去に大き
な障害となっている。
ビーム径を大とする必要があり、記憶のいわゆるビット
・ハイ・ビット消去が極めて困難となり、コンピュータ
への使用等のディジタル情報の記憶、再生、消去に大き
な障害となっている。
また、Ｔｅ及びＴｅ系材料は、溶融状態での蒸気圧が高
いために書き込み消去を行う毎に材料が飛散し、くり返
し使用に耐えない欠点を有している。
いために書き込み消去を行う毎に材料が飛散し、くり返
し使用に耐えない欠点を有している。
発明の目的
本発明の目的は上述の従来技術の問題点を解決して、温
度マージンが広く、書き込み、消去特性に優れた光ディ
スクを提供することにある。
度マージンが広く、書き込み、消去特性に優れた光ディ
スクを提供することにある。
発明の構成
本発明に従うと、ＳＩ含有量が１５以下％から２５以下
％の範囲のＰｄ−５ｔ合金からなり、レーザ加熱により
非晶質・結晶質相転移を行ない記憶、消去の可能な記録
層を備えることを特徴とする光ディスクが提供される。
％の範囲のＰｄ−５ｔ合金からなり、レーザ加熱により
非晶質・結晶質相転移を行ない記憶、消去の可能な記録
層を備えることを特徴とする光ディスクが提供される。
更に本発明に従うと、（Ｐ市−ｙＭｙ ） １−ｘＳｉ
χなる組成を有し、χは原子比率で０．１５〜０．２５
の範囲であり、かつ、ＭとしてＡｕ、、Ｃｕ、＾ｇ、
Ｆｅ、 Ｃｏ、＋１＋−。
χなる組成を有し、χは原子比率で０．１５〜０．２５
の範囲であり、かつ、ＭとしてＡｕ、、Ｃｕ、＾ｇ、
Ｆｅ、 Ｃｏ、＋１＋−。
型、Ｚｎ、 Ｃｄのうちの一種又は二種類以上を含み、
Ｘが原子比率で０．３０以下の合金で、レーザ加熱によ
り非晶質・結晶質相転移を行ない記憶、消去の可能な記
録層を備えることを特徴とする光ディスクが提供される
。
Ｘが原子比率で０．３０以下の合金で、レーザ加熱によ
り非晶質・結晶質相転移を行ない記憶、消去の可能な記
録層を備えることを特徴とする光ディスクが提供される
。
第１図を参照して、本発明の光ディスクの記録層となる
Ｐｄ−３ｔ合金の１例であるＰｄｇｏ Ｓｉ２０の熱特
性を説明する。
Ｐｄ−３ｔ合金の１例であるＰｄｇｏ Ｓｉ２０の熱特
性を説明する。
第１図は非晶質のＰｄｇｎＳ＋ｗを昇温速度１０’Ｃ／
ｒｎ３ｎで加熱した際の発熱、吸熱の挙動を示すグラフ
である。
ｒｎ３ｎで加熱した際の発熱、吸熱の挙動を示すグラフ
である。
図示の如く、この合金は約４００℃で発熱を示すが、こ
れは準安定状態の非晶質からエネルギーの障壁を越えて
安定な結晶状態に転移する非晶質・結晶質相転移点を示
す。この温度は室温より渚かに高温度である。
れは準安定状態の非晶質からエネルギーの障壁を越えて
安定な結晶状態に転移する非晶質・結晶質相転移点を示
す。この温度は室温より渚かに高温度である。
更に、このＰｄｇｏ ５ｉ２ｏは約９５０°Ｃで融解を
開始し、約１１００°Ｃで融解を完了する。
開始し、約１１００°Ｃで融解を完了する。
従って、結晶状態の記録層にビーム径が小さく、高出力
のレーザビームを照射すると、照射部分が急冷されて非
晶質化する。他方、このようにして書き込まれた情報を
消去するのは非晶質・結晶質相転移点から融点までの、
即ち、約４００℃〜９５０℃の範囲の任意の温度に加熱
し、徐冷することによって達成される。即ち、ビーム径
を大とし、低出力のレーザビームを比較的長時間のあい
だ照射することによって、消去すべきビットの周辺を含
めて加熱、吸熱せしめて徐冷を可能とすることができる
。
のレーザビームを照射すると、照射部分が急冷されて非
晶質化する。他方、このようにして書き込まれた情報を
消去するのは非晶質・結晶質相転移点から融点までの、
即ち、約４００℃〜９５０℃の範囲の任意の温度に加熱
し、徐冷することによって達成される。即ち、ビーム径
を大とし、低出力のレーザビームを比較的長時間のあい
だ照射することによって、消去すべきビットの周辺を含
めて加熱、吸熱せしめて徐冷を可能とすることができる
。
上述の如く、本発明の光ディスクでは記録層の非晶質・
結晶質相転移点と融点との間の温度範囲が広く、且つこ
れらの温度は室温より遥かに高温度であるので、書き込
み消去を容易且つ安定して行うことができる。
結晶質相転移点と融点との間の温度範囲が広く、且つこ
れらの温度は室温より遥かに高温度であるので、書き込
み消去を容易且つ安定して行うことができる。
尚、本発明の光ディスクの記録層がＰｄ−Ｓｉ合金の場
合、Ｓｉ含有量が１５原子％未満或いは２５原子％を超
えると、合金の非晶質化は困難となるので、上記の如く
、Ｓｉ含有量を１５乃至２５原子％とした。
合、Ｓｉ含有量が１５原子％未満或いは２５原子％を超
えると、合金の非晶質化は困難となるので、上記の如く
、Ｓｉ含有量を１５乃至２５原子％とした。
他方、（Ｐ市−ｙＭｙ）ｉ−ｘＳｉｘの組成の合金の場
合、Ｘが原子比率として０．３０を超えると非晶質化が
困難となる。
合、Ｘが原子比率として０．３０を超えると非晶質化が
困難となる。
以下に本発明を実施例により説明するが、これらの実施
例は本発明の単なる例示であって本発明の範囲を何等制
限するものではない。
例は本発明の単なる例示であって本発明の範囲を何等制
限するものではない。
実施例１
Ｐｄ８Ｏ５ｉ２０をクーゲットとしスパッタ法で約３０
０人の厚さの膜を形成した。これは電子線回折の結果か
ら非晶質状態であることを確認した。この膜ニ１ ｍｌ
Ａ／μＭのパワー密度を有するレーザービームを１μｓ
ｅｃ照射したところ、結晶質に転移して約１０％の反射
率の低下を示した。この同一領域に５〜１０ｍＬ／ ｐ
ｒｒｒのパワー密度で５０ｎｓｅｃ照射したところ、
再度非晶質に転移し反射率の上昇があり初期値に復帰し
た。この現象は、（り返し発生させることができ、ＰＭ
Ｍ八（ポリメチルメタクリレ−１・）基板を用いて作成
したＰｄＳｉ光ディスクで記録・消去が可能であった。
０人の厚さの膜を形成した。これは電子線回折の結果か
ら非晶質状態であることを確認した。この膜ニ１ ｍｌ
Ａ／μＭのパワー密度を有するレーザービームを１μｓ
ｅｃ照射したところ、結晶質に転移して約１０％の反射
率の低下を示した。この同一領域に５〜１０ｍＬ／ ｐ
ｒｒｒのパワー密度で５０ｎｓｅｃ照射したところ、
再度非晶質に転移し反射率の上昇があり初期値に復帰し
た。この現象は、（り返し発生させることができ、ＰＭ
Ｍ八（ポリメチルメタクリレ−１・）基板を用いて作成
したＰｄＳｉ光ディスクで記録・消去が可能であった。
実施例２
Ｐｄ１−ｘＳｉｘのターゲットでＸ： ＝ ０．１５〜
０．２５の範囲にある材料についても実施例１と同様の
実験を行ったところ、この組成内ならば実施例１に示し
たと同様の結果を示した。
０．２５の範囲にある材料についても実施例１と同様の
実験を行ったところ、この組成内ならば実施例１に示し
たと同様の結果を示した。
実施例３
（Ｐ市−ンＡｇソ）Ｉ−ｘＳｉｘのクーゲットでＸ≦０
．２０、χ−０，１５〜０．２５の組成を有する材料に
おいても、実施例１と同様の結果が得られた。
．２０、χ−０，１５〜０．２５の組成を有する材料に
おいても、実施例１と同様の結果が得られた。
実施例４
（Ｐｄ１−ｙ Ｎｉｙ ） ｔ−ｘ ＳｉｘにおいてＸ
≦０．３０、χ−０，１５〜０．２５の組成を有する膜
においても実施例１と同様の結果が得られた。
≦０．３０、χ−０，１５〜０．２５の組成を有する膜
においても実施例１と同様の結果が得られた。
実施例５
（Ｐ市−ｙＭｙ ） １−ｘＳｉｘ （た）どし、Ｍ
＝ Ａｕ、 Ｃｕ、八ｇ１Ｆｅ、、 ＧＯ％ Ｎ＋％＾
ＱＸＺｎＸＣｄ）の薄膜においてＡｕ：Ｙ≦０．３０、
Ｃｕ：Ｙ≦０．３０、Ｆｅ：Ｙ≦０．３０、Ｃｏ：Ｙ≦
０．３０、＾Ｑ：ン≦０．３０、ｚｎ：ン≦０．１０、
Ｃｄ：Ｙ≦０．１５、χ−０，１５〜０．２５の組成の
記録層を有する光ディスクについて実施例１と同様の実
験を行い、記録消去が可能であることを確認した。
＝ Ａｕ、 Ｃｕ、八ｇ１Ｆｅ、、 ＧＯ％ Ｎ＋％＾
ＱＸＺｎＸＣｄ）の薄膜においてＡｕ：Ｙ≦０．３０、
Ｃｕ：Ｙ≦０．３０、Ｆｅ：Ｙ≦０．３０、Ｃｏ：Ｙ≦
０．３０、＾Ｑ：ン≦０．３０、ｚｎ：ン≦０．１０、
Ｃｄ：Ｙ≦０．１５、χ−０，１５〜０．２５の組成の
記録層を有する光ディスクについて実施例１と同様の実
験を行い、記録消去が可能であることを確認した。
実施例６
実施例５のＭとしてＡｎ、、Ｃｕ、 Ａｇ、 Ｐｅ、、
Ｃｏ、 Ｎｉ。
Ｃｏ、 Ｎｉ。
閾、Ｚｎ、 Ｃｄの金属を二種以上含み、かつ、組成範
囲として”）’ ＜ ０．３０、χ−０，１５〜０．２
５を有する膜においても実施例１と同様の結果が得られ
た。
囲として”）’ ＜ ０．３０、χ−０，１５〜０．２
５を有する膜においても実施例１と同様の結果が得られ
た。
発明の詳細
な説明したように、本発明の範囲の合金薄膜は非晶質・
結晶質相転移点を有し、また、これらの材料の融点が約
９５０°Ｃと高いため、容易且つ安定して書き込み、消
去を行うことが可能である。
結晶質相転移点を有し、また、これらの材料の融点が約
９５０°Ｃと高いため、容易且つ安定して書き込み、消
去を行うことが可能である。
更に、これら本発明の記録層をなす合金薄膜は非晶質・
結晶質相転移点が高温度であるので熱的にも極めて安定
している。
結晶質相転移点が高温度であるので熱的にも極めて安定
している。
尚、本発明を光ディスクに適用した場合で説明したが、
上記合金組成を有し、レーザ加熱による非晶質・結晶質
相転移を利用して記憶及び消去を行う記録媒体であれば
いずれにも適用可能であり、必ずしも全体形状がディス
クに限定されるものではない。
上記合金組成を有し、レーザ加熱による非晶質・結晶質
相転移を利用して記憶及び消去を行う記録媒体であれば
いずれにも適用可能であり、必ずしも全体形状がディス
クに限定されるものではない。
第１図は本発明による記憶消去可能な光ディスクの記録
材料の１例であるＰｄ５ｏ ５ｉ２ｏの熱特性を示０ すグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 新居 止音 １ 麩岬 プ彪
材料の１例であるＰｄ５ｏ ５ｉ２ｏの熱特性を示０ すグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 新居 止音 １ 麩岬 プ彪
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ Ｓｉ含有量が１５原子％から２５原子％の範囲
にあるＰｄ−Ｓｉ合金からなり、レーザ加熱により非晶
質・結晶質相転移を行ない記憶、消去の可能な記録層を
備えることを特徴とする光ディスク。 ｆ２１ （Ｐｄｔ−ｙＭｙ）＋−ｘｓｉｘなる組成を有
し、χは原子比率で０．１５〜０，２５の範囲であり、
かつ、ＭとしてＡＬｌ、、Ｃ０％ 八ｇ、、ＦｅＸＣｒ
ｏ、、Ｎｉ、、Ｎ２、Ｚｎ、 Ｃｄのうちの一種又は二
種類以上を含み、Ｘが原子比率で０．３０以下の合金で
、レーザ加熱により非晶質・結晶質相転移を行ない記憶
、消去の可能な記録層を備えることを特徴とする光ディ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231932A JPS60124037A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231932A JPS60124037A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124037A true JPS60124037A (ja) | 1985-07-02 |
Family
ID=16931318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231932A Pending JPS60124037A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124037A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
| JPS61130094A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体及び記録再生方法 |
| JPS6330289A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| EP0293778A2 (en) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium and recording process utilizing the same |
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1983
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