JPS60105259A - 半導体機器用リ−ドフレ−ム材 - Google Patents
半導体機器用リ−ドフレ−ム材Info
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- JPS60105259A JPS60105259A JP21307383A JP21307383A JPS60105259A JP S60105259 A JPS60105259 A JP S60105259A JP 21307383 A JP21307383 A JP 21307383A JP 21307383 A JP21307383 A JP 21307383A JP S60105259 A JPS60105259 A JP S60105259A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体機器用のリードフレーム材に間する。
従来、半導体機器は、素材を打抜成形したり一ドフレー
ムの素子載置部に半導体素子をダイボンドした後、半導
体素子の電極とリードフレームのリード部をワイヤーボ
ンディングし、さらに半導体素子のコーティングモール
ド樹脂による封止を行ない製品としていた。
ムの素子載置部に半導体素子をダイボンドした後、半導
体素子の電極とリードフレームのリード部をワイヤーボ
ンディングし、さらに半導体素子のコーティングモール
ド樹脂による封止を行ない製品としていた。
このような従来の方法では、リードフレームとしてＡｇ
、Ａｕ等をメッキしたものが必要であった。
、Ａｕ等をメッキしたものが必要であった。
これはダイボンド、ワイヤーボンディング、コーティン
グ、封止等の各工程が大気中で行なわれるため、Ｃｕを
材料とするリードフレームの表面が酸化され、リードフ
レームと素子やワイヤーとの接続が不良になる恐れがあ
るので、これを防ぐため、予め所定部分に耐酸化性が強
く、しかも高導電性のＡＵ％Ａｇ等を施しておくもので
ある。
グ、封止等の各工程が大気中で行なわれるため、Ｃｕを
材料とするリードフレームの表面が酸化され、リードフ
レームと素子やワイヤーとの接続が不良になる恐れがあ
るので、これを防ぐため、予め所定部分に耐酸化性が強
く、しかも高導電性のＡＵ％Ａｇ等を施しておくもので
ある。
しかし、これにはいくつかの欠点がある。すなわち、Ａ
ＵやＡｑは高価であるばかりでなく、それと、メッキそ
のものに欠陥が生じやすいこと、Ａ ＬＪ 、Δｑの使
用量を減少させるためにストライプメッキや、スポット
メッキ等を行なうと工程がさらに複雑になることで等で
ある。
ＵやＡｑは高価であるばかりでなく、それと、メッキそ
のものに欠陥が生じやすいこと、Ａ ＬＪ 、Δｑの使
用量を減少させるためにストライプメッキや、スポット
メッキ等を行なうと工程がさらに複雑になることで等で
ある。
本発明は前記した従来技術の欠点を解消し、半導体機器
の製造工程中の各種の加熱処理においても耐酸化性を有
するリードフレーム用材料を提供することにある。
の製造工程中の各種の加熱処理においても耐酸化性を有
するリードフレーム用材料を提供することにある。
［発明の概要］
本発明によれば、前記したような目的は、表面がＣＵ又
はＣｕ合金からなる母材の表面に、異種金属の拡散浸透
による薄い合金層を形成することににっで達成される。
はＣｕ合金からなる母材の表面に、異種金属の拡散浸透
による薄い合金層を形成することににっで達成される。
この場合、母材としては全体が無酸素銅、リン青銅等の
Ｃｕ系材料からなるもののほか、鉄系材料にＣｕ系材料
を被覆したものであってもよい。
Ｃｕ系材料からなるもののほか、鉄系材料にＣｕ系材料
を被覆したものであってもよい。
加熱拡散処理する以前の母材表面に形成される異種金属
の被膜の厚さは、母材の厚さ、異種金属の種類によって
異なる。
の被膜の厚さは、母材の厚さ、異種金属の種類によって
異なる。
拡散処理後、圧延加工処理されずに、使用する場合も１
ｏｏ人（０，０１μ）以上は必要で、最大１０μである
が、０．５〜１μが適当である。この異種金属の被膜が
薄（−きると、合金層が形成されてもその耐酸化性の効
果が低下し、逆に厚ずぎる場合、母材金属との間に脆い
化合物が形成されたり、合金層が不規則になったり表面
状態が不均一となる恐れがある。
ｏｏ人（０，０１μ）以上は必要で、最大１０μである
が、０．５〜１μが適当である。この異種金属の被膜が
薄（−きると、合金層が形成されてもその耐酸化性の効
果が低下し、逆に厚ずぎる場合、母材金属との間に脆い
化合物が形成されたり、合金層が不規則になったり表面
状態が不均一となる恐れがある。
この異種金属被膜は真空蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング等を利用して形成できるが、その加熱拡
散処理は、真空中もしくは不活性ガス雰囲気あるいは還
元性の雰囲気にて行なわれる。
ブレーティング等を利用して形成できるが、その加熱拡
散処理は、真空中もしくは不活性ガス雰囲気あるいは還
元性の雰囲気にて行なわれる。
そのときの加熱条件は母材、被膜の種類、厚さ等により
異なるが、加熱温度は母材の融点以下とすることが必要
である。加熱時間は、母材の形状によって異なるが、材
料を展開して連続的な加熱処理とする場合には１０秒以
上、コイル状の場合は１０分間以上必要である。
異なるが、加熱温度は母材の融点以下とすることが必要
である。加熱時間は、母材の形状によって異なるが、材
料を展開して連続的な加熱処理とする場合には１０秒以
上、コイル状の場合は１０分間以上必要である。
［実施例］
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１
幅６００ ｍｍ、厚さ０．８１１１１１１、長さ２００
０ｍの無酸素銅条の表面に、１０−３ｔｏｒｒのアルゴ
ンガス中でのスパッタリングによって純アルミニウムの
４股を形成した後、１〜２％のＣＯガスを含む還元性雰
囲気の連続式焼鈍炉を用い、５５０℃で３０秒間熱処理
した。さらにこの銅条を０．４ｍｍまで圧延し、硬さを
調整し、幅を４Ｑｍｍにスリブ１〜して第１図に示すよ
うに、表面にＡ１の拡散浸透による薄い合金層２を有す
るリードフレーム材１を得た。
０ｍの無酸素銅条の表面に、１０−３ｔｏｒｒのアルゴ
ンガス中でのスパッタリングによって純アルミニウムの
４股を形成した後、１〜２％のＣＯガスを含む還元性雰
囲気の連続式焼鈍炉を用い、５５０℃で３０秒間熱処理
した。さらにこの銅条を０．４ｍｍまで圧延し、硬さを
調整し、幅を４Ｑｍｍにスリブ１〜して第１図に示すよ
うに、表面にＡ１の拡散浸透による薄い合金層２を有す
るリードフレーム材１を得た。
第１表に、加熱拡散処理前のＡＩ′？ｔｇ膜と、耐酸化
性、ワイヤボンディング性の関係を示すが、この表から
判るように、Ａ１を１００△（０，００１μ）以上形成
した試料は、耐酸化性、ワイヤボンディング性ともに良
好である。
性、ワイヤボンディング性の関係を示すが、この表から
判るように、Ａ１を１００△（０，００１μ）以上形成
した試料は、耐酸化性、ワイヤボンディング性ともに良
好である。
第 １ 表
＊１ 加熱処理前の厚さ。
＊２ 加熱処理後、大気中で１０分間５００℃に加熱し
酸化銅の形成量を測定した。
酸化銅の形成量を測定した。
＊３ 出力０．０２５Ｗ１荷重２５Ｑ１加圧時間０．０
７秒、Ａ１線径３０μ（１％３ｉを含む）の条件で超音
波ボンディングを行ない、そのひきはがり荷重を測定し
た。
７秒、Ａ１線径３０μ（１％３ｉを含む）の条件で超音
波ボンディングを行ない、そのひきはがり荷重を測定し
た。
実施例２
実施例１と同形状の無酸素銅条の表面に、３ｎの薄膜を
真空蒸着（抵抗加熱）により形成した後、１〜２％のＣ
Ｏガスを含む還元性雰囲気の焼鈍炉を用いて２３０℃で
１時間、さらに６００℃で２時間熱処理した。この銅条
を、さらにＱ、４ｎ＋ｍまで圧延した後幅を４０ｍｍに
スリットすることにより、リードフレーム材を得た。
真空蒸着（抵抗加熱）により形成した後、１〜２％のＣ
Ｏガスを含む還元性雰囲気の焼鈍炉を用いて２３０℃で
１時間、さらに６００℃で２時間熱処理した。この銅条
を、さらにＱ、４ｎ＋ｍまで圧延した後幅を４０ｍｍに
スリットすることにより、リードフレーム材を得た。
第２表に加熱処理前の３ｎ薄膜と、耐酸化性、ワイヤー
ボンディング性の関係を示す。
ボンディング性の関係を示す。
Ｓｎを０．１ｎ以上形成した試料は、耐酸化性、ワイヤ
ーボンディング性とともに良好である。しかし３ｎを１
０μ以上形成した試料は表示しなかったが、加熱拡散処
理後表面の粗さが悪化し、ボンディング性も低下した。
ーボンディング性とともに良好である。しかし３ｎを１
０μ以上形成した試料は表示しなかったが、加熱拡散処
理後表面の粗さが悪化し、ボンディング性も低下した。
第 ２ 表
＊１ 加熱拡散処理前の厚さ。
＊２ 拡散処理後、大気中で１０分間５００℃に加熱し
酸化銅の形成量を測定した。
酸化銅の形成量を測定した。
＊３ 出力０．０２５Ｗ、荷重２５ｇ、加圧峙問０．０
７秒ＡＩ線径３０μ（１％３ｉを含む）の条件で超音波
ボンディングを行ない、ひきはがし荷重を測定した。
７秒ＡＩ線径３０μ（１％３ｉを含む）の条件で超音波
ボンディングを行ない、ひきはがし荷重を測定した。
［発明の効果］
以上のように、本発明ににる材料は表面に異種金属の拡
散浸透による薄い合金層を形成し、半導体機器の製造工
程中の各種の加熱処理における酸化を防止しているので
、負金属であるＡｕ、へ〇等のメッキが不要で、メッキ
に伴う複雑な工程を省略し、特定の規制を受けずに安価
にできる等の利点がある。
散浸透による薄い合金層を形成し、半導体機器の製造工
程中の各種の加熱処理における酸化を防止しているので
、負金属であるＡｕ、へ〇等のメッキが不要で、メッキ
に伴う複雑な工程を省略し、特定の規制を受けずに安価
にできる等の利点がある。
尚、ＣＵは各種の樹脂との接着性が悪い金属であるが、
表面にＡＩ、Ｚｎ等との合金層を形成することにより、
Ｃｕの特性を持たせながら接着性をも改善することが可
能となる。
表面にＡＩ、Ｚｎ等との合金層を形成することにより、
Ｃｕの特性を持たせながら接着性をも改善することが可
能となる。
図は本発明に係るリードフレーム材の例を示す説明図で
ある。 手続補正書（５Ｘ） １事件の表示 昭和 ９ 卯 ソ弄３千 願第 ２１３０り３ 号＆
補正をする者 ４ｏ 代 理 人〒１００ 昭和 Ｉデ年 ２月２Ｆ 日 乙、素子グー７何゛＆ βｄ祠１ ？、 ＨＪ 、ｉｎ Ｔｑ ：、Ｓ ’ｒｉ 孤’Ｉｉ
ｉ・１？−５之１．イオ壬ｊｑｒ
ある。 手続補正書（５Ｘ） １事件の表示 昭和 ９ 卯 ソ弄３千 願第 ２１３０り３ 号＆
補正をする者 ４ｏ 代 理 人〒１００ 昭和 Ｉデ年 ２月２Ｆ 日 乙、素子グー７何゛＆ βｄ祠１ ？、 ＨＪ 、ｉｎ Ｔｑ ：、Ｓ ’ｒｉ 孤’Ｉｉ
ｉ・１？−５之１．イオ壬ｊｑｒ
Claims (4)
- （１） 表面が銅または銅合金からなる母材表面に、異
種金属を拡散浸透させて成る耐酸化性を有する半導体機
器用リードフレーム材。 - （２） 前記第１項において、異種金属がΔ１、Ｓｎ、
Ｎ ｔ、Ｚｎ１Ｓ ｉ、Ｍｎ、ｐｂ、Ｔｉ。 Ｚｒ、 Ｏｒの中に１種もしくは１種以上であることを
特徴とする半導体機器用リードフレーム材。 - （３） 前記第１項または第２項において、拡散浸透前
の異種金属の厚さが０．０１〜１０μである半導体機器
用リードフレーム材。 - （４） 前記第１項ないし第３項記載の何れかにおいて
、異種金属を拡散浸透した材料が圧延加工処理されてい
ることを特徴とする半導体機器用リードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21307383A JPS60105259A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体機器用リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21307383A JPS60105259A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体機器用リ−ドフレ−ム材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105259A true JPS60105259A (ja) | 1985-06-10 |
| JPH0562467B2 JPH0562467B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=16633091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21307383A Granted JPS60105259A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体機器用リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105259A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480056A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of conductive material for electronic component |
| JPH04366A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体リードフレーム材料及びその製造方法 |
| JPH04138036U (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-24 | 三菱電線工業株式会社 | ワーク供給装置 |
| EP0621981A4 (en) * | 1992-01-17 | 1995-05-17 | Olin Corp | LADDER FRAME WITH IMPROVED ADHAESION. |
| JPH08503423A (ja) * | 1992-11-23 | 1996-04-16 | ギューリング，ヨーク | 交換可能な切削チップを備えたドリル |
| WO1996015284A1 (en) * | 1994-11-09 | 1996-05-23 | Cametoid Advanced Technologies Inc. | Method of producing reactive element modified-aluminide diffusion coatings |
| WO2007052438A1 (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Advanced Systems Japan Inc. | スパイラル状接触子およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147261A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Hitachi Cable Ltd | Partly reinforcing method for metal |
| JPS58153356A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Mitsubishi Metal Corp | 耐酸化性のすぐれた半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21307383A patent/JPS60105259A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147261A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Hitachi Cable Ltd | Partly reinforcing method for metal |
| JPS58153356A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Mitsubishi Metal Corp | 耐酸化性のすぐれた半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480056A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of conductive material for electronic component |
| JPH04366A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体リードフレーム材料及びその製造方法 |
| JPH04138036U (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-24 | 三菱電線工業株式会社 | ワーク供給装置 |
| EP0621981A4 (en) * | 1992-01-17 | 1995-05-17 | Olin Corp | LADDER FRAME WITH IMPROVED ADHAESION. |
| JPH08503423A (ja) * | 1992-11-23 | 1996-04-16 | ギューリング，ヨーク | 交換可能な切削チップを備えたドリル |
| WO1996015284A1 (en) * | 1994-11-09 | 1996-05-23 | Cametoid Advanced Technologies Inc. | Method of producing reactive element modified-aluminide diffusion coatings |
| US5807613A (en) * | 1994-11-09 | 1998-09-15 | Cametoid Advanced Technologies, Inc. | Method of producing reactive element modified-aluminide diffusion coatings |
| WO2007052438A1 (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Advanced Systems Japan Inc. | スパイラル状接触子およびその製造方法 |
| JP2007128684A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Advanced Systems Japan Inc | スパイラル状接触子およびその製造方法 |
| EP1950851A4 (en) * | 2005-11-01 | 2011-11-02 | Advanced Systems Japan Inc | SPIRAL CONTACT AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562467B2 (ja) | 1993-09-08 |
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