JPS60101968A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60101968A JPS60101968A JP58208752A JP20875283A JPS60101968A JP S60101968 A JPS60101968 A JP S60101968A JP 58208752 A JP58208752 A JP 58208752A JP 20875283 A JP20875283 A JP 20875283A JP S60101968 A JPS60101968 A JP S60101968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- contact hole
- semiconductor
- contact
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の電極配線の接続構造に関する。
従来、半導体装置の％；電極配線接続構造は第１図に示
す如き（１“ｑ造をとっていた。すなわち、Ｓｉ基＆、
１の表面に形成された拡散層２と酸化膜６を介して、該
酸化膜３Ｇこ開けられたコンタクト穴４を通して、ＩＬ
Ｌ配線５と接続されて成るのが通例であった。
す如き（１“ｑ造をとっていた。すなわち、Ｓｉ基＆、
１の表面に形成された拡散層２と酸化膜６を介して、該
酸化膜３Ｇこ開けられたコンタクト穴４を通して、ＩＬ
Ｌ配線５と接続されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、例えば８ｉとＡｔとの
コンタクトの場合、コンタクト穴１ｉｌｉＰｌが４μ餌
２以下となると、接触抵抗が１００Ω以上となるという
欠点があった。
コンタクトの場合、コンタクト穴１ｉｌｉＰｌが４μ餌
２以下となると、接触抵抗が１００Ω以上となるという
欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体と電
極配線との接続に於て、コンタクト穴面積が４１ｔ ｍ
２以下でも１００Ω以下の低抵抗接触抵抗で接続可能
なコンタクト部構造を提供することを目的とする。
極配線との接続に於て、コンタクト穴面積が４１ｔ ｍ
２以下でも１００Ω以下の低抵抗接触抵抗で接続可能
なコンタクト部構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体基板表面に形成された絶縁膜に
開けられたコンタクト穴部の半導体表面には微小な凹凸
により粗面が形成され、該粗面と′６極配線とが接続さ
れて成ることを特徴とする。
導体装置に於て、半導体基板表面に形成された絶縁膜に
開けられたコンタクト穴部の半導体表面には微小な凹凸
により粗面が形成され、該粗面と′６極配線とが接続さ
れて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図乃至第５図は本発明の実施例を示す半導体装置の
コンタクト部の断面構造である。すなわぢ、第２図では
、８１基板１１の光面に形成された拡散層１２は酸化膜
１３を介して、該酸化膜に開けられたコンタクト穴１４
を通して、８１配線１５と接続されて成り、該８１配線
１５のコンタクト穴部１４の表面には光干渉縞を用いた
ホト・エツチングにより形成された１００′ｊ−の線巾
、線間隔等からなる凹曲面１６が形成され、該凹曲面と
ＡＡ配線１７とが接続されて成る。
コンタクト部の断面構造である。すなわぢ、第２図では
、８１基板１１の光面に形成された拡散層１２は酸化膜
１３を介して、該酸化膜に開けられたコンタクト穴１４
を通して、８１配線１５と接続されて成り、該８１配線
１５のコンタクト穴部１４の表面には光干渉縞を用いた
ホト・エツチングにより形成された１００′ｊ−の線巾
、線間隔等からなる凹曲面１６が形成され、該凹曲面と
ＡＡ配線１７とが接続されて成る。
第３図では、８１基板１１の表面に形成された拡散層２
２は、酸化膜２６を介して、該酸化膜２３に開けられた
コンタクト穴２４を通して、該コンタクト穴部の８１表
面２４には微細な凹凸が形成され、粗面となされて、ｈ
Ｌ配腺２５と接続されて成る。
２は、酸化膜２６を介して、該酸化膜２３に開けられた
コンタクト穴２４を通して、該コンタクト穴部の８１表
面２４には微細な凹凸が形成され、粗面となされて、ｈ
Ｌ配腺２５と接続されて成る。
第４図では、８１基板３１の表面に形成された拡散層３
２はｎ２化腹３３を介して、該酸化膜３３に開けられた
コンタクト穴６４を通して、該コンタクト穴部Ｓ１に凹
凸をつけることにより、Ｓ１配綜６５にも凹凸をつけ、
Ａｔ配線３６と接続されて成る。
２はｎ２化腹３３を介して、該酸化膜３３に開けられた
コンタクト穴６４を通して、該コンタクト穴部Ｓ１に凹
凸をつけることにより、Ｓ１配綜６５にも凹凸をつけ、
Ａｔ配線３６と接続されて成る。
第５図では、Ｂｉ基板４１の表面に形成された拡散層４
２は、酸化膜４３を介して、該酸化膜４３に開けられた
コンタクト穴４４を通して、該コンタクト穴部８１表面
に凹凸をつけて、Ｓ１配線４５、その上のｈｔ配線４６
と接続されて成る本発明の如く、半導体と半導体配線あ
るいは半導体と金属配線の接続部の半導体側に凹凸をつ
けて粗面となしたコンタクト部を設けることにより、コ
ンタク） ｆ７１１１／Ｉｊ積が小でも表面積は大とな
り、接続抵抗は小となる効果がある。
２は、酸化膜４３を介して、該酸化膜４３に開けられた
コンタクト穴４４を通して、該コンタクト穴部８１表面
に凹凸をつけて、Ｓ１配線４５、その上のｈｔ配線４６
と接続されて成る本発明の如く、半導体と半導体配線あ
るいは半導体と金属配線の接続部の半導体側に凹凸をつ
けて粗面となしたコンタクト部を設けることにより、コ
ンタク） ｆ７１１１／Ｉｊ積が小でも表面積は大とな
り、接続抵抗は小となる効果がある。
第１図は従来技術による半導体装置のコンタクト部の断
面図、第２図乃至第５図は本発明の実施例を示す半導体
装置のコンタクト部の断面図である。 １．１１，２１，３１．４１・・・・・・半導体８版２
．１２，２２，３２．４２・・・・・・拡散層３．１３
，２３，３３．４３・・・・・・絶縁膜４．１４．１／
１，２４，３４．４４・・・・・・コンタクト穴部 ５．１７，２５，３６．５６・・・・・・ＡＬ電極配線
１５．３５．４５・・・・・・Ｂ１配線以 上 出願人 株式会社諏Ｋｂ精工舎 代理人 弁理士 最上 務
面図、第２図乃至第５図は本発明の実施例を示す半導体
装置のコンタクト部の断面図である。 １．１１，２１，３１．４１・・・・・・半導体８版２
．１２，２２，３２．４２・・・・・・拡散層３．１３
，２３，３３．４３・・・・・・絶縁膜４．１４．１／
１，２４，３４．４４・・・・・・コンタクト穴部 ５．１７，２５，３６．５６・・・・・・ＡＬ電極配線
１５．３５．４５・・・・・・Ｂ１配線以 上 出願人 株式会社諏Ｋｂ精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体基板表面に形成された絶縁膜に開けられた
コンタクト穴部の半導体表面には微小な凹凸により粗面
が形成され、該粗面と電極配線とが接続されて成ること
を特徴とする半導体装置。 ２、８１等の半導体基板表面に形成された絶縁膜を介し
、該絶縁膜に開けられてコンタクト穴を通して８１等の
配線がなされ、該８１等の配線表１＋ｉの少なくとも下
部コンタクト穴部上部には微小な凹凸により粗面が形成
され、該粗面とＡＬ等の金属電極配線とが接続、あるい
は重ね合わせて形成されて成ることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208752A JPS60101968A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208752A JPS60101968A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101968A true JPS60101968A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16561490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208752A Pending JPS60101968A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101968A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276548A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH04314352A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
| US9625536B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor and method for manufacturing the same |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP58208752A patent/JPS60101968A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276548A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH04314352A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
| US9625536B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor and method for manufacturing the same |
| DE102014203075B4 (de) | 2013-10-17 | 2024-09-26 | Mitsubishi Electric Corp. | Magnetsensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
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