JPS5994443A - 半導体モジユラ・アセンブリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 このつｌ）明は、半々゛異体素子のためのアセンフリお
よびヒートシンクに関するものである。

〔従来技術〕

半導体素子のための圧接型アセンブリは例えば米国特許
第３．ググ７．／ｌざ号のスタック・アセンブリオよび
ｆｆ、　’１．３　／　３．／λｇ号のアセンブリのよ
うに従来力１ら周知である。

前者のアセンフリはアセンブリとして働くだけでヒート
シンクとしては機能しない。

後者のアセンブリは４１！−造がむしろ複雑でかつこの
発明のように３つの側面から冷却できない。

米国特許第ダ、Ｏ’ｌ’）、７９７号は従来周知のアセ
ンブリのうちの代表的な例である。そのようなアセンブ
リでは、金属製の名を有するプラスチック・ハウジング
中に半導体素子が収容される。

冷却は台の７つの側面沿いたけに行われ得る。

更に、半導体素子はハウジング内のコンタクトへ圧接で
はなくてろう着で行われるので簡単に解体できない。

〔発明の概要〕

この発明の目的は、半導体ウェーハの冷却を改善するこ
とである。

この発明は、その広い意味で、円形の断面を有して半導
体ウェーハおよび圧接手段を受は入れるための空洞を形
成する金屑体と、前記空洞内に配置された複数個の金属
製円筒状部材と、これらの円筒状部材および前記半導体
ウェーハを前記金属体から電気的に絶縁するための絶縁
体と、前記半導体ウェーハと電気的接触をなすための回
路装置とを備え、前記半導体ウェーハは前記空洞内で隣
接する円筒状部材間に配置され、前記圧接手段は前記隣
接する円筒状部材と電気的かつ熱的に伝導関係に前記半
導体ウェーハを保持する半導体モジュラ・アセンブリに
ある。

この発明は、１１面（その中央部は頂面に対して凹面状
をしている〕、底面およびλつの端面を有する全屈製台
部材と、頂面、底面（その中央部は底面に対して凹面状
をしている）および一つの端面を有する金属製はろ部材
と、前記はろ部材が前記台部材の上に置かれる時に前記
台部材の頂面の凹面状部分と前記はろ部材の底面の凹面
状部分とが空洞を形成し、この空洞が円形の断面を有し
て前記台部材および前記はろ部材の端面間に延び、更に
、前記空洞内に配置された複数個の金属製円筒状部材と
、前記空洞内で１−１接する円筒状部材間に配置された
半導体つ工−ハと、前記Ｉ隣接する円筒状部材と電気的
かつ熱的に伝導関係で前記半導体ウェーハを保持する圧
接手段と、前記円筒状部材および前記半導体ウェーハを
前記台部材および前記はろ部材から電気的ｔこ絶縁する
ための手段と、前記円筒状部材を介して前記半導体ウェ
ーハと電気的接触’ｃ　ｆ、ｌＫすための手段とを備え
た半導体モジュラ・アセンブリ兼ヒートシンクに向けら
れる。

この発明の電力用半導体モジュラ・アセンブリは、収容
した半導体ウェーハを電気的に絶縁すると共に半導体ウ
ェーハからケースオで熱的伝導路を提供し、従って普通
のアセンブリ兼ヒートシンク中に複雑な回路を装架しか
つ冷却するための手段を提供する。

使用した半導体ウェーハすなわち半導体ヒユージョン（
ｆｕｓｉｏｎｓ、）はサイリスタ、トランジスタ、整流
器またはそれらの組合わせ用のもので良い。

〔発明の実施例〕

この発明の性質を良く理解するには、以下の詳しい説明
および図面を参照されたい。

台部材ｔＯ（第１図９ 第１図は、この発明を具体化した電力用半導体のための
アセンブリ兼ヒートシンクの台部材ＩＯを示す。

この台部材ｌＯは、底面１２並びにこの底面ｌ２と垂直
である第１の垂直縁部ｔｑおよび第２の垂面縁部／乙を
有する。第一の垂直縁部／Ａは、底面／、Ｉと事実上平
行である水平ステップ部分／ｇだけ第１の垂直縁部／ｌ
／、から離れている。

台部材／θの頂面コ０は、第２の垂直縁部／乙から内へ
延びるノつの水平縁部ｄノおよびこれらの水平縁部２２
間に延びて凹面状に湾曲した部分ｄグから成る。水平縁
部−一は水平ステップｆｌ＜分／ｇおよび底面／２と事
実上平行している。

一連の外側溝／２６および′内側溝２乙は湾曲部分ノ°
りに形成されてこの湾曲部分ノダの全長を横切って延び
る。内側溝２乙の数はノ個からアセンブリ兼ヒートシン
クに含まれた半導体ウェーハすなわち半導体ヒユージョ
ンの数と通常等しい必要な数まで変えることができる。

内側濾ノ乙および外側溝／ノロの機能については後で説
明する。

台部材ＩＯはノつの端面２ｇおよび３Ｑ　７ｉ：有する
。台部材１０は、水平ステップ部分／ｇから底面ｌλま
で台部材／θの全長に亘って延び、台部材／　Ｏｒ、３
１母線バー、別なヒートシンク部材などへ装架するため
の複数個の孔３．２を有する。

第１図にはこれらの孔３２を７個示すが、その数は機能
さえ達するならば重要でないことを理解されたい。孔３
２の物理的な位置も、機能さえ達するならば、重要でな
い。

別な複数個の孔３ｆは、頂面２０の水平縁部−λから台
部材１０の中へ延び′る。これらの孔、？りにはネジを
きることが望咳しい。６個の孔３ダを図示したが、何個
でも良い。孔３１Ｉの物理的位置は後述する機能が果さ
れるかぎり重要でない。

台部材１０はその全てが金属望ましくはアルミニウムで
作られるが、銅、鋼、陽極酸化したアルミニウム、ニッ
ケル被覆した鋼などのように電力用半導体ウェーハから
後述する放熱をさせるものなら良い。全金属製の台部材
／θを使用すると、金属と成る種の他の材料例えば金属
と樹脂から成る台部材よりも放熱が良くなる。

はろ部材３６（第２図） 第４図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクのほろ部
材３乙を示す。

このほろ部材３６は頂面３ｇ、垂直縁部ｑθ底面ｌ／ｄ
および端面ダ３を有する。

λつの垂直縁部ｌＩＯ間でその各々の１ら内へ延びる底
面ダニは、第１の水平部分ｔＩＩＩ、垂直部分’７６、
第一の水平部分りｇおよびノつの第一の水平部分７８間
に延ひる凹面状に湾曲した部分ｓｏ乃）ら成る。

第１の水平部分ダク、第２の水平部分ダｇおよび頂面３
ｇは事実上平行である。

湾曲部分ＳＯは、台部材／θの湾曲部分ノダと同一半径
を有する円の一部でありかつ端面１１．３間に延びる。

湾曲部分ＳＯは、台部材１０の湾曲部分２グを延長する
ことによって形成される円と一致する。

台部材ｌＯの湾曲部分２グとほろ部材３６の湾曲部分Ｓ
Ｏとは、台部材ＩＯとほろ部材３６が一緒にされる時に
円形断面の孔を形成する。

この円形断面の孔は端面間に延びる。

はろ部材３６は第１複数個例えば６個のＪＬ５２を有し
、これらの孔タコはほろ部材３６を貫通して延びかつ台
部材１０とほろ部材３Ａ力Ｓ−緒にされる時に台部材１
０にあけた孔３グと垂直方向でそろう。孔Ｓノはほろ部
拐３１．Ｇこさら穴をあけて作られる。

はろ部材３Ａは第一複数個例えばｑ個の孔Ｓ＜ｔを有し
、これらの孔５４／はほろ部材３６を貫通して延びかつ
台部材ｌθとほろ部材３６カ３−緒にされる時に台部材
ｌθにあけた孔３コと垂直方向でそろう。

孔５４はほろ部材３Ａにざら穴をあけて作られ、このざ
ら大部分ｓｇはほろ部材３６の垂直縁部ダθの一部浴い
に露出さイ’Ｌる。

はろ部材３６の孔５ノの数が台部材ｌＯの孔３弘の数番
こ一致し、孔ｓｌＩの数が孔３２の数ｌこ一致すること
は明らかである。

第３複数個例えば３個の孔６０は、事実上円形であり、
はろ部材３６を貫通して延びる。孔６θは事実上等間隔
にあけられ、それらの中心は頂面３ｇの中心軸（端面１
１３間に延びる）上にある。

はろ部材３乙の底面グーの湾曲部分５０には複数個の溝
（図示しない〕がある。底面１１．２の溝の数は台部材
１０の頂面２０の湾曲部分２グにおける内側溝λ乙およ
び外側溝／２４の数に等しく、これらの雛はほろ部材３
６と台部材ｌＯが一緒にされる時に連続して円を形成す
るように垂直方向で整列させられる。

はろ部材３ｔは金属望ましくは台部材１０と同じ金属で
作られる。

台部材１０とほろ部材３６の両方に金属望ましくは陽極
酸化したアルミニウムを使用すると、。

アセンブリ兼ヒートシンク内に収容された半導体ウェー
ハからの放熱を確実に良くしかつアセンブリ兼ヒートシ
ンク自体をその側面または底面沿いに或はこイＬらの面
のうちの３面全部沿いに他の部材へ接続させてアセンブ
リ兼ヒートシンクから熱を出させる。

台部材ＩＯおよびほろ部材３６をそれぞれの端面間で測
定したような長さは同じである。

円筒状部材（第３図および第り図〕 第３図、第７図は、この発明のアセンブリ兼ヒートシン
クの一部を構成する円筒状部材すなわちスラグ６２のそ
れぞれ正面図、頂面図である。

円筒状部材６２は、例えば銅で作った固い金属部材であ
りかつ例えば電気分解したニッケルのような別な金属で
メッキされ得る。

円筒状部材６．２は前面６グおよび後面６６を有する。

これらの各々は延長部分すなわちコンタクト面１．ｇ、
７０をそれぞれ有する。

前面乙ダと後面Ａｔの間に延びる縁部７２がある。

円筒状の第１の孔７グは縁部７２の大体真中に設けられ
、縁部７λの表面から円筒状部杜６２０内部へ所定距離
だけ垂直に延びる。孔１’はさら大部分７６を有し、こ
のさら大部分７６は縁部クツと交叉して肩部７ｇを形成
する。

第λの相対的に小さい孔ｇｏは、肩部りｇから円筒状部
材６２の中へ垂直に延び、第３の孔ｇ２と交叉して終る
。第３の孔ｇ２は前面乙ダの延長部分すなイつちコンタ
クト面乙３から円筒状部材６２の中へ延びる。第３の孔
ｇ２は前面６１Ｉのコンタクト面乙ｇの中心に設けられ
かつｐｒ　Ｊの°孔ｇθと直角に交叉することがｉｔし
い。

キー溝ｇグは縁部７−から切り出されかつ第１の孔７’
ｌと交叉する。

円ｆＸ１状部材６ｄの直径“ｄ　ｎは、円筒状部材６ノ
が台部材／θ、はろ部材３６のそれぞれｎ曲部分−グ、
左θと適合するようなものである。

端部拐ｇＡ（第Ｓ図および第６図） 第Ｓ図、ｄｐＺ　ｌ’図は金属製の端部材すなわち保持
部材ｇｔ、のそれぞれ側断面図、正面図である。

端部材ｇｔ、は例えばアルミニウム、銅または鋼のよう
な任意適当な金属で作ることができかつ錫メッキした鋼
が望ましい。

端部材ｇｔの直径゛ｄ″は、端部材ｇｔのリムｇｔが台
部材ｌθの外側溝／、２４およびほろ部材３６の垂直に
整列した溝にはまるようなものである。端部材ｇ乙、面
９２の中央に配設されたリング状ニップル９０を有する
。端部材ｇ６、而９２とリムｇｇの間に延びる肩部９１
Ｉを有する。

座金９６（第７図） 第７図は、例えばマイカまたは適当な樹脂含浸ファイバ
のような電気的に絶縁性の材料で作った座金９６を示す
。

第３図は、例えば鍋で作ったベルビル（Ｂｅｌｌｅｖｉ
ｌｌｅ）座金９ｇのようなスラスト座金を示す。

絶縁円板１０θ（第９図） 第を図は、例えばマイカで作った電気的に絶縁性の円板
ｉｏｏを示す。この絶縁円板ｉｏ。

は、円筒状部材６２のコンタクト面６ｇまたは７０より
も大きいが、端部材ｇ６の直径″１ｄ′よりも小さい直
径を有する。

誘電シート１ａｏ（第７０図つ 第ｉｏ図は、ファイバ例えはガラス・ファイバで強化し
たシリコン・ゴム・シート或はファイバ、充填材などで
強化しても良いししなくても良いテトラフルオロエチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレンオたはトリフルオロク
ロロエチレンのシートのような電気的に絶縁性の材料で
作った誘電シーｌ−／　３０を示す。

この誘電シー１−　／　３０は、外側溝／２Ａ間の距離
に等しい長さｔ　Ｌｎを有し、また円筒状部材６２を完
全に囲むような幅”ｗ”を有する。誘電シート／３θの
切り出した部分／３２は円筒状部材６２の第１の孔？％
のまわりに適合する。

誘ＩＥシート／３θは第１１図では所定位置にある。

第１１図） 第１１図はこの発明の一部組立てたアセンブリ兼ヒート
シンクを示す。

絶縁性の座金９６は端部材ｇｂのニップル９０のまわり
に配置された。コ枚以上のベルビル座金ｑｇは座金９６
の上または周囲に配置さのニップル側は内を向いている
、すなわち他方の外側溝ｌノ乙に面している。

絶縁円板ｉｏｏはベルビル座金９ｇに接触して挿入され
る。誘電シート／　、？θは台部材／θの湾曲部分２’
ｌに配置され、その中心軸／３’１は湾曲部分２グの中
心軸に清って延びかつ切り出した部分１３−は大体垂直
方向に延びる。誘電シーｌ−／　３０は外側溝／２乙間
に延びる。第１の円筒状部材６２は台部材ｌＯの湾曲部
分２４を中の誘電シート／３０上に置かれ、そのコンタ
クト面が絶縁円板ｉｏｏに接触する。

ν０えばサイリスタ用ウェーハすなわちヒユージョン１
０２のような半導体ウェーハすなわち半導体ヒユージョ
ンは、第１の円筒状部材６２のコンタクト面６ｇと物理
的かつ電気的に接触して位置決めされる。アセンブリ兼
ヒートシンクをサイリスクに関して説明するが、もぢろ
んトランジスタ、整流器またはそれらの組合わせにも使
用できる。

、誘′屯シーｔ−ｔ　３０で覆われる内側溝コロには、
アセンブリ兼ヒートシンクのクレープ抵抗を増すために
例えばＲＴ　Ｖシリコン樹脂が充填される。

第１のケート・コンタクト（図示しない）は第１の円筒
状部材６ｄの第３の孔ｇ２中に先に挿入され、第／のゲ
ート・コンタクトと電気的に接触する心線１０グは第１
の円筒状部材６２の第２の孔ｇθに通される。

第コの円筒状部材６ノは台部材１０の湾曲部分２’ｌに
挿入され、そのコンタクト面７０はサイリスタ用つェー
ハ／θコと物理的かつ電気的に接触する。

第２のゲート・コンタクト（図示しない）は第２の円筒
状部材乙コの第３の孔ｇ２の中に挿入され、第コのゲー
ト・コンタクトと電気的に接触する導線、２０ダは第ユ
の円筒状部材６２の第２の孔ざθに通される。

別なサイリスタ用ウェーハコθ２が挿入され、そのゲー
ト領域は第２のゲート・コンタクトと電気的かつ物理的
に接触しそしてそのエミッタ領域は第２の円筒状部材６
２のコンタクト面６ｇと電気的かつ物理的に接触する。

第３の円筒状部材６２が台部材ＩＯの湾曲部分ｄｌｌに
挿入され、そのコンタクト面６ｇは別なサイリスク用つ
エーハノθコと物理的かつ電気的に接触する。

サーミスタ（図示しない）を第３の円筒状部材乙コの第
３の孔ざ２に挿入しても良く、導線３θダはサーミスタ
と電気的に接触しかつ第３の円筒状部材６２の第２の孔
ｇｏを通して直立している。

他方の端部材ｇ乙は座金９６、ベルビル座金９ｇおよび
絶縁円板１００と一緒に上述したように組立てられ、端
部材ｇＡのリムｇｇは外側溝／２４へ挿入される。

複数個のベルビル座金９ｇはコ個の端部材ざ６と一緒に
使用され、サイリスタ用ウエーハと円筒状部材Ａ２の電
気的接触を確実にするのに充分な圧接を行うことができ
る。

実例では、上述したアセンブリは治具の中に通常運ひ入
れられ、その後台部材ＩＯ中で位置決めされる。誘′１
１エシート／３０は円筒状部材および半導体ウェーハを
台部材ｌＯから電気的に絶縁する。

第１ノヅ１において、誘″屯シート１３０は円筒状部＠
６．！のまわりに配置され、はろ部材３Ａは台部拐ｉｏ
の上に置かれかつ両者はほろ部材の孔５．２および台部
材の孔３ヶを通して挿入したボルト１０６によって接合
される。台部材１０の孔３４’にはボルトを受は入れる
ためにねじがきっである。ベルヒル座金１０ｇはほろ０
桐３Ａを台部材１０へしっかりと締め付けるために使用
され得る。はろ部材３６を台部材／θへ緊着する際に絶
縁座金／１０も使用される。

ねじ或は他のばね型固着具もほろ部材３６を台部材／θ
へ緊着するために使用され得る。

誘電シート１３０は円筒状部材／−ノの頂部のまわりに
置かれ、これによりほろ部材３６から円筒状部材Ａコを
電気的に絶縁する。

はろ部材および台部材からサイリスタ用ウェーハをそし
て周囲からほろ部材および台部材を更に確実に電気的に
絶縁するために、はろ部材および台部材の内面および外
面は、テトラフルオロエチレンが含浸された陽極酸化ア
ルミニウムであるハードコート（ｈａｒｄｃｏａｔ）　
　または別な絶縁体となる絶縁材料で被覆されることが
できる。

台部材／θの頂面の垂直部分および水平部分をほろ部材
３６の底面の垂直部分および水平部分と一致させると、
どんな漏れ電流に対しても回り道を作る。その上、確実
ｌこシールして漏れ電流を防ぐために、表面にＲＴＵ化
合物、エポキシまたは他のそのような化合物を被覆する
ことができる。

プラグ／／２は例えば銅、アルミニウムおよびニッケル
メッキした銅のような導電性金属で作られる。プラグ／
／２は大きい部分／／’Ｉ。

小さい部分／／Ａおよび肩部／／ｇを有する。

プラク／ｌコの肩部／／ｇから頂面ｌノコまで延びるキ
ー溝ｉｗｏがある。頂面／２２から肩部／／ｇ近くまで
延びる中央孔／ＪＩＩがある。

この中央孔／２４’にはねじがきっである。

肩部／／ｇが第１の孔？４’のまわりのさら大部分７ｔ
と接触するように、大きい部分／／’１の長さに大体等
しい深さまでプラグ／／２は円筒状部材４．２の第１の
孔クダの中に抑圧、挿入される。

導線１ｏｌｌ、２ｏりおよび３０グはキー溝／スθの中
に引っばり込まれる。

プラグ／／Ｊ、は一方のサイリスク用ウェーハのための
アノード・エミッタ導線および他方のサイリスク用ウェ
ーハのためのカソード・エミッタ導線である。２枚のサ
イリスク用ウェーハは電気的に直列接続されている。

電気的接続ポストｌノＡ（これにはその全長の一部にね
じ７２ｇがきってあり、このねじｉ、ｉｇはプラグ／１
２の孔／２’ｌのねじに整合する〕は各プラグ／／２に
ねじ込まれる。

接続ポスｌ−／　、２　Ａの付加的な長さおよび円筒状
部材乙コが回転できることは、アセンブリ兼ヒートシン
ク内のザイリスタ用つェーハ／θノに電気的接触をさせ
る際に融通性を持たせる。

絶縁材料で作ったプリント配線基板／１１．Ｏはほろ部
材３乙の頂面３ｇ上に籠かれてこれと接合される。プリ
ント配線基板ｌグθは例えばエポキシ接着剤のような適
当な接着剤で頂面３ｇへ接合することができる。

プリント配線基板ｔグＯは３つの孔ｌグ２を有し、これ
らの孔／’７２はほろ部材３Ａの孔６０と重畳し、両方
の孔にプラグ／／２が入る。

プリント配線基板ｉｑｏは孔Ｓｌｌの上方に切り出した
部分ｉｑ３を有する。

プリント配線基板／ｌＩＯはその表面ｌダ６に金属化し
た導電路ｌり弘を有して、アセンブリ兼ヒートシンク内
のサイリスク用ウェーハのゲート領域およびサーミスタ
との電気的接触を容易にする。

コンタクト部材ｉｌＩｇは導電路／ダダヘ被着されてプ
リント配線基板／’１０と外部部材または電源装置との
電気的接続をさせる。

この発明のアセンブリ兼ヒートシンクと一緒に使用する
のに行に適したウェーハすなわちヒユージョンは米国特
許第ダ、２　Ｊ　！、Ａゲタ号および第ダ、、）、）、
９．７Ｏ７号に開示されている。

ハーメチックシールした環境を必要としない他の型式の
パッシベートしたウェーハすなわちヒユージョンはこの
発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使用するのに適する
ことにも注目されたい。

この発明のアセンブリ兼ヒートシンクは、ベルビル座金
または他の適当なスラスト型座金が圧接を行う圧接（・
１・ｒ造であることに注目されたい。

アセンブリ兼ヒートシンクはウェーハすなわちヒユージ
ョンの交換のために容易に解体できることに注目された
い。

〔発明の効果〕

この発明は、圧接（１・￥造のため絹立作菜性や放熱に
優イｔている。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの台部材
の斜視図、第２図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシン
クのほろ部材の斜視図、第３図、第７図はこの発明のア
センブリ兼ヒートシンクの円筒状部材のそれぞｎ正面図
、頂面図、第Ｓ図、第６図はこの発明のアセンブリ兼ヒ
ートシンクの端部材のそれぞれ側断面図、正面図、第７
図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクで使用した座
金の正面図　Ｆ　ｙ図はこの発明のアセンブリ兼ヒート
シンクで使用したスラスト座金の正面図、第７図はこの
発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使用するのｔこ適し
た絶縁円板の正面図、第１Ｏ図はこの発明のアセンブリ
兼ヒートシンクに使用するのに適した誘電シートの頂面
図、第１／図は一部組立てたアセンブリ兼ヒートシンク
の斜視図、第１２図はプリント配線基板を頂面に配置し
たこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの斜視図である
。 １０・・台部材、−θ・・頂面、１２・・底面１．２ｇ
と３０・・端面、３６・・はろ部材、３ｇ・・頂面、ダ
一・・底面、ダ３・・端面、／θ６・・ボルト、１０２
とコθ２・・サイリスク用ウェーハ、６２・・円筒状部
材、／３０・・誘電シート、？ｆｆと１０ｇ・・ベルビ
ル座金、？’％・・円１；１）状部材の第１の孔、／／
２・・プラグ、／Ｕ＆・・プラグの孔、／２６・・接続
ホスト、ｌダＯ・・プリント配史基板である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　円形の断面を有して半導体ウエーノ１および圧接手
   段を受は入れるための空洞を形成する金属体と、前記空
   洞内に配置された複数個の金属製円筒状部材と、これら
   の円筒状部材および前記半導体ウェーハを前記金属体か
   ら電気的に絶縁するための絶縁体と、前記半導体ウェー
   ハと・４ヱ気的接触をなすための回路装置とを備え、前
   記半導体ウェーハは前記空洞内で勝接する円筒状部材間
   に配置され、前記圧接手段は前記隣接する円筒状部材と
   電気的かつ熱的に伝導関係に前記半導体ウェーハを保持
   する半導体モジュラ・アセンブリ。 ユ　圧接手段はスラスト座金から成る特許請求の範囲第
   １項記載の半導体モジュラ・アセンブリ。 ３、半導体ウェーハと電気的接触をなすだめの回路装置
   は、円筒状部材の孔にプレスはめ込みされた導電性のプ
   ラグと、このプラグの孔の中にある導電性のポストと、
   金属体の一部を形成する金属製はる部材の頂面に被着さ
   れたプリント配線基板とから成る特許請求の範囲第１項
   記載の半導体モジュラ・アセンブリ。 ｑ　金属体は金属製台部材および金夙製はろ部材から成
   り、前記台部材は頂面、底面およびλつの端面を有し、
   前記はろ部材は頂面、底面および２つの端面を有し、前
   記台部材の頂面の中央部は前記頂面に対して凹面状であ
   り、前記はろ部材の底面の中央部は前記底面に対して凹
   面状であり、これにより前記はろ部材が前記台部材の上
   に置かれてボルトで留められる時に、前記台部材と前記
   はろ部材の凹面状部分は前記台部材および前記はろ部材
   の端ブリ。 Ｓ　はろ部材および台部材の凹面の台壁は各端面の近（
   で溝を形成し、前記はろ部材が前記台部材の上に置かれ
   る時に前記はろ部材の底面の溝は前記台部材の頂面の溝
   と垂直方向で肥効する特、？！１；請求の範囲第ダ項記
   載の半導体モジュラ・アセンブリ。