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JPS5985574A - Double balancing circuit - Google Patents

Double balancing circuit

Info

Publication number
JPS5985574A
JPS5985574A JP19557782A JP19557782A JPS5985574A JP S5985574 A JPS5985574 A JP S5985574A JP 19557782 A JP19557782 A JP 19557782A JP 19557782 A JP19557782 A JP 19557782A JP S5985574 A JPS5985574 A JP S5985574A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
collector
transistor
power supply
differential pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Application number
JP19557782A
Other languages
Japanese (ja)
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JPH0421363B2 (en
Inventor
Tsuneo Suzuki
恒雄 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP19557782A priority Critical patent/JPS5985574A/en
Publication of JPS5985574A publication Critical patent/JPS5985574A/en
Publication of JPH0421363B2 publication Critical patent/JPH0421363B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Stereo-Broadcasting Methods (AREA)

Abstract

PURPOSE:To ensure the stable working of a double balancing circuit despite of the drop of power supply voltage and to reduce the noise by dividing the collector voltage of a transistor constituting a current mirror circuit into a prescribed level and using these divided voltages to the base bias of a differential paired transistors. CONSTITUTION:A resistance R10 is put between the collector of a transistor TRQ2 and the anode of a diode D1. The collector voltage of a TRQ2 is divided at the middle point of the joint between the R10 and the anode of the D1. If the power supply voltage VCC drops, the collector current of the TRQ2 is reduced. Thus the potential VB drops for the anode of the D1. In such a way sudden saturation of a differential pair TRQ11 and Q12 is prevented. As a result, the overall gain drop is gently decreased to ensure the stable working of a double balancing circuit even in a pressure reduction environment.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、ダブルバランス回路に係り、特にそのバイ
アス回路の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a double balance circuit, and particularly to improvements in its bias circuit.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、アナログ信号の乗痺機としてダブル・9ランス回
路(二重平衡差動増幅回路)は、例えばFMラジオ受信
機のマルチプレックス回路およびクオドラチュアFM復
調回路などに広く使用されるようになっている。
Conventionally, double-9 lance circuits (double-balanced differential amplifier circuits) have been widely used as analog signal amplifiers, such as in FM radio receiver multiplex circuits and quadrature FM demodulation circuits. .

この・ようなダブルバランス回路は、例えば第1図にポ
ケれるように、共通エミッタが抵抗Ro を介して接地
されるNPN形である第10差動対トランノスタQ11
+QI2の各コレクタに、同様にNPN形である第2お
よび第3の差動対トランジスタQ21PQ22およびQ
311Q3□の谷共通エミッタが対応的に接続てれてい
る。この第2の差動対トランジスタQ21TQ22の各
コレクタは、それぞれ対応的に一対の出力端子Oa+O
bに接続され、同様に第3の差動対トランジスタQ31
1Q3□の谷コレクタは一対の111刀郊1子Oa *
 obに対応的に接続式れている。上記トランジスタQ
21+Qs+ ば、各コレクタが共通の負荷抵抗Raを
介して電源Vccに接にう1でれ、上記1・ランソスタ
Q221’Q32 は、各コレクタが共通の負荷抵抗R
bを介して電源Vccに接続されている。
Such a double-balanced circuit, for example, as shown in FIG.
+QI2 has second and third differential pair transistors Q21PQ22 and Q
The valley common emitters of 311Q3□ are connected correspondingly. Each collector of this second differential pair transistor Q21TQ22 is connected to a corresponding pair of output terminals Oa+O.
Similarly, the third differential pair transistor Q31
The valley collector of 1Q3□ is a pair of 111 Toko Ichiko Oa *
It is connected to ob. Above transistor Q
21+Qs+, each collector is connected to the power supply Vcc via a common load resistance Ra, and in the above 1.Lancestar Q221'Q32, each collector is connected to the power supply Vcc via a common load resistance Ra.
It is connected to the power supply Vcc via b.

また、上記第1の差動対トランジスタ。IIIQ12の
各ベースは、それぞれ対応的に非反転入力信号、反転入
力信号が供給てれる第1の平衡入力端子IXa 、 I
Xbに接続されている。上記第2の差動対トランジスタ
Q211Q2□の各ベースは、上記第3の差動対トラン
ジスタQ3□+Qs+の各ベースに対応的接続され、且
つ非反転入力信号、反転入力信号が供給される第2の平
衡入力端子IYa 、 IYbに接続されると共に抵抗
Re。
Further, the first differential pair transistor. Each base of IIIQ12 has a first balanced input terminal IXa, I to which a non-inverting input signal and an inverting input signal are respectively supplied.
Connected to Xb. Each base of the second differential pair transistor Q211Q2□ is correspondingly connected to each base of the third differential pair transistor Q3□+Qs+, and the second differential pair transistor Q211Q2□ is connected to each base of the third differential pair transistor Q3□+Qs+, and the second are connected to the balanced input terminals IYa and IYb of the resistor Re.

Rdを介して電源Vccに接続されている。It is connected to the power supply Vcc via Rd.

そして、第1の差動対トランジスタQ11゜Q12それ
ぞれのベースバイアスは、以下に説明するような構成に
より供給でれるようになっている。
The base bias of each of the first differential pair transistors Q11 and Q12 can be supplied by the configuration described below.

つ捷り、エミッタが電源Vccに接続されるPNP形の
トランジスタQ+ げ、共通接続されるベースおよびエ
ミッタが定電流源Ioを介し、て接地嘔れている。この
トランジスタQ1 とカレントミラー回路を構成するP
NP形のトランジスタQ2は、エミッタが電源Vccに
接続され、ベースがトランジスタQ2のベースに接続さ
れ、コレクタが図示極性のダイオードD1および抵抗R
1を介して接地きれている。上記トランジスタQ2のコ
レクタおよびダイオードの接続中点は、コンデンサc1
を介して接地てれると共に、抵抗R2およびR3を対応
的に介して上記トランジスタQllおよびQ12の各ベ
ースに接続されるものでろる。
The PNP transistor Q+ has its emitter connected to the power supply Vcc, and its base and emitter, which are commonly connected, are grounded via a constant current source Io. P that constitutes a current mirror circuit with this transistor Q1
The NP-type transistor Q2 has an emitter connected to the power supply Vcc, a base connected to the base of the transistor Q2, and a collector connected to a diode D1 with the polarity shown and a resistor R.
It is grounded through 1. The midpoint of the connection between the collector of the transistor Q2 and the diode is connected to the capacitor c1.
It is connected to the bases of the transistors Qll and Q12 via resistors R2 and R3 correspondingly.

したがって、第1図のトランジスタQl、Q2でなるカ
レントミラー回路は、上記定電流源Io電流に略等しい
電流を上記ダイオードD1および抵抗R1に供給するも
のである。これらダイオードD、および抵抗R1による
電圧降下は、抵抗R2およびR3に介して対応的に上記
トランジスタQ1およびQ2に対し安定したベースバイ
アスを供給するものである。寸だ、上記コンデンサC1
ば、ノイズ成分を接地に側路するように働くものである
。」二記第1の差動対トランジスタQt++Q+□の共
通エミッタ に接続される抵抗ROは、特にローノイズ
化を目的として定電流源に変えて用いられるものである
Therefore, the current mirror circuit made up of the transistors Ql and Q2 in FIG. 1 supplies a current substantially equal to the constant current source Io current to the diode D1 and the resistor R1. The voltage drop across diode D and resistor R1 provides a correspondingly stable base bias for transistors Q1 and Q2 via resistors R2 and R3. That's it, the above capacitor C1
For example, it works to bypass noise components to ground. The resistor RO connected to the common emitter of the first differential pair transistor Qt++Q+□ is used in place of a constant current source especially for the purpose of reducing noise.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

しかしながら、第1図の回路は、電源Vcc’il(圧
のfliに対して、トランジスタQ2のコレクタおよび
ダイオードD1の接続中点の電位Vaが安定化てれるよ
うになされているが、電源Vcc電圧が低下する減電圧
状態では、第1の差動対トランジスタQ+11Q12そ
れぞれのコレクターエミッタ間電圧が小さくなり、トラ
ンジスタQ111Q12が飽和状態になり急激にそれら
の利得が小でくなるといった欠点がある。また、電源V
cc*圧が低下した状態で第1の平衡入力端子IXa 
、 IXbに大入力が加えられると、トランジスタQ+
11Q’l□は、コレクターエミッタ間電圧が小さいの
で、飽和状態となり異常動作の原因ともなっていた。
However, in the circuit of FIG. 1, the potential Va at the connection midpoint between the collector of the transistor Q2 and the diode D1 is stabilized with respect to the voltage fli of the power supply Vcc'il (voltage); In a reduced voltage state where the voltage decreases, the voltage between the collector and emitter of each of the first differential pair transistors Q+11Q12 decreases, causing the transistors Q111Q12 to become saturated and their gain to decrease rapidly. Power supply V
When the cc* pressure has decreased, the first balanced input terminal IXa
, When a large input is applied to IXb, transistor Q+
Since the collector-emitter voltage of 11Q'l□ is small, it becomes saturated and causes abnormal operation.

これに対し、減電圧状態での動作を安定化するには抵抗
R8の電圧降下を小さくすれば良いが第1の平衡入力端
子IXa、 IXbに供給てれる例えばノイズによる同
相入力を抑圧し得なくなるものであり、抵抗R8の電圧
降下は熱電圧VTに比較して充分大きな値としなければ
ならない。
On the other hand, in order to stabilize the operation in a reduced voltage state, it is sufficient to reduce the voltage drop across the resistor R8, but it becomes impossible to suppress the common mode input due to noise, for example, which is supplied to the first balanced input terminals IXa and IXb. Therefore, the voltage drop across the resistor R8 must be a sufficiently large value compared to the thermal voltage VT.

なお、熱電圧VTは、kをデルラマン定数Tを絶対温度
、qを電子の電荷とすれば、 VT=kT/qで示され
るものである。
Note that the thermal voltage VT is expressed as VT=kT/q, where k is the Delraman constant T is the absolute temperature, and q is the charge of the electron.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記の点に鑑みてな妊れたもので、電源電圧
が低下した状態であっても安定に動作し、ノイズの少い
良好なダブルバランス回路を提供することを目的とする
The present invention was conceived in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a good double balance circuit that operates stably even when the power supply voltage is lowered and has less noise.

〔発明の概要〕 この発明は、第1の差動対トランジスタの各コレクタ側
に第2および第3の差動%J )ランジスタそれぞれの
共通エミ、ツタを対応的に接続すると共に、定電流源お
よびカレントミラー回路を有するバイアス部により前記
第1の差!I工j対トランジスタに各ベースバイアスを
供給し、アナログ信号の乗算をなすダブル・ぐランス回
路において、前記カレントミラー回路を構成するトラン
ジスタのコレクタ電圧を所定のレベルに分圧し前記第1
の差動対トランジスタのペースバイアスとする手段を具
備してなることを特徴とするものである。
[Summary of the Invention] The present invention connects the common emitters and vines of the second and third differential transistors to each collector side of the first differential pair transistor in a corresponding manner, and also connects a constant current source. and the first difference ! by a bias section having a current mirror circuit! In a double glance circuit that supplies each base bias to a pair of transistors and performs analog signal multiplication, the collector voltage of the transistor constituting the current mirror circuit is divided to a predetermined level and the first
The present invention is characterized by comprising means for setting a pace bias of the differential pair transistors.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照17てこの発明の一実施例につき詳細に
説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図にこの発明によるダブルバランス回路を示すもの
である。但し、第2図中、第1図と同一部分には同一符
号を付してその説明全省略するものとする。
FIG. 2 shows a double balance circuit according to the present invention. However, in FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

すなわち、前記トランジスタQ2のコレクタおよびダイ
オードD、のアノード相互間には、抵抗RIO1が介挿
接続てれている。上記抵抗RIOおよび前記ダイオード
のアノードの接続中点は、前記トランジスタQ2のコレ
クタ電圧が上記抵抗RIOとダイオードDIおよび前記
抵抗R1とにより分圧される電圧が導出きれるものであ
り、前記抵抗R2+ R3+コンデンサC1の共通一端
が接続されている。
That is, a resistor RIO1 is connected between the collector of the transistor Q2 and the anode of the diode D. The midpoint of the connection between the resistor RIO and the anode of the diode is where the voltage obtained by dividing the collector voltage of the transistor Q2 by the resistor RIO, the diode DI, and the resistor R1 can be derived, and the resistor R2 + R3 + capacitor One common end of C1 is connected.

以上のような構成を備えたダブルバランス回路において
、電源Vcc’屯圧が低下する減電圧状態となると、ト
ランジスタQ2のコレクタ電流が減少しダイオードD、
のアノードの電位VB(つまりバイアス電圧)が低下す
る。このため、第10差動対トランジスタQ111Q1
2が急激に飽和状態となることが防止されるようになる
ので、第2図のダブルバランス回路は、全体の利得の低
下がゆるやか且つ少なくなり、減電圧状態とされても安
定に動作するものである。
In the double-balanced circuit having the above configuration, when the voltage decreases in which the power supply Vcc' voltage decreases, the collector current of the transistor Q2 decreases and the diode D,
The potential VB (that is, the bias voltage) of the anode decreases. Therefore, the 10th differential pair transistor Q111Q1
2 is prevented from suddenly becoming saturated, the double-balanced circuit shown in Figure 2 has a gradual and small drop in overall gain, and operates stably even under reduced voltage conditions. It is.

ここで、抵抗RoおよびRIQ による電圧降下をそれ
ぞれ700 mVお、1: ヒ300 mV K設定し
た場合、第2図の回路と第1図の回路を比較すると、第
2図の回路は電源Vcc電圧に対しトランジスタQII
;hるい(lZtQ t□のコレクターエミッタ間電圧
VCEが第3図中実線で示でれるように変化するもので
ある。これに対して、第1図の回路は電源Vcc電圧に
対しトランジスタQ11ろるい1jQt2のコレクター
エミッタ間軍、圧VCEが第3図中破線で示されるよう
に変化する。
Here, if the voltage drops due to resistors Ro and RIQ are set to 700 mV and 300 mV K, respectively, then comparing the circuit in Figure 2 with the circuit in Figure 1, the circuit in Figure 2 has a voltage drop of 700 mV and 300 mV. For transistor QII
; hrui (lZtQ t□'s collector-emitter voltage VCE changes as shown by the solid line in FIG. 3. On the other hand, in the circuit of FIG. The collector-emitter voltage VCE of bright 1jQt2 changes as shown by the broken line in FIG.

このような比較によれば第3図からも明ら〃・なように
、第2図の回路は、電源Vcc電圧の低下に対してトラ
ンジスタQ1□乃至Q1□のコレクターエミッタ間電圧
の変化がゆるやかでアリ、安定に動作することがわかる
According to this comparison, it is clear from Fig. 3 that in the circuit of Fig. 2, the collector-emitter voltage of transistors Q1□ to Q1□ changes gradually as the power supply Vcc voltage decreases. You can see that it works stably.

また、第2図の回路は、抵抗ROによる電圧降下を熱電
圧VTに対して充分高くとることができるので第1の平
衡入力端子IXa 、 IXbに供される同相人力を充
分に抑圧し得るものであり、良好なローノイズ特性を示
すものである。
Furthermore, the circuit shown in FIG. 2 can sufficiently suppress the in-phase power applied to the first balanced input terminals IXa and IXb since the voltage drop caused by the resistor RO can be made sufficiently high with respect to the thermal voltage VT. This shows good low noise characteristics.

ところで、トランジスタQ2が飽和状態となる電源Vc
c[圧は、トラン・ゾスタQ2の飽和状態となる飽和電
圧と、ダイオードD1の順方向電圧と、抵抗R1+R1
0それぞれの電圧降下の総和となる。1だトランジスタ
Q11 乃至Q12が飽和状態となる電源Vcc電圧は
、トランジスタQ11 乃至Q12の飽オロ電圧と、ト
ランジスタQ211Q22 乃至Q311Q32  の
ベース−エミッタ間電圧と、抵抗ROの電圧降下の総和
となる。
By the way, the power supply Vc at which the transistor Q2 becomes saturated
c [voltage is the saturation voltage of the trans-zoster Q2, the forward voltage of the diode D1, and the resistor R1+R1
0 is the sum of each voltage drop. The power supply Vcc voltage at which the transistors Q11 to Q12 become saturated is the sum of the saturation voltage of the transistors Q11 to Q12, the base-emitter voltage of the transistors Q211Q22 to Q311Q32, and the voltage drop across the resistor RO.

そこで、ダイオードD+ としてペース−ルクタ間を短
絡したトランジスタを用いるならば、ダイオードD、の
順方向電圧とトランノスタQ211Q22乃至Q311
Q32のベース−エミッタ間電圧とが略等しくナリ、ト
ランジスタQ2が飽和状態となる電源Vcc電圧と、第
1の差動対トランジスタQ+11Q+2が飽和状態とな
る電源Vcc電圧との差は、抵抗RIOの電圧降下ぶん
だけとなる。これにより、抵抗RIOは、抵抗値を所望
の降下′重圧が得られるように適宜設定すれば良い。ま
た、谷トランジスタQ211Q2□。
Therefore, if a transistor with a short-circuit between the pacer and the luctor is used as the diode D+, the forward voltage of the diode D and the trannostar Q211Q22 to Q311
The voltage between the base and emitter of Q32 is approximately equal, and the difference between the power supply Vcc voltage at which the transistor Q2 becomes saturated and the power supply Vcc voltage at which the first differential pair transistor Q+11Q+2 becomes saturated is the voltage of the resistor RIO. It will just fall. Accordingly, the resistance value of the resistor RIO may be appropriately set so as to obtain a desired drop pressure. Also, valley transistor Q211Q2□.

Q31PQ32に供給される電源電圧が電源VCC電圧
よりも低い場合、それに応じて抵抗RIOの電圧降下を
大きくして−やれば良い。
If the power supply voltage supplied to Q31PQ32 is lower than the power supply VCC voltage, the voltage drop across the resistor RIO may be increased accordingly.

なお、この発明は上記実施例のみに限定されるものでは
なく、例えば第4図に示すように変形しても良い。但し
、第4図中、第2図と同一部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and may be modified as shown in FIG. 4, for example. However, in FIG. 4, the same parts as in FIG. 2 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

すなわち、カレントミラー回↓・16を]1η成する前
記各トランジスタQl  、Q2の各エミッタは、対応
的に抵抗RII + R12を介して電源Vccに接続
しアーリー効果の影響を小てくしている。そして、ダイ
オードD、の力)わりにコレクターペース間を共通接続
したトランジスタQ3が用いられている。捷た、第1の
差動対トランジスタQ+31QI4それぞれのエミッタ
間には、抵抗R11IR12が直列的に介挿接続はれ、
抵抗R11R12の接続中点に抵抗R8一端が接続され
てローノイズ化がなをれるようになっているものでるる
That is, the emitters of the transistors Ql and Q2 forming the current mirror circuit ↓.16]1η are connected to the power supply Vcc via corresponding resistors RII+R12 to reduce the influence of the Early effect. In place of the diode D, a transistor Q3 is used which connects the collector pads in common. Resistors R11IR12 are connected in series between the emitters of the first differential pair transistors Q+31QI4,
One end of the resistor R8 is connected to the midpoint between the resistors R11 and R12 to reduce noise.

その他、種々の変形や適用はこの発明の要旨を逸脱しな
い範囲で可能であることは言う迄もない。
It goes without saying that various other modifications and applications are possible without departing from the gist of the invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳述したようにこの発明によれば、電源電圧が低下
した状態であっても安定に動作し、ノイズの少ない良好
なダブルバランス回路全提供することができるものであ
る。
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide an excellent double-balanced circuit that operates stably even when the power supply voltage is lowered and has less noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のダブルバランス回路を示す回路図、第2
図はこの発明に係るダブルバランス0)コ路 し)−−J 回路を示す回路図、第3図は第2図の効果を説明するた
めに用いた図、第4図は他の実施例を示す図である。 Qlll QI21 Q21P Q221 Qa++ 
Q3□+ Q I+Q2  、Qs ”・)ランソスタ
、Ro 、R,、、、、。 R3+ RIon”’pR12”’抵抗、■o・・・定
電流源、=D1 ・・・ダイオード。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第3図 VCC[、VJ
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional double balance circuit, Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional double balance circuit.
The figure is a circuit diagram showing a double balance circuit according to the present invention, FIG. 3 is a diagram used to explain the effect of FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram showing another embodiment. FIG. Qllll QI21 Q21P Q221 Qa++
Q3□+ Q I+Q2 , Qs ”・) Lansostar, Ro , R, ,,,,. R3+ RIon”'pR12”' Resistor, ■ o... Constant current source, = D1... Diode. Applicant's representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 3 VCC [, VJ

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1の差動対トランジスタの各コレクタ側に第2および
第3の差動対トランジスタそれぞれの共、11エミ、、
夕を対応的に接続すると共に、定電流源およびカレント
ミラー回路を有するバイアス部により前記第1の差動対
トランジスタに各ペースバイアスを供給し、アナログ信
号の乗算をなすダブルバランス回路において、前記カレ
ントミラー回路を構成するトランジスタのコレクタ′市
圧を所定のレベルに分圧し前記第1の差動対トランジス
タのベースバイアスとする手段を具備してなることを特
徴とするダブルバランス回路。
On the collector side of each of the first differential pair transistors, each of the second and third differential pair transistors has 11 emitters.
In the double-balanced circuit, the bias section having a constant current source and a current mirror circuit supplies each pace bias to the first differential pair transistors to perform analog signal multiplication. 1. A double balance circuit comprising means for dividing the collector voltage of the transistors constituting the mirror circuit to a predetermined level and using the voltage as a base bias for the first differential pair transistors.
JP19557782A 1982-11-08 1982-11-08 Double balancing circuit Granted JPS5985574A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS619767A (en) * 1984-06-25 1986-01-17 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション Multiplication circuit
JPS623524A (en) * 1985-06-28 1987-01-09 Mitsubishi Electric Corp Switch circuit

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JPS623524A (en) * 1985-06-28 1987-01-09 Mitsubishi Electric Corp Switch circuit

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