JPS5984579A - シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS5984579A JPS5984579A JP57194581A JP19458182A JPS5984579A JP S5984579 A JPS5984579 A JP S5984579A JP 57194581 A JP57194581 A JP 57194581A JP 19458182 A JP19458182 A JP 19458182A JP S5984579 A JPS5984579 A JP S5984579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- schottky junction
- drain
- forming
- source electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
- H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
- H10D30/877—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET] having recessed gate electrodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（肢業上の利用分野）
本’ｉｂ 明ｔ、’ｌ：ショットキ接合ダート形電界効
呆ｌ・ランシスタ及びその製造方法に関するものである
。
呆ｌ・ランシスタ及びその製造方法に関するものである
。
（従来技術）
ンヨツＩ−キ按合ケート彫電界効果トランジスタ（以］
・ｈ’ ｇ ’ｒと略称する）を超尚周波、超畠速でＷ
υ作δ−しる場合、ケート電極は１μｍ以１のラフミク
ロンオーダのケート長が妾求芒れる。。
・ｈ’ ｇ ’ｒと略称する）を超尚周波、超畠速でＷ
υ作δ−しる場合、ケート電極は１μｍ以１のラフミク
ロンオーダのケート長が妾求芒れる。。
丑だ伝達コンタクタンス（ｇｍ ）の低下全防ぐことを
目的として、ソース電極とゲート電極間の抵抗（ｉ＜６
）の低減かＱよ〃１ら１シ１おり、例えは第１図に示
すリセス構造、或は第２図、第３図にボさ７ｔ、るｎ＋
栴造か一服にとら７１．ている。図において１は半絶縁
性ＧａＡＳ 基板、２はｎ形ＧａＡ３層、３はｎ＋Ｇａ
Ａｓ Ｊ＝、４はソース電極、５はドレイン′ｌｊｊ、
倭、７はケートンヨットギ接合形成金Ａ’Ｂ （？Ｕえ
はＮｉ ） ｆ ７Ｊ＜す。いずｌしの構造に２いても
リセスなたはｎ＋はケート電極喘に接近していることか
抵抗１℃Ｓ低減のだルノ効果的でおる。
目的として、ソース電極とゲート電極間の抵抗（ｉ＜６
）の低減かＱよ〃１ら１シ１おり、例えは第１図に示
すリセス構造、或は第２図、第３図にボさ７ｔ、るｎ＋
栴造か一服にとら７１．ている。図において１は半絶縁
性ＧａＡＳ 基板、２はｎ形ＧａＡ３層、３はｎ＋Ｇａ
Ａｓ Ｊ＝、４はソース電極、５はドレイン′ｌｊｊ、
倭、７はケートンヨットギ接合形成金Ａ’Ｂ （？Ｕえ
はＮｉ ） ｆ ７Ｊ＜す。いずｌしの構造に２いても
リセスなたはｎ＋はケート電極喘に接近していることか
抵抗１℃Ｓ低減のだルノ効果的でおる。
し７Ｊ・シなから第１図１〜第３図の構造にお・いてゲ
ート長盆短４ｔｉ’ｉ した場合、Ｆ Ｅ ’Ｉ”ｔｌ
、θｔｅ −電圧１１１−性の飽和領域においてドレイ
ンコンダクタン７（ｇａ）の太古人か〃・ら才′しる。
ート長盆短４ｔｉ’ｉ した場合、Ｆ Ｅ ’Ｉ”ｔｌ
、θｔｅ −電圧１１１−性の飽和領域においてドレイ
ンコンダクタン７（ｇａ）の太古人か〃・ら才′しる。
ドレインコンタクタンスｇｄの増加はＦ Ｅ Ｔを瑠１
１す４器等に使用した場合、ケインの低−ト葡招き好ま
しくないものである。
１す４器等に使用した場合、ケインの低−ト葡招き好ま
しくないものである。
第４図は、半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌにイオン注入により
キャリア濃Ｋ ３ Ｘ ｌｕ”ｃｍ−” 、 厚さ
約１５００久の１１形ＧａＡｓ層２ヶ形Ｊ或し、ソー
ス及びドレイン電極どなるべきメーム性接触電極である
ソース電極４とドレイン電極５を設り、リセス構造とす
るためケート′ＩＬ極部のｎ形ＧａＡＳφ層忙エツチン
グにより深８１ＯＯＯＡ 、 ｒｌ〕Ｌ、２μｍ、長さ
１００ Ｐｍの掘込外６を行い、ケート長Ｑ、Ｂ ｐｍ
。
キャリア濃Ｋ ３ Ｘ ｌｕ”ｃｍ−” 、 厚さ
約１５００久の１１形ＧａＡｓ層２ヶ形Ｊ或し、ソー
ス及びドレイン電極どなるべきメーム性接触電極である
ソース電極４とドレイン電極５を設り、リセス構造とす
るためケート′ＩＬ極部のｎ形ＧａＡＳφ層忙エツチン
グにより深８１ＯＯＯＡ 、 ｒｌ〕Ｌ、２μｍ、長さ
１００ Ｐｍの掘込外６を行い、ケート長Ｑ、Ｂ ｐｍ
。
ケート巾ｉｏｏμ７ｎのゲート’ｔｋｊ極７葡図の如く
・ｌＥ右非対称に形、Ｊ必した構造のＦＥＴである。
・ｌＥ右非対称に形、Ｊ必した構造のＦＥＴである。
いま第４図に計い一〇１オーム仙千女月虫’Ｒｓ極４勿
ソース電極、５をドレイン電極とした場合のＦＥＴ特性
を第５図にボす。ＶＤはドレイン電圧。
ソース電極、５をドレイン電極とした場合のＦＥＴ特性
を第５図にボす。ＶＤはドレイン電圧。
ＩＤＶはドレイン電流ケ示す。
また第６凶は、第４図のオーム性接触電極５葡ソース電
極、４’ｆｆドレイン電極に、即ちソース及びドレイン
′亀慎乞連接続にし７ｔ楊合で、そのｌ鴫゛Ｅ ’ｒ
ｑｑｔ性〒第７図にボす。
極、４’ｆｆドレイン電極に、即ちソース及びドレイン
′亀慎乞連接続にし７ｔ楊合で、そのｌ鴫゛Ｅ ’ｒ
ｑｑｔ性〒第７図にボす。
第５図、弔７図にケら７’Ｌるようにケート電極端りナ
ヤンネルの構造により、ｈ゛１！ｌ Ｔ １１！ｉ性の
飽：４１１饋域におりるｇｄ （電流−′電圧特性の傾
さ）に弄異か生しることがわかる。い１第４図において
ゲート市圧（Ｖｇ） ′＋ｃ一定とし、Ｆ Ｅ ’ｌ”
特性の飽オ］１歓域にｈ・いてトレイン電圧（ＶＤ）葡
増加しＩＣ場合、′電昇分布によシケート空乏層８のド
レイン′屯他側がドレイン′屯極方向に伸ひ易いか、第
６図の接＾つＬではケート空乏層のトレイン方向−＼の
仰ひはイ！１ｍ少で、ソース方向へ仰ひ易い。しかるＶ
（ドレイン飽イ１ｊ電流（ＩＤｂｓ）ｔまゲート空乏１
９・ノートのナヤンネルｊ反う入部リコンタクタンスと
電昇に依イイーｊる。従づで第４図の１１４竜では飽Ｉ
・領域に↓・い−Ｃ１Ｆレイン′喝圧■ＤのＪｌ’ｉ加
によるドレイン飽和゛屯Ｏｉｔ １ＤｓｓＵ）増加か、
空乏層のドレイン電極方向への伸びによるコンダクタン
スの低１によつで押えらｒＬｇｄｉよ小でめるか、第６
図でｔユコンダクタンスの低下が僅少なためＩＤ５Ｓは
増加し、即ちｇ（１の増大となる。
ヤンネルの構造により、ｈ゛１！ｌ Ｔ １１！ｉ性の
飽：４１１饋域におりるｇｄ （電流−′電圧特性の傾
さ）に弄異か生しることがわかる。い１第４図において
ゲート市圧（Ｖｇ） ′＋ｃ一定とし、Ｆ Ｅ ’ｌ”
特性の飽オ］１歓域にｈ・いてトレイン電圧（ＶＤ）葡
増加しＩＣ場合、′電昇分布によシケート空乏層８のド
レイン′屯他側がドレイン′屯極方向に伸ひ易いか、第
６図の接＾つＬではケート空乏層のトレイン方向−＼の
仰ひはイ！１ｍ少で、ソース方向へ仰ひ易い。しかるＶ
（ドレイン飽イ１ｊ電流（ＩＤｂｓ）ｔまゲート空乏１
９・ノートのナヤンネルｊ反う入部リコンタクタンスと
電昇に依イイーｊる。従づで第４図の１１４竜では飽Ｉ
・領域に↓・い−Ｃ１Ｆレイン′喝圧■ＤのＪｌ’ｉ加
によるドレイン飽和゛屯Ｏｉｔ １ＤｓｓＵ）増加か、
空乏層のドレイン電極方向への伸びによるコンダクタン
スの低１によつで押えらｒＬｇｄｉよ小でめるか、第６
図でｔユコンダクタンスの低下が僅少なためＩＤ５Ｓは
増加し、即ちｇ（１の増大となる。
以上の簡明盆’ｔｉｌｔ造的にみると、第４図及び第６
図に２いて図中にボした゛部分の厚さａ 、 ａｏにつ
いて−か１に近いはどｇｄは小となる。ここで０ ９ ｒ；Ｊ：振…」空乏層を示す。しかじｌ〃）も第４
図の４１う造に２いてもケート電圧（ｖｇ）を増加し空
乏の条件からはつ７ｔてくる。
図に２いて図中にボした゛部分の厚さａ 、 ａｏにつ
いて−か１に近いはどｇｄは小となる。ここで０ ９ ｒ；Ｊ：振…」空乏層を示す。しかじｌ〃）も第４
図の４１う造に２いてもケート電圧（ｖｇ）を増加し空
乏の条件からはつ７ｔてくる。
（発明の目的）
不発り」は上記の欠点全改善するために提案されたもの
で、ショットキ按合形′屯界効朱トランジスタに２いて
ドレインコンダクタンスの、増大全防止ツーる。ことを
目的とするものでめる。
で、ショットキ按合形′屯界効朱トランジスタに２いて
ドレインコンダクタンスの、増大全防止ツーる。ことを
目的とするものでめる。
（発明の栴成）
ここでい１、ａｏ企−エ変としａ。ｏｃａでめｎはＶｇ
の全域にわＩこつてヱ≦１の条件勿閥テこをかでｌｌ きる。ＨｌＩら本発明は第８図又は第９図に示す如ぐケ
ート空乏層の形状に段差をあたえることで具体化さｌし
るものである。
の全域にわＩこつてヱ≦１の条件勿閥テこをかでｌｌ きる。ＨｌＩら本発明は第８図又は第９図に示す如ぐケ
ート空乏層の形状に段差をあたえることで具体化さｌし
るものである。
前記の目的化達成りるため、木兄すＪはケート′汁７４
ｉ町都のショットキ接仕向が、テヤンイ・ルの厚さ方向
にソース′屯極側で陳く、ドレイン電極間で浅い段走葡
イｊするケート電極構造全特徴とし７こショットキ法会
ケート形篭界効果トジンジスタケう６明の匿旨と−ｊる
ものである。
ｉ町都のショットキ接仕向が、テヤンイ・ルの厚さ方向
にソース′屯極側で陳く、ドレイン電極間で浅い段走葡
イｊするケート電極構造全特徴とし７こショットキ法会
ケート形篭界効果トジンジスタケう６明の匿旨と−ｊる
ものである。
さらに不発り」はケート′喝極郡のショットキ接合間か
チャン坏ルの厚さ方向にソース′１１Ｌ極側で深く、ド
レイン′屯４似１則で浅いｆ貝余ｋｋイｆするケート′
電極４’ｉ’＋遺を牛′ｆ徴としたショットキ」茨会ケ
ート形電界効釆トランジスタを発明の賃上とするもので
ある。
チャン坏ルの厚さ方向にソース′１１Ｌ極側で深く、ド
レイン′屯４似１則で浅いｆ貝余ｋｋイｆするケート′
電極４’ｉ’＋遺を牛′ｆ徴としたショットキ」茨会ケ
ート形電界効釆トランジスタを発明の賃上とするもので
ある。
δらに本’ｔｂ ！ＪＪ Ｉｔまショットキ接合のビル
トイン市圧の商い生Ａ・謁をソース′屯極側に、これと
連続してビルトイン市圧の低い金属ｔドレイン電極狽１
１にＩ′ｊ已ｉ白しだケート′１区極（汚造全特位とし
たショットキ法会ケート形電界効果ト２ンジスクを発明
の侠旨とするものである。
トイン市圧の商い生Ａ・謁をソース′屯極側に、これと
連続してビルトイン市圧の低い金属ｔドレイン電極狽１
１にＩ′ｊ已ｉ白しだケート′１区極（汚造全特位とし
たショットキ法会ケート形電界効果ト２ンジスクを発明
の侠旨とするものである。
芒らに本発明は半絶縁性又は絶縁性基板上に半導体層を
形Ｉ戊し７ζウエノ・の主面上に、前記半導体層とオー
ム性接触をイコするソース電極及びドレイン電極勿形成
する工程と、前記ソース電極とドレイン電極間にストラ
イフ状の開口部全有するホトレジストを形成する工程と
、前記ホトレジストの開口部の半導体層上ソース電極側
で深く、ドレイン電極側で浅い段差又は傾斜状に掘込む
エイ４Ｉｉと、前記ホトレジストの開口部を含めたレジ
スト全１ｍに金Ｍｊ ｋ耐着する工程と、前記ホトレジ
スト全溶解し、前記ホトレジスト上の金ｋＪ４ ’ｆｃ
除去する工程と金倉むこと全特徴としたショットキ接合
ゲート形電界効果トランジスタのｆＡＡ造力法盆発明の
賃旨とするものである。
形Ｉ戊し７ζウエノ・の主面上に、前記半導体層とオー
ム性接触をイコするソース電極及びドレイン電極勿形成
する工程と、前記ソース電極とドレイン電極間にストラ
イフ状の開口部全有するホトレジストを形成する工程と
、前記ホトレジストの開口部の半導体層上ソース電極側
で深く、ドレイン電極側で浅い段差又は傾斜状に掘込む
エイ４Ｉｉと、前記ホトレジストの開口部を含めたレジ
スト全１ｍに金Ｍｊ ｋ耐着する工程と、前記ホトレジ
スト全溶解し、前記ホトレジスト上の金ｋＪ４ ’ｆｃ
除去する工程と金倉むこと全特徴としたショットキ接合
ゲート形電界効果トランジスタのｆＡＡ造力法盆発明の
賃旨とするものである。
姑らに本発明は半絶縁性基板又は絶縁性基板上に半導体
層を形Ｊ戊したウェハの土山１上に、前記半導体層とオ
ーム性慨触葡有するソース電極及びドレイン電極全形成
する工程と、Ｄｊｊ記ソース電極とドレイン′亀他聞に
ストライプ林の開口都留イ〕するホトレンス）？ｒ形成
フーる工程と、２００〜４００Ｃ１／Ｊ温度域の熱処理
でショットキ接合面の位１１−ｔが変化しない金ｋｆ４
ｋ、前を己ホトレゾストＩｊｉｊＬ１部千専体ノ曽すソ
ース′屯極Ｉｔ（ＩＩがＭｉ＋記ホトレジスト開ト」都
１１１１１壁により陰となシ、ドレイン電極側のみにＡ
ｉＪ記金Ａ・」４孕附漕せしめる方向及び角度乞・もつ
で斜め蒸府する工程と、２００〜４００℃の温度域の熱
処理でショットギ接会血が半導体内１年に移行する金机
葡、０１１配ホトレジストυｉ」日部の４１導体旭の少
くとも蕗出部分を被核せしめる方向及び角１ｆｆｉ弦も
って蒸１１する上桟と、ホトレゾストヲ浴）＋Ｖし、前
古己ホトレジスト」二のすべての金Ｊ’＋ｉを除去フ”
る工程と、２００〜４００’Ｃ（Ｄ温度域で熱処理をす
る工程と葡含も・ことを’１４−徴としたンヨツトキ接
合ケート形電界効果トシンジスタのＮ迫力を去奮光りＪ
の吸上とするものでわる。
層を形Ｊ戊したウェハの土山１上に、前記半導体層とオ
ーム性慨触葡有するソース電極及びドレイン電極全形成
する工程と、Ｄｊｊ記ソース電極とドレイン′亀他聞に
ストライプ林の開口都留イ〕するホトレンス）？ｒ形成
フーる工程と、２００〜４００Ｃ１／Ｊ温度域の熱処理
でショットキ接合面の位１１−ｔが変化しない金ｋｆ４
ｋ、前を己ホトレゾストＩｊｉｊＬ１部千専体ノ曽すソ
ース′屯極Ｉｔ（ＩＩがＭｉ＋記ホトレジスト開ト」都
１１１１１壁により陰となシ、ドレイン電極側のみにＡ
ｉＪ記金Ａ・」４孕附漕せしめる方向及び角度乞・もつ
で斜め蒸府する工程と、２００〜４００℃の温度域の熱
処理でショットギ接会血が半導体内１年に移行する金机
葡、０１１配ホトレジストυｉ」日部の４１導体旭の少
くとも蕗出部分を被核せしめる方向及び角１ｆｆｉ弦も
って蒸１１する上桟と、ホトレゾストヲ浴）＋Ｖし、前
古己ホトレジスト」二のすべての金Ｊ’＋ｉを除去フ”
る工程と、２００〜４００’Ｃ（Ｄ温度域で熱処理をす
る工程と葡含も・ことを’１４−徴としたンヨツトキ接
合ケート形電界効果トシンジスタのＮ迫力を去奮光りＪ
の吸上とするものでわる。
ａらに木兄１夕」は半絶縁性基板又ｖ、Ｌ杷１．イ、１
クト基板」二に生竹・俸）曽を形Ｊ戊したワエノ・の王
ｏｎ上に、前ｉ他生２、・Ｉｆｌ、層とメーム性接触を
有するソース電極及びドレイン′屯極會形Ｊ戊する工程
と、前記ソース゛電極とドレイン電イリ伺１１１にスト
ライブ状の開口ＩＢ ７．イＪするホ］・レジスト７ｃ
形成する工程と、ショットキ嵌合のビルトイン電圧の低
い金病を、前り己ポトレジストレ１０」部半碑体層のソ
ース電極側がｉｊＵ配ポトレシスト開口部側壁により陰
となり、トレイン′屯悼ｆｉｌｌのφに前記金ｂ）を附
之百せしめる方向及び角度をもって斜め蒸尤するエイ呈
と、ショツ［・キ接合のヒルトイン′電圧が＝ｉＪ記４
＝ Ａ’Ｊ＋ １り向い金ス・」４鞘、前記ホトレジス
） １ｊｉｊ１部の十縛体層の少くともｂｈ山部分を被
接ぜしめゐ方向及び角度裟もって蒸χｆする工程と、ホ
）・レンスト缶γ行屓し、１ｌｌｌＮ己ホトレゾスト」
二のすべての金属基を除去する二Ｉ−程と？含むこと乞
ｑ’（を徴としたショットキ接合ケート形屯界幼呆トシ
ンジスクの製造方法を発明の歎旨とするものでるる。
クト基板」二に生竹・俸）曽を形Ｊ戊したワエノ・の王
ｏｎ上に、前ｉ他生２、・Ｉｆｌ、層とメーム性接触を
有するソース電極及びドレイン′屯極會形Ｊ戊する工程
と、前記ソース゛電極とドレイン電イリ伺１１１にスト
ライブ状の開口ＩＢ ７．イＪするホ］・レジスト７ｃ
形成する工程と、ショットキ嵌合のビルトイン電圧の低
い金病を、前り己ポトレジストレ１０」部半碑体層のソ
ース電極側がｉｊＵ配ポトレシスト開口部側壁により陰
となり、トレイン′屯悼ｆｉｌｌのφに前記金ｂ）を附
之百せしめる方向及び角度をもって斜め蒸尤するエイ呈
と、ショツ［・キ接合のヒルトイン′電圧が＝ｉＪ記４
＝ Ａ’Ｊ＋ １り向い金ス・」４鞘、前記ホトレジス
） １ｊｉｊ１部の十縛体層の少くともｂｈ山部分を被
接ぜしめゐ方向及び角度裟もって蒸χｆする工程と、ホ
）・レンスト缶γ行屓し、１ｌｌｌＮ己ホトレゾスト」
二のすべての金属基を除去する二Ｉ−程と？含むこと乞
ｑ’（を徴としたショットキ接合ケート形屯界幼呆トシ
ンジスクの製造方法を発明の歎旨とするものでるる。
次ＶＣ木兄明の実施例を麟句図１１１＋について・説明
する。なお・、芙ん例は一つの例ボ１めって、木兄ψ」
のｌｒｇ神？逸１況しない範囲内で、独々の変更あるい
は救民全行いうることは呂う丑でもない。
する。なお・、芙ん例は一つの例ボ１めって、木兄ψ」
のｌｒｇ神？逸１況しない範囲内で、独々の変更あるい
は救民全行いうることは呂う丑でもない。
実施例
ｄｊ ｔｏ 図＆ｊ’、半杷縁９ ＧａＡｓ基板１−１
． ＦＩＸ ｐ、１．、４１」Ｉ成長ニヨリキャリア碌
３２．２ Ｘ １０”＞＋−’ 、 ）”Ｊ−３２００
ＯＡのｎ形ＧａＡ３１曽２缶エピタキシャル成長もせグ
こウエハン〔用い、上記ｎ形ＧａＡ３上ＶＣ：Ａ−−ム
性接１’＋：Ｌ ’ｃもつ）こソース′Ｉ−ＩＬ４ケ〕
及びドレイン′１４元（かメ５ヶＡｌｌ ／ にｅ ／
Ｎ ｉ鞘用い既知の方法でルＪ或する。
． ＦＩＸ ｐ、１．、４１」Ｉ成長ニヨリキャリア碌
３２．２ Ｘ １０”＞＋−’ 、 ）”Ｊ−３２００
ＯＡのｎ形ＧａＡ３１曽２缶エピタキシャル成長もせグ
こウエハン〔用い、上記ｎ形ＧａＡ３上ＶＣ：Ａ−−ム
性接１’＋：Ｌ ’ｃもつ）こソース′Ｉ−ＩＬ４ケ〕
及びドレイン′１４元（かメ５ヶＡｌｌ ／ にｅ ／
Ｎ ｉ鞘用い既知の方法でルＪ或する。
（、Ｘ ｖｃ、第１１図に７Ｆ、丁ことくケート′「１
臂４４廖となるべき１１７．１１Ｊ、にレジスト厚さ１
．２μｎ７−仁、１１Ｊ１μＩｎ 、長さ５０１１ｍの
ストライプ状のし１」口部ケもつ７こ７１＝ ） Ｖシ
スト」０間品名（ＡＺ −１４７０）佑ｊ詰、矢１１の
ノＪ法で形）反し、入床ｉ ７Ｊ」３０度の斜め方向よ
りレジメ） １ｊｒ１１−１都のＩＩ形ＧａＡｓ 、Ｉ
Ｗ ２のソース’ｊ、ｔＬ４Ｈｊｌ（’ｆ了りのｂｉｔ
’ｙｊ’、（ｆＪ ３（１０Ａイオンζ−リングによ
りうＡ１１込４・し：カーλＵ＼１１と４北、９書（ミ
ーリングＩＩｃよるクメー７１５イノの１！、１−ム奴
ひチャ／ネルの厚もＮｒａ ’３暦のたＭｌイ？Ｊ７０
０Å／７ζカルエツブーク１ゴ９゜次にケート′ｉ紅４
１ｙ（のショットキ」ｌ（侶促ノ１４ノ戊り゛る金林１
７としてＮｌｔ約２００ｋ、災に’ｌ’ｉ １２ ％約
１０００＾、Ａｕ １３ ｋ ５０００人連ｆｌ＋７じ
７ｉｓ ノ１１ °ｊ ／）ｏ、 Ａｕ Ｑよ ケ
− ト ′ｉＩ ＋ｘ の メ タ ル 旧人（冗
７．（ト１ｔ−Ｊ ：ｂ Ｉ−」的のもｏ−Ｃ２ｈ
９ 、’Ｌ’ｌはＩ’Ｊｉ 、 Ａｕ１ｉ？Ｉの〕くツ
ファのイ支目に丁４）金加コである。（第１２区１俊１
ｔｊ ）仄にホトレジ？、１・勿アセｔ〉Ｔ （’ｕ
）！ｊ Ｌ 、月ミドレジスト上の丁′＼ての’、＆
ｈｈ （！−除去（リフトメフジしてケート電極音形成
１−る。（第１３１Δつ第１４図１１ｔｌ以」二の上程
娑刺−で表作じ／ζＰ’ Ｅ Ｔの７ｈ１臼己７ｊＬ乃
く１゜ゲート巾−５０μ７Ｎ、ケート我１０ｍ（ホトレ
ジス］・開口部寸法）でめるか、キ＾′１ノアの走何に
対する火幼ケート長は’ｌ”Ｊ Ｏ，６ｐｍでりる。
４口４ し９ は」二り已の イ１ｂ ぶなの １仔１
’＝Ｌ、 ’ｔｓ： ／Ｊ＜ Ｌ、 第１ξ）
凶は第１３図に衣小したソースｒｔ！、ＱＪ＜ Ｓとト
レイン′１わ。
臂４４廖となるべき１１７．１１Ｊ、にレジスト厚さ１
．２μｎ７−仁、１１Ｊ１μＩｎ 、長さ５０１１ｍの
ストライプ状のし１」口部ケもつ７こ７１＝ ） Ｖシ
スト」０間品名（ＡＺ −１４７０）佑ｊ詰、矢１１の
ノＪ法で形）反し、入床ｉ ７Ｊ」３０度の斜め方向よ
りレジメ） １ｊｒ１１−１都のＩＩ形ＧａＡｓ 、Ｉ
Ｗ ２のソース’ｊ、ｔＬ４Ｈｊｌ（’ｆ了りのｂｉｔ
’ｙｊ’、（ｆＪ ３（１０Ａイオンζ−リングによ
りうＡ１１込４・し：カーλＵ＼１１と４北、９書（ミ
ーリングＩＩｃよるクメー７１５イノの１！、１−ム奴
ひチャ／ネルの厚もＮｒａ ’３暦のたＭｌイ？Ｊ７０
０Å／７ζカルエツブーク１ゴ９゜次にケート′ｉ紅４
１ｙ（のショットキ」ｌ（侶促ノ１４ノ戊り゛る金林１
７としてＮｌｔ約２００ｋ、災に’ｌ’ｉ １２ ％約
１０００＾、Ａｕ １３ ｋ ５０００人連ｆｌ＋７じ
７ｉｓ ノ１１ °ｊ ／）ｏ、 Ａｕ Ｑよ ケ
− ト ′ｉＩ ＋ｘ の メ タ ル 旧人（冗
７．（ト１ｔ−Ｊ ：ｂ Ｉ−」的のもｏ−Ｃ２ｈ
９ 、’Ｌ’ｌはＩ’Ｊｉ 、 Ａｕ１ｉ？Ｉの〕くツ
ファのイ支目に丁４）金加コである。（第１２区１俊１
ｔｊ ）仄にホトレジ？、１・勿アセｔ〉Ｔ （’ｕ
）！ｊ Ｌ 、月ミドレジスト上の丁′＼ての’、＆
ｈｈ （！−除去（リフトメフジしてケート電極音形成
１−る。（第１３１Δつ第１４図１１ｔｌ以」二の上程
娑刺−で表作じ／ζＰ’ Ｅ Ｔの７ｈ１臼己７ｊＬ乃
く１゜ゲート巾−５０μ７Ｎ、ケート我１０ｍ（ホトレ
ジス］・開口部寸法）でめるか、キ＾′１ノアの走何に
対する火幼ケート長は’ｌ”Ｊ Ｏ，６ｐｍでりる。
４口４ し９ は」二り已の イ１ｂ ぶなの １仔１
’＝Ｌ、 ’ｔｓ： ／Ｊ＜ Ｌ、 第１ξ）
凶は第１３図に衣小したソースｒｔ！、ＱＪ＜ Ｓとト
レイン′１わ。
４１九り介゛逆にゴ友計几し／こ」易合の斗！ｔ１」−
ｃわる。
ｃわる。
−Ｊこ：施１少１」（２）
第１６財１〜第２１図は小党ゆ」の他の火〃１ｔψ１」
てりめ。
てりめ。
第１６図にあ・い′℃、１は半記様性ＧａＡｓ基板でめ
り、２は気Ａ１） ＩＩＱ、 Ｊ＜によリエビタキ７ヤ
ル成長さ−１したＡ−ヤリアＹＪＩＬ ４．１ ｘｉｏ
ｔｊｎ 、厚さＹノ１２０ＯＡの１１形ＧａＡｓ僧
ｔ ７．＋ ６゜ｎ形ＧａＡｓ ）’ｉｓｌ ２上Ｖこ
メーーム性嵌朋７もったソース７１ａ−極４及びトレイ
ノ’ｒｌｊ ４Ｊ％ ５”ｒｓ： ＡＬＬ／ Ｇｅ ／
Ｎｉ ｔ、１用い、水累坏囲気甲−Ｃ４５０℃で３υ
秒熱処理ケ施して形Ｊ戎すゐ。
り、２は気Ａ１） ＩＩＱ、 Ｊ＜によリエビタキ７ヤ
ル成長さ−１したＡ−ヤリアＹＪＩＬ ４．１ ｘｉｏ
ｔｊｎ 、厚さＹノ１２０ＯＡの１１形ＧａＡｓ僧
ｔ ７．＋ ６゜ｎ形ＧａＡｓ ）’ｉｓｌ ２上Ｖこ
メーーム性嵌朋７もったソース７１ａ−極４及びトレイ
ノ’ｒｌｊ ４Ｊ％ ５”ｒｓ： ＡＬＬ／ Ｇｅ ／
Ｎｉ ｔ、１用い、水累坏囲気甲−Ｃ４５０℃で３υ
秒熱処理ケ施して形Ｊ戎すゐ。
？Ｋに第１７図に不ブことく、ケート′屯極となるべさ
位１ｉ′ｉ、にレジスト厚−Ｊ １．２μｎ１で、ＩＩ
Ｊ ｔ ｐｍ 、 Ｅ＋δ５０μｍ（１）ストライプ状
の開口部？もったホトレジストＡＺ１４７０（間品名）
１０を既知の方法で形成する。
位１ｉ′ｉ、にレジスト厚−Ｊ １．２μｎ１で、ＩＩ
Ｊ ｔ ｐｍ 、 Ｅ＋δ５０μｍ（１）ストライプ状
の開口部？もったホトレジストＡＺ１４７０（間品名）
１０を既知の方法で形成する。
７欠Ｋ Ｊ二目已しジスト仇１０都のｎ形ＧａＡ３７會
をエツナンクによｆ）ｆＪ３００ Ａ ’＋ＡＩ’、込
み、リセス構造と１′ゐと共にチャンネルの厚名詞整勿
行９゜次に第１８図りこと（ドレイン電極力向へ２０度
の角度娑もって’ｒ１１４７ｆ：厚さ約６００＾斜め蒸
漸する。
をエツナンクによｆ）ｆＪ３００ Ａ ’＋ＡＩ’、込
み、リセス構造と１′ゐと共にチャンネルの厚名詞整勿
行９゜次に第１８図りこと（ドレイン電極力向へ２０度
の角度娑もって’ｒ１１４７ｆ：厚さ約６００＾斜め蒸
漸する。
仄に第１９図のごとく垂直方向よりＮｉ ７を３００蒸
泊する。
泊する。
仄Ｖ（ホトレジストｔアセトンで醗ルトし、ホトレジス
ト上のタベての金Ａ・為を除去しゲート電極を形Ｊ戊り
る（第２０図）。
ト上のタベての金Ａ・為を除去しゲート電極を形Ｊ戊り
る（第２０図）。
欠に１−１２雰囲気中で３００℃、１０分間の熱処理ケ
行う。この熱処理によｆｆ 、Ｎｉ ７はｎ形ＧａＡｓ
中に入り、ショットキ接合面は沈−トする。（この（−
とは−ｊ技に知らｒＬ’ｔ：ｌ、−リ、例えは特願昭５
４−〇 ４６４２ Ｂ 、 ｌ ＧａＡｓ ンヨツトキ
バリアゲート電界効果トランジスタの製法」にも述べ１
めるう。
行う。この熱処理によｆｆ 、Ｎｉ ７はｎ形ＧａＡｓ
中に入り、ショットキ接合面は沈−トする。（この（−
とは−ｊ技に知らｒＬ’ｔ：ｌ、−リ、例えは特願昭５
４−〇 ４６４２ Ｂ 、 ｌ ＧａＡｓ ンヨツトキ
バリアゲート電界効果トランジスタの製法」にも述べ１
めるう。
−刀Ｔｉ １４ ｋショットキ接会用金糾とした部分ｔ
よ上記熱処理条件でその接合面は震動しない。その結釆
、ケート１「トのショット−？接合面は第２１図のｌｕ
＜ソース電極側で深く、ドレイン電極側で浅い段差ｔ
もった形状となる。
よ上記熱処理条件でその接合面は震動しない。その結釆
、ケート１「トのショット−？接合面は第２１図のｌｕ
＜ソース電極側で深く、ドレイン電極側で浅い段差ｔ
もった形状となる。
上記の実施例の説明において、熱処理によショットキ接
合面か沈］：する、ずなわｂショットキ接合面の位置か
震動するＩ科としてＮｉ？］ｌ−用いたが、ＮｉＱ外に
２００℃〜４００℃の熱処理によりショットキ接合面の
位置が震動する相科としてＣｒ 、 ｐｔなどケ用いる
ことができる。また熱処理によりショットキ接合面か震
動しない拐料としてＴｉｋ用いたが、ＴｉＱ外に２００
℃〜４００℃の熱処理によりショットキ接合面の位置が
変動しない材料とし−Ｕ Ａｔ 、 Ｗ 、 Ｍｏなと
盆用いることができる。
合面か沈］：する、ずなわｂショットキ接合面の位置か
震動するＩ科としてＮｉ？］ｌ−用いたが、ＮｉＱ外に
２００℃〜４００℃の熱処理によりショットキ接合面の
位置が震動する相科としてＣｒ 、 ｐｔなどケ用いる
ことができる。また熱処理によりショットキ接合面か震
動しない拐料としてＴｉｋ用いたが、ＴｉＱ外に２００
℃〜４００℃の熱処理によりショットキ接合面の位置が
変動しない材料とし−Ｕ Ａｔ 、 Ｗ 、 Ｍｏなと
盆用いることができる。
向熱処理栄件の下限として２００℃と定めたのは、２０
０℃未渦の熱処理で接合ｍ１か影響さ扛る拐料では、Ｔ
＆用時にトランジスタ自体の発熱により接合面か影響さ
れるので実用上野゛よしくないからである。又熱処理宋
件の上限としｔ４００℃と定め１ｃのｔよ、トランジス
タの製造工４呈中、ソース及びドレインのオーミック接
触【形成するために、４５０℃の熱処理か行われるので
、これより飼い温度の熱処理は好′ましくないので、実
用上４００℃勿採用したものである。
０℃未渦の熱処理で接合ｍ１か影響さ扛る拐料では、Ｔ
＆用時にトランジスタ自体の発熱により接合面か影響さ
れるので実用上野゛よしくないからである。又熱処理宋
件の上限としｔ４００℃と定め１ｃのｔよ、トランジス
タの製造工４呈中、ソース及びドレインのオーミック接
触【形成するために、４５０℃の熱処理か行われるので
、これより飼い温度の熱処理は好′ましくないので、実
用上４００℃勿採用したものである。
第２２図ｔま本発明の実施例（２）によって製作された
シ゛ＥＴの特性である。グー）ｒｌ］＆よ５０μｍ、見
掛けのケート長＝ ｌ ｐｍ 、実効ケート長た０、４
μｍである。１だ第２３図は第２１図にあ・けるソース
電極とドレイン屯極忙述に接続した場合の特性でめる。
シ゛ＥＴの特性である。グー）ｒｌ］＆よ５０μｍ、見
掛けのケート長＝ ｌ ｐｍ 、実効ケート長た０、４
μｍである。１だ第２３図は第２１図にあ・けるソース
電極とドレイン屯極忙述に接続した場合の特性でめる。
なＪＪ・、本実に４例の第２０図に２いて全編７をショ
ットキ仮台のヒルトイン電用の商い金騙（例えｔよＰｔ
）とし、更に金１３４１４７ｆ：ビルトイン筆圧の低い
金縞（例えは１＼４０ 、 Ｗ ）にすることにより、
特に熱処理ケイＪ′ｆＬゎラ−とも、即ちショットキ接
合面が同−半面上にめつ；Ｃも空乏層の形状が、第８図
或Ｑよ第９図に示し７こソース電極側で体く、ドレイン
電極側で浅い段走状となり同様効釆奮得ることができる
。
ットキ仮台のヒルトイン電用の商い金騙（例えｔよＰｔ
）とし、更に金１３４１４７ｆ：ビルトイン筆圧の低い
金縞（例えは１＼４０ 、 Ｗ ）にすることにより、
特に熱処理ケイＪ′ｆＬゎラ−とも、即ちショットキ接
合面が同−半面上にめつ；Ｃも空乏層の形状が、第８図
或Ｑよ第９図に示し７こソース電極側で体く、ドレイン
電極側で浅い段走状となり同様効釆奮得ることができる
。
また第２４図は本発明のり′−ト電極構造の他の変形で
必って、ゲート電極部にソース電極側で深い傾斜葡もっ
た掘込み金行い、その傾斜角ｒ不発り」の主旨にそった
グーｌ−空乏層の形状をあたえる角度にすることにより
、前記実施例と同様効果を得ることができる。
必って、ゲート電極部にソース電極側で深い傾斜葡もっ
た掘込み金行い、その傾斜角ｒ不発り」の主旨にそった
グーｌ−空乏層の形状をあたえる角度にすることにより
、前記実施例と同様効果を得ることができる。
さらにｌだ、以上の説明では望乏層の形状を１段の段差
としたが、多板であってもよい。したし抄成にすること
は工程か複雑となり、特にそれによるオリ点はない。
としたが、多板であってもよい。したし抄成にすること
は工程か複雑となり、特にそれによるオリ点はない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明のゲート電極（Ｈ造によれ
は、Ｒ８低減に有スθなリセス構造、或はｎ＋構造乞・
もち、且つ短ゲート長のＦ Ｅ Ｔ ｔｉｃ ｈ−いて
ｑ″ｆ性の全域にわたってドレインコンダクタンスが零
に近い、兄全飽第１１形のＩ’ Ｅ Ｔ ？！−得るこ
とができる。
は、Ｒ８低減に有スθなリセス構造、或はｎ＋構造乞・
もち、且つ短ゲート長のＦ Ｅ Ｔ ｔｉｃ ｈ−いて
ｑ″ｆ性の全域にわたってドレインコンダクタンスが零
に近い、兄全飽第１１形のＩ’ Ｅ Ｔ ？！−得るこ
とができる。
４９図面ｖ１７ｒｊ ４ｔな祝用
第１図乃至第３財１ｔよ従来構造のＦＥＴ困１血図、第
４区１ｔま従来構造のｉｅ’ Ｅ ｉ’動作奮１況明す
＾Ｆ ＥＴ １．ｌｒ ｕｎ図、第５図ｅよ第４図構造
のＦ Ｅ ｉ’ Ｑ性図、第６図は梃米楢造の１−’
Ｅ Ｔ動作勿胱ψ」するＦＥＴ助囲図、第７図は第６図
構造の１噌’ Ｅ Ｔ特性図、第８図、第９図ｔよ本発
明のゲート電極構造を祝用するＦ ＥＴ断面図、第用図
乃至第１３図は本発明の実施例（ＩＪのゲート電極？ｆ
’ｆ輩の製造工程を示ず上ＥＴ断「１」図、第１４図、
紀１５図は本発明の実施例（１ンのＰ″Ｆ ’１’ １
時ａ１メ１、第１６図乃至第２１図は本発明の実施例（
２）のクー）％Ｌ極（ＩＪ７造の製輩工程奮ｉ＜１ＦＥ
Ｔ断Ｗ１図、第２２図、第２：づ図は本発明の実）Ｊｉ
ｂ例（２）のＦ Ｅ ｉ’ ｉｌ心性図、第２４図は本
発明の他りケート電極栴造葡ｉ兄ツ」りるＰ′ＥＴ断向
図葡示す。
４区１ｔま従来構造のｉｅ’ Ｅ ｉ’動作奮１況明す
＾Ｆ ＥＴ １．ｌｒ ｕｎ図、第５図ｅよ第４図構造
のＦ Ｅ ｉ’ Ｑ性図、第６図は梃米楢造の１−’
Ｅ Ｔ動作勿胱ψ」するＦＥＴ助囲図、第７図は第６図
構造の１噌’ Ｅ Ｔ特性図、第８図、第９図ｔよ本発
明のゲート電極構造を祝用するＦ ＥＴ断面図、第用図
乃至第１３図は本発明の実施例（ＩＪのゲート電極？ｆ
’ｆ輩の製造工程を示ず上ＥＴ断「１」図、第１４図、
紀１５図は本発明の実施例（１ンのＰ″Ｆ ’１’ １
時ａ１メ１、第１６図乃至第２１図は本発明の実施例（
２）のクー）％Ｌ極（ＩＪ７造の製輩工程奮ｉ＜１ＦＥ
Ｔ断Ｗ１図、第２２図、第２：づ図は本発明の実）Ｊｉ
ｂ例（２）のＦ Ｅ ｉ’ ｉｌ心性図、第２４図は本
発明の他りケート電極栴造葡ｉ兄ツ」りるＰ′ＥＴ断向
図葡示す。
■・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・・
ｎ形ＧａＡｓノ１１４．３・・・・・・１１ ｔＪａ
Ａｓ層、４・・・・・・ソース電極、５・・・・・ドレ
イン電極、６・・・・・・ｎ形ＧａＡ３ ｊ曽の掘込み
部分、７・・・・・・ケートショソトギ接合形成金楓（
Ｎｉ）、８・・・・・・グートドれ１４犯］の空乏ｊ曽
、９・・・・・・衣ｉｎｎ ｑ２層、ＩＯ・・・・・・
ホトレジスト、１１・・・・・・ケート電極部の据込み
（イオンミーリンク）、１２・・・・・・フート′由、
極金稙（’ｌｌ’ｉ）、１３・・・・・・ゲート電極部
４＊４（Ａｕ ） 、ｌ＜・・・・・・ケートショット
キ接合形成金部（Ｔｉ）。
ｎ形ＧａＡｓノ１１４．３・・・・・・１１ ｔＪａ
Ａｓ層、４・・・・・・ソース電極、５・・・・・ドレ
イン電極、６・・・・・・ｎ形ＧａＡ３ ｊ曽の掘込み
部分、７・・・・・・ケートショソトギ接合形成金楓（
Ｎｉ）、８・・・・・・グートドれ１４犯］の空乏ｊ曽
、９・・・・・・衣ｉｎｎ ｑ２層、ＩＯ・・・・・・
ホトレジスト、１１・・・・・・ケート電極部の据込み
（イオンミーリンク）、１２・・・・・・フート′由、
極金稙（’ｌｌ’ｉ）、１３・・・・・・ゲート電極部
４＊４（Ａｕ ） 、ｌ＜・・・・・・ケートショット
キ接合形成金部（Ｔｉ）。
特許出願人 日本電佃電詰公社
第１図
第２図
第３図
第４図
第５図
Ｖｏ（Ｖ）
第６図
６
第７図
Ｖｏ（Ｖ）
第８図
第９図
８
第１４図
第１５図
Ｖｏ（Ｖ）
第１６図
第１７図
第１８図
第１９図
第２１図
１４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１〕 ケート電極部のショットキ接合面が、ナヤン
ネルの浮さ方向にソース電極側で深く１．ドレイン電極
側で浅い段差ケ有′Ｔるゲート電極（１す造葡特徴とし
たショットキ接置ケート形奄界効果トランジスタ。 （２）ケート電極部のショットキ接合向がナヤンネルの
Ｊ！７さ方向にソース′屯極側で深く、ドレイン電極側
で浅い１頃斜葡街するグートロｉ、４蛎（１４造を特徴
としたショットギ接合ケート形ηＬ界効果トランジスタ
。 にリ ショットキ接合のヒルトイン電圧の篩い金鵬葡ソ
ース′畦他側に、こｊＬと連続してビルトイン屯圧の低
い金ｋＪ！’（Ｌニドレイン電極側に配置＋（ｔ した
ケートｉｇ、極栴造忙符徴としたショットキ接合ゲート
形′亀昇効米１ランジスタ。 （４ノ 半絶縁性又は絶縁性基板上に半棉体層會形成
したウェハの主面上に、前記半畳体層とオーム性接触會
有するソース電極及びドレイン電極音形成する工程と、 前記ソース′航極とドレイン電極間にストライフ状の開
口部ｋＭするホトレジス） ７ａ−形成する工程と、 前記ホトレジストの開口部の半合体層ケ−ト電極部で深
く、ドレイン電極側で浅い段差又ｔよ傾斜状に掘込む工
程と、 杯１配ホトレジストの開口部留金めたレジスト全面に金
属を附堝・する工程と、 ＋Ｙ＋ＪＨ己ホトレジストを浴解し、前日己ホトレジス
ト上の金属を除去する工程と奮含むことを特徴としたシ
ョットキ接合ゲート形奄界効米ト２ンジスタの製造力を
人。 （５）半納縁切基板又は絶縁性基板上に半導体層音形成
したウェハの主面上に、前記半導体層とオーム性接触紮
有するソース電極及びドレイン電極音形成する工程と、 前記ソース電極とドレイン’「；、’ ４ｒｆｘ間にス
トライフ１人の開口％ＬＩＳ忙菊するホトレジストを形
ツノにする±４ノ虻と、 ２００〜４００℃のｔｗ ｒｘ域の熱処理でショットキ
接合１川の位置が変化しない金属音、前記ホトレジスト
１計ｊ口台ｉ半専１本層のソース電極組１１が存」ｉ己
ボトレジスト開目部側壁により陰となり、ドレイン’ｆ
ｌ、’ ４蛎側のりへに削記金楓盆附看セ”しめる方向
及び角度ｌ：もつで斜め蒸宥する工程と、 ２００〜４００℃の１ｈＡ度域の熱処理でショットキ接
会面か半棉俸１ノ１部に移行する金Ａｓｓ ｋ 、前日
己ホトレジストυｉ］１」部の半導体層の少くともＪｌ
’ｆ’ｒ出部分葡被山部しめる方向及び角度化もつで蒸
スーする」−イ１ｉ と 、 ホトレシス）ｋ溶用）トシ、前ｉ己ホトレジスト上のｊ
−べ′ｔ、（１）金ＪＩＪ４′？ｆ：除去する」−栓と
、２００〜４００Ｃの温度域で熱処理する工程とケ宮わ
・こと忙慣徴としたショットキ接合ゲート形電界効朱ト
ランジスタの製造方法。 （Ｇ’ｌ 半絶縁１１基板又なよ絶縁性基板上に半４
を体層盆形ｌ戎したウェハの主１１１１上に、０１Ｊ記
半轡体層とオーム性接触・記・イｉターるソース′ｔｊ
ｈ偉及Ｏ・ドレイン１株極を形成する工程と、 口ｉＪ Ｈ己ソース亀４甑とドレイン′巾：４曳間にス
トライフ′状の開口部ｋ ／＃Ｅｊるホトレジストを形
成する工程と、 ショットキ接合のビルトイン電圧の低い全極ｒ１前配ホ
トレジスト開口部半尋体ｊ曽のソース′電極側か前り己
ホトンジスト開口部側壁により陰となシ、ドレイン電極
側のみに前記金属を１ｉＰｌｋせしめる方向及び角度ｔ
もって斜め蒸着する工程と、ショットキ接合のビルトイ
ン′電圧が前記金緬より高い全編ｔ、前記ホトレジスト
開口部の半導体層の少くとも露出部分ケ級憶せしめる方
向及び角度をもって蒸着する工程と、 ポトレジストヲ浴がトシ、前記ホトレジスト上の）゛べ
ての金、ｈＪ４ ｋ除去するエイ呈と勿言むこと盆特徴
としたショットキ接合ケート形′ロＩ：昇効釆トランジ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194581A JPS5984579A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194581A JPS5984579A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984579A true JPS5984579A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16326919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194581A Pending JPS5984579A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252427A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-10-19 | ザ スタンダード オイル カンパニー | Ｐ型のテルル含有２−６半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点 |
| JP2007201409A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその形成方法 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194581A patent/JPS5984579A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252427A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-10-19 | ザ スタンダード オイル カンパニー | Ｐ型のテルル含有２−６半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点 |
| JP2007201409A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子及びその形成方法 |
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