JPS598418A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS598418A JPS598418A JP57118060A JP11806082A JPS598418A JP S598418 A JPS598418 A JP S598418A JP 57118060 A JP57118060 A JP 57118060A JP 11806082 A JP11806082 A JP 11806082A JP S598418 A JPS598418 A JP S598418A
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- Japan
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- surface acoustic
- substrate
- thin film
- acoustic wave
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14505—Unidirectional SAW transducers
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14508—Polyphase SAW transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一方向性トランスジューサを備えた弾性表面
波装置に関するものである。
波装置に関するものである。
弾性表面波装置は、水晶１．ＬｉＮｂＯ３にオプ酸リチ
ウム）等の圧電単結晶材料、圧′厄七うミックス材料又
は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材料等を利用し、
この圧電性基板上に形成されたトランスジューサによっ
て電気信号を弾性衣ｒｉＸＪ彼に変換して基板表面を伝
播させるように構成したものであり、フィルタを初めと
するも棟の電子部品に適用されつつある。
ウム）等の圧電単結晶材料、圧′厄七うミックス材料又
は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材料等を利用し、
この圧電性基板上に形成されたトランスジューサによっ
て電気信号を弾性衣ｒｉＸＪ彼に変換して基板表面を伝
播させるように構成したものであり、フィルタを初めと
するも棟の電子部品に適用されつつある。
第１因はその一例としてフィルタな示すもので、１は圧
電性基板、２は一対のくし型１！Ｌ極２人、２Ｂが交差
して成る入力用トランスシュ〜す、３は−対のくし型電
＆３Ａ、３Ｂが交差して成る出力用トランスジューサで
、上記入力用トランスジユーザ２に加えられた信号源４
からの電気信号は弾性表向波に変換されて上記圧電性基
板１表面を伝播し出力用トランスジューサ３に到達した
後、これによって再び電気信号に変換されて負荷５から
出力されるように構成される。
電性基板、２は一対のくし型１！Ｌ極２人、２Ｂが交差
して成る入力用トランスシュ〜す、３は−対のくし型電
＆３Ａ、３Ｂが交差して成る出力用トランスジューサで
、上記入力用トランスジユーザ２に加えられた信号源４
からの電気信号は弾性表向波に変換されて上記圧電性基
板１表面を伝播し出力用トランスジューサ３に到達した
後、これによって再び電気信号に変換されて負荷５から
出力されるように構成される。
ここで上記入力用および出力用トランスジューサ２．３
を構成する各々一対のくし型電極２人、２Ｂおよび３Ａ
、３Ｂの各電極幅Ｗおよび各電極交差間隔りは、使用す
る弾性表面波の中心周波数ｆｏの波長をλ０とした場合
、各々λｏ／４の一定値に設計されいわゆる正規型電極
として形成される。
を構成する各々一対のくし型電極２人、２Ｂおよび３Ａ
、３Ｂの各電極幅Ｗおよび各電極交差間隔りは、使用す
る弾性表面波の中心周波数ｆｏの波長をλ０とした場合
、各々λｏ／４の一定値に設計されいわゆる正規型電極
として形成される。
ところで第１図の構造のように入出力用トランスジュー
サ２．３を備えたフィルタにあっては、これら２個のト
ランスジューサ２．３が各々左右方向ＶＣ弾性表面波を
伝播させるように働きいわゆる両方向性トランスジュー
サとして動作するために、電気−機械変換損失が避けら
れずフィルタとしての損失が多くなる欠点がめる。
サ２．３を備えたフィルタにあっては、これら２個のト
ランスジューサ２．３が各々左右方向ＶＣ弾性表面波を
伝播させるように働きいわゆる両方向性トランスジュー
サとして動作するために、電気−機械変換損失が避けら
れずフィルタとしての損失が多くなる欠点がめる。
この欠点を除くために圧電性基板１０表面の一方向のみ
に弾性表面波を伝播させるように工夫したいわゆる一方
向性トランスジューサが提案されている。この一方向性
トランスジューサの具体例としては、第２図のように１
２０°移相器を用いる方法、めるいは９０°移相器を用
いる方法、さらには第３図のように反射器を用いる方法
が代表的に知られている。
に弾性表面波を伝播させるように工夫したいわゆる一方
向性トランスジューサが提案されている。この一方向性
トランスジューサの具体例としては、第２図のように１
２０°移相器を用いる方法、めるいは９０°移相器を用
いる方法、さらには第３図のように反射器を用いる方法
が代表的に知られている。
このうち第２図のものは各々１２０°の位相差をもった
くし型電極６人、６Ｂ、６Ｃを設け、各電極６Ａ、６Ｂ
、６Ｃに対して１２０°移相器７を介して信号源４を接
続し、各電極６Ａ、６Ｂ、６Ｃを各１２０゛位相が異な
った電気信号で励振させることにより、弾性表向波を一
方向のみに伝播させるように構成したものである。
くし型電極６人、６Ｂ、６Ｃを設け、各電極６Ａ、６Ｂ
、６Ｃに対して１２０°移相器７を介して信号源４を接
続し、各電極６Ａ、６Ｂ、６Ｃを各１２０゛位相が異な
った電気信号で励振させることにより、弾性表向波を一
方向のみに伝播させるように構成したものである。
しかしこの方法による一方向性トランスジューサは、位
相の異なった三種類の電極を交差させる必散があるため
、空隙又は絶縁膜を介した立体的な父差部８を設けなけ
れけならないので、製造工程が複雑となって製造歩留り
の低下ひいてはコスト高になる欠点かめる。
相の異なった三種類の電極を交差させる必散があるため
、空隙又は絶縁膜を介した立体的な父差部８を設けなけ
れけならないので、製造工程が複雑となって製造歩留り
の低下ひいてはコスト高になる欠点かめる。
次に第３図のものは、正規型くし型電極９Ａ、９Ｂから
成る給電部および反射部を設けると共に供通電極ｌＯを
設け、上記給電部９Ａに整合回路１１を介して信号源４
を接続すると共に反射部９８に均してはりアクタンヌ回
路１２を接続し、上恥給電部９Ａから左右方向に伝播さ
れた弾性表面波のうち左方向Ｖこ伝播したものをリアク
タンス回路１２により終端された反射部９ＢＫよって右
方向に反射させるＣとにより、弾性表向波を右方向の一
方向のみに伝播させるように構成したものでめる。
成る給電部および反射部を設けると共に供通電極ｌＯを
設け、上記給電部９Ａに整合回路１１を介して信号源４
を接続すると共に反射部９８に均してはりアクタンヌ回
路１２を接続し、上恥給電部９Ａから左右方向に伝播さ
れた弾性表面波のうち左方向Ｖこ伝播したものをリアク
タンス回路１２により終端された反射部９ＢＫよって右
方向に反射させるＣとにより、弾性表向波を右方向の一
方向のみに伝播させるように構成したものでめる。
しかしこの方法による一方向性トランスジューサは、電
極幅Ｗおよび間隔りが共にλｏ ／ ４に設計された正
規型電極９Ａ、９ＢＫよって構成されているために、各
電極９Ａ、９Ｂのくし型嵐極端で反射した弾性表向波が
同相になってしまうため大′ｆ！な電極間反射を生じる
ことになり、これによる特性劣化が避けられない欠点が
ある。
極幅Ｗおよび間隔りが共にλｏ ／ ４に設計された正
規型電極９Ａ、９ＢＫよって構成されているために、各
電極９Ａ、９Ｂのくし型嵐極端で反射した弾性表向波が
同相になってしまうため大′ｆ！な電極間反射を生じる
ことになり、これによる特性劣化が避けられない欠点が
ある。
さらに＄３図のような反射器を用いた方法における正規
Ｍ電極の欠点を改１１するために、第４因に示すような
ダブル電極型トランヌジューサが提案された。
Ｍ電極の欠点を改１１するために、第４因に示すような
ダブル電極型トランヌジューサが提案された。
この構造は各々一対のくし型電極２Ａ、２Ｂの各交差す
る電極指部を２つに分割し、各電極幅Ｗおよび間隔りを
λｏ／８に設計したものであり、各電極端における反射
器の位相は１８０°異なって逆位相となるために打消さ
れてし１うので、反射器による影響を低減できるもので
るる。
る電極指部を２つに分割し、各電極幅Ｗおよび間隔りを
λｏ／８に設計したものであり、各電極端における反射
器の位相は１８０°異なって逆位相となるために打消さ
れてし１うので、反射器による影響を低減できるもので
るる。
しかしながら高周波になる程その波長λは小さくなるた
めにくし型電極の加工技術に高精度が要求されるように
なり、例えば圧電性基板として最も広く利用されている
ニオブ酸リチウムで中心周波数がＩＧＨ２の場合にはλ
ｏ／ ４絢０．８７μｍ、λｏ ／ ８←０．４４μｍ
の値となる。このような籠は最近の微細加工技術を利用
したとしても爵塊性艮く実９ｔテるのは困難でめり、製
造歩留りが低下するのは避けられない。
めにくし型電極の加工技術に高精度が要求されるように
なり、例えば圧電性基板として最も広く利用されている
ニオブ酸リチウムで中心周波数がＩＧＨ２の場合にはλ
ｏ／ ４絢０．８７μｍ、λｏ ／ ８←０．４４μｍ
の値となる。このような籠は最近の微細加工技術を利用
したとしても爵塊性艮く実９ｔテるのは困難でめり、製
造歩留りが低下するのは避けられない。
本発町は以上の問題に対処してなされたもので、弾性体
基板上に圧電薄膜が設けらｆて成る圧電性基板の上記圧
電薄膜上および弾性体基板上に各々下部電極および上部
電極を設け、上記上部電極は一方向に向かって互いに離
間して配置された複数の電極から成るように構成するこ
とにより従来欠点を除去テるように構成した弾性表面波
装置を提供することを目的とするものでらる。以下図面
を参照して本発明実施例を説明する。
基板上に圧電薄膜が設けらｆて成る圧電性基板の上記圧
電薄膜上および弾性体基板上に各々下部電極および上部
電極を設け、上記上部電極は一方向に向かって互いに離
間して配置された複数の電極から成るように構成するこ
とにより従来欠点を除去テるように構成した弾性表面波
装置を提供することを目的とするものでらる。以下図面
を参照して本発明実施例を説明する。
第５図（ａｌ、（ｂｌは本発明実施例による弾性表面波
装置を示す上面図および断面図で、弾性体基板１２上に
圧電薄膜１３が設けられて成る圧電性基板１の上記弾性
体基板１２上には矩形型電極１４から成る下部電極、上
記圧電薄膜１３上にはくし型電極１５Ａ、１５Ｂ、１５
ｃから成る上部電極１５が各々設けられ、いわゆるシン
グルフェーズトランスジューサが構成される。上記上部
電極１５とから成るくし型電極１５Ａ、１５Ｂ％１５Ｃ
は圧電薄膜１３上の下部型＆１４に対向する位置に弾性
表面波の伝播方向Ｘとなる一方向に同かつて配置され、
各間隔１１ｘ−λｏ／３−ｎ１．１ｊｚ＝λｏ／３ ・
ｎ２ （ｎｘ、ｎ２は正の整数）とλｏ ／ ３の整数
倍となるように設計されて少くとも３個以上設けられる
。また各くし型電極１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの電極指の
電極幅Ｗおよび間隔りはλｏ／２に設計される。
装置を示す上面図および断面図で、弾性体基板１２上に
圧電薄膜１３が設けられて成る圧電性基板１の上記弾性
体基板１２上には矩形型電極１４から成る下部電極、上
記圧電薄膜１３上にはくし型電極１５Ａ、１５Ｂ、１５
ｃから成る上部電極１５が各々設けられ、いわゆるシン
グルフェーズトランスジューサが構成される。上記上部
電極１５とから成るくし型電極１５Ａ、１５Ｂ％１５Ｃ
は圧電薄膜１３上の下部型＆１４に対向する位置に弾性
表面波の伝播方向Ｘとなる一方向に同かつて配置され、
各間隔１１ｘ−λｏ／３−ｎ１．１ｊｚ＝λｏ／３ ・
ｎ２ （ｎｘ、ｎ２は正の整数）とλｏ ／ ３の整数
倍となるように設計されて少くとも３個以上設けられる
。また各くし型電極１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの電極指の
電極幅Ｗおよび間隔りはλｏ／２に設計される。
以上の構成において上記上部電極１５（１５Ａ。
１５Ｂ、１５Ｃ）と下部電極１４間に信号源を接続し、
３つの電極１５Ａ、 １５Ｂ、 １５Ｃに互いに位相が
１２０゜異なった電気信号を印加すれば、下部電極１５
Ａ、。
３つの電極１５Ａ、 １５Ｂ、 １５Ｃに互いに位相が
１２０゜異なった電気信号を印加すれば、下部電極１５
Ａ、。
１５Ｂ、１５Ｃと下部電極１４間には電界が発生するの
で、上部ｔＩＬ極１５を構成している各くし型電極１５
Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの各々からは弾性表面波が励珈され
る。
で、上部ｔＩＬ極１５を構成している各くし型電極１５
Ａ、１５Ｂ、１５Ｃの各々からは弾性表面波が励珈され
る。
この場合各くし型電極１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃから生じ
た弾性表面波は左右の両方向に伝播するが、上記のよう
に各電極間の短離条件および各電極に印加する電気信号
の位相条件が特定条件を満足するように選ばれている結
果、Ｘ方向に向かう弾性表面波はすべて同相にそろえら
れるのに対し、逆方向（−Ｘ）に向かう弾性表面波は各
々１２０°の位相差を持つようになる。
た弾性表面波は左右の両方向に伝播するが、上記のよう
に各電極間の短離条件および各電極に印加する電気信号
の位相条件が特定条件を満足するように選ばれている結
果、Ｘ方向に向かう弾性表面波はすべて同相にそろえら
れるのに対し、逆方向（−Ｘ）に向かう弾性表面波は各
々１２０°の位相差を持つようになる。
よって−Ｘ方向に向かった弾性表面波は打ち消されるが
、Ｘ方向に向かう弾性表面波は互いに強め合って伝播す
るので、弾性表面波はＸ方向のみの一方向に伝播される
ようになる。
、Ｘ方向に向かう弾性表面波は互いに強め合って伝播す
るので、弾性表面波はＸ方向のみの一方向に伝播される
ようになる。
したがってこの構造によれは、上部電極１５を構成して
いる各くし型電極１５Ａ、 １５Ｂ、 １５Ｃの電極幅
Ｗおよび間隔りはλ・／２になっているため、従来の正
規型電極めるいはダブル型電極の場合に比べて各々の値
を２倍あるいは４倍に広けることができるので、加工技
術の精度が和らげられることになり製造歩留りを向上さ
せることができる。
いる各くし型電極１５Ａ、 １５Ｂ、 １５Ｃの電極幅
Ｗおよび間隔りはλ・／２になっているため、従来の正
規型電極めるいはダブル型電極の場合に比べて各々の値
を２倍あるいは４倍に広けることができるので、加工技
術の精度が和らげられることになり製造歩留りを向上さ
せることができる。
よってコストダウンが可能になると共に、特に高周波用
トランスジューサの製造を容易にすることができる。
トランスジューサの製造を容易にすることができる。
筐だ上記のように電極間隔をλｏ ／ ２に選ぶことに
より、第６図のように各電極端Ｅｌ、 Ｅ、で生じた反
射波”１ ｓ Ｆ２の位相差は１８０゛と逆相Ｋ ｒｊ
るために、互いに打ち消すことができる。
より、第６図のように各電極端Ｅｌ、 Ｅ、で生じた反
射波”１ ｓ Ｆ２の位相差は１８０゛と逆相Ｋ ｒｊ
るために、互いに打ち消すことができる。
したがって電極間反射による影響を低減できるので、一
方向性トランスジューサとして動作させることができる
。
方向性トランスジューサとして動作させることができる
。
上記弾性体基板１２としては半導体材料を用いることが
でき、この場合半導体基板の所定部分に不純物ドーピン
グによって低抵抗部を形成すればこの低抵抗部を前記下
部電極として用いることができるので、下部電極として
働かせるための４竜材料は不要となる。またこのように
半導体基板を用いることにより、表面板デバイヌと集積
回路とを一体に組み込むことができるので、広範囲な用
途への適用が可能となる。
でき、この場合半導体基板の所定部分に不純物ドーピン
グによって低抵抗部を形成すればこの低抵抗部を前記下
部電極として用いることができるので、下部電極として
働かせるための４竜材料は不要となる。またこのように
半導体基板を用いることにより、表面板デバイヌと集積
回路とを一体に組み込むことができるので、広範囲な用
途への適用が可能となる。
上記圧電薄膜１３としては酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ア
ルミニウムＣＡＩＮ）等をスパッタ法、ＣＶＤ法等によ
り形成することができる。
ルミニウムＣＡＩＮ）等をスパッタ法、ＣＶＤ法等によ
り形成することができる。
本文実施例においては上部電極を構成するくし汲電極は
一例として３個用いた場合について説明したが、それ以
上用いることも任意であり各電極間がλｏ／３の整数倍
だけ離れるように配置されればよい。
一例として３個用いた場合について説明したが、それ以
上用いることも任意であり各電極間がλｏ／３の整数倍
だけ離れるように配置されればよい。
以上説明して明らかなように本発明によれは、弾性体基
板上に圧電薄膜が設けられて成る圧電性基板の上記圧電
薄膜上および弾性体基板上に各々上部１１［他および下
部電極を設け、上記下部電極は一方向に向かって互いに
離間して配置された複数の電極から成るように構成した
ものであるから、従来欠点を除去し得る一方向性トラン
スジューサを得ることができる０
板上に圧電薄膜が設けられて成る圧電性基板の上記圧電
薄膜上および弾性体基板上に各々上部１１［他および下
部電極を設け、上記下部電極は一方向に向かって互いに
離間して配置された複数の電極から成るように構成した
ものであるから、従来欠点を除去し得る一方向性トラン
スジューサを得ることができる０
第１図、第３図、第４図および゛第２図はいずれも従来
例を示す上面図および斜視図、第５図（ａ１％第６図お
よび第５図（ｂｌはいずれも本発明実施例を示す上面図
および断面図でめる。 １２・・・弾性体基板、１３・・・圧電薄膜、１４・・
・下部電極、１５．１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ・・・上部
電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 永 １）武三部 第４図 第５図（０） 第６図
例を示す上面図および斜視図、第５図（ａ１％第６図お
よび第５図（ｂｌはいずれも本発明実施例を示す上面図
および断面図でめる。 １２・・・弾性体基板、１３・・・圧電薄膜、１４・・
・下部電極、１５．１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ・・・上部
電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 永 １）武三部 第４図 第５図（０） 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 弾性体基板と、この弾性体基板上に設けられた下
部電極と、この下部電極を覆うように設けられた圧電薄
膜と、Ｃの圧電薄膜上の下記下部電極に対向する位置に
一方向に向かって互いに離間して配置された複数の電極
から成る上部電極とを含むように構成されたことを特徴
とする弾性表面波装置。 ２、上記上部電極が互いにλｏ／３（λ０は用いる弾性
表面波の中心周波数の波長）の整数倍だけ離間して配置
された少くとも３個以上のくし型電極から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 ３、上記クシ型電極が幅および各間隔がλ層／２に設定
された複数の電極指を有することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の弾性表面ａ装置。 ４ 」二記弾性体基板が半導体拐料から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項乃至第３頂のいずれかに記
載の弾性衣Ｉｌ］］波装置。 ５、上記半導体基板の所定部に低抵抗部が形成され、こ
の低抵抗部が前記下部電極として用いられることを特徴
とＴる４！ｉ詩求の範囲第４項記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118060A JPS598418A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 弾性表面波装置 |
| US06/509,755 US4602183A (en) | 1982-07-06 | 1983-06-30 | Surface acoustic wave device with a 3-phase unidirectional transducer |
| DE19833323796 DE3323796A1 (de) | 1982-07-06 | 1983-07-01 | Akustische oberflaechenwellen ausbildendes bauelement |
| GB08318213A GB2126035B (en) | 1982-07-06 | 1983-07-05 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118060A JPS598418A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598418A true JPS598418A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14727019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118060A Pending JPS598418A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4602183A (ja) |
| JP (1) | JPS598418A (ja) |
| DE (1) | DE3323796A1 (ja) |
| GB (1) | GB2126035B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122767A (en) * | 1991-01-10 | 1992-06-16 | Northern Telecom Limited | Saw device tapped delay lines |
| DE19630890A1 (de) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Oberflächenwellen-Flüssigkeitssensor |
| US7116907B1 (en) * | 1998-02-20 | 2006-10-03 | Fujitsu Limited | Acousto-optical tunable filters cascaded together |
| US6239422B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-05-29 | Trw Inc. | Variable electrode traveling wave metal-semiconductor-metal waveguide photodetector |
| JP4052884B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2008-02-27 | 富士通株式会社 | タッチパネル装置 |
| JP3970168B2 (ja) | 2002-11-19 | 2007-09-05 | 富士通株式会社 | タッチパネル装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235997A (en) * | 1975-09-16 | 1977-03-18 | Hitachi Cable Ltd | Manufacturing method for chemical compound multi core super conduction conductor |
| JPS5597720A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-25 | Yasutaka Shimizu | Elastic surface wave transducer |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4087714A (en) * | 1971-10-18 | 1978-05-02 | Hazeltine Corporation | Three phase unidirectional transducer |
| US3974464A (en) * | 1974-03-15 | 1976-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic ridge waveguide |
| US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
| GB1529034A (en) * | 1977-02-24 | 1978-10-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Surface acoustic wave devices |
| US4194171A (en) * | 1978-07-07 | 1980-03-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform |
| US4206380A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-03 | Hitachi, Ltd. | Piezoelectric surface acoustic wave device with suppression of reflected signals |
| JPS5687913A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave element |
| US4267533A (en) * | 1980-02-01 | 1981-05-12 | Gte Laboratories Incorporated | Acoustic surface wave device |
| JPS57145419A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-08 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| GB2123638B (en) * | 1982-06-22 | 1986-02-26 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57118060A patent/JPS598418A/ja active Pending
-
1983
- 1983-06-30 US US06/509,755 patent/US4602183A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-07-01 DE DE19833323796 patent/DE3323796A1/de active Granted
- 1983-07-05 GB GB08318213A patent/GB2126035B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235997A (en) * | 1975-09-16 | 1977-03-18 | Hitachi Cable Ltd | Manufacturing method for chemical compound multi core super conduction conductor |
| JPS5597720A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-25 | Yasutaka Shimizu | Elastic surface wave transducer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4602183A (en) | 1986-07-22 |
| GB2126035A (en) | 1984-03-14 |
| GB8318213D0 (en) | 1983-08-03 |
| GB2126035B (en) | 1986-05-29 |
| DE3323796A1 (de) | 1984-01-12 |
| DE3323796C2 (ja) | 1993-05-19 |
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