JPS5948938A - ウエハ−チヤツク - Google Patents
ウエハ−チヤツクInfo
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- JPS5948938A JPS5948938A JP15995982A JP15995982A JPS5948938A JP S5948938 A JPS5948938 A JP S5948938A JP 15995982 A JP15995982 A JP 15995982A JP 15995982 A JP15995982 A JP 15995982A JP S5948938 A JPS5948938 A JP S5948938A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- suction head
- vacuum
- bernoulli
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の（支術分野〕
本発明は半導体ウェハーを保持１−るためのウェハーチ
ャックＣ：貼ｌし、′侍（二（、：ＶＤ装置内の所定位
置Ｃ：半導体ウェハーをセットし、あるいはＣＶＤ装置
内から半導体ウェハーをＪ１ｙ切出す際に用いて効果を
発揮するウェハーチャックＣ二係るＯ 〔発明の技術的背景およびその間麹、６〕ＵＶＩ）装置
の加熱板上Ｃ二被処）ＪＩＩ（Ａである半導体ウェハー
を設置鴎する際、従来は第１図（Ａｌｌｌｌアポうにウ
ェハ−１１７Ｊ表面をバキュームピンセット２で唱名し
てチャッキングし、これを手作業で加熱板上に載−１す
る方法が用いられていた０半綱体ウェハーをｅＶＤ３−
からｆｉｇ ）Ｊ出Ｔ場合もバキュームビンセラ）２に
よる同様ＱＪｈｌ去が用いられていたｐこのようなバキ
ュームピンセット２（二よって半導体ウェハーｌをＣＶ
ＩＪｈ直内ｆニセットし、あるいはｅｖｔ＋装置から月
×１」出丁方法≦二は伏のような問題かあった０即チ、
バキューム吸着式であること力）らウェハーの中央部分
をチャッキング■ること（−７ｊｔｌ。
ャックＣ：貼ｌし、′侍（二（、：ＶＤ装置内の所定位
置Ｃ：半導体ウェハーをセットし、あるいはＣＶＤ装置
内から半導体ウェハーをＪ１ｙ切出す際に用いて効果を
発揮するウェハーチャックＣ二係るＯ 〔発明の技術的背景およびその間麹、６〕ＵＶＩ）装置
の加熱板上Ｃ二被処）ＪＩＩ（Ａである半導体ウェハー
を設置鴎する際、従来は第１図（Ａｌｌｌｌアポうにウ
ェハ−１１７Ｊ表面をバキュームピンセット２で唱名し
てチャッキングし、これを手作業で加熱板上に載−１す
る方法が用いられていた０半綱体ウェハーをｅＶＤ３−
からｆｉｇ ）Ｊ出Ｔ場合もバキュームビンセラ）２に
よる同様ＱＪｈｌ去が用いられていたｐこのようなバキ
ュームピンセット２（二よって半導体ウェハーｌをＣＶ
ＩＪｈ直内ｆニセットし、あるいはｅｖｔ＋装置から月
×１」出丁方法≦二は伏のような問題かあった０即チ、
バキューム吸着式であること力）らウェハーの中央部分
をチャッキング■ること（−７ｊｔｌ。
ウェハーの表面Ｓユ陽がついてしまう口また。被処理後
のウェハーを吸看して保持する際にはつエバーの表面ｇ
二形成されたＣＶＤ薄膜にバキュームピンセットの跡が
残り、その部分Ｃ二形成されたＩＣチップには不良品が
発生していた□これに対して、第１図（ｃ）に示すベル
ヌーイチャックと呼はれる非接触型のウェハーチャック
を用いれは、ウエハーノの表面に傷跡をつけることなく
、ウェハーを保持することができる。
のウェハーを吸看して保持する際にはつエバーの表面ｇ
二形成されたＣＶＤ薄膜にバキュームピンセットの跡が
残り、その部分Ｃ二形成されたＩＣチップには不良品が
発生していた□これに対して、第１図（ｃ）に示すベル
ヌーイチャックと呼はれる非接触型のウェハーチャック
を用いれは、ウエハーノの表面に傷跡をつけることなく
、ウェハーを保持することができる。
このベルヌーイチャックはベルヌーイの定理を応用した
もので、半導体ウェハーｌの上面Ｃ二蒙素ガス等の気体
を高速で諦すことによりウェハー７の下向に発生する上
回きの圧力Ｐでウェハーｔｙ保袖するものである０とこ
ろが、ベルヌーイチャックではウェハーｌがチャックと
の出］に一定の微小間隔だけＲｔｉ＝ｊ−Ｉして保持さ
れるためウェハーｔｌ”ｌ左右（二かなｉ）移ｉす１し
、このために保持されているウェハーｌを所定位置に載
置する際の位置槓曳はかな″り低い。従って、Ｃ“ＶＤ
装置、の加熱板上Ｃ二半碑体りエハーを整列して載―す
る際にベルヌーイチャックを使用すると。
もので、半導体ウェハーｌの上面Ｃ二蒙素ガス等の気体
を高速で諦すことによりウェハー７の下向に発生する上
回きの圧力Ｐでウェハーｔｙ保袖するものである０とこ
ろが、ベルヌーイチャックではウェハーｌがチャックと
の出］に一定の微小間隔だけＲｔｉ＝ｊ−Ｉして保持さ
れるためウェハーｔｌ”ｌ左右（二かなｉ）移ｉす１し
、このために保持されているウェハーｌを所定位置に載
置する際の位置槓曳はかな″り低い。従って、Ｃ“ＶＤ
装置、の加熱板上Ｃ二半碑体りエハーを整列して載―す
る際にベルヌーイチャックを使用すると。
ウェハーを加熱板上に＠置した後、その位置を補正する
ためにバキュームピンセットを使用しなければならず、
前述したと同じ問題を生じることになるＤ 〔発明の目的〕 本発明は上記事情に猷みてなされたもので。
ためにバキュームピンセットを使用しなければならず、
前述したと同じ問題を生じることになるＤ 〔発明の目的〕 本発明は上記事情に猷みてなされたもので。
バキュームチャックとしてもベルヌーイチャックとして
も使甲でき、しかもバキュームチャックとして使用する
際には半導体ウェハーがチャックと線接触で吸着される
構造とすることＣ二よ１）、゛半導体ウェハーの表面に
１易をつけることなくこれを保描すると共に保持したウ
ェハーをｉｈい位置積度で所定位置に疎部することがで
きるウェハーチャックを提供し、もって（： Ｖ Ｄ装
置内へ半導体ウェハーを出し入れする際の従来の問題を
解決しようとするものである□ 〔発明の摺す５要〕 本発明によるクエハーチャックトゴ、ド万（二回って拡
開した笠状の吸着ヘッドと、該仮名ヘッドの頂部に連結
された負圧尊入管と、Ｏｊ１記吸右〜ツドの先端開口部
に吸着保持される半導体ウェハーの同縁肩部が当接する
ように前記吸着ヘッドの先端部内縁に形成されたテーパ
面と、酊１記吸希ヘッドの中央部でその開口端面と略同
レベルに配設されたベルヌーイチャック用の気流案内板
と、自；■記吸着ヘッドを上方力）ら貫通し、て的記気
流姿内板に連結され、該気流案内板の下方（ニベルヌー
イチャック用の気流を１１貧射する気７１↑喫入管とを
μ固したことを特徴とするものである。
も使甲でき、しかもバキュームチャックとして使用する
際には半導体ウェハーがチャックと線接触で吸着される
構造とすることＣ二よ１）、゛半導体ウェハーの表面に
１易をつけることなくこれを保描すると共に保持したウ
ェハーをｉｈい位置積度で所定位置に疎部することがで
きるウェハーチャックを提供し、もって（： Ｖ Ｄ装
置内へ半導体ウェハーを出し入れする際の従来の問題を
解決しようとするものである□ 〔発明の摺す５要〕 本発明によるクエハーチャックトゴ、ド万（二回って拡
開した笠状の吸着ヘッドと、該仮名ヘッドの頂部に連結
された負圧尊入管と、Ｏｊ１記吸右〜ツドの先端開口部
に吸着保持される半導体ウェハーの同縁肩部が当接する
ように前記吸着ヘッドの先端部内縁に形成されたテーパ
面と、酊１記吸希ヘッドの中央部でその開口端面と略同
レベルに配設されたベルヌーイチャック用の気流案内板
と、自；■記吸着ヘッドを上方力）ら貫通し、て的記気
流姿内板に連結され、該気流案内板の下方（ニベルヌー
イチャック用の気流を１１貧射する気７１↑喫入管とを
μ固したことを特徴とするものである。
上記構成からなるウェハーチャックは負圧導入管からの
吸引と気ｆＭ嫁入管からのベルヌーイチャック産気ｂ１
１、噴射とを使い分けることζ二よってバキュームチャ
ックとしてもベルヌーイチャックとしても４σ・用する
ことができる◎しかも。
吸引と気ｆＭ嫁入管からのベルヌーイチャック産気ｂ１
１、噴射とを使い分けることζ二よってバキュームチャ
ックとしてもベルヌーイチャックとしても４σ・用する
ことができる◎しかも。
バキュームチャックとして便用−「る場合、仮相保持さ
れる半導体ウェハーはその周縁周部７ａ′吸呑ヘツドの
先端部内縁に形成されたテーパ面（二当接して保持され
る。−従って、この場合の半導体ウェハーと吸布ヘッド
部との接触はウェハー周縁（７，ＩＪｌ■ＩＳと吸着ヘ
ッド先端のテーパ面との線接触となり、この結果ウェハ
ー表面に傷がつくのを防止することができる。
れる半導体ウェハーはその周縁周部７ａ′吸呑ヘツドの
先端部内縁に形成されたテーパ面（二当接して保持され
る。−従って、この場合の半導体ウェハーと吸布ヘッド
部との接触はウェハー周縁（７，ＩＪｌ■ＩＳと吸着ヘ
ッド先端のテーパ面との線接触となり、この結果ウェハ
ー表面に傷がつくのを防止することができる。
［発明の実施例］
第２図は本発明の一実施１９１１になるウェハーチャッ
クを示す断面図である。同図−おいて、ＩＩは半導体ウ
ェハーｌを吸着保持するための吸着ヘッドである０該吸
看ヘツトｌｌは下方に拡開した笠状の形状を有しており
、その先ｍＡｉ部内縁には内側に向けて傾斜したテーパ
面１２が形成されている。このテーパ面１２はｅＭヘッ
ドＩＩに吸龜保持される半２！−１Ｌ俸ウェハーｌの周
ｆｌ’ｌ ｋ４ ｇｌｓに当接するようにル成されてい
る０また。
クを示す断面図である。同図−おいて、ＩＩは半導体ウ
ェハーｌを吸着保持するための吸着ヘッドである０該吸
看ヘツトｌｌは下方に拡開した笠状の形状を有しており
、その先ｍＡｉ部内縁には内側に向けて傾斜したテーパ
面１２が形成されている。このテーパ面１２はｅＭヘッ
ドＩＩに吸龜保持される半２！−１Ｌ俸ウェハーｌの周
ｆｌ’ｌ ｋ４ ｇｌｓに当接するようにル成されてい
る０また。
吸着ヘット１ｌＯＪ石部には負圧尋入管１３か連結され
ている６ ｎｋ負圧堺入愉１３は球面軸承１４を介して
連結部１５に連結され、該連結部１５はｌ柴吸引肯ｔｂ
Ｃ一連結されている。他方。
ている６ ｎｋ負圧堺入愉１３は球面軸承１４を介して
連結部１５に連結され、該連結部１５はｌ柴吸引肯ｔｂ
Ｃ一連結されている。他方。
吸宥ヘッドｔノｏｗ開放端ｌと略同レベルＣ二はベルヌ
ーチャック用の案内板ｊ７か配設され、該案内板１７は
仮布ヘットｌｌに収ｉ１１．Ｊけられている０また１頁
窄吸引管１６．〕更和１１−１５および自圧導入管１３
の中を目通してベルヌーイチャック用の気流導入管１８
が配設されている。
ーチャック用の案内板ｊ７か配設され、該案内板１７は
仮布ヘットｌｌに収ｉ１１．Ｊけられている０また１頁
窄吸引管１６．〕更和１１−１５および自圧導入管１３
の中を目通してベルヌーイチャック用の気流導入管１８
が配設されている。
この気流導入管１８は前記ベルヌーイチャック用案内板
Ｉ７に嵌装されてお幻、該案内をｙノＺのト方に向けて
ベルヌーイチャック用。）気流を噴身１するようＣ二な
っているロ史Ｃ二、酌Ｊ呂已吸着ヘッドｌノにはその端
線がら下方に延出するベルヌーイチャック用のウニへ−
ガイドｋ ｔ ｙが設けられている０そして、 ４ｉｌ
記真空吸引伯゛ノロがらの真空吸引と、 Ｑｉｉ記気流
椅入管１８がらのベルヌーイチャック用の気Ｍｒ醇入と
は、バルブで任意に１ｕＪｉ１換えられるよう（二なっ
ている。
Ｉ７に嵌装されてお幻、該案内をｙノＺのト方に向けて
ベルヌーイチャック用。）気流を噴身１するようＣ二な
っているロ史Ｃ二、酌Ｊ呂已吸着ヘッドｌノにはその端
線がら下方に延出するベルヌーイチャック用のウニへ−
ガイドｋ ｔ ｙが設けられている０そして、 ４ｉｌ
記真空吸引伯゛ノロがらの真空吸引と、 Ｑｉｉ記気流
椅入管１８がらのベルヌーイチャック用の気Ｍｒ醇入と
は、バルブで任意に１ｕＪｉ１換えられるよう（二なっ
ている。
上記横′戟からなるウェハーチャックをバキュームチャ
ックとして使用するときは、バルブの切を）換えによｌ
Ｊ前記真空吸引管ノロから真空吸引をｉ７よい、吸着ヘ
ッドＩＩをしＪ示のように半４１クエハー１０ＪＣ↓上
に配「表する。これＣユよｌ）。
ックとして使用するときは、バルブの切を）換えによｌ
Ｊ前記真空吸引管ノロから真空吸引をｉ７よい、吸着ヘ
ッドＩＩをしＪ示のように半４１クエハー１０ＪＣ↓上
に配「表する。これＣユよｌ）。
吸着ヘッド１１下側の凹部には負圧尋人’ａ’ ｔ 、
？から買出が尋人され、この負圧（二よって半導体ウェ
ハー１は吸付ヘッドＩＩ（二ψ（霜保持される■その際
、吸着ヘッド１１の的記テーパ面１２は半導体ウェハー
ｌの頂面に対して２’ −５’の角度をなすように形成
されているから、第３区＋ （Ａ） ｌ二本ずように半
解体ウェハーｌはその周縁月片５ンテーバ面１２に当接
し、この結果吸着ヘットＪｌと線接触の状態で吸９ａ保
持さ些る０従って、従来のバキュームピンセットのよう
に半櫨俸りエハーｌを保持する際にその表面に傷をつけ
ることはない。他方、上記軍、そ施が１の■ノエハーチ
ャックをベルヌーイチ・Ｖツクとして使用する際は、バ
ルブの切替によって呉至吸引を（−Ｖ・止すると同時に
気７Ｍ、偏人管１８から窒素ガス等のベルヌーイチャッ
ク相克１ｊｔｔ ’ｒ 都人ずれはよい、これ（二よっ
て袖も３図（Ｂｌ ｉ二本丁ようにベルヌーイチャック
用気流が案内板１７に沿ってクエへ−１１７１大面を流
れ、ウェハーｌはこの気流（二よｆｌ生じる浮力によっ
てウェハーヲーヤック（二保持される０このときの半導
体ウェハー１と案内板１２どの間の距離ｔは気流の浦祝
によって異なるひなお、上記実施例のウェハーチャック
では。
？から買出が尋人され、この負圧（二よって半導体ウェ
ハー１は吸付ヘッドＩＩ（二ψ（霜保持される■その際
、吸着ヘッド１１の的記テーパ面１２は半導体ウェハー
ｌの頂面に対して２’ −５’の角度をなすように形成
されているから、第３区＋ （Ａ） ｌ二本ずように半
解体ウェハーｌはその周縁月片５ンテーバ面１２に当接
し、この結果吸着ヘットＪｌと線接触の状態で吸９ａ保
持さ些る０従って、従来のバキュームピンセットのよう
に半櫨俸りエハーｌを保持する際にその表面に傷をつけ
ることはない。他方、上記軍、そ施が１の■ノエハーチ
ャックをベルヌーイチ・Ｖツクとして使用する際は、バ
ルブの切替によって呉至吸引を（−Ｖ・止すると同時に
気７Ｍ、偏人管１８から窒素ガス等のベルヌーイチャッ
ク相克１ｊｔｔ ’ｒ 都人ずれはよい、これ（二よっ
て袖も３図（Ｂｌ ｉ二本丁ようにベルヌーイチャック
用気流が案内板１７に沿ってクエへ−１１７１大面を流
れ、ウェハーｌはこの気流（二よｆｌ生じる浮力によっ
てウェハーヲーヤック（二保持される０このときの半導
体ウェハー１と案内板１２どの間の距離ｔは気流の浦祝
によって異なるひなお、上記実施例のウェハーチャック
では。
バキュームチャックとして使用する場合およびベルヌー
イチャックとして使用する場合の何れの＃、４舎も１球
面ｄｘｈ承１４の１′「川によってチャックのｌ１ｉＪ
きが半導体ウェハー／ ｆ７Ｊ表面に倣うようになって
いる。
イチャックとして使用する場合の何れの＃、４舎も１球
面ｄｘｈ承１４の１′「川によってチャックのｌ１ｉＪ
きが半導体ウェハー／ ｆ７Ｊ表面に倣うようになって
いる。
土建のようζ二、木光明Ｃ二よるウェハーチャック）１
バキユームチヤツクとし′Ｃもベルヌーイチャックとし
ても仕へに使い分けることができ。
バキユームチヤツクとし′Ｃもベルヌーイチャックとし
ても仕へに使い分けることができ。
しかもバキュームチャックとし７て使用Ｔる際にも半解
体ウェハーカ表面を隅っけることがないことから、ＣＶ
Ｉ）装！内、内の加熱板上に半導体ウェハーを設置しあ
るいは加熱板上カウェハーを収１〕出す際０．〕ウエハ
ーチヤツクとして特（−後れた効果をイー」する０１、 ｆＪＪ ｉ：、 、半得体つコーハー乞ＣＶ Ｌ）装置
内の加熱板上に１役ｉ−」才る１５．キにはこのウェハ
ーチャックをバキュームチャックとして用いることによ
り。
体ウェハーカ表面を隅っけることがないことから、ＣＶ
Ｉ）装！内、内の加熱板上に半導体ウェハーを設置しあ
るいは加熱板上カウェハーを収１〕出す際０．〕ウエハ
ーチヤツクとして特（−後れた効果をイー」する０１、 ｆＪＪ ｉ：、 、半得体つコーハー乞ＣＶ Ｌ）装置
内の加熱板上に１役ｉ−」才る１５．キにはこのウェハ
ーチャックをバキュームチャックとして用いることによ
り。
半導体ウェハー表向に伺＠傷を付けることなく。
しηλも１−い位置積度で半導体ウェハーを加熱板上の
り１定位置に載−することができる。他方。
り１定位置に載−することができる。他方。
ＣＶＤ％―内の加熱板上から処理箔の半合体ウェハーを
取り出すときには１本発明のウェハーチャックをベルヌ
ーイチャックとＬ９て使用１することによｆｌ、にνＬ
）＃膜Ｃ：は何らＪ（７ｑ：を付けることなく非接１秋
の状態で、ウェハーを１１メリ出１−ことができる◎ま
た。半４Ｉ体ウェハーを（ν１）装Ｌｆ内から収（）出
ず際にベルヌーイチャックとして使用ずれは、チャック
とウェハーどの接触７１回だけの線持触で出し入れでき
ろ曲、伏のよう７よ効果もｒ＝られる。
取り出すときには１本発明のウェハーチャックをベルヌ
ーイチャックとＬ９て使用１することによｆｌ、にνＬ
）＃膜Ｃ：は何らＪ（７ｑ：を付けることなく非接１秋
の状態で、ウェハーを１１メリ出１−ことができる◎ま
た。半４Ｉ体ウェハーを（ν１）装Ｌｆ内から収（）出
ず際にベルヌーイチャックとして使用ずれは、チャック
とウェハーどの接触７１回だけの線持触で出し入れでき
ろ曲、伏のよう７よ効果もｒ＝られる。
即し、ベルヌーイチャックの場侍は保持下べさ半導体ウ
ェハーとウェハーチャックとの１［１１力位ＥＩ Ｑ’
１１９：をれ［（シても支障ないから、半導体りエハー
収り出しの際のセットアツプ時間を短稲することができ
、調整も１′ｆ易であるｅまた。パギュームナヤツクで
の使用とベルヌーイチャックでの使１１４とを父仕に行
なうから、バキュームチャック時に二吸福ヘッドカテー
パ出１（二１・「へした腿１欠４−がベルヌーイチャッ
ク１１方力大（％Ｚ ’二よって除去され、これによっ
てクリーニング効果が得られるという利点を有する。
ェハーとウェハーチャックとの１［１１力位ＥＩ Ｑ’
１１９：をれ［（シても支障ないから、半導体りエハー
収り出しの際のセットアツプ時間を短稲することができ
、調整も１′ｆ易であるｅまた。パギュームナヤツクで
の使用とベルヌーイチャックでの使１１４とを父仕に行
なうから、バキュームチャック時に二吸福ヘッドカテー
パ出１（二１・「へした腿１欠４−がベルヌーイチャッ
ク１１方力大（％Ｚ ’二よって除去され、これによっ
てクリーニング効果が得られるという利点を有する。
上述のようＣ二１本発明のウェハーチャックによれはＣ
−’ １） 公置円へ半導体ウェハーを出し入れするｈ
Ｇ Ｌ）Ｊ従来の問題を解決できると共に、その細杆々
の効果を得ることができる・
−’ １） 公置円へ半導体ウェハーを出し入れするｈ
Ｇ Ｌ）Ｊ従来の問題を解決できると共に、その細杆々
の効果を得ることができる・
第１図（Ａ）、 、 （Ｂ）はバキュームピンセットの
説明図であ１）、Ｔｈ１図Ｃ）はベルヌーイチャックの
説明（！！ｌＳ、 、第２図は本発明の、一実施例にな
るウェハーチャックを示す断面図、第３固体）（Ｂ）は
夫々第２図のウェハーチャックの作用をボア説明図であ
る。 ７７・・・吸着ヘッド、１２・・・テーパ面、ノ３・・
・負圧導入管、１４・・・球面軸承、１５・・・連結管
。 １６・・・真草牧引督°、ノー・・・気流案内板、１Ｂ
・・・気７ｆ＋ｔ ８入管、１−９・・・ウェハーガイ
ド板。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦゛第 １ 図 第３１！ｌ （Ａ）
説明図であ１）、Ｔｈ１図Ｃ）はベルヌーイチャックの
説明（！！ｌＳ、 、第２図は本発明の、一実施例にな
るウェハーチャックを示す断面図、第３固体）（Ｂ）は
夫々第２図のウェハーチャックの作用をボア説明図であ
る。 ７７・・・吸着ヘッド、１２・・・テーパ面、ノ３・・
・負圧導入管、１４・・・球面軸承、１５・・・連結管
。 １６・・・真草牧引督°、ノー・・・気流案内板、１Ｂ
・・・気７ｆ＋ｔ ８入管、１−９・・・ウェハーガイ
ド板。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦゛第 １ 図 第３１！ｌ （Ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下方に市１って拡開し７た笠状力吸着ヘッドと。 該吸犯ヘッドの頂部に連結された貝圧睨入管と。 前記吸着ヘッドの先端開口部に吸着保持される半管体ウ
ェハーの周＃胸部が当接するようにｉｎ記吸呑ヘッドの
先端部内Ｇ５？ ｌ二形取、されたテーパ面と、 Ｑｉ
前記吸覇ヘット°の中央部でその開口端面と略同レベル
に配設されたベルヌーイチャック用の気流案内板と、酊
１記吸屑ヘッドを上方から１抽してｉｉｌ記気流案内板
に連結され、該気流−屡内様の下方にベルヌーイチャッ
ク用の気流を１質射１−る気７ｊ＋を尋入首とを置端し
Ｋことを特徴とするウェハーチャック◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15995982A JPS5948938A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | ウエハ−チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15995982A JPS5948938A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | ウエハ−チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948938A true JPS5948938A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15704902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15995982A Pending JPS5948938A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | ウエハ−チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948938A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH02303047A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Shioya Seisakusho:Kk | ウエハチヤツク方法及び装置 |
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