JPS5944831A - 薄膜堆積方法 - Google Patents
薄膜堆積方法Info
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- JPS5944831A JPS5944831A JP15470382A JP15470382A JPS5944831A JP S5944831 A JPS5944831 A JP S5944831A JP 15470382 A JP15470382 A JP 15470382A JP 15470382 A JP15470382 A JP 15470382A JP S5944831 A JPS5944831 A JP S5944831A
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- Japan
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- film
- deposition
- deposited
- resistor pattern
- etching
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、薄膜堆積方法に関し′ヒＣに凹凸ある７＋
’−扱、３４而七でのγ；、’Ｊ、 ｌｉへ堆れ１方法
の改良に係わる。
’−扱、３４而七でのγ；、’Ｊ、 ｌｉへ堆れ１方法
の改良に係わる。
［ｉ１１’、３１′技術とその問題点〕近年ｉｔ％（Ｌ
Ｓ Ｉロジックデバイスには、Ａｅ多層配線技術が必
要とされＣいる。多層配線技術には、層１１１０ｐＨ、
Ｉ！’ｉ’＝ ｌｌｉ卓が必す５゛２ニされる。層間絶
縁脱杭１−５１帽圧が充分大であること、リーク？イ淀
が小であることおよび可動イオンを含まないこと等、絶
、縁１時と１７で本来備えるべき性ηに加えて、堆積中
に１層目のＡｅにヒロックを生じない様、低温で堆稈＋
ｒ”３’ ６１°であること１、・よびステップカバ
レッジが口りｊであることなどの干」三値が要求される
。
Ｓ Ｉロジックデバイスには、Ａｅ多層配線技術が必
要とされＣいる。多層配線技術には、層１１１０ｐＨ、
Ｉ！’ｉ’＝ ｌｌｉ卓が必す５゛２ニされる。層間絶
縁脱杭１−５１帽圧が充分大であること、リーク？イ淀
が小であることおよび可動イオンを含まないこと等、絶
、縁１時と１７で本来備えるべき性ηに加えて、堆積中
に１層目のＡｅにヒロックを生じない様、低温で堆稈＋
ｒ”３’ ６１°であること１、・よびステップカバ
レッジが口りｊであることなどの干」三値が要求される
。
従来、層間絶縁膜（・」１、スパッタリング法やグラス
Ｙ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅ＋ｎ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｒ
）ｅｐｎｓｉｔｉｏｎ ）汐によりバ２成されてきたが
、質的に良好な絶縁膜を形成するだめには、３００°０
以上の基板温用を必９ｊｉとすＺ）１−、ステップカバ
レッジ１は必ずしも１．ｌＪＪでｉ、、１ないという問
題点があった。
Ｙ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅ＋ｎ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｒ
）ｅｐｎｓｉｔｉｏｎ ）汐によりバ２成されてきたが
、質的に良好な絶縁膜を形成するだめには、３００°０
以上の基板温用を必９ｊｉとすＺ）１−、ステップカバ
レッジ１は必ずしも１．ｌＪＪでｉ、、１ないという問
題点があった。
本発明は、上記り”１＃点に鮨みてなされたものてちり
、凹凸ある基板表面上に良好なステップカバ１゜ツジで
絶縁膜の堆積を行なうとどを目的とｌ、 ｆいる。
、凹凸ある基板表面上に良好なステップカバ１゜ツジで
絶縁膜の堆積を行なうとどを目的とｌ、 ｆいる。
本発明は薄１漠の堆ｕｉと准稍しｆｒ、 ＩＩ！Ｊの：
Ｔ−ソブングを同時に進行さぜることを／ｌす徴とジろ
。
Ｔ−ソブングを同時に進行さぜることを／ｌす徴とジろ
。
本発明によればステップカバレッジの良ｔ「な薄ＩＩ（
厚ｌ（１精がｏＪ能である。
厚ｌ（１精がｏＪ能である。
本発明において４−Ｊ１薄膜形成の一手段と１〜でイメ
ンプレーデイング法を採用した。第１図は、本発明で１
４・用し／ｒ、イオンブレーティング装置〜の概略を示
す。ペルジャー１内に、ウエーノ・ステージ２゜ｒｆ放
電用コイル醒極３．ノ・−ス４．宜子銃５を備える。排
気糸は、油回転ポンプ１１とクライオポンプ６から成る
。バリアプルリークパルプ７を介［７でペルジャー１内
に酸素ガスを導入し、１０’’ｒｎ ｒｒ台の圧力下で
、ハース４内のシリコン８を電子ヒームによりＸＩに梵
さぜ、スイッチング回ｙ？ｉ ９を介しでｒｆ ｔＫｉ
）Ｇｉ １ （＋から供給されたｒｆ電力により、蒸発
し７ｊ３ｉと０．を数箱せしめる。８１は０２分子およ
び放電によって発生した酸素ラジカルヤイメンによって
酸化ゴれ、ウエーノ・ステージ２下面に固定されたウェ
ーノル１１上に堆ｆ０する。ｒｆ放電することなく、酸
素分子だけで蒸発したシリコンの酸化は可卵である。こ
の方法を、反応性蒸］楕汐と叶ぶことにする。
ンプレーデイング法を採用した。第１図は、本発明で１
４・用し／ｒ、イオンブレーティング装置〜の概略を示
す。ペルジャー１内に、ウエーノ・ステージ２゜ｒｆ放
電用コイル醒極３．ノ・−ス４．宜子銃５を備える。排
気糸は、油回転ポンプ１１とクライオポンプ６から成る
。バリアプルリークパルプ７を介［７でペルジャー１内
に酸素ガスを導入し、１０’’ｒｎ ｒｒ台の圧力下で
、ハース４内のシリコン８を電子ヒームによりＸＩに梵
さぜ、スイッチング回ｙ？ｉ ９を介しでｒｆ ｔＫｉ
）Ｇｉ １ （＋から供給されたｒｆ電力により、蒸発
し７ｊ３ｉと０．を数箱せしめる。８１は０２分子およ
び放電によって発生した酸素ラジカルヤイメンによって
酸化ゴれ、ウエーノ・ステージ２下面に固定されたウェ
ーノル１１上に堆ｆ０する。ｒｆ放電することなく、酸
素分子だけで蒸発したシリコンの酸化は可卵である。こ
の方法を、反応性蒸］楕汐と叶ぶことにする。
第２図は、１μｍの高さの矩形パターンおよび：３μ所
程度の７１ダの上に約１μｍ７１斤の５ｉ０２股を准１
１°・１．だ２１ハ合の形状を模式的に示しだ図であ２
）。′＋＋Ｊ子ビー広ビーム蒸発源１．２ＫＷ、 Ｏ，
圧力３ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒと１−、た。
程度の７１ダの上に約１μｍ７１斤の５ｉ０２股を准１
１°・１．だ２１ハ合の形状を模式的に示しだ図であ２
）。′＋＋Ｊ子ビー広ビーム蒸発源１．２ＫＷ、 Ｏ，
圧力３ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒと１−、た。
（ａ）（ハ反応性蒸着法の場合であり、ステップエツジ
において、オーバーハング形状を呈するっこれｒａｔ
１スパツタリング法や蒸着法において一般的にすｃ−）
れる現象であり、ステップによるシャドインク効堅カ原
因テアル。一方（＋３） ｌｄ、ｒｆ ′（Ｉ力５ （
１（ｌ Ｗのイオンシレーティング法−で１１６ ｆｌ
’ｉ ｔ、だを１台であ２）か、良好な形状を呈する。
において、オーバーハング形状を呈するっこれｒａｔ
１スパツタリング法や蒸着法において一般的にすｃ−）
れる現象であり、ステップによるシャドインク効堅カ原
因テアル。一方（＋３） ｌｄ、ｒｆ ′（Ｉ力５ （
１（ｌ Ｗのイオンシレーティング法−で１１６ ｆｌ
’ｉ ｔ、だを１台であ２）か、良好な形状を呈する。
これ１は放電し一〇ノ′ラスマを発。
生じた結果、試料表面にもシースが形成びれ、イメンが
基板に対して乎直に入射し１．唯ｆ／ｌ した）１・、
Ｖの一部をリスバッターしたためシャドイング効果が緩
和式れたものと考えられる。
基板に対して乎直に入射し１．唯ｆ／ｌ した）１・、
Ｖの一部をリスバッターしたためシャドイング効果が緩
和式れたものと考えられる。
３／１７’ｌ１％を度の溝の場合に１ｒｌ１、；ｉ’ｔ
’ｌ ｌ：ｌ （＋１）のどとくイオンブレーティン
グ法により埋め込むことブベＥ１１ ｒｉｉ’であるが
、１μフルあるいはザフ゛ミクロンの濯３の」甲め込み
は容易ではない。イオンシレーティング法においても、
オーバーハング形状となる。このオーバーハング形状と
なる溝の寸法は、Ｉｆｆ￥ｆｒｔ速度と密接な関係があ
る。第３図は、イオンシレーティング法において、Ｊｌ
ＩＴｎ高さのステップにはさ゛まれた（＋”＃に、１μ
ｍｌ’ｌのＳ ＋０２１ｉ／Ｍを堆積した場合にｒｆ
′ｒｉｇ力５ Ｕ ＯＷ、 （’）ｔ １１−力３ Ｘ
１０−”ｒｏｒｒ ”４子ビーム１．２ＫＷにお０る
メーパーハング形状を呈する溝の寸法と堆積１乗ＦＷの
関係４・示す。たとえ１７．ｌ：１．ｉ１和１！（慮ｐ
ｉ２０００人／分の時、寸法１１ｎｎの溝ではオーバー
ハング形状となり、うまく埋め込めないが、１５０Ｘ、
／分では、０５μｍの溝までオーバーハング形状を示さ
ず埋め込むことが司＃ｉ１′である。この現象（ｌよ、
第２図でも述べたとおり、リスバッターの効〃・で説明
されると考えられる。す／ｒわち、一定ｒｆ電力による
）Ｊ’（ｔｉ℃下で１・ｌ１、圧力か−＞’ｒｌでろ、
ろ限り、発生するイオンｌｊｉ’、 Ｉｆ、１、一定で
あり、リスバッタ−１東度は一定である。
’ｌ ｌ：ｌ （＋１）のどとくイオンブレーティン
グ法により埋め込むことブベＥ１１ ｒｉｉ’であるが
、１μフルあるいはザフ゛ミクロンの濯３の」甲め込み
は容易ではない。イオンシレーティング法においても、
オーバーハング形状となる。このオーバーハング形状と
なる溝の寸法は、Ｉｆｆ￥ｆｒｔ速度と密接な関係があ
る。第３図は、イオンシレーティング法において、Ｊｌ
ＩＴｎ高さのステップにはさ゛まれた（＋”＃に、１μ
ｍｌ’ｌのＳ ＋０２１ｉ／Ｍを堆積した場合にｒｆ
′ｒｉｇ力５ Ｕ ＯＷ、 （’）ｔ １１−力３ Ｘ
１０−”ｒｏｒｒ ”４子ビーム１．２ＫＷにお０る
メーパーハング形状を呈する溝の寸法と堆積１乗ＦＷの
関係４・示す。たとえ１７．ｌ：１．ｉ１和１！（慮ｐ
ｉ２０００人／分の時、寸法１１ｎｎの溝ではオーバー
ハング形状となり、うまく埋め込めないが、１５０Ｘ、
／分では、０５μｍの溝までオーバーハング形状を示さ
ず埋め込むことが司＃ｉ１′である。この現象（ｌよ、
第２図でも述べたとおり、リスバッターの効〃・で説明
されると考えられる。す／ｒわち、一定ｒｆ電力による
）Ｊ’（ｔｉ℃下で１・ｌ１、圧力か−＞’ｒｌでろ、
ろ限り、発生するイオンｌｊｉ’、 Ｉｆ、１、一定で
あり、リスバッタ−１東度は一定である。
このリスバッタｉ！ｉ Ｉｎに対して、堆積速度が（止
めて犬である時、ごく少ｈ１のリスバッターでりよシャ
ドイング効果を抑制しきれ外いため、刊−バーハング形
状となる。一方堆ｆｉｔ １ｙｆｉ ＩＱ、が小の時、
リスバッターは充分に作用し、オーバーハング形状を抑
制する。
めて犬である時、ごく少ｈ１のリスバッターでりよシャ
ドイング効果を抑制しきれ外いため、刊−バーハング形
状となる。一方堆ｆｉｔ １ｙｆｉ ＩＱ、が小の時、
リスバッターは充分に作用し、オーバーハング形状を抑
制する。
上記結果からの９”、Ｉｉ推として、リスバッターとＩ
’ｉｊ１様な方向性エツチングを強制的に起と干ことに
より、より狭い溝を埋め込むことが用卵であると（ＩＩ
Ｍされる。そこで、系内に０２： ＣＦ４＝ １０ ：
１の１１１１杓でＣＦ４ガス多・導入して第３図と同
様の実験を行なった結芽・を第４図に示す。方向性エツ
チングの動片は明らかである。
’ｉｊ１様な方向性エツチングを強制的に起と干ことに
より、より狭い溝を埋め込むことが用卵であると（ＩＩ
Ｍされる。そこで、系内に０２： ＣＦ４＝ １０ ：
１の１１１１杓でＣＦ４ガス多・導入して第３図と同
様の実験を行なった結芽・を第４図に示す。方向性エツ
チングの動片は明らかである。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説、明する。
Ｐ型３１基板１２を２０枚を形成する。つづいでマグネ
トロンスパッタ装置により、ｈｅ １ ％ Ｓｒ 合
金膜１４を１μｍ膜Ｊ７で堆積し、ポジ型７メトレジス
ト（東京応化社製ＱＦＰＲ−８００） を９Ｊ・＋１
１シて、１μｍ、 ＋１］のＡｅ配線川用しストパター
ン１５を形成し。
トロンスパッタ装置により、ｈｅ １ ％ Ｓｒ 合
金膜１４を１μｍ膜Ｊ７で堆積し、ポジ型７メトレジス
ト（東京応化社製ＱＦＰＲ−８００） を９Ｊ・＋１
１シて、１μｍ、 ＋１］のＡｅ配線川用しストパター
ン１５を形成し。
だ（図５ （ａ） ）。該レジストパターン１５をマヌ
クトシ、ＣＣｌ４／Ｃ１１ｔ （ｍ ｈｔ ２０ｍ（１
’ 、 ＮＩＪｅＪｔ １ ： １ ） ｒ（出力３５
０Ｗの苧件下でＡ（？ ＩＩＭ １．４のエツチングを
行なった後、レジスト膜を除去し７た。ここで２０枚の
Ｓｉ基本を１０枚づつ２和に分け、一方を０！雰囲気で
のイオンブレーティング法（０，圧力３ Ｘ １０ ’
Ｔｏｒｒ１！ｊ ｇ＋１１出力１．２ ＫＷ 、 ｒ
ｆ ７Ｊ力５００Ｗ）で、他方をＯ１／ ＣＦ４ ｒ）
Ｙ負１比１（１：ｌの割合でＣＦ、を含有した雰囲気下
でのイオンフレーティング法で、それぞれ酸化シリコン
膜１６をｆｔｆｉ （Ｊ４ Ｌだ。４７いてマグネトロ
ンスパッタ法により２層目のＡｌ膜１７を堆ｔ／ｌＬ、
１層］１と同様の工、Ｔ′−でパターン形式を行なった
。次にｆＰＪ１層目と同様の条件で２Ｐ目の＾ｅ膜のエ
ツチングを行庁いｈｅ配縮を形成した。（＋））該２層
目のＡ６配線のオープン／ショートテストを行なったと
ころ （Ｎ Ｆｌ、を含まない争件下で層間？縁膜の堆
積を行なつｔ二場合（ｆ」：、Ｉ Ｎ１目のＡＩ！膜エ
ツジ、１−？）Ｉ（Ｋ：位置する２層目のＡｅ配線にメ
ープン不良が多く見られた。
クトシ、ＣＣｌ４／Ｃ１１ｔ （ｍ ｈｔ ２０ｍ（１
’ 、 ＮＩＪｅＪｔ １ ： １ ） ｒ（出力３５
０Ｗの苧件下でＡ（？ ＩＩＭ １．４のエツチングを
行なった後、レジスト膜を除去し７た。ここで２０枚の
Ｓｉ基本を１０枚づつ２和に分け、一方を０！雰囲気で
のイオンブレーティング法（０，圧力３ Ｘ １０ ’
Ｔｏｒｒ１！ｊ ｇ＋１１出力１．２ ＫＷ 、 ｒ
ｆ ７Ｊ力５００Ｗ）で、他方をＯ１／ ＣＦ４ ｒ）
Ｙ負１比１（１：ｌの割合でＣＦ、を含有した雰囲気下
でのイオンフレーティング法で、それぞれ酸化シリコン
膜１６をｆｔｆｉ （Ｊ４ Ｌだ。４７いてマグネトロ
ンスパッタ法により２層目のＡｌ膜１７を堆ｔ／ｌＬ、
１層］１と同様の工、Ｔ′−でパターン形式を行なった
。次にｆＰＪ１層目と同様の条件で２Ｐ目の＾ｅ膜のエ
ツチングを行庁いｈｅ配縮を形成した。（＋））該２層
目のＡ６配線のオープン／ショートテストを行なったと
ころ （Ｎ Ｆｌ、を含まない争件下で層間？縁膜の堆
積を行なつｔ二場合（ｆ」：、Ｉ Ｎ１目のＡＩ！膜エ
ツジ、１−？）Ｉ（Ｋ：位置する２層目のＡｅ配線にメ
ープン不良が多く見られた。
ｔ１１１図は、本発明で使用したイオンレ“レーティン
グｊ０ ｆ＃ｆの概略を示す図、第２図は、スペースに
よ？ける堆積形状を示す図、第３図及び＄４図は、堆積
速熱゛と埋め込み可能なスペース寸法との関係金示す図
、第５図は、Ａｅ配線のメーグン／ショートテスト用試
料作製二■二程を示す断面図である。 １・・・ペルジャー ２１ウエーハスデージ３・・コ
イル？ＩＨＵ ４・・・ハース５・・・’ｒ眞子Ｑ
フィラメント ６・・クライオボニ・）７・・・バリア
プルリークパルプ ８・・・、９１９・・・マツチン
グ回路 １０・・・ｒｆ電源１１・・油回転ポンプ
１２・・・Ｆ’ｆＦＡＳｉ基版１３・・基部１
３膜 １４・・１層目Ｎｅ ｓ１５・・Ａｌ
配縮用レジストパターン １６・・・酸化シリコン膜 １７・・・２層目Ａｅ
＋＋＋ａ（７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑
（＋５．か１名）第 １ 図 第２図 第 ３ 図 ｉｎ；噸ヒ、及 （１〆も〆３）゛ン 第 ４ 図 五播連及（ｉβ）
グｊ０ ｆ＃ｆの概略を示す図、第２図は、スペースに
よ？ける堆積形状を示す図、第３図及び＄４図は、堆積
速熱゛と埋め込み可能なスペース寸法との関係金示す図
、第５図は、Ａｅ配線のメーグン／ショートテスト用試
料作製二■二程を示す断面図である。 １・・・ペルジャー ２１ウエーハスデージ３・・コ
イル？ＩＨＵ ４・・・ハース５・・・’ｒ眞子Ｑ
フィラメント ６・・クライオボニ・）７・・・バリア
プルリークパルプ ８・・・、９１９・・・マツチン
グ回路 １０・・・ｒｆ電源１１・・油回転ポンプ
１２・・・Ｆ’ｆＦＡＳｉ基版１３・・基部１
３膜 １４・・１層目Ｎｅ ｓ１５・・Ａｌ
配縮用レジストパターン １６・・・酸化シリコン膜 １７・・・２層目Ａｅ
＋＋＋ａ（７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑
（＋５．か１名）第 １ 図 第２図 第 ３ 図 ｉｎ；噸ヒ、及 （１〆も〆３）゛ン 第 ４ 図 五播連及（ｉβ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１エツチングと堆積を同時に進行させ、堆積：、４
＜ ｒ’、−がエツチング１１豊８をトまわる東部下で
行々うことをＱ！？徴とする＋ｉす＋ｌＲ堆［【゛１方
法。 （２） ｌ’ｌ／！νｉはスパッタリンク法、蒸着法
またはイオンブレーティング法により行われ、系内に少
Ｍの少ブｃくとも］ １ｆｆｆのハロゲン元素を含有す
るガスがダ゛７人されることを特徴とする特許請求範囲
第１＾ Ｊ）′（ハ’ ｉｌ＋！ ０） ７４１１． ｌ内■情
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470382A JPS5944831A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 薄膜堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470382A JPS5944831A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 薄膜堆積方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944831A true JPS5944831A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15590102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15470382A Pending JPS5944831A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 薄膜堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944831A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182219A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法 |
| JPS6362238A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Toshiba Corp | 薄膜堆積方法 |
| US5112776A (en) * | 1988-11-10 | 1992-05-12 | Applied Materials, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing |
| US5244841A (en) * | 1988-11-10 | 1993-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing |
| JPH07166360A (ja) * | 1984-10-25 | 1995-06-27 | Applied Materials Inc | 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法 |
| US6087276A (en) * | 1996-10-29 | 2000-07-11 | National Science Council | Method of making a TFT having an ion plated silicon dioxide capping layer |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP15470382A patent/JPS5944831A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07166360A (ja) * | 1984-10-25 | 1995-06-27 | Applied Materials Inc | 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法 |
| JPS61182219A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法 |
| JPS6362238A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Toshiba Corp | 薄膜堆積方法 |
| US5112776A (en) * | 1988-11-10 | 1992-05-12 | Applied Materials, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing |
| US5244841A (en) * | 1988-11-10 | 1993-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing |
| US6087276A (en) * | 1996-10-29 | 2000-07-11 | National Science Council | Method of making a TFT having an ion plated silicon dioxide capping layer |
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