JPS5939084A - 光集積回路実装構造 - Google Patents
光集積回路実装構造Info
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- JPS5939084A JPS5939084A JP14893182A JP14893182A JPS5939084A JP S5939084 A JPS5939084 A JP S5939084A JP 14893182 A JP14893182 A JP 14893182A JP 14893182 A JP14893182 A JP 14893182A JP S5939084 A JPS5939084 A JP S5939084A
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- optical integrated
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- mounting structure
- input
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- G—PHYSICS
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
-
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
fa+81発明術分野
本発明は光集積回路チップに入出カフアイバーアレーを
効率よく結合させる実装構成の改良に関す。魁・ (b)技術の背景 半導体レーザ、受光ダイオード、および伝送損失の著し
く小さい光ファイバーの開発は、所謂オプトエレクトニ
クスを飛躍的に進歩させ、大きい伝送容量、外界より静
電的、電磁的影響を受けない利点と相俟って既に光通信
技術は実用化に入り、年々その需要は増大しつつある。
効率よく結合させる実装構成の改良に関す。魁・ (b)技術の背景 半導体レーザ、受光ダイオード、および伝送損失の著し
く小さい光ファイバーの開発は、所謂オプトエレクトニ
クスを飛躍的に進歩させ、大きい伝送容量、外界より静
電的、電磁的影響を受けない利点と相俟って既に光通信
技術は実用化に入り、年々その需要は増大しつつある。
この増大する需要に応え、既述光部品の改良、小型化、
ひいては構成機器の小型化と高信頼性のため所謂光集積
回路チップの開発も進み、これに入出カフアイバーアレ
ーを結合させる構成が実用化されつつある。
ひいては構成機器の小型化と高信頼性のため所謂光集積
回路チップの開発も進み、これに入出カフアイバーアレ
ーを結合させる構成が実用化されつつある。
半導体レーザ、受光ダイオードの構成には現在GaAs
系半導体が最も広く使用されており、その生産過程より
半導体レーザ、即ら発光部は結晶の成長方向に直角、従
ってチップの側端面に形−成され、−力受光ダイオ〜l
゛、即ち受光部は千ノブ上面に形成される。
系半導体が最も広く使用されており、その生産過程より
半導体レーザ、即ら発光部は結晶の成長方向に直角、従
ってチップの側端面に形−成され、−力受光ダイオ〜l
゛、即ち受光部は千ノブ上面に形成される。
第1図(イ)はこの状況を模型的に斜視図を以て示すも
ので1はチップ、2は受光部列、3は発光部列を示す。
ので1はチップ、2は受光部列、3は発光部列を示す。
チップには勿論その化トランジスター、ダイオードが形
成され、表面にはコンデンサー、抵抗および相互接続の
配線パターンが作成されること一般の集積回路と同様で
ある。
成され、表面にはコンデンサー、抵抗および相互接続の
配線パターンが作成されること一般の集積回路と同様で
ある。
これに入出カフアイバーアレーを夫々受光部列2と発光
部列3とに結合させて一体化し、外部より電源を供給す
るだけで、例えば光通信用中継器として動作する光集積
化回路が得られる。
部列3とに結合させて一体化し、外部より電源を供給す
るだけで、例えば光通信用中継器として動作する光集積
化回路が得られる。
fcl従来技術と問題点
第1図(ロ)は上記入出カフアイバーアレー4゜5と受
光部列2と発光部列3との従来の結合を側面略図で示す
もので、同一水平方向にファイバーアレー4.5を配設
するために入力ファイバーアレー4の端部に反射面6を
形成させている。
光部列2と発光部列3との従来の結合を側面略図で示す
もので、同一水平方向にファイバーアレー4.5を配設
するために入力ファイバーアレー4の端部に反射面6を
形成させている。
このような構成では細かいファイバーアレー4の端部に
正確な反射面6を形成することは容易ではなく、更に入
力部、出力部2開所において位置合せ調整を必要とし、
組立工数が著しく大きくなる。
正確な反射面6を形成することは容易ではなく、更に入
力部、出力部2開所において位置合せ調整を必要とし、
組立工数が著しく大きくなる。
fd1発明の目的
本発明は上記欠点を除去した新規なこの種、光集積回路
実装構造を提供することをその目的とする。
実装構造を提供することをその目的とする。
te)発明の構成
上記本発明の目的は出射ビーム方向を転換する反射面を
発光部面前に備える光集積回路チップを収容するセラミ
ック基板と、該基板上に配設される入出カフアイバーア
レーを略垂直に収容保持するファイバーアレー結合部よ
りなる本発明による構成によって達成される。
発光部面前に備える光集積回路チップを収容するセラミ
ック基板と、該基板上に配設される入出カフアイバーア
レーを略垂直に収容保持するファイバーアレー結合部よ
りなる本発明による構成によって達成される。
チップを収容するセラミック基板の発光部面前に正確な
反射面を備えるには、該当斜面に鏡面研摩を施した上、
例えばクローム鍍金して得られ、この工程はファイバー
アレーの先端に反射面を形成するより遥かに容易かつ正
確に実行できる。
反射面を備えるには、該当斜面に鏡面研摩を施した上、
例えばクローム鍍金して得られ、この工程はファイバー
アレーの先端に反射面を形成するより遥かに容易かつ正
確に実行できる。
又入出カフアイバーアレーを略垂直に収容保持するファ
イバーアレー結合部を使用し、該結合部をチップを収容
するセラミック基板上に出射ビーム出力、入力ヒーム出
力を測定しつつ最高感度位置で例えば鑞付けによって結
合させることによって一挙に組み立てを完了させること
ができる。
イバーアレー結合部を使用し、該結合部をチップを収容
するセラミック基板上に出射ビーム出力、入力ヒーム出
力を測定しつつ最高感度位置で例えば鑞付けによって結
合させることによって一挙に組み立てを完了させること
ができる。
(f1発、明の実施例
以下図面に示す本発明の実施例により本発明の要旨を具
体的に説明する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示
す。
体的に説明する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示
す。
第2図(イ)は一実施例の要部斜視図、同図(ロ)は同
図(イ)のA−、A側断面図を示す。
図(イ)のA−、A側断面図を示す。
光集積回路チップ1は底面を銅よりなるヒートシンク7
上に接着剤8により固定されて表面に所定配線パターン
9を備えたセラミック基板1oの中空部に収容されてい
る。該中空部内壁のチップIの発光部3に対向する部分
11は略45°の斜面に鏡面6Jf摩された上クローム
めっきが施されて出射ビームの反射面を形成している。
上に接着剤8により固定されて表面に所定配線パターン
9を備えたセラミック基板1oの中空部に収容されてい
る。該中空部内壁のチップIの発光部3に対向する部分
11は略45°の斜面に鏡面6Jf摩された上クローム
めっきが施されて出射ビームの反射面を形成している。
一方入出力フアイバーアレー4″、5゛は底面両側に鑞
付は用めっきを施したセラミックブロック12のファイ
バーアレー結合ブロック13.14に収容固定され、夫
々のファイバ一端面を僅少な間隙15を隔てて、夫々チ
ップ1の受光部2、および基板10の内壁反射面11と
対向している。
付は用めっきを施したセラミックブロック12のファイ
バーアレー結合ブロック13.14に収容固定され、夫
々のファイバ一端面を僅少な間隙15を隔てて、夫々チ
ップ1の受光部2、および基板10の内壁反射面11と
対向している。
セラミックブロック12ばその底板の下面両側において
セラミック基板1oと半田15により鑞付り固定されて
いる。この際治工具を使用し、半田15の熔融中、デツ
プ1を動作状態として出射ヒーム出力、入力ビーム出力
を測定っつ最高感度位置で冷却固定させる。
セラミック基板1oと半田15により鑞付り固定されて
いる。この際治工具を使用し、半田15の熔融中、デツ
プ1を動作状態として出射ヒーム出力、入力ビーム出力
を測定っつ最高感度位置で冷却固定させる。
第2図(ハ)に要部側断面図で示す他の実施例では、セ
ラミック基板1oの内壁反射面11には半球状レンズ1
6が設りられ、出力ファイバーアレ−5゛端面に出射ビ
ームを収束せしめて出方感度を向上させている。
ラミック基板1oの内壁反射面11には半球状レンズ1
6が設りられ、出力ファイバーアレ−5゛端面に出射ビ
ームを収束せしめて出方感度を向上させている。
又この半球状レンズ16に代り、第2図(ニ)には結合
部13.14の先端に球形レンズ17.18を設は光結
合効率の改善をはかった別の実施例が要部側断面図で示
されている。
部13.14の先端に球形レンズ17.18を設は光結
合効率の改善をはかった別の実施例が要部側断面図で示
されている。
(g+発明の詳細
な説明のように本発明による光集積回路実装においては
入出カフアイバーとチップとの結合工程を簡易化する著
しい効果を備えている。
入出カフアイバーとチップとの結合工程を簡易化する著
しい効果を備えている。
第1図は光集積回路チップ(伺と入出刃ファイバーアレ
ーとの従来の結合実装構造(ロ)の−例を、第2図は本
発明の一実施例の要部斜視図(図において1は光集積回
路チップ、2,3は夫々そ老受光部および発光部、4.
4″、 5. 5’は夫々入力、出力ファイバーアレ
ー、7はヒートシンク、10はセラミック基板、11は
反射面、12はセラミックブロック、13. 14はフ
ァイバーアレー結合部を示す。 孫1図 (イン (Δ)
ーとの従来の結合実装構造(ロ)の−例を、第2図は本
発明の一実施例の要部斜視図(図において1は光集積回
路チップ、2,3は夫々そ老受光部および発光部、4.
4″、 5. 5’は夫々入力、出力ファイバーアレ
ー、7はヒートシンク、10はセラミック基板、11は
反射面、12はセラミックブロック、13. 14はフ
ァイバーアレー結合部を示す。 孫1図 (イン (Δ)
Claims (1)
- 出射ビーム方向を転換する反射面を発光部直前に備える
光集積回路チップを収容するセラミック基板と、該基板
上に配設される入出力ファーイパーアレーを略垂直に収
容保持するファイバーアレー結合部よりなることを特徴
とする光集積回路実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14893182A JPS5939084A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 光集積回路実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14893182A JPS5939084A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 光集積回路実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5939084A true JPS5939084A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15463858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14893182A Pending JPS5939084A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 光集積回路実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5939084A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61148009U (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-12 | ||
FR2592744A1 (fr) * | 1986-01-06 | 1987-07-10 | Ferraz | Dispositif pour la detection du seuil d'usure des contacts electriques du type a frottement |
JPS62215909A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Nec Corp | 並列光信号処理半導体素子 |
JPS6337307A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Derufuai:Kk | 光フアイバコネクタの構成 |
JPS63173021U (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | ||
JPH02920U (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | ||
JPH026421U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-17 | ||
JPH0229217U (ja) * | 1988-08-13 | 1990-02-26 | ||
JPH0675111U (ja) * | 1993-11-16 | 1994-10-25 | セイレイ工業株式会社 | 茎葉処理機の根部残留構造 |
JPH0675112U (ja) * | 1993-11-16 | 1994-10-25 | セイレイ工業株式会社 | 茎葉処理機の直進性向上構造 |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14893182A patent/JPS5939084A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0232209A1 (fr) * | 1986-01-06 | 1987-08-12 | FERRAZ Société Anonyme | Dispositif pour la détection du seuil d'usure des contacts électriques du type à frottement |
JPS62215909A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Nec Corp | 並列光信号処理半導体素子 |
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JPH0675111U (ja) * | 1993-11-16 | 1994-10-25 | セイレイ工業株式会社 | 茎葉処理機の根部残留構造 |
JPH0675112U (ja) * | 1993-11-16 | 1994-10-25 | セイレイ工業株式会社 | 茎葉処理機の直進性向上構造 |
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