JPS5935561A - Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor - Google Patents
Method and device for controlling self-extinguishing type thyristorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゲートターンオフサイリスタや靜電銹導サイリ
スタ等の自己消弧形サイリスタの制御機能特に格別なタ
ーンオフ機能が具備される制御方法および装置に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a control method and apparatus for controlling a self-extinguishing thyristor such as a gate turn-off thyristor or a conductive thyristor, particularly a special turn-off function.
従来自己消弧形サイリスタとしてゲートターンオフサイ
リスタ(以下GTOサイリスタと称する)が慣用されて
いるところであシ、さらには新しいタイプとして静電誘
導サイリスク(以下SIプサイスク)が知られている。Conventionally, gate turn-off thyristors (hereinafter referred to as GTO thyristors) have been commonly used as self-extinguishing thyristors, and electrostatic induction thyristors (hereinafter referred to as SI thyristors) are known as a new type.
この8Iサイリスタは、GTOサイリスクと同様に通電
中の素子のカソード。This 8I thyristor is the cathode of the current-carrying element, similar to the GTO Thyrisk.
ゲート間に逆バイアス電圧を印加することによシ素子を
ターンオフさせることができる。また、これのターンオ
ンに関してはGTOサイリスタと同様にゲート、カソー
ド間に順バイアスを印加する必要のあるノーマリ−オフ
形とゲート、カソード間の逆バイアスを除くだけでオン
するノーマリ−オン形の2釉類がある。いずれもスイッ
チング時間が極めて早いのが特長で高耐圧化が容易なこ
とと合わせ、高周波用、大電力用のスイッチング素子と
し大有望視されている。The device can be turned off by applying a reverse bias voltage between the gates. Regarding turn-on, there are two types: a normally-off type that requires applying a forward bias between the gate and cathode like the GTO thyristor, and a normally-on type that turns on simply by removing the reverse bias between the gate and cathode. There are types. All of them are characterized by extremely fast switching times, and combined with the fact that they can easily be made to withstand high voltages, they are considered very promising as switching elements for high frequency and high power applications.
つぎに、GTOサイリスタまたは8Iサイリスクを用い
た直流スイッチ回路の代表例を第1図に示す。Next, a typical example of a DC switch circuit using a GTO thyristor or an 8I thyristor is shown in FIG.
第1図はノーマリ−オフ形SIサイリスタを採用した直
流スイッチ回路の構成例を示すもので6D、1は81サ
イリスタ、2は主電源、3は抵抗、4はスイッチで、5
.12はコンデンサ、6は抵抗、7゜13 はダイオ
ード、8はターンオン用スイッチ、9はターンオフ用ス
イッチ、10.11は電源である。Figure 1 shows an example of the configuration of a DC switch circuit using normally-off type SI thyristors.
.. 12 is a capacitor, 6 is a resistor, 7°13 is a diode, 8 is a turn-on switch, 9 is a turn-off switch, and 10.11 is a power supply.
す表わち、かくの如き8Iサイリスタを用いた回路構成
を動作させる場合には次のように行われる。In other words, when operating the circuit configuration using the 8I thyristor as described above, it is performed as follows.
ここに、理解を容易にするため第1図に示す回路の各部
波形の状態を表すタイムチャートを第2図(a) 、
(b)に示す。なお、T!はターンオン用スイッチ8が
オンした時刻、T2はターンオフ用スイッチ9がオンし
た時刻である。Here, for ease of understanding, time charts showing the state of waveforms of each part of the circuit shown in FIG. 1 are shown in FIG. 2(a),
Shown in (b). In addition, T! T2 is the time when the turn-on switch 8 is turned on, and T2 is the time when the turn-off switch 9 is turned on.
さて、第1図において、ターンオン用スイッチ8をオフ
した状態でターンオフ用スイッチ9を閉じ、電源11の
電圧E2をダイオード13を通して8Iサイリスタ1の
カソード、ゲート間に印加しておくに、スイッチ4を閉
じると、主電源2の電圧Esが抵抗3を通して8Iサイ
リスタ1のアノード、カソード間に印加されるため、コ
ンデンサ5がダイオード7を介し充電されて主電源2電
圧に等しくkる。Now, in FIG. 1, with the turn-on switch 8 turned off, the turn-off switch 9 is closed, and the voltage E2 of the power supply 11 is applied between the cathode and gate of the 8I thyristor 1 through the diode 13. When closed, the voltage Es of the main power supply 2 is applied between the anode and cathode of the 8I thyristor 1 through the resistor 3, so that the capacitor 5 is charged through the diode 7 and becomes equal to the voltage of the main power supply 2.
ここで、Sエサイリスタ1をターンオンさせる場合はタ
ーンオフ用スイッチ9f3:オフしてターンオン用スイ
ッチ8をオンさせる。すると、電源10→ターンオン用
スイツチ8→コンデンサ12→SIサイリスタ1(ゲー
ト電極〜カソード電極)→電源10の経路で閉回路が形
成され、コンデンサ12の充電電。Here, when turning on the S ethyristor 1, the turn-off switch 9f3 is turned off and the turn-on switch 8 is turned on. Then, a closed circuit is formed in the path of power supply 10 → turn-on switch 8 → capacitor 12 → SI thyristor 1 (gate electrode to cathode electrode) → power supply 10, and the capacitor 12 is charged.
流が流れてSIサイリスタ1を導通させることができる
。このときコンデンサ12は図示の極性で電源10の電
圧B、に充電される。そして、SIサイリスタ1がオン
することによシコンデンサ5に充電されていた電荷は抵
抗6を経由して放電され、そのエネルギーは抵抗6によ
って消費されて熱に変るものとなる。The current can flow and cause the SI thyristor 1 to conduct. At this time, the capacitor 12 is charged to the voltage B of the power supply 10 with the polarity shown. When the SI thyristor 1 is turned on, the charge stored in the capacitor 5 is discharged via the resistor 6, and the energy is consumed by the resistor 6 and converted into heat.
また、通電中のSIサイリスタ1をターンオンさせるに
はターンオン用スイッチ8をオフしてターンオフ用スイ
ッチ9をオンさせる。このとき8Iサイリスタ1のゲー
トには、電源11→8Iサイリスタ1(カンード電極〜
ゲート電極)→コンデンサ12→ターンオフ用スイッチ
9→電源11の経路よシ、電源11の電圧E2とコンデ
ンサ12の電圧Vcが加算されて印加され、Sエサイリ
スタ1の内部の過剰キャリアがゲート逆電流としてゲー
ト電極よシ掃き出されてSIサイリスタ1は急速にオフ
する。その結果、コンデンサ5は再び主電源2の電圧E
stで充電されて8Iサイリスタ1の非導通の回路状態
を保つものとなる。Further, in order to turn on the SI thyristor 1 which is currently energized, the turn-on switch 8 is turned off and the turn-off switch 9 is turned on. At this time, the gate of the 8I thyristor 1 is connected to the power supply 11 → 8I thyristor 1 (cando electrode ~
The voltage E2 of the power supply 11 and the voltage Vc of the capacitor 12 are added together and applied along the path of (gate electrode) → capacitor 12 → turn-off switch 9 → power supply 11, and excess carriers inside the S ethyristor 1 cause gate reverse current. As a result, the SI thyristor 1 is quickly turned off as it is swept out from the gate electrode. As a result, the capacitor 5 is again connected to the voltage E of the main power supply 2.
It is charged at st and keeps the 8I thyristor 1 in a non-conductive circuit state.
かようにして、自己消弧形サイリスタはゲート電流の制
\御よシ主電流ITをオン・オフすることが可能であっ
て効用されるものであるが、そのゲート回路部の回路構
成の方法、特にターンオフ時のゲート電流の引出し方が
離しいという欠点があった。これは、ある値の主電流I
Tをしゃ断するためには一定量以上例えばGTOサイリ
スタで約(Ir15)。In this way, the self-extinguishing thyristor is useful because it can control the gate current and turn on and off the main current IT, but the method of circuit configuration of the gate circuit section is In particular, there was a drawback that the gate current was drawn out far apart at turn-off. This is the main current I for a certain value
In order to cut off T, a certain amount or more is required, for example, approximately (Ir15) for a GTO thyristor.
SIプサイスクではそれ以上のゲート逆電流を流す必要
があシ、シかも素子内部で発生するホットスポットの影
曽を少なくするために立上シの速い特性が要求されるか
らである。そして、この点は素子の大容量化が進むにつ
れて解決が難しいものとなる。またターンオン時に発生
するコンデンサ5の放電に関しても問題であシ、前述し
た如くコンデンサ5に蓄えられたエネルギーは抵抗6に
よって熱エネルギーとなシ放散されるのであるが、素子
の高速化が進みあるいはスイッチング周波数が高くなる
につれて抵抗部容量も大きくする必要がわる0
本発明状上述したような問題点を解消するためなされた
もので、前記コンデンサに蓄積された電荷を有効に他に
移しターンオフ時の過剰キャリアの掃き出しに活用する
如く効用せしめた制御方法および装置・を提供するもの
である。以下本発明を図面に基づいて説明する。This is because in SI psionics, it is necessary to flow a gate reverse current larger than that, and fast start-up characteristics are required to reduce the effects of hot spots generated inside the device. This problem becomes more difficult to solve as the capacity of devices increases. There is also a problem with the discharge of the capacitor 5 that occurs when the capacitor 5 is turned on, and as mentioned above, the energy stored in the capacitor 5 is dissipated as thermal energy by the resistor 6. As the frequency increases, it becomes necessary to increase the capacitance of the resistor.This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and effectively transfers the charge accumulated in the capacitor to another, thereby reducing excess charge at turn-off. It is an object of the present invention to provide a control method and device that are effective for use in sweeping out carriers. The present invention will be explained below based on the drawings.
第3図と第4図は本発明の技術思想を説明するため示し
た動作原理説明図とその各部波形の状態を表すタイムチ
ャートであJ 、14,15.17はコンデンサ、16
はダイオード、18社抵抗である。図中第1図と同符号
のものは同じ機能を有する部分を示す。ここに、第4図
拡第春図に準拠してターンオン用スイッチ8およびター
ンオフ用スイッチ9のオンによる波形の時間的推移を示
している。3 and 4 are explanatory diagrams of the operating principle shown to explain the technical idea of the present invention and time charts showing the states of waveforms of each part.
is a diode and 18 resistors. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate parts having the same functions. Here, the temporal transition of the waveform due to turning on of the turn-on switch 8 and the turn-off switch 9 is shown based on the enlarged diagram of FIG. 4.
すなわち、第3図(a)に示される回路構成において、
まずターンオン用スイッチ8とターンオフ用スイッチ9
をオフさせてスイッチ4をオンさせることによ゛シ主電
源2の電圧FXst8Iサイリスタ1のアノード、カソ
ード間に印加すると、コンデンサ14はダイオード16
を通して電圧Es にまで充電される。つぎにターンオ
ン用スイッチ8をオンさせると、抵抗18を経由してコ
ンデンサ17が充電され、コンデンサ17の電圧が増加
して8Iサイリスタ1のゲート、カソード間の電圧■α
が正バイアスされた時点でSIサイリスタ1を導通させ
ることができる。これよシ、コンデンサ14→SIサイ
リスタ1(7ノード電極〜カンード電極)→コンデンサ
15→コンデンサ14よシなる閉回路が形成され、コン
デンサ14の放!電流が通流される。これは第3図(b
)の如くである。したがって、コンデンサ15は図示の
ような極性に充電されるものとなシ、さらには放電後の
コンデンサJ4の電圧vscsはコンデンサ15の電圧
VSC2と等しくなυその値は(1)式で表される。た
だし、C1*C2はコンデンサ14.15の容量(μF
)である。That is, in the circuit configuration shown in FIG. 3(a),
First, turn-on switch 8 and turn-off switch 9
When the voltage of the main power supply 2 is applied between the anode and the cathode of the thyristor 1 by turning off the switch 4 and turning on the switch 4, the capacitor 14 is connected to the diode 16.
is charged to a voltage Es through the voltage Es. Next, when the turn-on switch 8 is turned on, the capacitor 17 is charged via the resistor 18, the voltage of the capacitor 17 increases, and the voltage between the gate and cathode of the 8I thyristor 1 is α
The SI thyristor 1 can be made conductive at the time when the SI thyristor 1 is positively biased. This forms a closed circuit of capacitor 14 -> SI thyristor 1 (7 node electrode - cando electrode) -> capacitor 15 -> capacitor 14, and the capacitor 14 is discharged! A current is passed through it. This is shown in Figure 3 (b
). Therefore, the capacitor 15 is charged with the polarity shown, and furthermore, the voltage vscs of the capacitor J4 after discharge is equal to the voltage VSC2 of the capacitor 15 υ Its value is expressed by equation (1). . However, C1*C2 is the capacitance of capacitor 14.15 (μF
).
そして、かような関係の各部波形は第4図(a)のよう
に示される。The waveforms of each part having such a relationship are shown as shown in FIG. 4(a).
さらに、ターンオン用スイッチ8をオフしてターンオフ
用スイッチ9をオンさせると、第3図(C)にて一点鎖
線に示す如くコンデンサ15→8Iサイリスタ1(カソ
ード電極〜ゲート電極)→ターンオフ用スイッチ9→コ
ンデンサ15の閉回路が形成され、SIサイリスタ1の
ゲートに逆電流が流れて81デイリスタ1はターンオフ
を開始する。このときSIサイリスタlの過剰キャリア
が掃き出され、SIサイリスタ1のカソード、ゲート間
の逆電圧が回復するに、コンデンサ17が第3図(C)
にて二点鎖線で表される如く図示の極性でコンデンサ1
5と等しい電圧になるまで充電されるものとなる。そし
て、SIサイリスタ1のターンオフが進みアノード、カ
ソード間の電圧が回復し始めると、第3図(d)に示す
如くに主電源2→抵抗3→スイツチ4→コンデンサ14
→コンテンサ15→主電源2の経路で電流が流れるので
、このときターンオフ用スイッチ9をオフにすればコン
デンサ14は図示の極性に充電され、コンデンサ17に
は図示の極性の電荷が残ることによって81サイリスタ
1のゲート、カソード間が逆バイアスされるものとなる
。またコンデンサ15の放電が進みその充電電圧が反転
すると、ダイオード16への導通よシコンデンサ14の
電圧VSCIは電圧B8にまで充電されて当初の状態に
戻るものとなる。これらの関係の各部波形は第4図(b
)の如くである。Further, when the turn-on switch 8 is turned off and the turn-off switch 9 is turned on, the capacitor 15 → 8I thyristor 1 (cathode electrode to gate electrode) → turn-off switch 9 as shown by the dashed line in FIG. 3(C). → A closed circuit of the capacitor 15 is formed, a reverse current flows to the gate of the SI thyristor 1, and the 81-day thyristor 1 starts to turn off. At this time, the excess carriers in the SI thyristor 1 are swept out, and the reverse voltage between the cathode and the gate of the SI thyristor 1 is restored.
Connect capacitor 1 with the polarity shown in the diagram as indicated by the two-dot chain line.
The battery will be charged until the voltage reaches a voltage equal to 5. Then, as the SI thyristor 1 turns off and the voltage between the anode and cathode begins to recover, the main power supply 2 → resistor 3 → switch 4 → capacitor 14 as shown in FIG. 3(d).
Since a current flows in the path of → capacitor 15 → main power supply 2, if the turn-off switch 9 is turned off at this time, the capacitor 14 will be charged to the polarity shown, and the charge of the polarity shown will remain in the capacitor 17. The gate and cathode of the thyristor 1 are reverse biased. Further, when the capacitor 15 is discharged and its charging voltage is reversed, the voltage VSCI of the capacitor 14 due to conduction to the diode 16 is charged to the voltage B8 and returns to its original state. The waveforms of each part of these relationships are shown in Figure 4 (b
).
したがって、かかる技術思想によるものは、ターンオフ
時にスナバ−コンデンサ(1りに蓄えられた電荷が次の
ターンオフ時に素子の過剰キャリアの掃き出しに利用さ
れ、従来方式に比べてターンオフ時にゲート制御回路部
で必要とされるパワーが少なくすみ、さらにターンオフ
時にスナバ抵抗部分で消費されていたコンデンサ電荷を
有効に他に移すことによってスナバ回路部の発熱を効果
的に低減させることがてきる。つぎに、かくの如き本発
明を具体的な実施例図面を参照して詳述する。Therefore, in the technology based on this technical concept, the charge stored in the snubber capacitor (1) at turn-off is used to sweep out excess carriers of the element at the next turn-off, and compared to the conventional method, the charge stored in the snubber capacitor (1) is used to sweep out excess carriers of the element at turn-off. In addition, the power generated by the snubber circuit can be effectively reduced by effectively transferring the capacitor charge that was consumed in the snubber resistor at turn-off. The present invention will be described in detail with reference to specific embodiment drawings.
第5図は第3図(a)に類する本発明の一実施例を示す
回路図で、19.20は従来形のサイリスタである。図
中第3図(a)と同一符号のものは同じ構成部分を示す
。すなわち、第5図に示す回路にて第3図にI)の回路
構成のターンオン用スイッチ8とターンオフ用スイッチ
9がサイリスタ19.20で構成されてな)、次の機能
を有するものである。FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention similar to FIG. 3(a), and 19.20 is a conventional thyristor. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 3(a) indicate the same components. That is, in the circuit shown in FIG. 5, the turn-on switch 8 and the turn-off switch 9 of the circuit configuration I) in FIG. 3 are composed of thyristors 19 and 20), and have the following functions.
第5図において、ターンオン時にはサイリスタ19を図
示しないオン信号によシ導通させてコンデンためサイリ
スタ19をオフさせることができる。またターンオフ時
にはこれも図示しないオフ信号によりサイリスタ20を
オンさせて8Iサイリスタ1のゲートに逆電流を流すの
だが、そのSIサイリスタ1がターンオフしてコンデン
サ14.15に充電電流が流れ、コンデンサ15の電荷
が放電されるとサイリスタ20に逆バイアスが印加され
るためにこれをオフさせることができる。In FIG. 5, when turned on, the thyristor 19 is made conductive by an on signal (not shown), and the thyristor 19 can be turned off for condensation. Also, at turn-off, the thyristor 20 is turned on by an off signal (not shown) and a reverse current flows to the gate of the 8I thyristor 1, but when the SI thyristor 1 is turned off, a charging current flows to the capacitors 14 and 15, and the capacitor 15 is turned on. When the charge is discharged, a reverse bias is applied to the thyristor 20, so that it can be turned off.
第6因と第7図は第1図装置に類する本発明の他の実施
例を示す回路図で、21は従来形のサイリスタ、22は
ゲート制御回路部である。すなわち、かかるものは第3
図説明の技術思想をとシ入れ慣用されているゲート制御
回路部を組合わせ用いた具体例である0ここで、第7図
にて22a 、 22bは抵抗、22Cしたがって鎖線
表示部分が従来形のサイリスタ21の点弧回路部分を示
し、かようなゲート制御回路部22の理解を容易にする
ため第1図に示す部分と同じものは同一符号を付してい
る。なお、かくの如き点弧回路部分22cの動作は公知
であるので詳細説明を割愛する。The sixth factor and FIG. 7 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention similar to the device shown in FIG. 1, in which 21 is a conventional thyristor and 22 is a gate control circuit. In other words, such
This is a specific example in which a commonly used gate control circuit is combined with the technical idea explained in the figure. In FIG. The ignition circuit portion of the thyristor 21 is shown, and in order to facilitate understanding of the gate control circuit portion 22, the same parts as shown in FIG. 1 are given the same reference numerals. The operation of the ignition circuit portion 22c as described above is well known and will not be described in detail.
かよ5に示されるものは、ターンオフ用スイッチ9をオ
ンしてSIサイリスタ1のゲート、カソード間に逆電圧
を印加すると同時に、サイリスタ21を点弧させる機能
を有することは明らかである。また、そのゲート制御回
路部22は、sエサイリスタ1をターンオンさせる機能
とターンオフ期間を通じてゲートに逆バイアスを与える
機能を備えるものであればよく、大電流を必要とするタ
ーンオフ時の過剰キャリアの掃き出しをコンデンサ15
の放電電流で行うものであるから、小電力の簡便なもの
ですむことは明白である。It is clear that the one shown in Kayo 5 has the function of turning on the turn-off switch 9 to apply a reverse voltage between the gate and cathode of the SI thyristor 1, and simultaneously firing the thyristor 21. In addition, the gate control circuit section 22 may be of any type as long as it has a function of turning on the s-esthyristor 1 and a function of applying a reverse bias to the gate during the turn-off period, and sweeps out excess carriers at the time of turn-off, which requires a large current. capacitor 15
Since it is performed with a discharge current of , it is obvious that a simple device with low electric power is sufficient.
かくの如き実施例の回路構成のものを、さらに8Iサイ
リスタのオンの瞬間に流れるスナバコンデンサの放電・
電流を制限するため、第8図または第9図に示す如く構
成させたものであってもよい。In addition to the circuit configuration of this embodiment, the discharge of the snubber capacitor that flows at the moment when the 8I thyristor is turned on.
In order to limit the current, a configuration as shown in FIG. 8 or FIG. 9 may be used.
すなわち、第8図と第9図は第5図および第6図に示さ
れるコンデンサ回路部分の変形例を示す部分接続図であ
シ、2:11.23’は抵抗、24はダイオード、25
.25’はりアクドルである。図中第5図および第6図
と同一符号は同じ機能を有する部分を示す。かようにし
て、例えば第8図(a) 、 (b)に示す如くコンデ
ンサ14に直列に抵抗23またはりアクドル25とダイ
オード24からなる並列回路を接続する如き電流抑制回
路を付加したものであシ、あるいはコンデンサ15側に
付加したものである。なお、実施例図面ではコンデンサ
15に並列にダイオード16を付加したもので示したが
、ダイオード16を除去しても本発明の機能を損うこと
なく効用できることは明らかであシ、さらにはダイオー
ド16の付加によってさらに効果が向上して奏されるも
のとなることを付言する。That is, FIGS. 8 and 9 are partial connection diagrams showing modifications of the capacitor circuit shown in FIGS. 5 and 6, where 2:11.23' is a resistor, 24 is a diode, and 25
.. It is a 25' beam Akdol. In the figure, the same reference numerals as in FIGS. 5 and 6 indicate parts having the same functions. In this way, for example, as shown in FIGS. 8(a) and 8(b), a current suppressing circuit is added, such as connecting a resistor 23 in series with the capacitor 14 or a parallel circuit consisting of an axle 25 and a diode 24. or added to the capacitor 15 side. Although the embodiment drawings show a diode 16 added in parallel to the capacitor 15, it is clear that even if the diode 16 is removed, the present invention can still be effective without impairing the function. I would like to add that the addition of this will further improve the effect.
以上説明したように本発明によれば、特にターンオフ時
のゲートパワーを主回路から供給するようにLだ格別な
制御方法および装置を提供できる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide an exceptional control method and apparatus, particularly for supplying gate power from the main circuit during turn-off.
第1図、第2図はSIサイリスタを採用した直流、スイ
ッチ回路の構成例を示す回路図、各部波形の、1・
′状態を示すタイムチャート、第3図と第4図は本発明
の技術思想を説明するため示した動作原理図とその各部
波形の状態を示すタイムチャート、第5図は本発明の一
実施例を示す回路図、第6図。
第7図は本発明の他の実施例を示す回路図、ゲート制御
回路部を示す回路図、第8図、第9図はコンデンサ回路
部分の変形例を示す部分接続図である0
1・・・・・・・・・静電誘導サイリスク(SIプサイ
スク)、2・・・・・・・・・主電源、5,12,14
,15.17・・・・・・・・・コンデンサ、7,13
.16・・曲・・・ダイオード、8・・曲・・・ターン
オン用スイッチ、9・・・・・・・・・ターンオフ用ス
イッチ、19.20,21・・・・・・・・・サイリス
ク、22・・・・・・・・・ゲート制御回路部。
8 l 霞
菊、3図
((1)(b)
(C)(d)
垢4 日
(α) (b)8動?
¥ 9勅?
第S l、i 第 6肥萬7凶
(a、)
拓
(α)
δ 記
<b)
9 図
(b’)
2Figures 1 and 2 are circuit diagrams showing configuration examples of DC and switch circuits that employ SI thyristors, time charts showing the 1/' state of waveforms at various parts, and Figures 3 and 4 are diagrams showing the technology of the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention; FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, a circuit diagram showing a gate control circuit section, and FIGS. 8 and 9 are partial connection diagrams showing modifications of the capacitor circuit section.・・・・・・Static induction psirisk (SI psisk), 2・・・・・・・・・Main power supply, 5, 12, 14
, 15.17... Capacitor, 7, 13
.. 16...Song...Diode, 8...Song...Turn-on switch, 9...Turn-off switch, 19.20,21...Silisk, 22......Gate control circuit section. 8 l Kasumigiku, 3 figures ((1) (b) (C) (d) 4 days (α) (b) 8 motions?
¥9? No. S l, i No. 6, 7, 7 (a,) Taku (α) δ ki<b) 9 Figure (b') 2
Claims (3)
て、自己消弧形サイリスタの非導通時に第1のコンデン
サに蓄えた電荷を導通時に第2のコンデンサに移すとと
もに、非導通時にターンオフ導通手段の導通時に流れる
第2のコンデンサの放電電流により自己消弧形サイリス
タを消弧せしめかつ第1のコンデンサを充電せしめて自
己消弧形サイリスクの次回しゃ断を行うようにしたこと
を特徴とする自己消弧形サイリスタの制御方法。(1) In a method of controlling a self-arc-extinguishing thyristor, the electric charge stored in the first capacitor when the self-arc-extinguishing thyristor is non-conducting is transferred to the second capacitor when the self-arc-extinguishing thyristor is conducting, and the turn-off conducting means is made conductive when the self-arc-extinguishing thyristor is non-conducting. The self-arc-extinguishing type is characterized in that the self-arc-extinguishing thyristor is extinguished by the discharge current of the second capacitor that flows at the same time, and the first capacitor is charged so that the self-arc-extinguishing thyristor is cut off next time. How to control a thyristor.
1のコンデンサの一端を接続しかつカソード端子に第2
のコンデンサの一端を接続するとともに、ゲート端子に
ターンオフ用スイッチの一端を接続し、前記第1のコン
デンサの他端と第2のコンデンサの他端とターンオフ用
スイッチの他端を共通に接続するようにしたことを特徴
とする自己消弧形サイリスタの制御装置。(2) Connect one end of the first capacitor to the 7-note terminal of the self-extinguishing thyristor, and connect the second capacitor to the cathode terminal.
one end of the capacitor is connected, one end of the turn-off switch is connected to the gate terminal, and the other end of the first capacitor, the other end of the second capacitor, and the other end of the turn-off switch are commonly connected. A control device for a self-arc-extinguishing thyristor.
のコンデンサの一端を接続しかつカソード端子に第2の
コンデンサの一端を接続するとともに、ゲート端子にサ
イリスタのアノード電極を接続し、前記第2のコンデン
サに並列にカソード電極が前記自己消弧形サイリスタの
カンードと共通になる如くダイオードを接続し、前記第
1のコンデンサの他端と第2のコンデンサの他端を接続
しかつダイオードのアノード電極とサイリスタのカソー
ド電極が共通になる如く接続するようにしたことを特徴
とする自己消弧形サイリスタの制御装置。(3) The first terminal is connected to the anode terminal of the self-extinguishing thyristor.
one end of the capacitor is connected to the cathode terminal, and one end of the second capacitor is connected to the cathode terminal, and the anode electrode of the thyristor is connected to the gate terminal, and the cathode electrode is connected in parallel to the second capacitor to the self-extinguishing thyristor. A diode is connected so as to be common to the cand of the first capacitor, the other end of the first capacitor is connected to the other end of the second capacitor, and the anode electrode of the diode is connected so as to be common to the cathode electrode of the thyristor. A control device for a self-arc-extinguishing thyristor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57144788A JPS5935561A (en) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57144788A JPS5935561A (en) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5935561A true JPS5935561A (en) | 1984-02-27 |
JPH041581B2 JPH041581B2 (en) | 1992-01-13 |
Family
ID=15370456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57144788A Granted JPS5935561A (en) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Method and device for controlling self-extinguishing type thyristor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5935561A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4678932A (en) * | 1985-04-30 | 1987-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Snubber circuit for GTO thyristor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5488057A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-12 | Hitachi Ltd | Turn-off circuit of gate turn-off thyristor |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57144788A patent/JPS5935561A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5488057A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-12 | Hitachi Ltd | Turn-off circuit of gate turn-off thyristor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4678932A (en) * | 1985-04-30 | 1987-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Snubber circuit for GTO thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH041581B2 (en) | 1992-01-13 |
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