JPS5932860B2 - Target for two constant potential storage tubes - Google Patents
Target for two constant potential storage tubesInfo
- Publication number
- JPS5932860B2 JPS5932860B2 JP6633780A JP6633780A JPS5932860B2 JP S5932860 B2 JPS5932860 B2 JP S5932860B2 JP 6633780 A JP6633780 A JP 6633780A JP 6633780 A JP6633780 A JP 6633780A JP S5932860 B2 JPS5932860 B2 JP S5932860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage
- target
- mesh
- dielectric
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 153
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 P22 or P31 Chemical compound 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical class [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- OKJMLYFJRFYBPS-UHFFFAOYSA-J tetraazanium;cerium(4+);tetrasulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OKJMLYFJRFYBPS-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は二定電位型蓄積管用ターゲット、特に絶縁支持
板内面に夫々絶縁した多数の島状蓄積誘電体を有する蓄
積ターゲットに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a target for a two-potential storage tube, and more particularly to a storage target having a plurality of insulated storage dielectric islands on the inner surface of an insulating support plate.
米国特許第3,293,474号は、フェースプレート
を有し、その内面にメツシュ状のコレクタ電極が塗布さ
れ、そのメツシュの網目(開口)内に互に独立した島状
の螢光蓄積誘電体が設けられた陰極線管用蓄積ターゲッ
トを開示している。U.S. Pat. No. 3,293,474 has a face plate, the inner surface of which is coated with a mesh-like collector electrode, and within the mesh (openings) are independent island-like fluorescent storage dielectrics. A storage target for a cathode ray tube is disclosed.
この誘電体の缶高はメツシュ電極と接触しており、この
構造によると誘電体高の周辺にハロー即ち周縁発光を生
じ背景光をもたらす。This dielectric can height is in contact with the mesh electrode, and this structure creates a halo around the dielectric height, providing background light.
その為に特に暗い照明下ではコントラストが不十分とな
る吉いう欠点を生じる。This results in the disadvantage that the contrast is insufficient, especially under dark lighting.
この誘電体高の物質がメツシュ電極に接触していなくと
も、誘電体高はメツシュ電極と完全に絶縁されてはいな
いので各誘電体高のまわりに前述したハローがまだ生じ
る。Even if the material of this dielectric height is not in contact with the mesh electrode, the aforementioned halo still occurs around each dielectric height because the dielectric height is not completely insulated from the mesh electrode.
従って、本発明の目的は、電荷像を優れたコントラスト
で蓄積できる改良した二定電位型蓄積管用ターケラト構
造を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an improved Turkerato structure for a two-potential storage tube that allows charge images to be stored with excellent contrast.
本発明の他の目的は低いターゲット容量と速い最大書込
速度を有し、電荷像を蓄積することができる改良した二
定電位型蓄積管用ターゲットを提供することである。Another object of the present invention is to provide an improved two-potential storage tube target that has low target capacitance and high maximum write speed and is capable of storing charge images.
本発明の更に他の目的は、そこに形成された電荷像を蓄
積し且つこの電荷像に対応する可視光像を形成する蓄積
誘電体として螢光体を使用し、優れた輝度、高いコント
ラスト、高解像度及び実質的に無背景光の改良した直視
型蓄積ターゲットを提供することである。Yet another object of the present invention is to use a phosphor as a storage dielectric to store the charge image formed thereon and form a visible light image corresponding to this charge image, with excellent brightness, high contrast, An object of the present invention is to provide an improved direct view storage target with high resolution and virtually no background light.
本発明の付加的目的は、蓄積ターゲットの構成が簡単で
堅固であると共に信頼性が高く、よってターゲットに蓄
積された像の解像度を減少することなく大型蓄積管が製
造できる改良された蓄積管を提供することである。An additional object of the present invention is to provide an improved storage tube in which the construction of the storage target is simple, robust, and reliable, so that large storage tubes can be manufactured without reducing the resolution of the image stored in the target. It is to provide.
本発明の更に他の目的は、導電膜状のメツシュ電極が絶
縁性支持板上に設けられ、絶縁性非蓄積螢光体がこの支
持部材に直接触れるように網目の一部にまたがってメツ
シュ電極を覆い、これにより開口の寸法を小さくし、多
数の離間した蓄積領域を含む蓄積螢光体がそのメツシュ
の絶縁された開口内に設けられた改良蓄積管を提供する
ことである。Still another object of the present invention is to provide a mesh electrode in the form of a conductive film on an insulating support plate, and to extend the mesh electrode over a part of the mesh so that the insulating non-storage phosphor directly contacts the support member. An object of the present invention is to provide an improved storage tube in which a storage phosphor containing multiple spaced storage regions is disposed within an insulated opening in the mesh, thereby reducing the size of the opening.
本発明の別の目的は、メツシュ電極とメツシュ開口内の
蓄積螢光体の島を導電層上の絶縁被膜上に設け、蓄積タ
ーゲット上に表示されている蓄積情報の選択的消去を可
能にする改良した二定電位型蓄積管用ターゲットを提供
することである。Another object of the present invention is to provide mesh electrodes and islands of storage phosphor within mesh openings on an insulating coating on a conductive layer to enable selective erasure of storage information displayed on storage targets. An object of the present invention is to provide an improved target for a two-potential storage tube.
本発明の他の目的及び作用効果は添付図に示す好適実施
例の詳細な説明から明瞭となろう。Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the detailed description of the preferred embodiments illustrated in the accompanying drawings.
本発明の要旨は電荷像蓄積装置、特にターゲット上に電
荷像を制御し得る所望時間蓄積し且つ可視光像を生じ、
或は斯る電荷像に対応する電気的一信号を得る陰極線管
用の蓄積ターゲットに関する。The gist of the invention is to provide a charge image storage device, particularly a charge image storage device for storing a charge image on a target for a controllable desired period of time and producing a visible light image;
Alternatively, the present invention relates to a storage target for a cathode ray tube from which an electrical signal corresponding to such a charge image is obtained.
この蓄積ターゲットは絶縁体の支持板の一面に塗布した
メツシュ電極を含み、絶縁体層(絶縁性非蓄積螢光体)
がメツシュ電極の開口の周縁及び開口の一部を覆ってそ
の開口を小さくし、然しメツシュ電極の開口間の一部を
露出させてコレクタ電極領域とし、誘電体(蓄積螢光体
)を夫々の絶縁された網目内に設けてメツシュ電極から
絶縁された誘電体の多数の島を作り、背景光を略零とし
、表示情報のカラー・ライトスルー或はカラー・コント
ラストを生じる。This storage target includes a mesh electrode coated on one side of an insulator support plate, and an insulator layer (an insulating non-storage fluorophore).
covers the periphery of the mesh electrode opening and a portion of the opening to make the opening smaller, but exposes a portion between the openings of the mesh electrode to serve as the collector electrode region, and separates the dielectric (storage phosphor) into each Multiple islands of dielectric material are placed within an insulated mesh and isolated from the mesh electrodes to provide approximately zero background light and color write-through or color contrast of displayed information.
若し直視型なので、この誘電体領域は螢光体で作ると共
に相互に隔離し、そこに形成された電荷像を二安定電荷
像として所望時間蓄積し、その電荷像に対応する光像を
放射する。Since it is a direct view type, this dielectric region is made of phosphor and is isolated from each other, the charge image formed there is accumulated as a bistable charge image for a desired time, and a light image corresponding to the charge image is emitted. do.
この場合には支持板は透明部材で作る。この明細書はま
た上述したようにメツシュ電極を有する蓄積ターゲット
の写真的製法をも開示しており電荷像の解像度を増加す
る為に微細メツシュパターンを得る。In this case, the support plate is made of a transparent material. This specification also discloses the photographic fabrication of a storage target with mesh electrodes as described above to obtain a fine mesh pattern to increase the resolution of the charge image.
蓄積した情報の選択的消去を行うには、蓄積ターゲット
を支持板の内面に薄い透明導電層と薄い透明絶縁被膜と
を介して形成すればよい。In order to selectively erase the stored information, a storage target may be formed on the inner surface of the support plate with a thin transparent conductive layer and a thin transparent insulating coating interposed therebetween.
導電性メツシュ電極をこの透明絶縁被膜上に被着し、こ
のメツシュ開口内及び開口周縁部を絶縁体被膜で(絶縁
性非蓄積螢光体)で覆い、この絶縁体被膜は透明絶縁被
膜とも接触するので、これによりメツシュ開口の寸法を
小さくすると共にメツシュ開口間にはメツシュ電極の露
出部を残して、これをコレクタ電極(二次電子捕集電極
)となす。A conductive mesh electrode is deposited on this transparent insulating film, and the inside of this mesh opening and the periphery of the opening is covered with an insulating film (insulating non-storage phosphor), and this insulating film is also in contact with the transparent insulating film. Therefore, this reduces the size of the mesh openings and leaves an exposed portion of the mesh electrode between the mesh openings, which serves as a collector electrode (secondary electron collecting electrode).
この蓄積ターゲット上に蓄積した情報の一部を選択的に
消去するには、照射電子銃を遮断し、導電層を正の低電
圧から高電圧へ脈動させ、蓄積情報の消去したい選択領
域を電子ビームで衝撃する。To selectively erase some of the information accumulated on this storage target, the irradiation electron gun is shut off, the conductive layer is pulsed from a positive low voltage to a high voltage, and the selected areas from which the accumulated information is to be erased are exposed to electrons. Shock with a beam.
次に、導電層を最初の低電圧に戻し照射電子銃を作動さ
せて消去しない情報を蓄積状態に維持する。The conductive layer is then returned to the initial low voltage and the irradiation electron gun is activated to maintain the stored information that will not be erased.
本発明により製造した蓄積ターゲットは、過渡的な電気
入力信号波形を蓄積して更に詳細に検討する陰極線管オ
シロスコープの一部をなす直視型二定電位蓄積管に用い
るとき特に有用である。Storage targets made in accordance with the present invention are particularly useful when used in direct view bipotential storage tubes forming part of cathode ray tube oscilloscopes in which transient electrical input signal waveforms are stored for further study.
然しこのような蓄積管はまたレーダー、ソナー或はコン
ピュータの如き従来の蓄積管として使用することもでき
る。However, such storage tubes can also be used as conventional storage tubes such as radar, sonar or computers.
本発明の蓄積ターゲットは従来の蓄積ターゲットに比し
て誘電性螢光体高を囲む導電性メツシュの一部を覆う絶
縁物の二次電子放射比が高いので最大書込速度が増加す
ることを含む多くの長所を有する。The storage target of the present invention has an increased maximum writing speed compared to conventional storage targets due to a higher secondary electron emission ratio of the insulator covering a portion of the conductive mesh surrounding the dielectric phosphor height. It has many advantages.
このターゲットを書込ビームで走査すると、この絶縁物
は直ちに導電性メツシュに加えた電圧に等しい休止電位
になる。When the target is scanned with the writing beam, the insulator is immediately brought to a resting potential equal to the voltage applied to the conductive mesh.
絶縁物は誘電性螢光体高を囲み且つその近傍であるので
、螢光体は容量性結合によって同じ休止電位になる。Since the insulator surrounds and is in close proximity to the dielectric phosphor height, the phosphor is at the same resting potential due to capacitive coupling.
また1つの理由としては蓄積ターゲットの容量が低くタ
ーゲットの書込速度が速いので、高周波情報の電荷像を
蓄積することができる。Another reason is that the capacitance of the storage target is low and the writing speed of the target is high, so that a charge image of high frequency information can be stored.
蓄積ターゲットの蓄積誘電体の下に連続電極ではなくメ
ツシュ電極を使用したことが、この容量減少をもたらせ
る原因である。The use of a mesh electrode, rather than a continuous electrode, under the storage dielectric of the storage target is responsible for this capacitance reduction.
更に、本発明による直視型蓄積ターゲットは背景光が低
くコントラストの良好な光像を生じる。Furthermore, the direct view storage target according to the present invention produces an optical image with low background light and good contrast.
この明細書で説明する蓄積ターゲットの写真的製法は簡
単且つ安価であるにも拘らず1958年6月17日付で
発行された米国特許第2,839,679号のF、H,
ハリス特許に開示する蓄積ターゲットにワイヤメツシュ
電極を使用する従来の蓄積管に匹適する解像度が得られ
る。Although the photographic method for producing storage targets described herein is simple and inexpensive, it is disclosed in U.S. Pat.
Resolution comparable to conventional storage tubes using wire mesh electrodes for storage targets as disclosed in the Harris patent is obtained.
本発明の蓄積ターゲット構造は、メツシュ電極、絶縁物
及び蓄積誘電体がいずれも絶縁物の共通支持板上に設け
られているので簡単、堅固且つ高信頼性である。The storage target structure of the present invention is simple, robust, and reliable because the mesh electrode, insulator, and storage dielectric are all provided on a common support plate of insulator.
よって本発明の蓄積ターゲットのプレーナ構造により、
メツシュ電極の素子の厚さを増加するという問題なく容
易に大型蓄積管が実現できるというのが、ワイヤメツシ
ュを用いる従来のターゲットとの違いである。Therefore, due to the planar structure of the storage target of the present invention,
The difference from conventional targets using wire mesh is that a large storage tube can be easily realized without the problem of increasing the thickness of the mesh electrode element.
本発明の他の効果として、ターゲットの各蓄積誘電体領
域が略均−であって読出ビームでターゲットを走査する
とき電気的読出信号に電界の曲りによるノイズやシェー
ディングが少ないということである。Another advantage of the present invention is that each storage dielectric region of the target is approximately uniform so that when the readout beam scans the target, the electrical readout signal has less noise and shading due to electric field bending.
高解像度蓄積情報の結果、蓄積した情報の優れたハード
コピーが得られる。The high resolution stored information results in an excellent hard copy of the stored information.
誘電体物質をメツシュ電極から絶縁する為のメツシュ電
極を覆う絶縁物を非蓄積特性の螢光体とし、この絶縁物
を非蓄積情報の表示に用い、蓄積情報を螢光誘電体の島
により表示して、いわゆるライトスルー動作モードとす
ることができる。The insulator that covers the mesh electrode to insulate the dielectric material from the mesh electrode is made of a phosphor with non-storage characteristics, and this insulator is used to display non-storage information, and the storage information is displayed by islands of fluorescent dielectric material. Thus, a so-called write-through operation mode can be achieved.
絶縁螢光体による発光色は螢光誘電体の島の発光色と異
なり、蓄積及び非蓄積情報を同時に優れたコントラスト
で観測できるようになす。The color of the emission from the insulating phosphor is different from that of the fluorescent dielectric islands, allowing accumulated and non-accumulated information to be observed simultaneously with excellent contrast.
この絶縁物も蓄積特性を有し誘電体層の発光色とは異な
らしめることにより、書込まれ及び蓄積された情報は両
帯光体の合成色であり、背景は絶縁物の色となし情報の
観測にあたってコントラストを良好となす。This insulator also has a storage property, and by making the emitted light color different from the dielectric layer, the written and accumulated information is a composite color of the double-band luminescent material, and the background is the color of the insulator and the non-information. Good contrast for observation.
上述した効果に加えて、本発明の蓄積ターゲットは、そ
こに電荷像が蓄積されてもされなくともターゲットの背
面全体に実質的に均一な電界分布が生じる。In addition to the effects described above, the storage target of the present invention provides a substantially uniform electric field distribution across the back surface of the target, whether or not a charge image is stored thereon.
その理由は、メツシュ電極を形成する導電性素子が、こ
のターゲットの蓄積誘電体領域間において露出している
為である。This is because the conductive elements forming the mesh electrodes are exposed between the storage dielectric regions of this target.
メツシュ電極の素子は総て同一電位であるので、誘電体
領域の電位変化がターゲットの裏面の全電位分布に及ぼ
す影響は極く僅かである。Since all elements of the mesh electrode are at the same potential, potential changes in the dielectric region have very little effect on the total potential distribution on the back surface of the target.
そこで電位分布は実質的に均一となる。The potential distribution then becomes substantially uniform.
蓄積誘電体の連続層の下に電極を有する従来のターゲッ
トは誘電体層の近傍領域に蓄積された異なる電荷により
、ターゲット裏面に不均一な電界分布を生じる。Conventional targets having electrodes beneath a continuous layer of storage dielectric material produce a non-uniform electric field distribution on the back surface of the target due to the different charges stored in adjacent regions of the dielectric layer.
この不均一な電位分布は、書込ビームにより蓄積ターケ
ラト上に形成した電荷像を保持する為の低速照射ビーム
の蓄積ターゲットへの伝送に影響を及ぼし、「面グリッ
ド」と同様な作用をして電荷像に歪を生じる。This non-uniform potential distribution affects the transmission of the slow irradiation beam to the storage target to retain the charge image formed on the storage target by the writing beam, and acts similar to an "area grid". This causes distortion in the charge image.
以下本発明の好適実施例に基づき更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below based on preferred embodiments.
第1図に本発明による蓄積ターゲットを有する直視二定
電位型蓄積管10を示す。FIG. 1 shows a direct-view two-potential storage tube 10 having a storage target according to the present invention.
この蓄積管はカソード14、制御グリッド16、集束ア
ノード構体18を含む単電子銃と1対の水平偏向板20
及び垂直偏向板22を有するものでもよい。The storage tube includes a single electron gun including a cathode 14, a control grid 16, a focusing anode structure 18, and a pair of horizontal deflection plates 20.
It may also have a vertical deflection plate 22.
この単一電子銃は書込又は読出ビーム23のいずれかを
生じるようにでき、その選択は連動した3個のスイッチ
24.26及び28を夫々制御グリッド16、水平偏向
板20及び垂直偏向板22に接続し、後述する手法でW
RITE(書込)及びREAD(読出)位置間で切換え
ることにより行なう。This single electron gun can be adapted to produce either a write or read beam 23, the selection of which is determined by three interlocked switches 24, 26 and 28 controlling the grid 16, the horizontal deflection plate 20 and the vertical deflection plate 22, respectively. Connect to W using the method described below.
This is done by switching between RITE and READ positions.
然し、独立した2個の電子銃を使用して夫々書込ビーム
及び読出ビームの発生に使用できることが理解できよう
。However, it will be appreciated that two independent electron guns can be used to generate the write and read beams, respectively.
書込ビームは、それを垂直偏向板に印加した入力信号に
より蓄積ターゲット上で偏向されて蓄積ターゲット12
上に電荷像を形。The writing beam is deflected onto the storage target by an input signal applied to the vertical deflection plate to direct it to the storage target 12.
Shape the charge image on top.
成する。to be accomplished.
読出電子ビームは、蓄積ターゲット12上に蓄積された
電荷像を例えば従来のテレビジョンラスク状°に走査す
ることにより電気的読出信号を得る。The readout electron beam scans the charge image stored on the storage target 12, for example in the shape of a conventional television rask, thereby obtaining an electrical readout signal.
蓄積管10の管球内には1個以上の照射電子銃30を設
け、蓄積ターゲット12の表面を低速照射電子ビームで
略均−に衝撃し、書込電子ビームで蓄積ターゲット上に
形成された電荷像を書込電子ビームが衝撃しなくなった
後も維持、即ち保持する。One or more irradiation electron guns 30 are provided in the bulb of the storage tube 10, and the surface of the storage target 12 is approximately uniformly bombarded with a low-velocity irradiation electron beam, and a write electron beam is formed on the storage target. The charge image is maintained or retained even after the writing electron beam ceases to impact it.
本発明による蓄積ターゲットは、第6図に示すが、まず
、この蓄積ターゲットの理解を容易にするために、第2
図乃至第5図に示す蓄積ターゲットについて説明する。The storage target according to the present invention is shown in FIG. 6. First, to facilitate understanding of this storage target, the second
The accumulation targets shown in FIGS. 5 to 5 will be explained.
第2及び第3図において、負荷抵抗器34を介して直流
ターゲット電源に接続されたメツシュ電極32、このメ
ツシュ電極の露出領域39を除きメツシュ電極と開口の
一部を覆う絶縁体層37及びこの絶縁された開口内に設
けられた矩形、円形又はその他の所望形状の離間した島
即ちドツト配列の蓄積誘電体36を含み、蓄積誘電体の
島はメツシュ電極32から隔離されている。2 and 3, a mesh electrode 32 connected to a DC target power supply via a load resistor 34, an insulating layer 37 covering the mesh electrode and part of the opening except for an exposed area 39 of the mesh electrode, and It includes a storage dielectric 36 in an array of spaced apart islands or dots of rectangular, circular or other desired shape disposed within an insulated opening, the islands of storage dielectric being isolated from the mesh electrode 32.
メツシュ電極32の露出領域39はコレクタ電極領域を
なす。The exposed region 39 of the mesh electrode 32 forms a collector electrode region.
メツシュ電極32に印加したターゲット電圧がターゲッ
ト電圧の1安定範囲」内、即ち、蓄積ターゲットの誘電
体36の島が所望時間電荷像を蓄積できるとき、高速電
子の書込ビームは二次電子放射により誘電体36上に電
荷像を形成する。When the target voltage applied to the mesh electrode 32 is within one stable target voltage range, that is, when the islands of the dielectric material 36 of the storage target can accumulate a charge image for a desired time, the writing beam of high-speed electrons is activated by secondary electron radiation. A charge image is formed on the dielectric material 36.
この電荷像は、メツシュ電極32の露出領域39により
捕集される低速照射電子の吸引により他の領域より正電
位である。This charge image has a more positive potential than other regions due to the attraction of low-velocity irradiation electrons collected by the exposed region 39 of the mesh electrode 32.
「書込まれた」電荷像の電位は誘電体の二次電子放射特
性曲線上の第1クロスオーバー電圧に対応する臨界電圧
以上であり、その誘電体の「書込まれなかった」背景領
域はこの臨界電圧以下である。The potential of the "written" charge image is above the critical voltage corresponding to the first crossover voltage on the secondary electron emission characteristic curve of the dielectric, and the "unwritten" background area of the dielectric is below this critical voltage.
蓄積ターゲットを衝撃する照射電子は「書込まれた」領
域の誘電体36の電位をメツシュ電極の電位に対応する
高電圧安定状態に、また「書込まれなかった」背景領域
の電位を照射銃30のカソードに印加した電圧に対応す
る低電圧安定状態に駆動する。The irradiation electrons impacting the storage target bring the potential of the dielectric 36 in the "written" areas to a high voltage steady state corresponding to the potential of the mesh electrode, and the potential of the "unwritten" background areas to the irradiation gun. Drive to a low voltage steady state corresponding to the voltage applied to the cathode of 30.
この二定蓄積動作は既に米国特許第3,293,473
号に説明している。This biconstant accumulation operation has already been described in U.S. Pat. No. 3,293,473.
It is explained in the issue.
負荷抵抗器34は可変バイアス抵抗器38を介して+5
00ボルトの直流電源に接続され、この可変バイアス抵
抗器38を調整しメツシュ電極32に印加されるターゲ
ット電圧を制御する。Load resistor 34 is connected to +5 via variable bias resistor 38.
The variable bias resistor 38 is connected to a DC power source of 0.00 volts to adjust the target voltage applied to the mesh electrode 32.
ターゲット12に蓄積された電荷像を消去するには、可
変抵抗器38の抵抗値を減少してメツシュ電極に印加さ
れる電圧が誘電体36の「フェード・ポジティブ」電圧
を超して照射電子ビームが誘電体層の電位を一様に書込
まれた正電位になすようにする。To erase the charge image accumulated on the target 12, the resistance of the variable resistor 38 is decreased so that the voltage applied to the mesh electrode exceeds the "fade positive" voltage of the dielectric 36 so that the irradiating electron beam is makes the potential of the dielectric layer uniformly written to a positive potential.
次に、可変抵抗器38の抵抗値を増加して蓄積ターゲッ
トがもはや電荷像の蓄積を行ない得ない「保持しきい」
電圧以下になす。Next, the resistance value of the variable resistor 38 is increased to reach a "retention threshold" at which the storage target can no longer accumulate charge images.
Do not lower the voltage.
次にメツシュ電極に印加する電圧を、それ以下では蓄積
ターゲットが電荷像を蓄積し得ない誘電体36の「保持
しきい」電圧以上に上げる。The voltage applied to the mesh electrode is then increased above the "retention threshold" voltage of the dielectric 36 below which the storage target cannot store a charge image.
その後メツシュ電極に供給する電圧をしきい電圧以上に
上げ「安定範囲」内のターゲット電圧として誘電体層が
電荷像を蓄積でき、ターゲットが他の電荷像を受けるこ
とができるようにする。The voltage applied to the mesh electrode is then increased above the threshold voltage so that the target voltage is within a "stable range" so that the dielectric layer can accumulate charge images and the target can receive other charge images.
第1図の蓄積管の書込動作中、制御グリッド16にはス
イッチ24により、カソード14に印加した−3,00
0ボルトに対して僅かに負電圧の−3,025ボルトを
印加する。During the write operation of the storage tube of FIG.
A slightly negative voltage of -3,025 volts is applied relative to 0 volts.
水平偏向板20はスイッチ26により水平掃引発生器4
0に接続され、垂直偏向板22はスイッチ28を介して
一般のオシロスコープに使用中の通常のものでよい垂直
増巾器42に接続される。The horizontal deflection plate 20 is connected to the horizontal sweep generator 4 by a switch 26.
0, and the vertical deflection plate 22 is connected via a switch 28 to a vertical amplifier 42, which may be a conventional one used in common oscilloscopes.
蓄積ターゲット12に蓄積したい波形の入力信号を垂直
増巾器42の入力端44に印加する。An input signal having a waveform desired to be stored in the storage target 12 is applied to the input terminal 44 of the vertical amplifier 42 .
蓄積ターゲット12の誘電体36はPl型、希土類で活
性化された希土類酸化物又はオキシ硫化物の如き従来の
螢光体のみならずpH,P2O。The dielectric 36 of the storage target 12 may be of the Pl type, rare earth activated rare earth oxides or oxysulfides, as well as conventional phosphors such as pH, P2O.
P22又はP31の如き光導電性螢光体を含む螢光体で
よく、誘電体は蓄積管が直視型の場合には蓄積ターゲッ
ト上に蓄積した電荷像に対応する光像を生じる。The phosphor may be a photoconductive phosphor such as P22 or P31, the dielectric producing a light image corresponding to the charge image accumulated on the storage target if the storage tube is of the direct view type.
この場合、入力信号波形は蓄積管のフェースプレートか
ら直接観測できるので電気的読出回路は必要ではないが
、米国特許3,679,824号に開示する技術によっ
て蓄積情報の観測及びハードコピーの作成が好ましい場
合もあろう。In this case, an electrical readout circuit is not required since the input signal waveform can be observed directly from the faceplate of the storage tube, but the technology disclosed in U.S. Pat. In some cases it may be preferable.
蓄積誘電体は複数の分離した島、即ち点状であり絶縁物
37によりターゲット電極から絶縁されており、誘電体
に蓄積された電荷像かにじむのを防止しているので、蓄
積誘電体として光導電性螢光体を使用してもよい。The storage dielectric is in the form of a plurality of separate islands, or dots, and is insulated from the target electrode by an insulator 37, which prevents the image of charge accumulated on the dielectric from bleeding into the storage dielectric. Conductive phosphors may also be used.
絶縁体37は酸化アルミニウム、酸化トリウム、シリカ
等の非螢光性絶縁物でもよいが、表面を誘電体36の色
と異なる色の酸化物で処理した希土類で付活した布上酸
化物又はオキシ硫化物の如き非蓄積性螢光体でもよく、
蓄積された情報と異なる色の非蓄積情報を表示して画情
報を容易に比較し得るようになすも可である。The insulator 37 may be a non-fluorescent insulator such as aluminum oxide, thorium oxide, or silica, but it may also be a rare earth-activated fabric oxide or oxide whose surface is treated with an oxide of a color different from that of the dielectric 36. Non-storage fluorescers such as sulfides may also be used.
It is also possible to display non-accumulated information of a different color from the accumulated information so that image information can be easily compared.
この動作をライトスルーという。This operation is called write-through.
絶縁物37はまた誘電体36と異なる発光色の希土類で
付活した希土類酸化物又はオキシ硫化物の如き蓄積螢光
体でもよく、誘電体36上に蓄積した情報を誘電体36
と絶縁体37の合成色で表示し、絶縁体37は蓄積情報
の両側にこの絶縁体37の背景色を生じて蓄積情報と背
景とに色のコントラストを生じてもよい。The insulator 37 may also be a storage fluorophore, such as a rare earth activated rare earth oxide or oxysulfide, with a different emission color than the dielectric 36, so that the information stored on the dielectric 36 is transferred to the dielectric 36.
The insulator 37 may be displayed in a composite color of the insulator 37, and the insulator 37 may produce a background color of the insulator 37 on both sides of the stored information to create a color contrast between the stored information and the background.
絶縁体37は例えば赤の発光色を有するユーロピウム付
活のイツトリウム酸化物又はオキシ硫化物であってもよ
い。The insulator 37 may be, for example, a europium-activated yttrium oxide or oxysulfide with a red luminescent color.
蓄積誘電体は例えば緑の発光色を有するPl又はテルビ
ウム付活のイツトリウム酸化物又はオキシ硫化物であっ
てもよい。The storage dielectric may be, for example, a Pl or terbium-activated yttrium oxide or oxysulfide with a green emission color.
更にP31゜P22.pH等の導電性螢光体を誘電体3
6として使用して情報を蓄積するようにしてもよい。Furthermore, P31°P22. Conductive phosphor such as pH dielectric material 3
6 to store information.
蓄積ターゲット12の近傍の管球の漏斗状部内面に設け
た導電体塗布層であるコリメート電極45を設けてもよ
い。A collimating electrode 45, which is a conductive coating layer, may be provided on the inner surface of the funnel-shaped portion of the tube near the storage target 12.
このコリメート電極には+50ボルトの直流電圧を加え
て照射電子を蓄積ターゲットに集束させ正電位のターケ
ラト領域が近傍の負電位領域から照射電子の一部を吸引
するという前述の平面グリッド効果による蓄積情報の歪
を排除する。A DC voltage of +50 volts is applied to this collimating electrode to focus the irradiated electrons onto the storage target, and the positive potential Turkerato region attracts a portion of the irradiated electrons from the nearby negative potential region.Accumulated information is generated by the above-mentioned planar grid effect. Eliminate distortion.
然し、若し誘電体層36が螢光体でなく酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウムの如き二次電子放射性物質の場合
には、蓄積管には読出回路を設けて蓄積ターゲットに蓄
積された電荷像に対応する電気的読出信号を得るように
しなければならない。However, if the dielectric layer 36 is not a fluorescent material but a secondary electron emissive material such as aluminum oxide or magnesium oxide, the storage tube is provided with a readout circuit to read the charge image accumulated on the storage target. It must be possible to obtain an electrical readout signal that
この為にはスイッチ24により制御グリッド16に直流
−3,050ボルト電圧を印加しカソード14からター
ゲットへ流れる電子ビーム密度を減少して斯る読出ビー
ムがターゲット上に電荷像を蓄積するのを阻止する。To do this, switch 24 applies a voltage of -3,050 volts DC to control grid 16 to reduce the density of the electron beam flowing from cathode 14 to the target and prevent the readout beam from accumulating a charge image on the target. do.
更に水平偏向板20と垂直偏向板22は夫々スイッチ2
6.28を介して走査信号発生器46に接続する。Furthermore, the horizontal deflection plate 20 and the vertical deflection plate 22 are each connected to a switch 2.
6.28 to the scanning signal generator 46.
この走査信号発生器は異なる周波数の鋸歯状波を両偏向
板に印加して読出ビームをテレビジョンの走査線状に偏
向する。This scanning signal generator applies sawtooth waves of different frequencies to both deflection plates to deflect the read beam into a television scanning line.
この走査線は蓄積ターゲット12の全面又は一部を覆い
、そこに蓄積された像の一部を拡大するも可である。The scan line may cover all or part of the storage target 12 to magnify a portion of the image stored there.
この画像拡大は走査信号発生器を調整して垂直偏向板2
2に印加される垂直走査信号が拡大したい波形の両端に
対応する2つの電圧限界内となるようにして自動的に行
なうことができる。This image enlargement is achieved by adjusting the scanning signal generator and using the vertical deflection plate 2.
This can be done automatically by ensuring that the vertical scan signal applied to 2 is within two voltage limits corresponding to the ends of the waveform that is desired to be expanded.
メツシュ電極32に現われた電気的読出信号は結合コン
デンサ48、低インピーダンス前置増幅器50及び高利
得増幅器52を介して遠隔地に配したテレビジョンモニ
タ管54又は他の記録装置のZ軸入力に供給される。The electrical readout signal presented at the mesh electrode 32 is applied via a coupling capacitor 48, a low impedance preamplifier 50, and a high gain amplifier 52 to the Z-axis input of a remotely located television monitor tube 54 or other recording device. be done.
モニタ管54の水平及び垂直偏向板は走査信号発生器4
6に接続して蓄積管の蓄積ターゲット12上に蓄積され
た波形像全体又はその一部をモニタ管54上に表示する
。The horizontal and vertical deflection plates of the monitor tube 54 are connected to the scanning signal generator 4.
6 to display the entire waveform image accumulated on the accumulation target 12 of the accumulation tube or a portion thereof on the monitor tube 54.
ターゲット12の蓄積誘電体層36が螢光体である場合
にもモニタ管及び電気的読出回路を使用することが好ま
しく、これにより蓄積情報又はその一部分の拡大像を遠
隔的に観測したり、表示された蓄積像のハードコピーを
得ることができる。Even when the storage dielectric layer 36 of the target 12 is a phosphor, it is preferable to use a monitor tube and electrical readout circuitry so that a magnified image of the stored information or a portion thereof can be remotely observed or displayed. You can obtain a hard copy of the stored image.
これらの技術については米国特許第3,679,824
号に開示している。These techniques are described in U.S. Patent No. 3,679,824.
Disclosed in the issue.
第2図及び第3図に示す如く、蓄積管用ターゲット12
は、CRT管球のガラス製フェースプレート部であるを
可とする絶縁物の透明支持板56の一表面上に設けた導
電体の塗布層であるメツシュ電極32を使用する。As shown in FIGS. 2 and 3, the storage tube target 12
uses a mesh electrode 32 which is a coated layer of a conductive material provided on one surface of a transparent support plate 56 of an insulating material, which may be a glass face plate portion of a CRT tube.
この管球はガラスフリット60によりフェースプレート
56に封止されたセラミックの漏斗状部58を含んでい
てもよい。The bulb may include a ceramic funnel 58 sealed to the faceplate 56 by a glass frit 60.
メツシュ電極32はアルミニウム、ニクロム、銀の如き
不透明導電体或は酸化錫の如き透明導電体で形成しても
よい。The mesh electrode 32 may be formed of an opaque conductor such as aluminum, nichrome, or silver, or a transparent conductor such as tin oxide.
メツシュ電極32の一部は封止部60を介して管球外に
引出され、管球内のメツシュ電極との導線部61となす
。A part of the mesh electrode 32 is drawn out of the bulb via the sealing part 60 and forms a conductive wire part 61 with the mesh electrode inside the bulb.
蓄積ターゲットの誘電体36は螢光体又は他の誘電体の
複数の離間した蓄積領域をなし、各蓄積領域はフェース
プレート56の内面のメツシュ電極32の開口内に絶縁
体37を介して塗布される。The storage target dielectric 36 comprises a plurality of spaced storage regions of phosphor or other dielectric material, each storage region being applied through an insulator 37 within an opening of the mesh electrode 32 on the inner surface of the faceplate 56. Ru.
各蓄積領域はメツシュ電極の絶縁素子により相互に分離
され、コレクタ電極領域39は絶縁物37から露出して
いる。Each storage region is separated from one another by an insulating element of the mesh electrode, with the collector electrode region 39 exposed from the insulator 37.
蓄積誘電体領域は絶縁されたメツシュ電極素子と横方向
(ラテラル)関係でフェースプレート56と直接接触し
て、従来のターゲットの一部の如くフェースプレート上
の連続した導電層と書込ビーム間に設けたものではない
。The storage dielectric region is in direct contact with the faceplate 56 in lateral relationship with the insulated mesh electrode element to provide a barrier between the continuous conductive layer on the faceplate and the writing beam as part of a conventional target. It is not something that has been set up.
その結果、斯る誘電体領域により形成され、蓄積ターゲ
ットを衝撃する書込ビームにより充電されるべき容量を
根本的に減少する。As a result, the capacitance formed by such a dielectric region and which has to be charged by the writing beam impinging on the storage target is radically reduced.
誘電体領域は矩形、円形成はその他所望の形状でよく、
すべて略同−厚さとし蓄積ターゲットの全面に亘り略均
−な低い容量とする。The dielectric region may be rectangular, the circular formation may be any other desired shape;
All have approximately the same thickness and a low capacitance that is approximately uniform over the entire surface of the storage target.
またこれら領域の裏面の外端は角ばらせず丸味を帯びさ
せて鋭角部にて生じる大きな電界の為にこの均一な容量
が得られる。Further, the outer edges of the back surfaces of these regions are rounded without being rounded, and the uniform capacitance can be obtained because of the large electric field generated at the acute corners.
本発明の蓄積ターゲットは容易に大型平面又は曲面とな
し得る。The storage target of the present invention can easily be made into a large flat or curved surface.
使用する材質によって、絶縁体37はその動作モードを
決定する。Depending on the material used, the insulator 37 determines its mode of operation.
若し非螢光体であれば、背景光はほぼ零である。If it is a non-fluorescent material, the background light is almost zero.
若し非蓄積螢光体を絶縁体37として使用すると、カラ
ーのライトスルーが行なえる。If a non-storage phosphor is used as insulator 37, color write-through can be achieved.
若し絶縁体37が蓄積螢光体であれば、優れたコントラ
ストが得られる。If insulator 37 is a storage phosphor, excellent contrast can be obtained.
第2図及び第3図に示す蓄積ターゲットは、螢光領域を
増加し高書込輝度及び低背景光を得る為に絶縁体37と
して非螢光体を使用するとき好ましい構造である。The storage target shown in FIGS. 2 and 3 is a preferred construction when using a non-fluorescent material as the insulator 37 to increase the fluorescent area and obtain high write brightness and low background light.
第2図及び第3図のターゲットはカラー・ライトスルー
動作としても使用できる。The targets of FIGS. 2 and 3 can also be used for color write-through operation.
誘電体層36は全ターゲット面積の約70係を占め、絶
縁体37は約20係、またコレクタ電極39は約10%
を占める。The dielectric layer 36 occupies about 70% of the total target area, the insulator 37 accounts for about 20%, and the collector electrode 39 accounts for about 10%.
occupies
第4図及び第5図の蓄積ターゲットの構造はカラー・コ
ントラスト動作モードを使用するとき好適であるが、こ
の構造でカラー・ライトスルー動作モードにも使用でき
る。Although the storage target structure of FIGS. 4 and 5 is preferred when using a color contrast mode of operation, this structure can also be used in a color write-through mode of operation.
第4図及び第5図のターゲットは、メツシュ電極32a
が酸化錫の如き透明導電体で作られ、このメツシュ電極
32aの導電領域にニッケル及びクロームの合金の如き
不透明導電体の点41が多数固着され第5図に示す如き
露出したコレクタ電極領域41をなす点を除き第2図及
び第3図と同じである。The target in FIGS. 4 and 5 is the mesh electrode 32a.
is made of a transparent conductor such as tin oxide, and a large number of dots 41 of an opaque conductor such as an alloy of nickel and chromium are fixed to the conductive region of the mesh electrode 32a to form an exposed collector electrode region 41 as shown in FIG. It is the same as FIGS. 2 and 3 except for the following points.
絶縁体37 aはフェースプレート56aの表面に接し
てメツシュ電極32aの網目内へ伸び、網目を小さくす
ると共に螢光体の蓄積誘電体36aの島を絶縁する。Insulator 37a extends into the mesh of mesh electrode 32a against the surface of faceplate 56a to reduce the mesh and insulate the islands of phosphor storage dielectric 36a.
絶縁物37aは露出したコレクタ電極領域39を除いて
メツシュ電極32aの導電部を完全に覆う。Insulator 37a completely covers the conductive portion of mesh electrode 32a except for exposed collector electrode region 39.
この絶縁物37aは、カラー・コントラスト又はカラー
・ライト・スルー動作モード用には島36aの誘電体の
色と異なる色の蓄積又は非蓄積螢光誘電体である。This insulator 37a is a storage or non-storage fluorescent dielectric of a color different from that of the dielectric of island 36a for color contrast or color write-through modes of operation.
誘電体の島36aは全ターゲット面積の約50係、絶縁
物37aは約40%、そしてコレクタ電極41は約10
%を夫夫占める。The dielectric island 36a is about 50% of the total target area, the insulator 37a is about 40%, and the collector electrode 41 is about 10% of the total target area.
Husbands account for %.
透明導電体32aはまた全ターゲット面積の40%を占
め、その透明度はその表面に固着した不透明のコレクタ
電極点41のパターンにより約14に減少する。The transparent conductor 32a also occupies 40% of the total target area, and its transparency is reduced to about 14 by the pattern of opaque collector electrode points 41 affixed to its surface.
複数のけかき線を可とする目盛を蓄積ターゲット12の
下部のフェースプレート56の内面に設け、誘電体層3
6が螢光体であるとき内部目盛として用いて蓄積ターゲ
ット上に形成した光像の試験測定を行なう。A scale that allows a plurality of scratch lines is provided on the inner surface of the face plate 56 at the bottom of the storage target 12, and the dielectric layer 3
When 6 is a phosphor, it is used as an internal scale to perform test measurements of the light image formed on the storage target.
この内面目盛はフェースプレート56の端面から光を入
射することにより照明してもよい。The inner scale may be illuminated by entering light from the end surface of the face plate 56.
更に、目盛はフェースプレートの内面に線状に印刷した
ガラスフリットでもよい。Furthermore, the scale may be a glass frit printed linearly on the inner surface of the face plate.
フェースプレート56aに目盛を設けてもよい。A scale may be provided on the face plate 56a.
第2図及び第3図の蓄積ターゲット構体の製作は次の工
程により行なう。The storage target structure shown in FIGS. 2 and 3 is manufactured by the following steps.
■クローム、ニッケル又はニッケルとクロームの合金の
如き不透明な導電体をフェースプレートの一面に塗布す
る。■ Apply an opaque conductive material such as chrome, nickel, or an alloy of nickel and chromium to one side of the faceplate.
■この導電体層上に感光物質(フォトレジスタ)の層を
設ける。(2) A layer of photosensitive material (photoresist) is provided on this conductor layer.
■このフォトレジストに導電メツシュ状にパターン形成
されたマスクを通して光をあてる。■ Light is applied to this photoresist through a mask patterned into a conductive mesh.
■露光像を現像してその下部の導電体を蝕刻する。(2) Develop the exposed image and etch the conductor underneath.
(典型的な蝕効剤は硫酸セリウムアンモニウムと硝酸の
溶液である。(A typical corrosive agent is a solution of cerium ammonium sulfate and nitric acid.
)■未露光領域のフォトレジストを除去する(一般には
アセトン又は同様の溶液で洗浄する)。) ■ Remove the photoresist in unexposed areas (generally by cleaning with acetone or similar solution).
以上■乃至■の工程により、ガラスフェースプレート上
に不透明な導電性メツシュができる。By the above steps (1) to (2), an opaque conductive mesh is formed on the glass face plate.
■フォトレジストの第2の層をこの導電性メツシュとガ
ラスフェースプレート上に設ける。■ A second layer of photoresist is applied over the conductive mesh and glass faceplate.
■フォトレジストの近くに他のマスクを配して光源から
フォトレジストを露光してコレクタ領域をなす重合した
フォトレジストの「点状」パターンを作る。■ Place another mask near the photoresist and expose the photoresist from a light source to create a "dot" pattern of polymerized photoresist that forms the collector region.
■導電性メツシュを電解液(一般にイソプロピルアルコ
ールと硝酸アルミニウム)内のカソードとなす。■A conductive mesh is used as a cathode in an electrolyte (generally isopropyl alcohol and aluminum nitrate).
この電解液中には小さな正帯電粒子状の絶縁体(一般に
は酸化アルミニウム、二酸化トリウム又は二酸化珪素)
を浮遊させる。This electrolyte contains small positively charged particles of insulators (generally aluminum oxide, thorium dioxide, or silicon dioxide).
float.
メツシュに電圧を印加すると、これら絶縁物粒子は先に
設けたコレクタ領域をなすフォトレジストの点により保
護されていない導電体メツシュ全面に向って進み、そこ
に付着する。When a voltage is applied to the mesh, these insulating particles travel toward and adhere to the entire surface of the conductive mesh that is not protected by the previously provided photoresist spots forming the collector region.
この絶縁物は1μ以上の厚さとなし、メツシュ開口の露
出端を覆う。This insulator has a thickness of 1 μm or more and covers the exposed ends of the mesh openings.
■螢光体を従来周知の写真定着技術法により固着させる
。■Fix the phosphor using a conventionally well-known photographic fixing technique.
その一方法として、100gの螢光体、100gのポリ
ビニールアルコール、10100Oの水、LOmlのイ
ソプロパツール及び20gのニクロム酸アンモニウムの
スラリ一層を付着する。One method is to deposit a single layer of a slurry of 100 g phosphor, 100 g polyvinyl alcohol, 10100 O water, LO ml isopropanol, and 20 g ammonium dichromate.
このスラリーは感光性であるので、露光により重合する
。Since this slurry is photosensitive, it polymerizes upon exposure to light.
フォトマスクとして作用する導電性メツシュを介して露
光することにより螢光体パターンを作る。The phosphor pattern is created by exposure through a conductive mesh that acts as a photomask.
[相]未露光領域の螢光体は水洗により現像する。[Phase] The phosphor in the unexposed area is developed by washing with water.
0フエースプレートを焼いて螢光体から有機バインダー
を除くと共にコレクタ領域からフォトレジストを除去す
る。Bake the 0 faceplate to remove the organic binder from the phosphor and remove the photoresist from the collector area.
次に第4図及び第5図に示すカラー・コントラスト蓄積
ターゲットの製法を説明する。Next, a method of manufacturing the color contrast storage target shown in FIGS. 4 and 5 will be described.
■酸化錫の如き透明導電部材をガラス製フェースプレー
トの一面に設ける。■A transparent conductive material such as tin oxide is provided on one side of the glass face plate.
■この透明導電膜上にニッケル及びクローム合金の如き
不透明導電体を塗布する。(2) Coating an opaque conductor such as nickel and chromium alloy on this transparent conductive film.
■このニッケル・クローム膜上にフォトレジスト層を設
ける。■A photoresist layer is provided on this nickel-chromium film.
■メツシュ形状のパターンを有するマスクを介してフォ
トレジストを露光する。(2) Expose the photoresist through a mask having a mesh-shaped pattern.
■フォトレジストの露光像を現像し、その下部の不透明
導電体及び透明導電層を蝕刻する(典型的な蝕刻剤は硝
酸中の硫化セリウム・アンモニウム、次いで塩化水素酸
と亜鉛粉末である)。■ Developing the exposed image of the photoresist and etching the underlying opaque conductor and transparent conductive layer (typical etchants are cerium ammonium sulfide in nitric acid, followed by hydrochloric acid and zinc powder).
■未露光部のフォトレジストを(アセトン又は類似溶剤
を用いて)除去する。■Remove the unexposed areas of the photoresist (using acetone or similar solvent).
■次にフォトレジスト層を、その近傍に設けたマスクを
介して露光し、現像してコレクタ領域として作用するフ
ォトレジストのドツトパターンを形成する。(2) Next, the photoresist layer is exposed to light through a mask provided in its vicinity and developed to form a dot pattern of photoresist that acts as a collector region.
■このターゲットの蓄積螢光体を標準の写真定着法によ
り、不透明導電性メツシュで囲まれた螢光体の島状パタ
ーンとなす。■ The storage phosphors of this target are formed into an island pattern of phosphors surrounded by an opaque conductive mesh using standard photographic fixing techniques.
■フォトレジストで保護されていない不透明導電体領域
は、この物質のみを蝕刻し透明導電体は蝕刻しない溶液
中で蝕刻により除去する。(2) Areas of the opaque conductor not protected by the photoresist are removed by etching in a solution that etches only this material and does not etch the transparent conductor.
(典型的な蝕刻剤は硝酸中に加えた硫化セリウムアンモ
ニウムである。(A typical etchant is cerium ammonium sulfide in nitric acid.
この工程によりフォトレジストで保護され透明導電性メ
ツシュ上に固着した不透明導電性ドツトパターンが得ら
れる。This step results in a pattern of opaque conductive dots protected by photoresist and fixed onto a transparent conductive mesh.
)[相]透明導電性メツシュを(普通イソプロピルアル
コールと硝酸アンモニウムの)電解液中でカソードとな
し、その電解液中に誘電性螢光体の正に帯電した微細粒
子を浮遊させる。) [Phase] A transparent conductive mesh is used as a cathode in an electrolyte (usually of isopropyl alcohol and ammonium nitrate) in which fine, positively charged particles of a dielectric phosphor are suspended.
典型的な螢光体はユーロピウム付活のイツトリウム・オ
キシ硫化物である。A typical fluorophore is europium-activated yttrium oxysulfide.
(若しターゲットをカラー・ライトスルー・ターゲット
とするには、この螢光体は通常の蓄積電圧では発光せず
更に高い電圧で発光するよう予め処理する。(If the target is to be a color write-through target, the phosphor is pretreated so that it does not emit light at a normal storage voltage, but instead emits light at a higher voltage.
)メツシュに電圧を印加すると、この螢光体粒子はメツ
シュ電極に向って移動してフォトレジストで保護されて
いない透明導電メツシュの全領域に付着する。) When a voltage is applied to the mesh, the phosphor particles move toward the mesh electrode and attach to all areas of the transparent conductive mesh not protected by photoresist.
勿論この螢光体粒子は、既に設けた螢光体の島がメツシ
ュから電気的に絶縁されているので、そこには付着しな
い。Of course, the phosphor particles will not adhere to the previously provided phosphor islands since they are electrically insulated from the mesh.
0次にフェースプレートを焼いて螢光体及びコレクタ領
域から有機バインダー及びフォトレジストを除去する。The faceplate is then baked to remove the organic binder and photoresist from the phosphor and collector regions.
第6図は本発明による二定電位型蓄積管用ターゲットの
一実施例を示す。FIG. 6 shows an embodiment of a target for a two-potential storage tube according to the present invention.
透明絶縁性支持板であるフェースプレート56bは、そ
の内面に蒸着等により被着させた薄い透明導電体層62
を有する。The face plate 56b, which is a transparent insulating support plate, has a thin transparent conductor layer 62 deposited on its inner surface by vapor deposition or the like.
has.
この層62は約0.2μの厚さの酸化錫又は酸化インジ
ウム錫であるを可とする。This layer 62 may be tin oxide or indium tin oxide with a thickness of about 0.2 microns.
この透明導電体層62上に透明の絶縁体被膜64を約1
μの厚さに形成する。A transparent insulating film 64 is coated on this transparent conductive layer 62 by about 1 inch.
Form to a thickness of μ.
この透明絶縁性被膜64は酸化シリコン、二酸化シリコ
ン又は酸化アルミニウムであって、好ましくは導電体層
62上に真空蒸着する。The transparent insulating coating 64 is silicon oxide, silicon dioxide, or aluminum oxide, and is preferably vacuum deposited on the conductive layer 62.
導電体層62及び絶縁体層64は積層構造をなす。The conductor layer 62 and the insulator layer 64 have a laminated structure.
メツシュ電極32b、絶縁性非蓄積螢光体37b及び蓄
積螢光体の島36bは絶縁体層64上に第2図、第3図
及び第4図、第5図の蓄積ターゲットに関連して説明し
たのと同様手法で形成され、これにより蓄積ターゲット
構体が完成する。A mesh electrode 32b, an insulating non-storage phosphor 37b and an island of storage phosphor 36b are provided on the insulator layer 64 as described in connection with the storage targets of FIGS. 2, 3 and 4 and 5. The storage target structure is completed using the same method as above.
メツシュ電極32bはリード線部61bを介して負荷抵
抗器34に接続され、導電体層62はリード線部68を
介して従来設計を可とするパルス発生回路66に接続さ
れる。The mesh electrode 32b is connected to the load resistor 34 via a lead wire portion 61b, and the conductor layer 62 is connected to a pulse generating circuit 66 which allows a conventional design via a lead wire portion 68.
パルス発生回路66は表示中の蓄積情報を消去するとき
、矩形消去パルス70をターゲット電極62に供給する
。The pulse generating circuit 66 supplies a rectangular erasing pulse 70 to the target electrode 62 when erasing the accumulated information being displayed.
第6図の蓄積ターゲットに蓄積した情報を選択的に消去
するには、米国特許第4,139,800号に開示する
技法により行なう。Selective erasure of information stored in the storage target of FIG. 6 is accomplished using techniques disclosed in US Pat. No. 4,139,800.
即ち、まず照射電子銃30を遮断し、ターゲット電極(
透明導電体層)62を+400■に脈動し、それを容量
結合により螢光体層36bを有する螢光体層の表面に結
合しコレクタ電極(メツシュ電極)32bの電位に上乗
せする。That is, first, the irradiation electron gun 30 is shut off, and the target electrode (
The transparent conductor layer 62 is pulsed at +400 cm, which is coupled to the surface of the phosphor layer 36b by capacitive coupling, and is added to the potential of the collector electrode (mesh electrode) 32b.
次いで、書込み電子ビーム23を所定時間消去したい蓄
積ターゲットの選択領域に向け、この領域の螢光体層が
二次電子放射によりコレクタ電極32bの電位に変化す
るようになす。The write electron beam 23 is then directed at a selected area of the storage target to be erased for a predetermined period of time, such that the phosphor layer in this area is changed to the potential of the collector electrode 32b by secondary electron emission.
ターゲット電極62の電位をO■に戻すと容量結合によ
り螢光体層の表面電位を蓄積が起る電圧レベル以下の電
位となす。When the potential of the target electrode 62 is returned to O2, the surface potential of the phosphor layer is brought to a potential below the voltage level at which accumulation occurs due to capacitive coupling.
そして、照射電子銃をオンとし、書込んだ情報をその蓄
積状態に戻し、書込まれない領域と消去された領域の電
位を蓄積が起る電圧レベル以下の高圧にする。Then, the irradiation electron gun is turned on, the written information is returned to its storage state, and the potential of the unwritten area and the erased area is set to a high voltage below the voltage level at which storage occurs.
蓄積ターゲットを完全に消去するには、消去パルスをコ
レクタ電極32bに印加して全ターゲットを書込み状態
とし、書込み電子ビーム23により蓄積情報の書込み準
備状態に戻す。To completely erase the storage targets, an erase pulse is applied to the collector electrode 32b to put all the targets into a written state, and the writing electron beam 23 returns them to a state ready for writing stored information.
希望すれば、コレクタ電極32bに消去パルスを加える
と同時にターゲット電極62にも消去パルスを加えて消
去動作を迅速にすることもできる。If desired, an erase pulse can be applied to the target electrode 62 at the same time as the erase pulse is applied to the collector electrode 32b to speed up the erase operation.
前述した蓄積ターゲットの製法はいずれも感光層ラメラ
シュパターン状の光に露光させメツシュ電極32.32
a 、32bを作る少なくとも1回の露光工程を含む。In all of the methods for manufacturing the storage target described above, the photosensitive layer is exposed to light in the form of a lamellar pattern, and the mesh electrode 32.
a, 32b.
これにより、メツシュ電極は複数の実質的に均一な小さ
な開口及び多数の小さなメツシュ素子が得られ、その結
果メツシュ電極の絶縁された開口内に多数の小さな螢光
体領域36.36a及び36bが得られる。This provides the mesh electrode with a plurality of substantially uniform small apertures and a large number of small mesh elements, resulting in a large number of small phosphor regions 36.36a and 36b within the isolated apertures of the mesh electrode. It will be done.
この微細な蓄積ターゲットにより、従来の複数のワイヤ
メツシュで形成した蓄積ターゲットでは決して得られな
かった極めて高解像度の電荷像蓄積及び可視光像の形成
が可能となる。This fine storage target enables charge image storage and visible light image formation with extremely high resolution, which could never be achieved with conventional storage targets formed from multiple wire meshes.
上述の如く本発明によれば、メツシュ電極の開口の周縁
部に絶縁性非蓄積螢光体を設けて蓄積螢光体とメツシュ
電極とを絶縁したので、蓄積像表示時に、メツシュ電極
、即ちコレクタ電極の周辺に電界が生じて照射電子が非
蓄積螢光体に衝突しても、非蓄積螢光体は低速電子に対
し発光効率が低いので、従来のような蓄積螢光体周縁の
ハローが生じない。As described above, according to the present invention, the insulating non-storage phosphor is provided at the periphery of the opening of the mesh electrode to insulate the storage phosphor from the mesh electrode. Even if an electric field is generated around the electrode and the irradiated electrons collide with the non-storage phosphor, the non-storage phosphor has low luminous efficiency against slow electrons, so a halo around the periphery of the storage phosphor as in the past Does not occur.
また、非蓄積像表示時には、書込みビームにより蓄積及
び非蓄積螢光体が共に発光して輝度が向上し、更に蓄積
螢光体と異なる発光色の非蓄積螢光体を用いれば、非蓄
積像を両壁光体の合成色で表示でき、カラーのライトス
ルーが行なえる。In addition, when displaying a non-storage image, the storage and non-storage phosphors emit light together with the writing beam, improving the brightness.Furthermore, if a non-storage phosphor with a different emission color from the storage phosphor is used, the non-storage image can be displayed. can be displayed in the composite color of both wall light bodies, and color light-through can be performed.
さらに、透明絶縁被膜により蓄積螢光体等から絶縁され
た透明導電体層を設けであるので、消去パルスをこの透
明導電体層及びメツシュ電極に供給することにより、消
去動作を迅速に行なうことができる。Furthermore, since a transparent conductor layer is provided which is insulated from the storage phosphor etc. by a transparent insulating coating, the erasing operation can be performed quickly by supplying an erasing pulse to the transparent conductor layer and the mesh electrode. can.
尚、上述の説明は本発明の好適実施例についてのみ行っ
たものであるが、本発明の要旨を逸脱するこさなく種々
の変更変形ができることは当業者には明白である。It should be noted that although the above description has been made only regarding the preferred embodiments of the present invention, it will be obvious to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
それ故に、本発明の技術的範囲はこれら変更変形をも包
含するものであることは言うまでもない。Therefore, it goes without saying that the technical scope of the present invention includes these modifications.
第1図は本発明による二定電位型蓄積管用ターゲットを
有する蓄積管と関連回路の一実施例を示すブロック線図
、第2乃至5図は本発明の蓄積ターゲットの構造を説明
する為の図であって、第2図は第1図の線2−2に沿う
二定電位型蓄積管用ターゲットの部分拡大図、第3図は
第2図の線3−3に沿う蓄積ターゲットの拡大背面図、
第4図及び第5図は他の例による蓄積管用ターゲットの
第2図及び第3図に対応する図、第6図は本発明による
二定電位型蓄積管用ターゲットの好適実施例の一部拡大
断面図である。
図中、32bはメツシュ電極、36bは蓄積螢光体、3
7bは絶縁性非蓄積螢光体、56bは透明絶縁性支持板
、62は透明導電体層、64は透明絶縁性被膜である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a storage tube having a two-potential storage tube target according to the present invention and related circuits, and FIGS. 2 to 5 are diagrams for explaining the structure of the storage target according to the present invention. FIG. 2 is a partially enlarged view of the two-potential storage tube target along line 2-2 in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged rear view of the storage target along line 3-3 in FIG. ,
4 and 5 are views corresponding to FIGS. 2 and 3 of storage tube targets according to other examples, and FIG. 6 is a partially enlarged view of a preferred embodiment of a two-potential storage tube target according to the present invention. FIG. In the figure, 32b is a mesh electrode, 36b is a storage phosphor, 3
7b is an insulating non-storage phosphor, 56b is a transparent insulating support plate, 62 is a transparent conductor layer, and 64 is a transparent insulating film.
Claims (1)
透明導電体層と、該導電体層上に設けられた透明絶縁性
被膜と、該絶縁性被膜上に設けられ複数の開口を有する
透明導電性メツシュ電極と、該メツシュ電極の上記開口
の周縁部に設けられた絶縁性非蓄積螢光体と、上記メツ
シュ電極の上記開口内に設けられた上記絶縁性非蓄積螢
光体により上記メツシュ電極から絶縁された蓄積螢光体
とを具えた二定電位型蓄積管用ターゲット。1. A transparent insulating support plate, a transparent conductor layer provided on one surface of the support plate, a transparent insulating film provided on the conductor layer, and a plurality of openings provided on the insulating film. a transparent conductive mesh electrode having a transparent conductive mesh electrode, an insulating non-storage phosphor provided at the periphery of the opening of the mesh electrode, and an insulating non-storage phosphor provided within the opening of the mesh electrode. A target for a two-potential storage tube, comprising a storage phosphor insulated from the mesh electrode.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4217279A | 1979-05-24 | 1979-05-24 | |
US42172 | 1979-05-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55159547A JPS55159547A (en) | 1980-12-11 |
JPS5932860B2 true JPS5932860B2 (en) | 1984-08-11 |
Family
ID=21920431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6633780A Expired JPS5932860B2 (en) | 1979-05-24 | 1980-05-19 | Target for two constant potential storage tubes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5932860B2 (en) |
-
1980
- 1980-05-19 JP JP6633780A patent/JPS5932860B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55159547A (en) | 1980-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3293474A (en) | Phosphor dielectric storage target for cathode ray tube | |
GB770333A (en) | Direct-viewing storage tube with character writing electron gun | |
US3293473A (en) | Thin, porous storage phosphor layer | |
US3710173A (en) | Direct viewing storage tube having mesh halftone target and nonmesh bistable target | |
US6008577A (en) | Flat panel display with magnetic focusing layer | |
US3614820A (en) | Method of manufacturing storage target for cathode ray tube | |
US3633064A (en) | Signal converting system using barrier grid-type storage tube | |
US4131821A (en) | Aging resistant mixtures in bistable storage tubes | |
JPS5932860B2 (en) | Target for two constant potential storage tubes | |
US4110659A (en) | Cathode ray tube storage target having increase life | |
US4254360A (en) | Insulated web collector storage target for a cathode ray tube | |
US3798477A (en) | Storage tube with target having conductive surface exposed through random cracks in dielectric coating | |
US3675134A (en) | Method of operating an information storage tube | |
US4139800A (en) | Bistable storage target having interdigitated target electrode for selective erasure | |
CA1137154A (en) | Direct-viewing storage target for a cathode ray tube | |
JPS5910015B2 (en) | Accumulator target | |
US3687665A (en) | Method of manufacturing cathode ray storage tube target | |
US4159439A (en) | Bistable storage cathode ray tube | |
US4335328A (en) | Selectively erasable storage target with insulated web collector | |
US4282456A (en) | Faceplate for an electrostatic printing tube and method of making same | |
CA1111143A (en) | Color coding of write-through information in direct viewing bistable storage crt display | |
US3401293A (en) | Mesa type combined direct viewing storage target and fluorescent screen for cathode ray tube | |
US4185227A (en) | Cathode ray tube with dual collector layer storage target | |
US3249784A (en) | Direct-view signal-storage tube with image expansion means between storage grid and viewing screen | |
US3940651A (en) | Target structure for electronic storage tubes of the coplanar grid type having a grid structure of at least one pedestal mounted layer |