JPS59231723A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS59231723A JPS59231723A JP10520183A JP10520183A JPS59231723A JP S59231723 A JPS59231723 A JP S59231723A JP 10520183 A JP10520183 A JP 10520183A JP 10520183 A JP10520183 A JP 10520183A JP S59231723 A JPS59231723 A JP S59231723A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- layer
- thin film
- thin
- film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は高密度な磁気記録の応用分野であるＰＣＭレ
コーダ、を算機用ディスク装置、ビデオテープレコーダ
などに使用され得る磁気へ・ラドに関するものである。
コーダ、を算機用ディスク装置、ビデオテープレコーダ
などに使用され得る磁気へ・ラドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の電算機用の薄膜磁気へ・ラドは、第１図に示すよ
′）ＩＣ，基板１上にトラ・ｌり幅精度の規制で効果の
あるめっき法でＮｉ−Ｆｅ合金からなる磁性薄膜２．３
１に形成し、この磁性薄膜２．３によって磁気回路を構
成し、非磁性絶縁膜４を保獲層として形成し、所定の形
状に加工される。記録媒体（ディスク）５とは図のよう
に相対し、所定の浮上高さ状態で、信号の書込み／読出
しが行われる。基板１上には、通常非磁性絶縁層６が形
成され、同様の材料でギャップ形成用非磁性絶縁層７が
構成される。磁性薄膜２．３間には、コイル層８および
層間絶縁層９．１０が形成される。図では巻数６ターン
の例を示している・ このような構成によると、磁気回路全梠成するなどの主
留な薄膜素子部は５ｉ０２あるいはＡ１２ｏ３といった
物性的に安定な非磁性絶縁層４．６でほとんど蔽われる
が、記録媒体５に而する側はどうしても露出する。した
がって、このような薄膜磁気ヘッドが苛酷な条件下で使
用されると、磁性薄膜２．３の露出部で腐蝕等が発生し
、信頼性劣下が起こるという問題点があった。このよう
な間萌の時、単に磁性薄膜２．３を腐蝕等に強い材料で
置ｉ！！換えるという考え方は、容易に考えつるが、構
成および側法の点で制約があり、これまで解決されてい
ない。ここで構成といったのは、第１図の磁性薄膜２．
３部分を拡大した第２図でわかるように、下側の磁性薄
膜２け、２ａ、２ｂ、２ｃという３層よりなり、また、
上側の磁性薄膜３は、３ａ、３ｂという２層よりなる。
′）ＩＣ，基板１上にトラ・ｌり幅精度の規制で効果の
あるめっき法でＮｉ−Ｆｅ合金からなる磁性薄膜２．３
１に形成し、この磁性薄膜２．３によって磁気回路を構
成し、非磁性絶縁膜４を保獲層として形成し、所定の形
状に加工される。記録媒体（ディスク）５とは図のよう
に相対し、所定の浮上高さ状態で、信号の書込み／読出
しが行われる。基板１上には、通常非磁性絶縁層６が形
成され、同様の材料でギャップ形成用非磁性絶縁層７が
構成される。磁性薄膜２．３間には、コイル層８および
層間絶縁層９．１０が形成される。図では巻数６ターン
の例を示している・ このような構成によると、磁気回路全梠成するなどの主
留な薄膜素子部は５ｉ０２あるいはＡ１２ｏ３といった
物性的に安定な非磁性絶縁層４．６でほとんど蔽われる
が、記録媒体５に而する側はどうしても露出する。した
がって、このような薄膜磁気ヘッドが苛酷な条件下で使
用されると、磁性薄膜２．３の露出部で腐蝕等が発生し
、信頼性劣下が起こるという問題点があった。このよう
な間萌の時、単に磁性薄膜２．３を腐蝕等に強い材料で
置ｉ！！換えるという考え方は、容易に考えつるが、構
成および側法の点で制約があり、これまで解決されてい
ない。ここで構成といったのは、第１図の磁性薄膜２．
３部分を拡大した第２図でわかるように、下側の磁性薄
膜２け、２ａ、２ｂ、２ｃという３層よりなり、また、
上側の磁性薄膜３は、３ａ、３ｂという２層よりなる。
これは、へりド特性としての周波数特性？改善するため
に先端部（媒体対向面近傍）を比較的薄くする必要があ
り、−？、次書込み時の磁気飽和を避けるために後部（
コイル近傍）を厚くする必要があるためである。したが
って、このような構成のものを特性を劣下させずに、し
かも製法的に簡便なものとする方法が見つかっていなか
った。すなわち、めっき法では共析現象が起きないとめ
つきできないわけで、結晶質合金への第３元素の添加に
よって耐蝕性を向上させるということが難しく、また、
他の磁性材料、例えばセンダスト、アモルファス等は、
めっき法では難しく、Ｉ〜かも池の、形成方法、例えば
蒸着法、スバ・フタ法では、高温あるいは化学上・ソチ
ングのｒｆ４度の点から第２図に示したような多層状構
成を実現することは難しいことがあげられる。
に先端部（媒体対向面近傍）を比較的薄くする必要があ
り、−？、次書込み時の磁気飽和を避けるために後部（
コイル近傍）を厚くする必要があるためである。したが
って、このような構成のものを特性を劣下させずに、し
かも製法的に簡便なものとする方法が見つかっていなか
った。すなわち、めっき法では共析現象が起きないとめ
つきできないわけで、結晶質合金への第３元素の添加に
よって耐蝕性を向上させるということが難しく、また、
他の磁性材料、例えばセンダスト、アモルファス等は、
めっき法では難しく、Ｉ〜かも池の、形成方法、例えば
蒸着法、スバ・フタ法では、高温あるいは化学上・ソチ
ングのｒｆ４度の点から第２図に示したような多層状構
成を実現することは難しいことがあげられる。
発明の目的
この発明は耐蝕ｉ生を向上させることができ、しかも製
造の容易な薄膜磁気へ・フド金提供することを目的とす
る。
造の容易な薄膜磁気へ・フド金提供することを目的とす
る。
発明の構成
この発明の薄膜磁気へ−Ｊドは、基板と、この基板上に
形成した電磁変換素子と、・前記基板上に前記ｌｔ磁斐
換累子の近傍が厚くなるとともに記録媒体への対向面近
傍が薄くなるように多層形成して前記電磁変換素子と前
記記湿媒体とを磁気結合する磁性層であって前記記録媒
体への対向面より’Ｂ出する最下層を非晶質合金薄膜で
形成するとともに非蕗出の前記電磁変換素子の近傍のみ
前記最下層に積置する上層を結晶質合金Ｗ！ｒで形成し
ｆｃ磁性層と金備える構成である。
形成した電磁変換素子と、・前記基板上に前記ｌｔ磁斐
換累子の近傍が厚くなるとともに記録媒体への対向面近
傍が薄くなるように多層形成して前記電磁変換素子と前
記記湿媒体とを磁気結合する磁性層であって前記記録媒
体への対向面より’Ｂ出する最下層を非晶質合金薄膜で
形成するとともに非蕗出の前記電磁変換素子の近傍のみ
前記最下層に積置する上層を結晶質合金Ｗ！ｒで形成し
ｆｃ磁性層と金備える構成である。
このように構成すれば、磁性層のうちｐｌｐ体苅向面よ
り露出する部分、すなわち最下層が非晶質合金薄膜で形
成されるため耐蝕性が向上ず４）ことになる。また、非
露出の電磁変換素子ｄ［傍において最下層に結晶質合金
薄膜からなる上層全積層して磁性層の屯Ｆｆ！ｉ変醜素
千升傍を厚くしているため、めっき法等の低温ブ′「１
セヌで精度良く層形成することができ、製へか谷型ｌと
なり、まブこ、非晶質合金薄膜への熱的損傷も防止でき
る。
り露出する部分、すなわち最下層が非晶質合金薄膜で形
成されるため耐蝕性が向上ず４）ことになる。また、非
露出の電磁変換素子ｄ［傍において最下層に結晶質合金
薄膜からなる上層全積層して磁性層の屯Ｆｆ！ｉ変醜素
千升傍を厚くしているため、めっき法等の低温ブ′「１
セヌで精度良く層形成することができ、製へか谷型ｌと
なり、まブこ、非晶質合金薄膜への熱的損傷も防止でき
る。
実施例の説明
この発明の一実施例を第３図および第４図に基づいて説
明する。この薄膜磁気ヘッドは、第３図に示すように、
記録媒体５に面する磁性薄膜１２ａ。
明する。この薄膜磁気ヘッドは、第３図に示すように、
記録媒体５に面する磁性薄膜１２ａ。
１３ａ ｆ非晶質合金薄膜で構成する。この非晶質合金
薄膜は安定性の点からメタル−メタ〃系非晶質合金が適
しており、さらに耐摩耗性、耐蝕性に優れたｃｏ８３．
５−ｐｅ２ Ｎｂ１４．５合金が最適テアル。ｍｕ薄膜
１２ｂ、１２ｃおよび１３ｂはめっき法による結晶質合
金薄膜、例えば従来通りＮｉ−Ｆｅ二元合金系が低温形
成できるので、前記非晶質合金薄膜へ熱的損傷牙与えず
、適していることがわかった。すなわち、記録媒体５に
面する側に露出゛していない磁性薄膜１２ｂ 、 １２
ｃ 、 １３ｂは、めっき法のような低温プロセスと
いった製法によって得られることが不可欠となる。
薄膜は安定性の点からメタル−メタ〃系非晶質合金が適
しており、さらに耐摩耗性、耐蝕性に優れたｃｏ８３．
５−ｐｅ２ Ｎｂ１４．５合金が最適テアル。ｍｕ薄膜
１２ｂ、１２ｃおよび１３ｂはめっき法による結晶質合
金薄膜、例えば従来通りＮｉ−Ｆｅ二元合金系が低温形
成できるので、前記非晶質合金薄膜へ熱的損傷牙与えず
、適していることがわかった。すなわち、記録媒体５に
面する側に露出゛していない磁性薄膜１２ｂ 、 １２
ｃ 、 １３ｂは、めっき法のような低温プロセスと
いった製法によって得られることが不可欠となる。
以下、より詳しく説明する。Ａｌ２Ｏ３−Ｔｉｃ の
ような基板１１上に５ｉ０２あるいはＡ１２ｏ３といっ
た非磁性絶縁層１６がスパッタ蒸着される。その後、磁
性薄膜１２ａ ｆ形成するが、耐蝕性の良い非晶質合金
薄膜のため、膜形成後、化学エツチング等によるバター
ニングは難しく、スバ・フタエヮチング等のドライエ・
フチングでは膜厚が薄ければ、比較的容易である。しか
し、通常１〜３μｍといった比較的厚い膜がボールピー
ス厚としては必いのため、いわゆるリフトオフ法とイオ
ンビームスバラタリング法による膜形成が現在最も適し
た簡便な製法である。この方法によると、直流あるいは
高周波スバウタ法に比較し、よりガス圧が低い状ＩＩ！
でしかも基板温度としては低い状態で膜形成が行われる
ため、雰囲気ガスの膜中への混入の少ない良好な非晶質
合金薄膜が得られる。リフトオフ法は、第４図に示すよ
うに、レジスト１７′がバターニングされたところへ前
記非晶質合金からなる磁性層１１２ａ’ｉイオンビーム
スバ・ツタリングで形成し、その後、レジスト１７′上
の磁性薄膜１２ａ’ｉ、レジスｌ−１７’ｉ溶解すると
いう処理の際、同時に除去し、所望のパターンを得る方
法である。このあと、めつ′＠電極材となる導電性薄膜
１７が全面に形成され、通常のレジスト窓によるめっき
法で、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁性薄膜１２ｂ、１２Ｃ
が形成される。
ような基板１１上に５ｉ０２あるいはＡ１２ｏ３といっ
た非磁性絶縁層１６がスパッタ蒸着される。その後、磁
性薄膜１２ａ ｆ形成するが、耐蝕性の良い非晶質合金
薄膜のため、膜形成後、化学エツチング等によるバター
ニングは難しく、スバ・フタエヮチング等のドライエ・
フチングでは膜厚が薄ければ、比較的容易である。しか
し、通常１〜３μｍといった比較的厚い膜がボールピー
ス厚としては必いのため、いわゆるリフトオフ法とイオ
ンビームスバラタリング法による膜形成が現在最も適し
た簡便な製法である。この方法によると、直流あるいは
高周波スバウタ法に比較し、よりガス圧が低い状ＩＩ！
でしかも基板温度としては低い状態で膜形成が行われる
ため、雰囲気ガスの膜中への混入の少ない良好な非晶質
合金薄膜が得られる。リフトオフ法は、第４図に示すよ
うに、レジスト１７′がバターニングされたところへ前
記非晶質合金からなる磁性層１１２ａ’ｉイオンビーム
スバ・ツタリングで形成し、その後、レジスト１７′上
の磁性薄膜１２ａ’ｉ、レジスｌ−１７’ｉ溶解すると
いう処理の際、同時に除去し、所望のパターンを得る方
法である。このあと、めつ′＠電極材となる導電性薄膜
１７が全面に形成され、通常のレジスト窓によるめっき
法で、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁性薄膜１２ｂ、１２Ｃ
が形成される。
導電性薄膜１７としては通常５００〜２０００人の厚み
であり、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜ないしはＮｉ膜あるいはＣｕ
膜といった磁性薄膜１２ｂ、１２ｃと晶なった材質であ
っても構わない。めっきが終了した時点でレジストが除
去され、不要部分の導電性薄膜１７が除去される。つい
で、ギヤ、ツブ層となる５ｉ０２あるいはＡｌ２ｏ３の
非磁性絶縁層１８．第１の層間絶縁層１９゜Ｃｕ等のコ
イ１ｖｌｉ１２０．第２の層間絶縁層２１が形成される
。
であり、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜ないしはＮｉ膜あるいはＣｕ
膜といった磁性薄膜１２ｂ、１２ｃと晶なった材質であ
っても構わない。めっきが終了した時点でレジストが除
去され、不要部分の導電性薄膜１７が除去される。つい
で、ギヤ、ツブ層となる５ｉ０２あるいはＡｌ２ｏ３の
非磁性絶縁層１８．第１の層間絶縁層１９゜Ｃｕ等のコ
イ１ｖｌｉ１２０．第２の層間絶縁層２１が形成される
。
」二側の磁性層１３の形成は、下側の磁性層１２の形成
と同じ方法で実施される。非晶質合金からなる磁性薄膜
１３ａは高段差部上に形成されるため、リフトオフ法の
際、比較的厚いレジストでバターニングする必要がある
。Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁性Ｎ膜１３ｂは、□同・１
様に導電性薄膜２２上に形成される。その後、５ｉ０２
桑るいけＡｌ２ｏ３といった保獲層２３で蔽われる。
と同じ方法で実施される。非晶質合金からなる磁性薄膜
１３ａは高段差部上に形成されるため、リフトオフ法の
際、比較的厚いレジストでバターニングする必要がある
。Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる磁性Ｎ膜１３ｂは、□同・１
様に導電性薄膜２２上に形成される。その後、５ｉ０２
桑るいけＡｌ２ｏ３といった保獲層２３で蔽われる。
この発明の実施例としては、第３図に示すような巻線型
薄膜磁気ヘッドだけに限定されるものではなく、例えば
、記録媒体から磁束を収束して磁気抵抗効果素子へ導く
ための磁性薄膜を有する磁気ヘッド金構成する際にも適
用されうる。また、垂直磁気記録ヘーｌドにおける主磁
極等の噌７り成についても媒体対向面より露出させる最
下層を非晶質合金薄膜で形成し、非露出の電磁変換素子
近傍は結晶質合金薄膜を積層してその厚みケ大きくする
と（八つこの発明の趣旨は適用される。
薄膜磁気ヘッドだけに限定されるものではなく、例えば
、記録媒体から磁束を収束して磁気抵抗効果素子へ導く
ための磁性薄膜を有する磁気ヘッド金構成する際にも適
用されうる。また、垂直磁気記録ヘーｌドにおける主磁
極等の噌７り成についても媒体対向面より露出させる最
下層を非晶質合金薄膜で形成し、非露出の電磁変換素子
近傍は結晶質合金薄膜を積層してその厚みケ大きくする
と（八つこの発明の趣旨は適用される。
このように４成した結果、つぎのような効果を得ること
ができる。
ができる。
■ 磁性薄膜のうち、外界に露出する部分に耐蝕性の良
好な非晶質合金薄膜を用いているため、へ・ラドとして
の信頼性が著しく向上する。
好な非晶質合金薄膜を用いているため、へ・ラドとして
の信頼性が著しく向上する。
■ 露出しない電磁変換素子近傍ｖｃ積層する磁性薄膜
層は磁気的飽和をおこさせないようにすると同時に書込
み効率を向上させろが、この磁性薄膜層としてＮｉ−Ｆ
ｅ系結晶質合金薄膜全めっき法で形成することが、低温
形成の利点、すなわち結晶化するなど比較的ｌ晶度履歴
に弱い非晶質合金薄膜の磁気特性を損わずに積層化が可
能といった効果金持たらす。
層は磁気的飽和をおこさせないようにすると同時に書込
み効率を向上させろが、この磁性薄膜層としてＮｉ−Ｆ
ｅ系結晶質合金薄膜全めっき法で形成することが、低温
形成の利点、すなわち結晶化するなど比較的ｌ晶度履歴
に弱い非晶質合金薄膜の磁気特性を損わずに積層化が可
能といった効果金持たらす。
その結果、信頼性が高く、しかも製法が簡便な薄膜磁気
ヘッドを実現できることになる。
ヘッドを実現できることになる。
発明の効果
この発明の薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面から露出する
部分を非晶質合金薄膜で形成しているため耐蝕性を良好
とすることができ、厚みを必要とする非露出の電磁変換
素子近傍は結晶質合金を上層ＶＣ積層するようにしてい
るため製色が容易となる。
部分を非晶質合金薄膜で形成しているため耐蝕性を良好
とすることができ、厚みを必要とする非露出の電磁変換
素子近傍は結晶質合金を上層ＶＣ積層するようにしてい
るため製色が容易となる。
第１図は従来の薄膜磁気へ・ラドの断面図、第２図はそ
の拡大図、第３図はこの発明の実施例の断面図、第４図
はりフトオフ法の説明図である・５・・・記録媒体、１
１・・・基板、１２・・・下側磁ｔ！！Ｅ層、ｉ２ａ・
・・磁性薄膜（非晶質合金）、１２ｂ、１２ｃ・・・磁
性薄膜（結晶質合金）、１３・・・上側磁性層、１３ａ
・・・磁性薄膜（非晶質合金）、１３ｂ・・・磁性薄膜
（結＜ｒ′、、 ２ ｒｙ：Ｉ ２γ３３図 第 ４ 図
の拡大図、第３図はこの発明の実施例の断面図、第４図
はりフトオフ法の説明図である・５・・・記録媒体、１
１・・・基板、１２・・・下側磁ｔ！！Ｅ層、ｉ２ａ・
・・磁性薄膜（非晶質合金）、１２ｂ、１２ｃ・・・磁
性薄膜（結晶質合金）、１３・・・上側磁性層、１３ａ
・・・磁性薄膜（非晶質合金）、１３ｂ・・・磁性薄膜
（結＜ｒ′、、 ２ ｒｙ：Ｉ ２γ３３図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板と、この基板上に形成した電磁変換素子と、
前記基板上に前記電磁変換素子の近傍が厚くなるととも
に記録媒体への対向面近傍が薄くなるように多層形成し
て前記電磁変換素子と前記記録媒体とを磁気結合する磁
性層であって前記記録媒体への対向面よＶ露出する最下
層を非晶質合金薄膜で形成するとともに非露出の前記電
磁変換素子の近傍のみ前記最下層に積層する上層を結晶
質合金薄膜で形成したｌａ磁性層全備えた薄膜磁気へ・
ラド・ （２） 前記非晶質合金薄膜がメタル−メタル系非晶
質合金よりなる特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜磁
気へ・ラド。 （３）前記メタル−メタル系非晶質合金がＣｏ −Ｆｅ
−Ｎｂ合金である特許請求の範囲第（２１項記載の薄膜
磁気ヘッド。 （４１前起結品質合金薄膜がめつき法で形成されている
特許請求の範囲第（１１項記載の薄膜磁気へ・ラド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10520183A JPS59231723A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10520183A JPS59231723A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231723A true JPS59231723A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14401048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10520183A Pending JPS59231723A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128012A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6353707A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| FR2716996A1 (fr) * | 1994-03-07 | 1995-09-08 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation. |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10520183A patent/JPS59231723A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128012A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6353707A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| FR2716996A1 (fr) * | 1994-03-07 | 1995-09-08 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation. |
| EP0671724A1 (fr) * | 1994-03-07 | 1995-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation |
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