JPS59231430A - ロ−ドセル等のパタ−ン形成部品 - Google Patents
ロ−ドセル等のパタ−ン形成部品Info
- Publication number
- JPS59231430A JPS59231430A JP58106434A JP10643483A JPS59231430A JP S59231430 A JPS59231430 A JP S59231430A JP 58106434 A JP58106434 A JP 58106434A JP 10643483 A JP10643483 A JP 10643483A JP S59231430 A JPS59231430 A JP S59231430A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- metal
- pattern
- resin
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、基体の表面に薄膜技術によって金員層による
パターンを形成したロードセル等のパターン形成部品に
関するものである。
パターンを形成したロードセル等のパターン形成部品に
関するものである。
技術的背景およびその問題点
従来、薄膜式のロードセルにおいて、ストレンゲージ抵
抗体や補償用抵抗体の膜厚がきわめて薄いために湿度や
温度の外界の影響が大きい。たとえば、高温の環境下に
おいては酸化し易く、湿度が高くなると樹脂による絶縁
層の膨潤等によシ抵抗変化が発生し、ブリッジバランス
がくずれたシ、出力電圧が変化したシするものである。
抗体や補償用抵抗体の膜厚がきわめて薄いために湿度や
温度の外界の影響が大きい。たとえば、高温の環境下に
おいては酸化し易く、湿度が高くなると樹脂による絶縁
層の膨潤等によシ抵抗変化が発生し、ブリッジバランス
がくずれたシ、出力電圧が変化したシするものである。
発明の目的
本発明は、耐湿性がきわめて高いロードセル等のパター
ン形成部品金得ることを目的とする。
ン形成部品金得ることを目的とする。
発明の概要
本発明は、基体の表面に形成された金属層の上に樹脂に
よる保護膜を形成し、この保護膜上に金属被膜層形成し
たので、外気の湿度が高くても金属被膜が存するために
樹脂による保護層に湿度が影響することがなく、これに
より、保護膜の膨潤が生じることがなく、その内部の金
属層によるパターンは確実に保護されるように構成した
ものである。
よる保護膜を形成し、この保護膜上に金属被膜層形成し
たので、外気の湿度が高くても金属被膜が存するために
樹脂による保護層に湿度が影響することがなく、これに
より、保護膜の膨潤が生じることがなく、その内部の金
属層によるパターンは確実に保護されるように構成した
ものである。
発明の実施例
まず、基体としての角柱状のビーム体（１）が設けられ
、このビーム体（１）はたとえばステンレス材や高力ア
ルミニウム材などの金属弾性体よシなるものであシ、た
がいに連通ずる二つの孔（２）によシ薄肉変形部（３）
が形成されている。そして、一端にはベース等の固定部
に結合される二個の取付孔（４）が形成され、他端には
荷重を受けるだめの受皿等が連結される受孔（５）が形
成されている。
、このビーム体（１）はたとえばステンレス材や高力ア
ルミニウム材などの金属弾性体よシなるものであシ、た
がいに連通ずる二つの孔（２）によシ薄肉変形部（３）
が形成されている。そして、一端にはベース等の固定部
に結合される二個の取付孔（４）が形成され、他端には
荷重を受けるだめの受皿等が連結される受孔（５）が形
成されている。
このようなビーム体（１）のパターン形成面（６）には
ポリイミド系樹脂等よｐなる渇い絶縁層（７）が形成さ
れている。この絶経層（７）の上にはＮｊＣｒＳｓ等の
電気抵抗の大きい第一の金属層（８）とＡＩ！等の電導
性のよい材料による第二の金属層（９）とが蒸着やスパ
ンクリング等により積層形成されている。このような金
属層（８） （９）はフォトエツチング等の選択エツチ
ングによ’） Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４と表示したスト
レンゲージ抵抗体叫、ｒ２、ｒ３と表示したブリッジバ
ランス補正抵抗α刀、ｒ ２ （Ｔｌ、ｒ ｓ （Ｔ）
と表示したブリッジバランス温度補正抵抗（６）、Ｒｓ
（Ｔ）と表示した出力電圧の温度補正抵抗αＪ、各部を
結線するリード部α重よ）なるパターンへ１を形成して
いる。また、このリード部α檜の端部には、Ｖｅ＋、
Ｖｅ−、Ｖｏ＋、 Ｖｏ−と表示した端子部αＧが形成
されている。
ポリイミド系樹脂等よｐなる渇い絶縁層（７）が形成さ
れている。この絶経層（７）の上にはＮｊＣｒＳｓ等の
電気抵抗の大きい第一の金属層（８）とＡＩ！等の電導
性のよい材料による第二の金属層（９）とが蒸着やスパ
ンクリング等により積層形成されている。このような金
属層（８） （９）はフォトエツチング等の選択エツチ
ングによ’） Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４と表示したスト
レンゲージ抵抗体叫、ｒ２、ｒ３と表示したブリッジバ
ランス補正抵抗α刀、ｒ ２ （Ｔｌ、ｒ ｓ （Ｔ）
と表示したブリッジバランス温度補正抵抗（６）、Ｒｓ
（Ｔ）と表示した出力電圧の温度補正抵抗αＪ、各部を
結線するリード部α重よ）なるパターンへ１を形成して
いる。また、このリード部α檜の端部には、Ｖｅ＋、
Ｖｅ−、Ｖｏ＋、 Ｖｏ−と表示した端子部αＧが形成
されている。
このようなビーム体（１）のパターン形成面（６）の表
面には、前記端子部αＧを除いて樹脂による保護膜α７
）が全面に形成されている。この保護膜αηはポリイミ
ド系樹脂よりなるもので、このポリイミド系樹脂は絶縁
性が優れておシ、吸水性があシ透水性が悪い。そのため
、湿度によって膨潤することからストレンゲージ抵抗体
α０）等に歪の影響を与えて抵抗変化をおこさせる欠点
ヲ壱する。その反面、透水性が悪いためにストレンケー
ジ抵抗体叫を酸化腐蝕させるような影響全防ぐことが可
能である。
面には、前記端子部αＧを除いて樹脂による保護膜α７
）が全面に形成されている。この保護膜αηはポリイミ
ド系樹脂よりなるもので、このポリイミド系樹脂は絶縁
性が優れておシ、吸水性があシ透水性が悪い。そのため
、湿度によって膨潤することからストレンゲージ抵抗体
α０）等に歪の影響を与えて抵抗変化をおこさせる欠点
ヲ壱する。その反面、透水性が悪いためにストレンケー
ジ抵抗体叫を酸化腐蝕させるような影響全防ぐことが可
能である。
ついで、前記保護膜α７）の表面に、蒸着やスパッタリ
ングによシ金属被膜θ印を形成する。この金属被膜α→
の材料は、Ａｕ、 ＮｉＣｒ、Ｔｉ等の耐蝕性の大きい
金属を用いる必要がある。
ングによシ金属被膜θ印を形成する。この金属被膜α→
の材料は、Ａｕ、 ＮｉＣｒ、Ｔｉ等の耐蝕性の大きい
金属を用いる必要がある。
このような構成において、受孔（５）に連結された受皿
等に荷重を印加すると、Ｒｌｓ Ｒ２のストレンゲージ
抵抗体αＯに引張応力が作用し、Ｒ３、Ｒ４のストレン
ゲージ抵抗体００に圧縮応力が作用する。これによシ、
荷重に対応した電気的出力が発生し、重量測定がなされ
る。
等に荷重を印加すると、Ｒｌｓ Ｒ２のストレンゲージ
抵抗体αＯに引張応力が作用し、Ｒ３、Ｒ４のストレン
ゲージ抵抗体００に圧縮応力が作用する。これによシ、
荷重に対応した電気的出力が発生し、重量測定がなされ
る。
しかして、ストレンゲージ抵抗体αＱ等は保護膜αηに
より覆われているので、前述のように酸化腐蝕に対して
は充分に保護されている。また、この保護層αηは金属
被膜（ｌυによシ覆われているので、保護膜α力に湿度
が作用することがなく、保護膜α７）が湿度によシ膨潤
することはない。そのため、保護膜（ロ）の膨潤に基づ
くストレンゲージ抵抗体αＱへの影響はない。
より覆われているので、前述のように酸化腐蝕に対して
は充分に保護されている。また、この保護層αηは金属
被膜（ｌυによシ覆われているので、保護膜α力に湿度
が作用することがなく、保護膜α７）が湿度によシ膨潤
することはない。そのため、保護膜（ロ）の膨潤に基づ
くストレンゲージ抵抗体αＱへの影響はない。
つぎに、最外層に形成されている金属被膜０杓はヤング
率の低い金属であることが望ましい。とくに、低容量タ
イプのロードセルに対してはクリーブ等の影響がないこ
とが要望される。そのためには、金属被膜α約の材料と
してＡｒの使用が望ましい。
率の低い金属であることが望ましい。とくに、低容量タ
イプのロードセルに対してはクリーブ等の影響がないこ
とが要望される。そのためには、金属被膜α約の材料と
してＡｒの使用が望ましい。
この場合には、Ａｆ層の酸化腐蝕を防止するために、Ｎ
４ＣγやＴｉ等の耐蝕性の高い金属によるもう一層の金
属被膜を保護層として形成する。この保護層としての金
属被膜は０゜０１μ程度のきわめて薄いものとする。
４ＣγやＴｉ等の耐蝕性の高い金属によるもう一層の金
属被膜を保護層として形成する。この保護層としての金
属被膜は０゜０１μ程度のきわめて薄いものとする。
発明の効果
本発明は、基体の表面に形成された絶縁層の上に一層ま
たは複数層の金属層によるパターンを形成したものにお
いて、このパターン上に樹脂による保護膜と金属被膜と
を順次積層形成したので、樹脂による保護層は絶縁性だ
けあればよく、金属被膜が保護層に対しては防湿性を示
し、これによシ、湿度による急影響を全くなくすことが
できるものである。
たは複数層の金属層によるパターンを形成したものにお
いて、このパターン上に樹脂による保護膜と金属被膜と
を順次積層形成したので、樹脂による保護層は絶縁性だ
けあればよく、金属被膜が保護層に対しては防湿性を示
し、これによシ、湿度による急影響を全くなくすことが
できるものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は斜視図
、第２図は回路図、第３図は各層を拡大して示した側面
図である。 １・・・ビーム体（基体）、７・・・絶縁層、８〜９・
・・金属層、１７・・・保護膜、１８・・・金属被脱出
願 人 東京電気株式会社 迩」 図 、１６図 １ 」 乙ｊｊｊｂ
、第２図は回路図、第３図は各層を拡大して示した側面
図である。 １・・・ビーム体（基体）、７・・・絶縁層、８〜９・
・・金属層、１７・・・保護膜、１８・・・金属被脱出
願 人 東京電気株式会社 迩」 図 、１６図 １ 」 乙ｊｊｊｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基体の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の上に
薄膜の金属層によるパターンを一層または複数層形成し
たものにおいて、前記パターン上に樹脂による保護膜を
形成し、この保護膜上に金属被膜を形成したことｆ：％
徴とするロードセル等のパターン形成部品。 ２、 金属被膜はＡｕ、 ＮｉＣｒ、 Ｔ＃等による耐
蝕金属としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のロードセル等のパターン形成部品。 ３、基体の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の上に薄
膜の金属層によるパターンを一層または複数層形成した
ものにおいて、前記パターン上に樹脂による保護膜を形
成し、この保護膜上にＡＪによる金属被膜を形成し、こ
の金属被膜上にＡｕ、ＮｉＣｒ、 Ｔｉ痔による耐蝕金
属による金属保護層全形成したことを特徴とするロード
セル等のパターン形成部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106434A JPS59231430A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ロ−ドセル等のパタ−ン形成部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106434A JPS59231430A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ロ−ドセル等のパタ−ン形成部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231430A true JPS59231430A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14433540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58106434A Pending JPS59231430A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ロ−ドセル等のパタ−ン形成部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231430A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227129A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Yamato Scale Co Ltd | ストレインゲ−ジ |
| JPH01283801A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-11-15 | Richard E Caddock | フィルム型円筒形抵抗器及び製造方法 |
| EP0667514A3 (de) * | 1994-02-15 | 1996-09-04 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmessstreifens. |
| EP0801150A3 (de) * | 1996-04-12 | 1999-03-10 | Grundfos A/S | Elektronisches Bauelement |
| US6085596A (en) * | 1996-04-12 | 2000-07-11 | Grundfos A/S | Pressure sensor having an insulating layer and fluid tight amorphous metal layer |
| JP2005214970A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Mettler Toledo Gmbh | 電気機械変換器のための防湿技術 |
| JP2008064569A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Kyowa Electron Instr Co Ltd | 機械特性試験装置およびそれに用いられる水素雰囲気用歪ゲージ |
| JP2009519444A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ザトーリウス アクチエン ゲゼルシャフト | ひずみゲージ要素を含む精密力変換器 |
| US8161811B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-04-24 | Honeywell International Inc. | Flow sensors having nanoscale coating for corrosion resistance |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58106434A patent/JPS59231430A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227129A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Yamato Scale Co Ltd | ストレインゲ−ジ |
| JPH01283801A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-11-15 | Richard E Caddock | フィルム型円筒形抵抗器及び製造方法 |
| EP0667514A3 (de) * | 1994-02-15 | 1996-09-04 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmessstreifens. |
| EP0801150A3 (de) * | 1996-04-12 | 1999-03-10 | Grundfos A/S | Elektronisches Bauelement |
| US6085596A (en) * | 1996-04-12 | 2000-07-11 | Grundfos A/S | Pressure sensor having an insulating layer and fluid tight amorphous metal layer |
| JP2005214970A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Mettler Toledo Gmbh | 電気機械変換器のための防湿技術 |
| JP2009519444A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ザトーリウス アクチエン ゲゼルシャフト | ひずみゲージ要素を含む精密力変換器 |
| JP2008064569A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Kyowa Electron Instr Co Ltd | 機械特性試験装置およびそれに用いられる水素雰囲気用歪ゲージ |
| US8161811B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-04-24 | Honeywell International Inc. | Flow sensors having nanoscale coating for corrosion resistance |
| US8424380B2 (en) | 2009-12-18 | 2013-04-23 | Honeywell International Inc. | Flow sensors having nanoscale coating for corrosion resistance |
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