JPS59226517A - Transistor circuit - Google Patents
Transistor circuitInfo
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- JPS59226517A JPS59226517A JP58101920A JP10192083A JPS59226517A JP S59226517 A JPS59226517 A JP S59226517A JP 58101920 A JP58101920 A JP 58101920A JP 10192083 A JP10192083 A JP 10192083A JP S59226517 A JPS59226517 A JP S59226517A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路(以降、ICとする)の出力バ
ッファ回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an output buffer circuit for a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC).
ICの出力バッファ回路には、消費車力の節減、チップ
面積の節減2よび外部回路とのマツチングのために、し
ばしばオン抵抗の大きなトランジスタが用いられる。こ
のようなICをテストする際、Icの出力波形の立上り
、立下り時間は、ICの出力バッファトランジスタのオ
ン抵抗とテスト装置に依存する容量の積(時定数)とK
よって決まる。その之め、出力バッファトランジスタの
オン抵抗が大きいと、出力波形がなまり、テストのスピ
ードを上げることができない。従って、テスト装置の占
有時間が増大し、ICそのもののコストを低減するため
の大きな障害になってぃlt。In the output buffer circuit of an IC, a transistor with a large on-resistance is often used in order to reduce power consumption, chip area, and match with external circuits. When testing such an IC, the rise and fall times of the output waveform of Ic are determined by the product (time constant) of the on-resistance of the output buffer transistor of the IC and the capacitance (time constant) that depends on the test equipment, and K.
Therefore it is decided. Therefore, if the on-resistance of the output buffer transistor is large, the output waveform will be distorted, making it impossible to increase the speed of testing. Therefore, the time occupied by the test equipment increases, which becomes a major obstacle to reducing the cost of the IC itself.
また一方、ICの静電破壊を防止するためには、出力バ
ッファのトランジスタのオン抵抗を小さくし、大きな保
護ダイオードとして機能させる必要がある。その之め、
上記のように大きなオン抵抗のトランジスタを必要とす
る出力バッファには、ゲート信号を常時オフになるよう
に設定したオン抵抗の小さいトランジスタを出力に接続
しなけれはならない。従って、常時オフのオン抵抗小の
トランジスタは、IC内の大きな面積を占めるにもかか
わらず、静電破壊防止の機能しか果たさないという欠点
があった。On the other hand, in order to prevent electrostatic discharge damage to the IC, it is necessary to reduce the on-resistance of the output buffer transistor so that it functions as a large protection diode. Because of that,
For an output buffer that requires a transistor with a large on-resistance as described above, a transistor with a small on-resistance that is set so that the gate signal is always off must be connected to the output. Therefore, a transistor with a low on-resistance that is always off has the disadvantage that it only serves the function of preventing electrostatic damage, although it occupies a large area within an IC.
本発明は上述の欠点に鑑みてなされたものであり、オン
抵抗の大きいトランジスタで構成されたICの出力72
77回路において、前記オン抵抗穴のトランジスタにオ
ン抵抗率のトランジスタ金並列に設け、通常時はオン抵
抗率のトランジスタをオフ状態にして静電破壊防止の機
能として使用し、テスト時はオン抵抗率のトランジスタ
のゲート信号とオン抵抗穴のトランジスタのゲート信号
とを共通にしてオン抵抗率の出力バッフ7)ランジスタ
として使用することにより、静電破壊に対する保護とテ
ストの高速化とを計ったことを特徴としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks.
In the 77 circuit, a transistor with an on-resistance is placed in parallel with the transistor in the on-resistance hole, and the transistor, which has an on-resistance in normal times, is turned off and used as a function to prevent electrostatic damage. By using the gate signal of the transistor in the on-resistance hole and the gate signal of the transistor in the on-resistance hole as an output buffer for the on-resistance 7), protection against electrostatic discharge damage and speeding up of testing are achieved. It is a feature.
以下、図面を参照して本発明を説明する。第1図は従来
から使用されている出力7277回路の一例である。図
で1はオン抵抗穴のNチャンネルトランジスタ、2はオ
ン抵抗穴のPチャンネルトランジスタ、3はオン抵抗率
のNチャンネルトランジスタ、4はオン抵抗率のPチャ
ンネルトランジスタであり、5L出力端子用パツドであ
る。信号INは、トランジスタ1および2のゲート信号
であり、ドレインは共通に信号OUTに接続されている
。トランジスタ1のソースは負電位−■に、トランジス
タ2のソースはアース電位にそれぞれトランジスタ4の
ゲートおよびソースはアース電位に、ドレインは信号(
JUTにそれぞれ接続されている。The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an example of a conventionally used output 7277 circuit. In the figure, 1 is an N-channel transistor with an on-resistance hole, 2 is a P-channel transistor with an on-resistance hole, 3 is an N-channel transistor with an on-resistance, and 4 is a P-channel transistor with an on-resistance. be. Signal IN is a gate signal for transistors 1 and 2, whose drains are commonly connected to signal OUT. The source of transistor 1 is at negative potential -■, the source of transistor 2 is at ground potential, the gate and source of transistor 4 are at ground potential, and the drain is at the signal (
Each is connected to the JUT.
上記出力バッファは、例えはハイレベルで構成となるキ
ー出力バッファとして用いられている。The output buffer is used, for example, as a key output buffer configured at a high level.
キーが複数個同時に押でれると上記バッファが複数個短
絡するが、Pチャンネルのオン抵抗よpNチャンネルの
オン抵抗が小嘔いので、キー人力バッファ(図示せず)
は不構成レベル(ロウレベル)を読み込む。従って、キ
ーの誤入力を防止できる。If multiple keys are pressed at the same time, multiple of the above buffers will be short-circuited, but since the on-resistance of the pN channel is smaller than the on-resistance of the P channel, a key manual buffer (not shown) is used.
reads the unconfigured level (low level). Therefore, incorrect key input can be prevented.
しかし、この回路ではトランジスタ3は常時オフでるり
、静電破壊防止の役割しか果たしていない。However, in this circuit, the transistor 3 is always off and only serves to prevent electrostatic damage.
そのため、トランジスタ20オン抵抗が大きいので、出
力波形がハイレベルに達するまでに時間がかかり、工C
内部が高速で動作可能であってもテス)f高速化できな
い。Therefore, since the on-resistance of the transistor 20 is large, it takes time for the output waveform to reach a high level, and the
Even if the internals can operate at high speed, the speed cannot be increased.
第2図は本発明の一実施例による出力バッファ回路であ
り、1から5までは第1図と同様である。FIG. 2 shows an output buffer circuit according to an embodiment of the present invention, and 1 to 5 are the same as in FIG. 1.
ただし、本図では、トランジスタ3のゲートは、後述す
るトランジスタ7および9のドレインに接続されている
。また、トランジスタ4のゲートは後述するトランジス
タ8j?よびlOのドレインに接続されている。TES
Tは通常(非テスト時)“θ″レベルテスト時“l″I
Iレベルる信号であシ、6は信号TF8T12人力とす
るインバータである。However, in this figure, the gate of transistor 3 is connected to the drains of transistors 7 and 9, which will be described later. Furthermore, the gate of the transistor 4 is a transistor 8j?, which will be described later. and the drains of IO. TES
T is normally (at non-test) “θ” level at test “l” I
There is an I level signal, and 6 is an inverter that uses the signal TF8T12 manually.
7は、ゲートをインバータ6の出力信号に、ソース金負
電位−■に接続されたNチャンネルトランジスタであり
、ドレインは前述したようにトランジスタ3のゲートに
接続されている。8は、ゲートを信号TESTに、ソー
スをアース電位に接続されたPチャンネルトランジスタ
であり、ドレインはトランジスタ4のゲートに接続され
ている。9は、ゲートを信号TE STに、ソースを信
号INに接続でれたNチャンネルトランジスタであり、
ドレインはトランジスタ3のゲートに接続されて9る。Reference numeral 7 denotes an N-channel transistor whose gate is connected to the output signal of the inverter 6 and whose source is connected to the negative potential -2, and whose drain is connected to the gate of the transistor 3 as described above. 8 is a P-channel transistor whose gate is connected to the signal TEST, whose source is connected to the ground potential, and whose drain is connected to the gate of the transistor 4. 9 is an N-channel transistor whose gate is connected to the signal TEST and whose source is connected to the signal IN;
The drain is connected to the gate of transistor 3.
10は、ゲートヲインノく一夕6の出力信号に、ソース
を信号INに接続されたPチャンネルトランジスタであ
り、ドレインはトランジスタ4のゲートに接続されてい
る。以下、本実施例の動作について説明する。Reference numeral 10 denotes a P-channel transistor whose gate is connected to the output signal of the transistor 6, whose source is connected to the signal IN, and whose drain is connected to the gate of the transistor 4. The operation of this embodiment will be explained below.
まず通常時(非テスト時)には、Nチャンネルトランジ
スタ7およびPチャンネルトランジスタ8がオンし、N
チャンネルトランジスタ9およびPチャンネルトランジ
スタlOがオフするので、オン抵抗率のNチャンネルト
ランジスタ3およびPチャンネルトランジスタ4はオフ
する。そのため、出力バッファはオン抵抗穴のNチャン
ネルトランジスタ1およびPチャンネルトランジスタ2
による通常動作を行う。First, under normal conditions (non-testing), N-channel transistor 7 and P-channel transistor 8 are turned on, and N-channel transistor 7 and P-channel transistor 8 are turned on.
Since channel transistor 9 and P-channel transistor 1O are turned off, N-channel transistor 3 and P-channel transistor 4, which have on-resistance, are turned off. Therefore, the output buffer is N-channel transistor 1 and P-channel transistor 2 in the on-resistance hole.
Performs normal operation.
次にテスト時には、Nチャンネルトランジスタ9および
Pチャンネルトランジスタ10がオンし、Nチャンネル
トランジスタ7およびPチャンネルトランジスタ8がオ
フする。そのため、出カバソファはオン抵抗穴のNチャ
ンネルトランジスタ1およびPチャンネルトランジスタ
2だけでなく、オン抵抗率のNチャンネルトランジスタ
3およびPチャンネルトランジスタ4も1@号INに応
じてオン、オフする。従って信号OUT の波形は急峻
にロウレベルおよびノ・イレペルに到達する。Next, during testing, N-channel transistor 9 and P-channel transistor 10 are turned on, and N-channel transistor 7 and P-channel transistor 8 are turned off. Therefore, the output sofa turns on and off not only the N-channel transistor 1 and the P-channel transistor 2 in the on-resistance hole, but also the N-channel transistor 3 and the P-channel transistor 4 in the on-resistance according to the 1@ IN. Therefore, the waveform of the signal OUT abruptly reaches a low level and a low level.
以上のように、本発明によれば、従来、静電破壊防止の
目的にのみ使用していたトランジスタ全テストの高速化
にも役立たせることができる。そのためICコストの一
因であるテスト設備の経費全節減することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to speed up the entire transistor test, which has heretofore been used only for the purpose of preventing electrostatic discharge damage. Therefore, the cost of test equipment, which is a factor in IC cost, can be completely reduced.
なお、実施例の第2図で新設となるインバータ6および
トランジスタ7.8,9.10は、大きなドライブ能力
を必要としないので、面積の小感いトランジスタで構成
でき、IC全体のチップ面積は微増で済まずことができ
る。また、実施例では出力バッファトランジスタとして
Nチャンネル両方とも、オン抵抗の大きなトランジスタ
が用いられる場合について述べたが、どちらか片方のみ
がオン抵抗穴のトランジスタで構成される場合にも本発
明を通用することができ、その場合にはオン抵抗率の並
列トランジスタは片方のみでよいことは言う′までもな
い。Note that the inverter 6 and transistors 7, 8, 9, and 10, which are newly installed in FIG. It is possible to get away with a slight increase. Further, in the embodiment, a case has been described in which transistors with large on-resistance are used for both N-channel output buffer transistors, but the present invention is also applicable when only one of them is composed of a transistor with an on-resistance hole. Needless to say, in that case, only one of the parallel transistors with on-resistance is required.
第1図は従来から使用されている出力バッ7ア回路図で
あり、1はオン抵抗穴のへチャンネルトランジスタ、2
はオン抵抗穴のPチャンネルトランジスタ、3はオン抵
抗率のへチャンネルトランジスタ、4はオン抵抗率のP
チャンネルトランジスタ、5は出力端子用パッドである
。
第2図は本発明の一実施例の出力バッファ回路図であり
、6はインバータ、7,9はNチャンネルトランジスタ
、8.10はPチャンネルトランジスタである。Figure 1 is a conventionally used output buffer circuit diagram, where 1 is a channel transistor in the on-resistance hole, and 2 is a circuit diagram of a conventional output buffer.
is a P-channel transistor with an on-resistance hole, 3 is a channel transistor with an on-resistance, and 4 is a P-channel transistor with an on-resistance.
Channel transistor 5 is an output terminal pad. FIG. 2 is an output buffer circuit diagram of an embodiment of the present invention, in which 6 is an inverter, 7 and 9 are N-channel transistors, and 8.10 is a P-channel transistor.
Claims (1)
路において、前記オン抵抗大のトランジスタにオン玉抗
小のトランジスタを並列に設け、通常時はオン抵抗小の
トランジスタをオフ状態にして使用し、テスト時はオン
抵抗小のトランジスタのゲート信号とオン抵抗大のトラ
ンジスタのゲート信号とを共通にして使用することを特
徴とするトランジスタ回路。In a transistor circuit having a transistor with a large on-resistance, a transistor with a small on-resistance is connected in parallel to the transistor with a large on-resistance, and the transistor with a small on-resistance is normally used in the off state, and during testing, the on-resistance is A transistor circuit characterized in that a gate signal of a small transistor and a gate signal of a transistor with a large on-resistance are used in common.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58101920A JPS59226517A (en) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Transistor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58101920A JPS59226517A (en) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Transistor circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59226517A true JPS59226517A (en) | 1984-12-19 |
Family
ID=14313341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58101920A Pending JPS59226517A (en) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Transistor circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59226517A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324719A (en) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Semiconductor device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141825A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fujitsu Ltd | Cmos output circuit |
JPS5859628A (en) * | 1981-09-03 | 1983-04-08 | Toshiba Corp | Mos-type logical circuit |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP58101920A patent/JPS59226517A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141825A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fujitsu Ltd | Cmos output circuit |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324719A (en) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Semiconductor device |
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