JPS59221009A - Variable frequency oscillating circuit - Google Patents
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 32
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- 102220052459 rs200562715 Human genes 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、リニアリティの良好な可変周波数発振回路
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application This invention relates to a variable frequency oscillation circuit with good linearity.
背景技術とその問題点
電圧あるいは電流により発振周波数を制御できるように
した可変周波数発振回路は、■COあるいはCCOと呼
ばれているが、この■COあるいはCCOはLC発振タ
イプとマルチバイブレークタイプとに大別できる。Background technology and its problems A variable frequency oscillation circuit whose oscillation frequency can be controlled by voltage or current is called ■CO or CCO, but this ■CO or CCO is divided into LC oscillation type and multi-vibration type. It can be broadly classified.
そして、一般に、LC発振タイプでは、共振回路に可変
容量ダイオードを使用し、これに制御電圧を供給して発
振周波数を可変し、マルチバイブレークタイプでは、コ
ンデンサの充放電電流を制御したり、スレッショールド
レベルを制御したりして発振周波数を可変している。In general, the LC oscillation type uses a variable capacitance diode in the resonant circuit and supplies a control voltage to it to vary the oscillation frequency, while the multi-vibration type uses a variable capacitance diode to control the charging and discharging current of the capacitor, and a threshold The oscillation frequency is varied by controlling the drive level.
しかし、LC発振タイプでは、可変容量ダイオードとし
て超階段接合のものを使用すると、IC化に適さず、一
般のPN接合のものを使用すると、可変容量範囲が小さ
いので、可変周波数範囲が狭くなってしまう。However, in the LC oscillation type, if a super-step junction variable capacitance diode is used, it is not suitable for IC implementation, and if a general PN junction variable capacitance diode is used, the variable capacitance range is small, so the variable frequency range is narrow. Put it away.
また、マルチパイブレークタイプでは、発振の安定度が
悪く、C/Nも悪い■COあるいはCCOをしか実現で
きず、LC発振タイプと同等以上の性能はとζも望むこ
とができない。In addition, the multi-pie break type can only realize CO or CCO, which has poor oscillation stability and poor C/N, and cannot hope for performance equal to or better than the LC oscillation type.
そこで、これらの問題点を一掃したCCOとして第1図
に示すようなものが考えられている。Therefore, a CCO shown in FIG. 1 is being considered as a CCO that eliminates these problems.
すなわち、第1図において、トランジスタQ1のコレク
タが電源端子T1に接続され、そのエミッタと接地との
間に定電流源Q2が接続され、そのコレクタとベースと
の間に抵抗器R1及び固体振動子X1が並列接続される
と共に、そのベースとエミッタとの間にコンデンサC1
が接続され、このエミッタに出力端子T2が接続される
。That is, in FIG. 1, the collector of a transistor Q1 is connected to a power supply terminal T1, a constant current source Q2 is connected between its emitter and ground, and a resistor R1 and a solid-state resonator are connected between its collector and base. X1 is connected in parallel, and a capacitor C1 is connected between its base and emitter.
is connected, and the output terminal T2 is connected to this emitter.
また、トランジスタQ3.Q4のエミッタが互いに接続
されると共に、このエミッタと接地との間に可変定電流
源Q5が接続されて差動アンプ(1)が構成される。さ
らに、トランジスタQ4.Q?のエミッタが端子T1に
接続され、それらのベースが互いに接続されると共に、
トランジスタQ6のコレクタに接続されてトランジスタ
Q6を入力端とし、かつ、端子T1を基準電位点とする
カレントミラー回路(2)が構成される。そして、トラ
ンジスタQ3.Q4のコレクタがトランジスタQe。Also, transistor Q3. The emitters of Q4 are connected to each other, and a variable constant current source Q5 is connected between the emitters and ground, thereby forming a differential amplifier (1). Furthermore, transistor Q4. Q? have their emitters connected to terminal T1, their bases connected to each other, and
A current mirror circuit (2) is configured which is connected to the collector of the transistor Q6, has the transistor Q6 as an input terminal, and has the terminal T1 as a reference potential point. And transistor Q3. The collector of Q4 is a transistor Qe.
Q7のコレクタにそれぞれ接続されて反転アンプ(3)
が構成される。Inverting amplifier (3) each connected to the collector of Q7
is configured.
さらに、トランジスタQ4のコレクタとベースとの間に
帰還用のコンデンサC2が接続され、トランジスタQ4
のベースが抵抗器R2を通してバイアス電源V1に接続
されると共に、トランジスタQ3のベースも電源■1に
接続される。また、トランジスタQ4のコレクタがトラ
ンジスタQ1のエミッタに接続される。Furthermore, a feedback capacitor C2 is connected between the collector and base of the transistor Q4, and the transistor Q4
The base of the transistor Q3 is connected to the bias power supply V1 through the resistor R2, and the base of the transistor Q3 is also connected to the power supply V1. Further, the collector of transistor Q4 is connected to the emitter of transistor Q1.
このような構成によれば、回路(11,(2)は、トラ
ンジスタQ4のベースを反転入力端、トランジスタQ4
.Q7のコレクタを出力端とする反転アンプ(3)とし
て働くので、この第1図の回路の交流等価回路は、第2
図に示すようになる。すなわち、アンプ(3)にはコン
デンサC2により負帰還がかかり、アンプ(3)の入力
端は抵抗器R2によりシャントされると共に、アンプ(
3)の出力端がトランジスタQ1のエミッタに接続され
るごとになる。According to such a configuration, the circuit (11, (2) connects the base of the transistor Q4 to the inverting input terminal, and connects the base of the transistor Q4 to the inverting input terminal.
.. Since it works as an inverting amplifier (3) with the collector of Q7 as the output terminal, the AC equivalent circuit of the circuit in Figure 1 is
The result will be as shown in the figure. That is, negative feedback is applied to the amplifier (3) by the capacitor C2, the input terminal of the amplifier (3) is shunted by the resistor R2, and the amplifier (3) is shunted by the resistor R2.
3) is connected to the emitter of transistor Q1.
従って、このときのアンプ(3)の出力アドミッタンス
Yは、
・・・ (1)
ω : 角周波数
I5 : 電流源Q5の定電流
となり、これは抵抗と容量との直列回路と等価であり、
その容量のQは、
Q−1/ωC2R2
で示される。Therefore, the output admittance Y of the amplifier (3) at this time is: (1) ω: Angular frequency I5: Constant current of current source Q5, which is equivalent to a series circuit of a resistor and a capacitor.
The Q of the capacitance is expressed as Q-1/ωC2R2.
従って、
Q>>1
とすれば、アドミッタンスYは容量のみとみなすことが
でき、その等価容量Cつは、
となる。すなわち、トランジスタQ1のエミッタからア
ンプ(3)側を見たとき、これは容量Cxとみなすこと
ができる。Therefore, if Q>>1, the admittance Y can be regarded as only a capacitance, and its equivalent capacitance C is as follows. That is, when looking at the amplifier (3) side from the emitter of the transistor Q1, this can be regarded as the capacitance Cx.
従って、第2図の回路は、等測的にさらに第3図のよう
に示すことができる。そして、この第3図の回路はコル
ピッツ発振回路であり、これは振動子X1のインダクタ
ンス及び容gl C1,Cxの直列共振周波数で発振す
る。Therefore, the circuit of FIG. 2 can be further illustrated isometrically as shown in FIG. The circuit shown in FIG. 3 is a Colpitts oscillation circuit, which oscillates at the series resonance frequency of the inductance and capacitance gl C1, Cx of the vibrator X1.
そして、このとき、等価容量Cxは(ii)式で示され
、これは電流15の大きさで変化する。従って、第1図
の回路は、コルピッツ発振回路であり、その発振周波数
は可変定電流源Q5の定電流ISにより可変できる。At this time, the equivalent capacitance Cx is expressed by equation (ii), which changes depending on the magnitude of the current 15. Therefore, the circuit shown in FIG. 1 is a Colpitts oscillation circuit, and its oscillation frequency can be varied by the constant current IS of the variable constant current source Q5.
こうして、CCOを実現できるが、この場合、特に第1
図のCCOによれば、超階段接合の可変容量ダイオード
のような素子を必要としないので、IC化が容易である
。また、等価容量Cxが(ii)式で示され、電流I5
によって容量Cχを広い範囲にわたって変化させること
ができるので、可変周波数を広くできる。In this way, CCO can be realized, but in this case, especially the first
According to the CCO shown in the figure, an element such as a hyperstep junction variable capacitance diode is not required, so it can be easily integrated into an IC. In addition, the equivalent capacitance Cx is expressed by equation (ii), and the current I5
Since the capacitance Cχ can be varied over a wide range, the variable frequency can be widened.
さらに、このCCOは基本的にはLC発振なので、安定
度が高く、C/Nも良好である。そして、部品点数も少
ない。Furthermore, since this CCO is basically LC oscillation, it has high stability and a good C/N. Also, the number of parts is small.
また、トランジスタQ1のエミッタと、トランジスタQ
4..Q7のコレクタとの間には、直流電流は流れず、
これらの点の電位はトランジスタQ+によって決まるの
で、電源電圧Vccを低くすることができる。さらに、
アンプ(3)の出力端をトランジスタQ1に接続してい
るので、入力端を接続する場合に比べ、トランジスタQ
1のエミッタにおける発振信号レベルを大きくすること
ができる。Also, the emitter of transistor Q1 and the transistor Q
4. .. No direct current flows between the collector of Q7 and
Since the potentials at these points are determined by transistor Q+, power supply voltage Vcc can be lowered. moreover,
Since the output terminal of amplifier (3) is connected to transistor Q1, compared to the case where the input terminal is connected, transistor Q
The oscillation signal level at one emitter can be increased.
このように第1図のCCOには多くの長所がある。しか
し、このCCOoにおいては、等価容量Cxが制御電流
I5に対して(ii )式で示され、容量Cxが電流I
5に対してリニアに変化するので、電流I5に対する発
振周波数fは第4図に実線で示すようにノンリニアに変
化することになる。このため、発振周波数fのiaiい
範囲(第4図の上側)では発振周波数fに対する制御感
度が高く、発振周波数fの低い範囲(第4図の下側)で
は制御感度が低いので、使いにくい欠点がある。また、
このCCOをPLLに使用すると、発振周波数fにより
ループゲインが大幅に変化することになるので、希望す
る特性のPLLを得ることができない欠点がある。As described above, the CCO of FIG. 1 has many advantages. However, in this CCOo, the equivalent capacitance Cx is expressed by equation (ii) for the control current I5, and the capacitance Cx is
5, the oscillation frequency f with respect to the current I5 changes non-linearly as shown by the solid line in FIG. For this reason, the control sensitivity to the oscillation frequency f is high in the narrow range of the oscillation frequency f (upper side of Figure 4), and the control sensitivity is low in the low range of the oscillation frequency f (lower side of Figure 4), making it difficult to use. There are drawbacks. Also,
If this CCO is used in a PLL, the loop gain will change significantly depending on the oscillation frequency f, so there is a drawback that a PLL with desired characteristics cannot be obtained.
発明の目的
この発明は、このような問題点を一掃しようとするもの
である。OBJECT OF THE INVENTION The present invention attempts to eliminate these problems.
発明の概要
このため、この発明においては、トランジスタの指数関
数特性を利用して制御電流I5を補正して制御信号対発
振周波数特性をリニアにするものである。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, in the present invention, the control current I5 is corrected using the exponential characteristic of the transistor to make the control signal versus oscillation frequency characteristic linear.
実施例
すなわち、第5図において、定電流源Q5としてトラン
ジスタQ6のコレクタ・エミッタ間が接続される。In the embodiment, that is, in FIG. 5, the collector and emitter of a transistor Q6 are connected as a constant current source Q5.
また、トランジスタQ11. Qj2のエミッタが互い
に接続されると共に、このエミッタと接地との間に定電
流源Q13が接続され、トランジスタQ、1゜Qj2の
ベースが制御端子Ttt、 T12に接続されて差動ア
ンプ(11)が構成される。さらに、トランジスタQ1
4. Qj6により端子T1を基準電位点とし、かつ、
トランジスタQ14を入力側とするカレントミラー回路
(12)が構成されると共に、トランジスタQ 14
、 Q 15のコレクタがトランジスタQ11゜Qj
、2のコレクタにそれぞれ接続されて非反転アンプ(1
3)が構成される。Also, transistor Q11. The emitters of Qj2 are connected to each other, and a constant current source Q13 is connected between the emitters and ground, and the bases of transistors Q and Qj2 are connected to control terminals Ttt and T12, and a differential amplifier (11) is connected. is configured. Furthermore, transistor Q1
4. Qj6 makes terminal T1 a reference potential point, and
A current mirror circuit (12) with the transistor Q14 as the input side is configured, and the transistor Q14
, the collector of Q15 is the transistor Q11゜Qj
, 2 are connected to the collectors of the non-inverting amplifiers (1
3) is constructed.
そして、トランジスタQ12. CLtsのコレクタ
がトランジスタQ16のベースに接続され、このトラン
ジスタQ16のエミッタが端子T1に接続されると共に
、端子T1とトランジスタQtsのベースとノ間に、ダ
イオード接続されたトランジスタQ1rと抵抗器R11
とが直列接続され、このトランジスタQ、17と抵抗器
R11との接続中点と、接地との間に定電流源Qieが
接続される。And transistor Q12. The collector of CLts is connected to the base of transistor Q16, the emitter of transistor Q16 is connected to terminal T1, and a diode-connected transistor Q1r and resistor R11 are connected between terminal T1 and the base of transistor Qts.
are connected in series, and a constant current source Qie is connected between the midpoint between the transistors Q, 17 and the resistor R11 and the ground.
さらに、トランジスタQ1Gのコレクタがトランジスタ
Q19のコレクタに接続されると共に、このトランジス
タQzsとトランジスタQ6とによりトランジスタQt
sを入力側とし、かつ、接地を基準電位点としてカレン
トミラー回路(14)が構成される。Further, the collector of transistor Q1G is connected to the collector of transistor Q19, and transistor Qt is connected to transistor Qzs and transistor Q6.
A current mirror circuit (14) is configured with s as an input side and ground as a reference potential point.
なお、端子T11とT12との間には制御電圧Eが供給
される。Note that a control voltage E is supplied between the terminals T11 and T12.
このような構成において、アンプ(13)から抵抗器R
11に向かって流れる電流を113とずれば、端子T
111 T 12に供給される制御電圧Eが、端子Tx
1が正となる極性のときには、I 13 > 0となり
、端子T12が正となる極性のときには11a<0とな
ると共に、この電流I 1gは制御電圧Eに対応し、E
=0ならば11a=0である。In such a configuration, from the amplifier (13) to the resistor R
If the current flowing towards 11 is shifted from 113, the terminal T
The control voltage E supplied to the terminal Tx
When the polarity of 1 is positive, I 13 > 0, and when the polarity of the terminal T12 is positive, 11a < 0, and this current I 1g corresponds to the control voltage E, and E
If =0, then 11a=0.
そして、iaiのためトランジスタ01G、 Qj4
のベース電流を無視すれば、
Vsi+it I t3Rxt=VBix6V[]ε
xG、 Veizv : トランジスタQIB、 Q
j7のベース・エミッタ間
電圧
であるからトランジスタQ16のコレクタ電流11Gば
、
Ix6=Is (exp((Vag17113R11
)))T
IS:トランジスタ016の飽和本流
となる。And for iai transistor 01G, Qj4
If we ignore the base current of Vsi+it I t3Rxt=VBix6V[]ε
xG, Veizv: Transistor QIB, Q
Since it is the base-emitter voltage of j7, if the collector current of transistor Q16 is 11G, Ix6=Is (exp((Vag17113R11
))) T IS: Becomes the saturated main current of transistor 016.
また、トランジスタQIGのコレクタ電流Itsはトラ
ンジスタQ1.sのコレクタ電流に等しく、トランジス
タQ1s、QBはカレントミラー回路(14)を構成し
ているので、
5−Ic6
’:; I s (exp ((VBi+tt I
13R11) ) jT
・・・・・・(iii )
である。Also, the collector current Its of transistor QIG is the same as that of transistor Q1. Since the transistors Q1s and QB constitute a current mirror circuit (14), 5-Ic6':; I s (exp ((VBi+tt I
13R11)) jT...(iii).
従って、113=0 (E−0)のときのコレクタ電
流I5を15(0)とすれば、
15 (o)= I s (exp (VB617)
)T
・・・・・・(iv )
であるから(iii)、 (iv)式からに’1
= esp (I x3Ru)
T
となる。すなわち、電流I5は、電流113に対して基
準の電流16 (0)から指数関数的に変化する。Therefore, if the collector current I5 when 113 = 0 (E-0) is 15 (0), then 15 (o) = I s (exp (VB617)
)T...(iv) Therefore, from equation (iii) and (iv), '1 = esp (I x3Ru) T. That is, the current I5 changes exponentially with respect to the current 113 from the reference current 16 (0).
従って、発振周波数fは、電流113に対して第4図に
破線で示すようにほぼリニアに変化する。Therefore, the oscillation frequency f changes almost linearly with respect to the current 113, as shown by the broken line in FIG.
なお、I工3=0 (E=0)のときには、1−ランジ
スタQ1sのコレクタ電流Iz6は、トランジスタQ1
7のコレクタ電流に等しく、これは定電流源Q+8の定
電流118に等しいので、15=Izeであり、発振周
波数fは基準の周波数foである。Note that when I3=0 (E=0), the collector current Iz6 of the 1-transistor Q1s is the same as the transistor Q1.
This is equal to the constant current 118 of the constant current source Q+8, so 15=Ize, and the oscillation frequency f is the reference frequency fo.
こうして、この発明によれば、制御電圧Eあるいは制御
電流Ii3に対して発振周波数fをリニアに変化させる
ことができる。しかも、このリニアリティの補止をトラ
ンジスタの階数関数特性を利用して行っているので、制
御信号対発振周波数特性のばらつきや変動が少ない。Thus, according to the present invention, the oscillation frequency f can be varied linearly with respect to the control voltage E or the control current Ii3. Furthermore, since this linearity correction is performed using the rank function characteristics of the transistor, there is little variation or fluctuation in the control signal versus oscillation frequency characteristics.
従って、発振周波数fにかかわらず一定の制御感度を得
ることができる。また、PLLにあってはループゲイン
が一定となり、容易に希望する特性を得ることができる
。Therefore, constant control sensitivity can be obtained regardless of the oscillation frequency f. Further, in PLL, the loop gain is constant, and desired characteristics can be easily obtained.
第6図に示す例においては、トランジスタQ1をエミッ
タ接地とすると共に、カレントミラー回路
なお、上述において、必要に応じて容量Cxに並列また
は直列となるようにコンテンツを付加してもよい。In the example shown in FIG. 6, the emitter of the transistor Q1 is grounded, and in the current mirror circuit, content may be added in parallel or in series with the capacitor Cx as necessary.
発明の効果
制御信号に対して発振周波数をリニアに変化させること
ができる。しかも、IC化に好適であり、安定度やC/
Nも良好であると共に、可変周波数範囲も広い。また、
低電圧で動作することもでき、部品点数も少ない。Effects of the Invention The oscillation frequency can be changed linearly with respect to the control signal. Moreover, it is suitable for IC implementation, and has excellent stability and C/C/
N is also good, and the variable frequency range is wide. Also,
It can also operate at low voltages and has a small number of components.
第1図〜第4図1はこの発明を説明するための図、第5
図及び第6図はこの発明の一例の接続図である。
(3)は反転アンプである。
手続補正書
昭和58年11月22日
1、事件の表示
昭和58年特許願第 95354 号
2、 a ’J’l (’) 名4rF 可変周波数
発振回路3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社
代表取締役 大 賀 典 雄
6、補正により増加する発明の数
(1) 明細書中、第5頁4行の(i)式を次のよう
に訂正する。
・・・ (i)」
(2) 同、第6頁1行の(ii )式を次のように
訂正する。
(3)同、第12頁2行の式を次のように訂正する。
(4) 図面中、第6図を別紙のように訂正する。
以上Figures 1 to 4 Figure 1 is a diagram for explaining this invention, Figure 5
6 and 6 are connection diagrams of an example of the present invention. (3) is an inverting amplifier. Procedural amendment November 22, 1981 1, Indication of the case Patent Application No. 95354 of 1988 2, a 'J'l (') Name 4rF variable frequency oscillation circuit 3, Person making the amendment Relationship to the case Patent Applicant Address: 6-7-35, Kitashina-yo, Tokyo Parts-Yo-ku Name (21
8) Norio Ohga, Representative Director of Sony Corporation 6. Number of inventions to be increased by amendment (1) Formula (i) on page 5, line 4 of the specification is corrected as follows. ... (i)'' (2) Correct the formula (ii) on page 6, line 1 as follows. (3) Correct the formula on page 12, line 2, as follows. (4) In the drawings, Figure 6 will be corrected as shown in the attached sheet. that's all
Claims (1)
アンプが構成され、この反転アンプの出力端と反転入力
端との間に帰還用のコンデンサが接続され、上記反転入
力端が抵抗器によりシャントされ、上記出力端が発振回
路の共振回路にその共振容量として接続され、第1及び
第2のトランジスタのエミッタが基vJf!、電位点に
接続され、上記第1及び第2のトランジスタのベース間
に別の抵抗器が接続され、上記第1のトランジスタのベ
ース及びコレクタが互いに接続されると共に、定電流源
−に接続され、上記第2のトランジスタのコレクタ電流
が上記差動アンプにその定電流源の定電流として供給さ
れ、上記第2のトランジスタのベースと上記別の抵抗器
との接続点に制御電流が供給されて発振周波数がriJ
変されるようにした可変周波数発振回路。A differential amplifier and a current mirror circuit are connected to form an inverting amplifier, a feedback capacitor is connected between the output end of the inverting amplifier and the inverting input end, and the inverting input end is shunted by a resistor. The output end is connected to the resonant circuit of the oscillation circuit as its resonant capacitor, and the emitters of the first and second transistors are connected to the base vJf! , another resistor is connected between the bases of the first and second transistors, and the base and collector of the first transistor are connected to each other and to a constant current source. , a collector current of the second transistor is supplied to the differential amplifier as a constant current of its constant current source, and a control current is supplied to a connection point between the base of the second transistor and the another resistor. The oscillation frequency is riJ
Variable frequency oscillator circuit.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58095354A JPS59221009A (en) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | Variable frequency oscillating circuit |
CA000453114A CA1215437A (en) | 1983-05-25 | 1984-04-30 | Variable frequency oscillating circuit |
US06/606,605 US4581593A (en) | 1983-05-25 | 1984-05-03 | Variable frequency oscillating circuit |
NL8401633A NL192166C (en) | 1983-05-25 | 1984-05-22 | Circuit for generating an alternating current signal with an adjustable frequency. |
FR848408162A FR2546686B1 (en) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | VARIABLE FREQUENCY OSCILLATING CIRCUIT IN THE FORM OF AN INTEGRATED CIRCUIT |
GB08413273A GB2141299B (en) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | Variable frequency oscillator |
DE3419654A DE3419654C2 (en) | 1983-05-25 | 1984-05-25 | Circuit arrangement for generating an AC signal with a controllable frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58095354A JPS59221009A (en) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | Variable frequency oscillating circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59221009A true JPS59221009A (en) | 1984-12-12 |
JPH0531844B2 JPH0531844B2 (en) | 1993-05-13 |
Family
ID=14135318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58095354A Granted JPS59221009A (en) | 1983-05-25 | 1983-05-30 | Variable frequency oscillating circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59221009A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04117004A (en) * | 1990-08-31 | 1992-04-17 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Voltage controlled oscillator |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP58095354A patent/JPS59221009A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04117004A (en) * | 1990-08-31 | 1992-04-17 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Voltage controlled oscillator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0531844B2 (en) | 1993-05-13 |
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