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JPS59219032A - voltage generation circuit - Google Patents

voltage generation circuit

Info

Publication number
JPS59219032A
JPS59219032A JP9225883A JP9225883A JPS59219032A JP S59219032 A JPS59219032 A JP S59219032A JP 9225883 A JP9225883 A JP 9225883A JP 9225883 A JP9225883 A JP 9225883A JP S59219032 A JPS59219032 A JP S59219032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
current
signal
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9225883A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0552691B2 (en
Inventor
Osamu Matsubara
松原 修
Nobuo Kunimi
国見 伸雄
Hiroshi Takatori
鷹取 洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9225883A priority Critical patent/JPS59219032A/en
Publication of JPS59219032A publication Critical patent/JPS59219032A/en
Publication of JPH0552691B2 publication Critical patent/JPH0552691B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • H04B3/04Control of transmission; Equalising
    • H04B3/06Control of transmission; Equalising by the transmitted signal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電圧発生回路に適用して有効な技術に関す
るもので1例えば、ディジタル電話機用線路等化器にお
ける判定帰還型自動等化器の制御電圧発生回路、言い換
えれば、エコー成分を相殺させる電圧源に有効な技術に
関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a technique that is effective when applied to voltage generation circuits. The present invention relates to circuits, or in other words, techniques effective for voltage sources that cancel out echo components.

〔背景技術〕[Background technology]

ディジタル電話機においては、音声信号がパルス信号に
変換されて伝送される。この場合、伝送された信号には
、音声信号の変換によって得られたメインパルスの他に
エコー成分が含まれることになる。このエコー成分を除
去Tるために等化器が用いられる。等化器は、エコー成
分に対応した信号を形成して上記伝送されたパルス信号
からそれを減算することによって、パルス信号からエコ
ー成分を減らした等化信号を形成するものである。
In digital telephones, voice signals are converted into pulse signals and transmitted. In this case, the transmitted signal will contain echo components in addition to the main pulse obtained by converting the audio signal. An equalizer is used to remove this echo component. The equalizer forms a signal corresponding to the echo component and subtracts it from the transmitted pulse signal, thereby forming an equalized signal with the echo component reduced from the pulse signal.

このような等化器においては、上記エコー成分に対応し
た信号を形成するために電圧発生回路が必要になる。
Such an equalizer requires a voltage generation circuit to form a signal corresponding to the echo component.

精度の高い等化を行うために、言い換えるならば、伝送
されたパルス信号から極力エコー成分を減らすためには
、多次にわたるエコー成分に対応した信号を等化器は形
成する必要が有るうしたがって1等化器は、電源電圧依
存性等を持たない。
In order to perform highly accurate equalization, in other words, to reduce echo components from the transmitted pulse signal as much as possible, it is necessary for the equalizer to form signals corresponding to echo components of multiple orders. The equalizer has no power supply voltage dependence.

高精度に制御された微少電圧を形成する電圧発生回路を
必要とするものである。
This requires a voltage generation circuit that generates a highly precisely controlled minute voltage.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、高精度に制御された微少電圧を形成
することができる電圧発生回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a voltage generation circuit that can generate a highly precisely controlled minute voltage.

この発明の他の目的は、メインパルスに対して高精度の
等化を行うことのできるエコー成分に相当てる電圧信号
を形成することのできる電圧発生−回路を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide a voltage generation circuit capable of forming a voltage signal corresponding to an echo component capable of highly accurate equalization of the main pulse.

この発明の前記ならびにその池の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The objects and novel features of this invention and its ponds are as follows:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、基準電流の変化成分に反比例したパルス幅を
持つ信号を形成し、このパルス幅の間だけ上記基準電流
に基づいて形成された電流によってキャパシタを充電す
ることにより、上記基準電流の変動に影響されない電圧
を上記キャパシタに保持された電圧にもとづいて形成す
るものである。
That is, by forming a signal with a pulse width inversely proportional to the changing component of the reference current and charging the capacitor with the current formed based on the reference current only during this pulse width, the fluctuation of the reference current is influenced. The voltage that is not applied is generated based on the voltage held in the capacitor.

〔実施例1〕 第1図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。同図に示されている各回路は、特に制限されないが
、MO8F、ET(絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
)によって構成されており。
[Embodiment 1] FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Although not particularly limited, each circuit shown in the figure is constituted by MO8F, ET (insulated gate field effect transistor).

公知の半導体集積回路技術によって、1個のシリコンの
ような半導体基板上に形成されている。
It is formed on a single semiconductor substrate such as silicon by known semiconductor integrated circuit technology.

同図において、Ql等のような回路記号で示したMOS
FETはpチャンネルM OS F E Tであり、Q
4等のような回路記号で示したMOS F ETはnチ
ャンネルMO8FETであるっしたがって、この実施例
の回路は、CMO8(相補型MO8)回路によって構成
されている。
In the same figure, MOS shown with circuit symbols such as Ql etc.
The FET is a p-channel MOSFET, and the Q
The MOS FETs indicated by circuit symbols such as 4 are n-channel MO8FETs, so the circuit of this embodiment is constituted by a CMO8 (complementary MO8) circuit.

所定の基準電圧Vrefがゲートに印加されたnチャン
ネルMO8FETQ4は、基準電流I。を形成する。こ
の電流I。はゲート、ドレインが共通化されたpチャン
ネルMO8FETQIに供給される。上記pチャンネル
MO8FETQIと電流ミラー形態に構成されたpチャ
ンネルMO3FETQ2 、Q3を設けることによって
、これらのMO8FETQ2 、Q3のトンインから上
記基準電流I0に従った電流工。・と電流α工。とがそ
れぞれ形成される。
The n-channel MO8FETQ4, which has a predetermined reference voltage Vref applied to its gate, has a reference current I. form. This current I. is supplied to a p-channel MO8FETQI whose gate and drain are shared. By providing p-channel MO3FETs Q2 and Q3 configured in a current mirror configuration with the p-channel MO8FET QI, a current flow according to the reference current I0 from the input of these MO8FETs Q2 and Q3.・And current α engineering. are formed respectively.

上記′電流α工。は、上記基準戒流工、。の変動分に反
比例したパルス幅信号を形成するために用いられる。丁
なわち、上記MO8FETQ3のソースと電源電圧VD
Dとの間には、pチャンネルMO8FETで構成された
スイッチMO8FETQIIが設けられる。このMO8
FETQ11のゲートにはクロック信号CLKが印加さ
れる。このクロック信号CLKがロウレベルにされてい
るときMO8FETQI 1はオン状態にされ、MO8
FETQ3に電源電圧VDDが供給される。これにより
MO8FETQ3のドレインから上記電流α工。
Above 'current α'. The above-mentioned standard Kairyu Techniques. It is used to form a pulse width signal that is inversely proportional to the variation of . That is, the source and power supply voltage VD of the above MO8FETQ3
A switch MO8FETQII composed of a p-channel MO8FET is provided between the MO8FET and D. This MO8
A clock signal CLK is applied to the gate of FETQ11. When this clock signal CLK is at low level, MO8FETQI1 is turned on, and MO8FETQI1 is turned on.
Power supply voltage VDD is supplied to FETQ3. This causes the above current α to flow from the drain of MO8FETQ3.

が出力される。この電流αIoは、キャパシタC1の充
電電流として利用される。また、上記キャパシタC1と
回路の接地電位との間には、上記クロッ215号CLK
を受けるnチャンネルMO8FETQI 2が設けられ
る。MO8FETQI 2は。
is output. This current αIo is used as a charging current for the capacitor C1. Further, between the capacitor C1 and the ground potential of the circuit, the clock No. 215 CLK is connected.
An n-channel MO8FET QI 2 is provided to receive the signal. MO8FETQI 2 is.

クロック信号CLKがハイレベルにされているときオン
状態にされる。これによりキャパシタC1に充電された
電荷がMO8FETQI 2を介して放電される。上記
キャパシタC1の保持電圧Vlは、電圧比較回路VCの
非反転入力端子(+)に印加される。この電圧比較回路
VCの反転入力端子(−)には、特に制限されな(・カ
ー、上言己基準電圧vrefが印加される。電圧比4咬
回路VCの出)J電圧v2と、上記クロック信号CLK
とカー、ノアゲート回路G1に入力される。これにより
、後で詳しく述べるが、ノアゲート回路GH主、上言己
基準電流の変動成分に反比例したノくルス−を持つノく
ルス信号ψを形成てるO 特に制限されないが1発生される電圧■outの値を調
整できるようにするために、上記ノくルス信号φと制御
信号Up、Downを受けて、ノくルス信号Uとパルス
信号りとを形成する論理回路LOGが設けられている。
It is turned on when the clock signal CLK is at a high level. As a result, the charge stored in the capacitor C1 is discharged through the MO8FETQI2. The holding voltage Vl of the capacitor C1 is applied to the non-inverting input terminal (+) of the voltage comparison circuit VC. The inverting input terminal (-) of this voltage comparator circuit VC is applied with the reference voltage vref, which is not particularly limited. signal CLK
and is input to the NOR gate circuit G1. As a result, as will be described in detail later, the NOR gate circuit GH forms a NOR signal ψ having a NOR pulse inversely proportional to the fluctuation component of the reference current. Although not particularly limited, the generated voltage In order to be able to adjust the value of out, a logic circuit LOG is provided which receives the pulse signal φ and the control signals Up and Down and forms a pulse signal U and a pulse signal R.

特に制限されないが、この実施例にお(゛て、上記論理
回路、[、OGは、3人力のNAND回路G2゜3人力
AND回路G3及び2人力のNOR回路G4によって構
成されて(・る。論理回路LOGを同図に示されている
ような構成とすることにより、例えば制限信号Upが〕
・イレ・くル(2値信号“1″)にされると、ゲート回
路G2が開かれ、ノ(ルスf呂号φに従ったパルス信号
Uが出力される。これに対して、制御信号])ownが
ノ・イレベル(“1”)にされると、ゲート回路G3が
開かれ、ノくルス@号φに従ったパルス信号りが出力さ
れる。制御信号Up及び])ownがともにロウレベル
(“0”)のときには。
Although not particularly limited, in this embodiment, the logic circuit OG is constituted by a three-man powered NAND circuit G2, a three-man powered AND circuit G3, and a two-man powered NOR circuit G4. By configuring the logic circuit LOG as shown in the figure, for example, the limit signal Up can be set to
- When the signal is turned on (binary signal "1"), the gate circuit G2 is opened and a pulse signal U according to the signal φ is output.In contrast, the control signal ]) When the current level (“1”) is set, the gate circuit G3 is opened and a pulse signal according to the current signal φ is output. When the control signals Up and ])own are both low level (“0”).

パルス@号Φとは無関係に、ノλイレベル(1”)のパ
ルス信号Uとロウレベル(”0’)のノくルス信号りが
出力される。
Regardless of the pulse number Φ, a pulse signal U of low level (1'') and a pulse signal U of low level (0') are output.

高精度に制御された電圧を形成するため、上記MO8F
ETQ2で形成された電流■。′は、pチャンネルMO
8FETQ7を介してnチャンネルMO8FETQ8に
供給される。このMO8FETQ8と電流ミラー形態と
されたnチャンネルMO8FETQ15とにより、吸い
込み電流β工。
In order to form a voltage controlled with high precision, the MO8F
Current ■ formed in ETQ2. ' is p-channel MO
It is supplied to n-channel MO8FETQ8 via 8FETQ7. This MO8FETQ8 and the n-channel MO8FETQ15, which is in a current mirror configuration, allow a sinking current of β.

が形成される。また、上記MO8FBTQIと電流ミラ
ー形態とされたpチャンネルMO8FETQ14とによ
り、押し出し電流β■0が形成される。
is formed. Further, a push current β0 is formed by the MO8FBTQI and the p-channel MO8FETQ14 in a current mirror configuration.

なお、特に制限されないが、この実施例においては、上
記MO8FETQ2のソースと電源電圧VDDとの間に
はゲートに回路の接地電位が定常的に与えられたpチャ
ンネルMO8FETQ9が設けられ、上記MO8FET
Q8のソースと回路の接地電位との間にはゲートに電#
電圧■DDが定常的に与えられたnチャンネルMO8F
ETQI Oが設けられている。
Although not particularly limited, in this embodiment, a p-channel MO8FETQ9 whose gate is constantly supplied with the circuit ground potential is provided between the source of the MO8FET Q2 and the power supply voltage VDD, and the MO8FET
There is a voltage at the gate between the source of Q8 and the circuit ground potential.
n-channel MO8F with constant voltage DD
ETQIO is provided.

特に制限されないが、上記電流I。′が基準電施工◎に
正確に従った値となるようにするために。
Although not particularly limited, the above current I. To ensure that ′ is a value that accurately follows the standard electric construction ◎.

上記基準電圧Vrefを受けるMO8FETQ5のドレ
インと電源電圧VDDとの間には、pチャンネルMO8
FETQ6が設けられ、そのゲートが上記MO8FET
″Q2Qドレインに接続され、上記MO8FETQ7の
ゲートが上記M OS F E T G6のドレインに
接続されることによって、それぞれバイアス電圧が与え
られるようにされている。
Between the drain of MO8FETQ5 receiving the reference voltage Vref and the power supply voltage VDD, there is
FETQ6 is provided, and its gate is connected to the above MO8FET.
By connecting the gate of the MO8FET Q7 to the drain of the MOSFET G6, a bias voltage is applied to each of them.

上記押し出しく充1IL)電流βI0を形成するMO8
FETQ14のソースには、上記パルス(d号Uを受け
るpチャンネルMO8FETで構成されたスイッチMO
8FETQI 3を介して電源電圧V の供給が行われ
る。また、上記吸い込み(放D 電) ’lII流β■oを形成するMO8FETQI 
5のンースには、上記パルス信号りを受けるnチャンネ
ルMO8FETで構成されたスイッチMO8FETQI
 6を介して回路の接地電位の供給が行われる。
MO8 forming the above extrusion charge 1IL) current βI0
The source of FETQ14 is connected to a switch MO made up of a p-channel MO8FET that receives the above pulse (d number U).
Power supply voltage V is supplied via 8FETQI3. In addition, MO8FETQI which forms the above-mentioned suction (discharge) 'lII flow β■o
5 is a switch MO8FETQI, which is composed of an n-channel MO8FET that receives the above pulse signal.
6, the ground potential of the circuit is supplied.

そして、上記各電流βIoを形成するMO8FETQI
 4 、Ql 5の接続点と回路の接地電位との間にキ
ャパシタC2が設けられ、このキャパシタC2への充放
電動作によって出力電圧が形成される。特に制限されな
いが、この実施例では、上記形成されたキャパシタC2
の保持電圧(Vout)が演算増幅回路OPで構成され
たボルテージフォロワ回路を通して送出される。
Then, MO8FETQI that forms each of the above currents βIo
A capacitor C2 is provided between the connection point of 4 and Ql 5 and the ground potential of the circuit, and an output voltage is formed by charging and discharging the capacitor C2. Although not particularly limited, in this embodiment, the formed capacitor C2
The holding voltage (Vout) is sent out through a voltage follower circuit composed of an operational amplifier circuit OP.

次に、第2図のタイミング図に従って、この実施例回路
の動作を説明する。
Next, the operation of this embodiment circuit will be explained according to the timing diagram of FIG.

クロック信号CLKがハイレベル(論理″1゛′)から
ロウレベル(論理″0”)に変化されると、MO8FE
TQI 2がオフ状態に、MO8FETQllがオン状
態となる。これKより、キャパシタCIは、MO8FE
TQ3で形成された電流ffIoにより充電される。こ
の充電動作により、キャパシタC1の充電電圧(保持電
圧)Vlが上昇する。この充電電圧V1の値が基準電圧
Vrefより大きくなったとき、電圧比較回路VCの出
力信号■2がロウレベルからハイレベルに変化する。
When the clock signal CLK is changed from high level (logic ``1'') to low level (logic ``0''), MO8FE
TQI 2 is turned off and MO8FETQll is turned on. From this K, the capacitor CI is MO8FE
It is charged by the current ffIo generated by TQ3. This charging operation increases the charging voltage (holding voltage) Vl of the capacitor C1. When the value of this charging voltage V1 becomes larger than the reference voltage Vref, the output signal 2 of the voltage comparison circuit VC changes from low level to high level.

上記クロック信号CLKと上記出力信号V2とを受ける
ノアゲート回路G1で形成されるパルス信号φは、上記
キャパシタC1の充電電圧■1が基準電圧Vrefに達
するまでの時間に比例したパルス幅の信号となる。上記
キャパシタC1の充電時間は、上記電流α工。が増加す
るとそれに応じて短くなり、上記電流α工0が減少する
とそれに応じて長くなる。したがって、電流α工。とパ
ルス信号ψのパルス幅とは反比例関係となる。
The pulse signal φ formed by the NOR gate circuit G1 receiving the clock signal CLK and the output signal V2 is a signal with a pulse width proportional to the time until the charging voltage 1 of the capacitor C1 reaches the reference voltage Vref. . The charging time of the capacitor C1 is the current α. As the current α increases, the current becomes shorter, and as the current α decreases, the current becomes longer. Therefore, the current α k. and the pulse width of the pulse signal ψ are inversely proportional to each other.

@理回路LOGにおいて、上記パルス信号φは、制im
@号U p、 ])owr+に従ってパルス信号U、D
に変換される。例えば、側副fH号Upがハイレベルじ
1″)にされている場合、パルス信号φのパルス幅(ハ
イレベルの期間)だけMOS F E TQ13がオン
状態にされる。MO8FETQ13がオン状態にされる
ことによって、キャパシタC2は。
@In the logic circuit LOG, the above pulse signal φ is the control im
@No. U p, ]) Pulse signals U, D according to owr+
is converted to For example, when the secondary fH signal Up is set to high level (1"), MOS FETQ13 is turned on for the pulse width (high level period) of pulse signal φ. MO8FETQ13 is turned on. By doing so, capacitor C2 becomes .

上記MO8FETQI 4で形成された電流β■。Current β■ formed in MO8FETQI 4 above.

により充電される。従って、制御信号Upがノーイレペ
ルにされている場合、キャパシタC2は、パルス信号φ
がハイレベル(パルス幅)になるたびに電流β工。によ
り充電される。
is charged by Therefore, when the control signal Up is set to no-repel, the capacitor C2 is connected to the pulse signal φ
The current β rises each time the pulse width reaches a high level (pulse width). is charged by

これに対して、制wJ信号1)ownがハイレベル(1
”)にされている場合には、パルス信号φのパルス幅(
ハイレベルの期間)だけMO8FETQ16がオン状態
にされる。MO8FETQ16がオン状態にされること
によって、キャパシタC2は、上記MO8FETQI 
5で形成された電流β工。により放電される。従って、
制御H号Downがハイレベルにされている場合、キャ
パシタC2は、パルス信号Φがハイレベル(パルス幅)
になるたびに電流β1.により放電される。
On the other hand, the control wJ signal 1) own is at a high level (1
”), the pulse width of the pulse signal φ (
MO8FETQ16 is turned on only during the high level period). By turning on the MO8FETQ16, the capacitor C2 is connected to the MO8FETQI
5. The current β is formed by 5. is discharged by. Therefore,
When the control H No. Down is set to high level, the capacitor C2 has a pulse signal Φ of high level (pulse width).
Each time the current β1. is discharged by.

出力電圧Voutは、実質的にキャパシタC2の保持電
圧と等しい。出力電圧voutの振幅(1!位変化量)
は、電流βIOyパルス信号U、Dのパル数及びそのパ
ルス幅に相当する時間tで求められる電荷量Qとキャパ
シタC2の容量値Cとによって決定される( Vout
 =Q/ C)。例えば、制御信号Upがハイレベルに
さねているときに9M08FETQ13に供給されるパ
ルス信号Uのパルス数が10であれば、このパルス数、
そのパルス幅に相当する時間及び電流βIoによって求
まる電荷量と、キャパシタC2の容量値とに従った電圧
値だげ出力電圧■outが上昇てる。反対に、制御信号
]) ownがハイレベルにされているときに。
The output voltage Vout is substantially equal to the holding voltage of the capacitor C2. Amplitude of output voltage vout (change amount by 1!)
is determined by the amount of charge Q obtained in time t corresponding to the number of pulses of the current βIOy pulse signals U and D and the pulse width thereof, and the capacitance value C of the capacitor C2 (Vout
=Q/C). For example, if the number of pulses of the pulse signal U supplied to 9M08FETQ13 when the control signal Up is at a high level is 10, this number of pulses,
The output voltage ■out increases by a voltage value according to the amount of charge determined by the time and current βIo corresponding to the pulse width and the capacitance value of the capacitor C2. Conversely, when the control signal]) own is set to high level.

MO8FETQ16に供給されたパルス信@Dのパルス
数が5であれば、このパルス数、そのパルス幅に相当す
る時間及び電流βIoによって求まる電荷量と、キャパ
シタC2の容量値とに従った電圧値だげ出力電圧■ou
tが低下する。
If the number of pulses of the pulse signal @D supplied to MO8FETQ16 is 5, the voltage value is according to the number of pulses, the time corresponding to the pulse width, the amount of charge determined by the current βIo, and the capacitance value of the capacitor C2. Output voltage ■ou
t decreases.

なお、パルス信@Uがハイレベル(l″)テパルス信号
りがロウレベル(”0”)のときには、MO8FETQ
I 3及びQl6がともにオフ状態にされるため、キャ
パシタC2は、その保持電圧を維持する。従って、制御
fg号UT)及びDownがともにロウレベルにされて
いるときなどは、出力電圧voutO値はほとんど変化
しない。
Note that when the pulse signal @U is at high level (l'') and the pulse signal is at low level (“0”), MO8FETQ
Since I3 and Ql6 are both turned off, capacitor C2 maintains its holding voltage. Therefore, when the control fg (UT) and Down are both set to low level, the output voltage voutO value hardly changes.

この実施例において、パルス信号φの1パルスに対する
出力′電圧V Ou tの電位変化(微少電圧ΔVの電
圧値)、言い換えるならば、パルス信号U又はDの1パ
ルスに対する出力電圧■outの電位変化(微少電圧Δ
Vの電圧値)を決定する電荷量ΔQは、そのパルスの幅
に相当する時間tと電流βIoとの檀(t xβIO)
になる。上述したように、上記時間(パルスの幅)tは
、電流αI。
In this embodiment, a potential change in the output voltage V Out (voltage value of minute voltage ΔV) with respect to one pulse of the pulse signal φ, in other words, a potential change in the output voltage ■out with respect to one pulse of the pulse signal U or D. (minor voltage Δ
The amount of charge ΔQ that determines the voltage value of V is the relationship between time t corresponding to the width of the pulse and current βIo (t x βIO)
become. As mentioned above, the time (pulse width) t is the current αI.

に反比例でる(t(x:1/α1.)。したがって。It is inversely proportional to (t(x:1/α1.). Therefore.

ΔQ=K(定数)×β/αの関係が成立する。α。The relationship ΔQ=K (constant)×β/α holds true. α.

β(電流ミラーMO8FETのサイズ比)を適当に選ぶ
ことにより、電流■。の変動に影響されない所望の値の
@少電圧Δ■を形成することができる。
By appropriately selecting β (size ratio of current mirror MO8FET), the current ■. It is possible to form a desired value of @small voltage Δ■ that is not affected by fluctuations in .

すなわち、MO8FETQIのチャンネル長Llとその
チャンネル幅W1との比Wl/Llと。
That is, the ratio Wl/Ll of the channel length Ll of MO8FETQI and its channel width W1.

MO8FETQ3のチャンネル長L3とそのチャンネル
幅W3との比W3/L3との比によって主に決まるαと
、MO8FETQIのチャンネル長L1とそのチャンネ
ル幅W1との比Wl/Llと。
α is mainly determined by the ratio W3/L3 between the channel length L3 of MO8FETQ3 and its channel width W3, and Wl/Ll is the ratio between the channel length L1 of MO8FETQI and its channel width W1.

MO8FETQ14のチャンネル長L14とそのチャン
ネル幅W14との比W14/L14との比によって主に
決まるβとを適当に選ぶことにより、微/り電圧Δ■の
値を所望の値にすることができる。
By appropriately selecting β, which is mainly determined by the ratio W14/L14 between the channel length L14 of MO8FETQ14 and its channel width W14, the value of the minute voltage Δ■ can be set to a desired value.

しかも製造条件のバラツキ、電#電圧の変動などによっ
て基準電流■。の値が変化しても、上記式(ΔQ = 
K Xβ/α)に電流工。の項がないため、形成される
微少電圧ΔVの値(ΔV=CXΔQ)はほとんど変動し
ない。また、上式においてβ/αの値を適当に小さく設
定することにより、数mV程度の電圧をも高精度に形成
することができる。
Moreover, the reference current may vary due to variations in manufacturing conditions, fluctuations in voltage, etc. Even if the value of changes, the above formula (ΔQ =
K Xβ/α) with electric current. Since there is no term, the value of the generated minute voltage ΔV (ΔV=CXΔQ) hardly changes. Furthermore, by setting the value of β/α in the above equation to an appropriately small value, it is possible to form a voltage of approximately several mV with high precision.

なお、ミラー形態にされたMOSFETは飽和領域で動
作される。
Note that the mirror-shaped MOSFET is operated in a saturation region.

また、所望の値の微少電圧Δ■を形成するために、上記
キャパシタC1の容量値あるいはキャパシタC2の谷瀘
値、または両方の容量値を適当に設定してもよい。
Further, in order to form a minute voltage Δ■ having a desired value, the capacitance value of the capacitor C1, the valley value of the capacitor C2, or both capacitance values may be appropriately set.

上述したように制1al(,3号Up及び]) own
によって、MO8FETQ13に供給されるパルス信号
Uのパルス数及びMO8FETQ16に供給されるパル
ス信号りのパルス数を調整することができる。これによ
り、倣り電圧ΔV単位で出力電圧Voutの電圧値を制
御できる。しかも、微少電圧Δ■が、電源電圧の変動な
どにほとんど影響されないため、出力電圧Voutの値
も電源電圧の変動など罠よってほとんど変化することは
ない。
As mentioned above, control 1al (, No. 3 Up and ]) own
Accordingly, the number of pulses of the pulse signal U supplied to the MO8FETQ13 and the number of pulses of the pulse signal U supplied to the MO8FETQ16 can be adjusted. Thereby, the voltage value of the output voltage Vout can be controlled in units of the scanning voltage ΔV. Moreover, since the minute voltage Δ■ is almost unaffected by fluctuations in the power supply voltage, the value of the output voltage Vout hardly changes due to fluctuations in the power supply voltage.

パルス信号U、Dによって制御されるスイッチ手段とし
てMOSFETを用いた場合には、それがオン状態から
オフ状態に変化するとき、チャンネルを形成していた電
荷がキャパシタC2に流れ込む。またゲート電極とソー
ス領域との容量カップリング、ゲート電極とドレイン領
域との容量カップリングによって、ゲート電極の電位変
化がソース領域、ドレイン領域に伝わる。このため、パ
ルス信号Uをそのゲート電極に受けるMOS、FETで
は、電源電圧が供給されてυ愈い方の電極戊位が斐化し
、パルス信@Dをそのゲートit極に受けるMOSFE
Tでは1回路の接地電位が供給されていない方の電極の
電位が変化する。この電位の変化によってキャパシタC
2の′電荷量が変化してしまう。これらを合わせて、ク
ロックのフィードスルーと呼び、微少電圧の値に誤差を
生じさせる恐れがある。この実施例では、上記押し出し
く充電)電流のスイッチング動作を担うMOSFETと
してpチャンネルMO8FETQ13を用いているので
、そのフィールドスルーは出力電圧vOutを大きく(
充電電流)fる方向に作用する。一方、上記吸い込み(
放電)電流のスイッチング動作を担うMOSFETとし
てnチーy7ネルMOS F ETQ16を用いている
ので、そのフィールドスルーは出力電圧Voutを小さ
く(放電電流)する方向に作用する。従って、MO8F
ETQI 3とQ16のそれぞれの寸法(サイズ)を等
しくして、それぞれに発生するフィールドスルー〇絶苅
値を同程度にすることにより、制[1憎号Upによって
出力電圧voutが上昇するときの微少電圧ΔVの絶対
値と、制御信号]) □wnによって出力電圧vout
が低下するときの微少電圧ΔVの絶対値とをほぼ等しく
することができる。これにより、キャパシタC2の光電
/放電によって出力電圧Voutを形成する場合におい
て、上記フィールドスルーが一方向に偏ることにより、
キャパシタc2の保持電圧が徐々に太き(なったり5徐
々に小さくなったりしてしまうということがない。
When a MOSFET is used as the switching means controlled by the pulse signals U and D, when the MOSFET changes from the on state to the off state, the charges forming the channel flow into the capacitor C2. Further, due to capacitive coupling between the gate electrode and the source region and capacitive coupling between the gate electrode and the drain region, changes in the potential of the gate electrode are transmitted to the source region and the drain region. For this reason, in the MOS and FET which receive the pulse signal U at their gate electrode, the voltage of the electrode υ decreases when the power supply voltage is supplied, and the MOSFE which receives the pulse signal @D at its gate it pole
At T, the potential of the electrode of one circuit to which the ground potential is not supplied changes. This change in potential causes the capacitor C to
2' charge amount changes. Together, these are called clock feedthroughs, and may cause errors in the minute voltage values. In this example, since the p-channel MO8FETQ13 is used as the MOSFET responsible for the switching operation of the above-mentioned charging current, its field through greatly increases the output voltage vOut (
Charging current) acts in the direction of f. On the other hand, the above suction (
Since the n-channel 7-channel MOSFET Q16 is used as the MOSFET responsible for the switching operation of the discharging current, its field through acts in the direction of reducing the output voltage Vout (discharging current). Therefore, MO8F
By making the respective dimensions (sizes) of ETQI 3 and Q16 the same and making the field-through values generated in each of them about the same, the minute amount when the output voltage vout increases due to the control [1 Absolute value of voltage ΔV and control signal]) Output voltage vout by wn
The absolute value of the minute voltage ΔV when the voltage decreases can be made almost equal to the absolute value of the minute voltage ΔV. As a result, when the output voltage Vout is formed by photoelectric discharge/discharge of the capacitor C2, the field through is biased in one direction.
There is no possibility that the holding voltage of the capacitor c2 gradually becomes thicker or gradually becomes smaller.

例えば、上記MO8FETQI 3をNチャンネル型M
O8FETで構成した場合、そのフィードスルーは、出
力電圧Voutを小さくする方向に作用する。従って、
MQSFETQI 3 、Ql 6のそれぞれのフィー
ドスルーが出力電圧■outを小さくする方向に作用し
てしまう。すなわち、制御信号Upによって出力電圧V
outが上昇するときの微少電圧Δ■の絶対値に比べ制
御信号D ownによって出力電圧Voutが低下する
ときの微/り電圧Δ■の絶対値の方が大きくなってしま
う。このため、例えばパ・ルス信号Uとパルス信号りを
交互にMO8F’ETQ13とQl6に印加すると、キ
ャパシタC2の保持電圧は徐々に小さくなってしまう。
For example, the above MO8FETQI 3 is an N-channel type M
When configured with an O8FET, the feedthrough acts in the direction of reducing the output voltage Vout. Therefore,
The feedthroughs of the MQSFETs QI 3 and Ql 6 act in the direction of reducing the output voltage (output). That is, the output voltage V is changed by the control signal Up.
The absolute value of the minute voltage Δ■ when the output voltage Vout decreases due to the control signal Down becomes larger than the absolute value of the minute voltage Δ■ when the output voltage Vout increases. Therefore, if, for example, the pulse signal U and the pulse signal R are alternately applied to the MO8F'ETQ13 and Ql6, the voltage held in the capacitor C2 will gradually become smaller.

言い換えるならば出力電圧Voutの値が徐々に低下し
てL7まい、所望の値にならない。これに対して、上述
したように両方向にフィードスルーが作用するようにで
れば、出力電圧■outの値が徐々に低下したり1反対
に徐々に上昇(、たりすることがなくなり、はぼ所望の
値の出力電圧Vou tを形成することができる。
In other words, the value of the output voltage Vout gradually decreases to L7 and does not reach the desired value. On the other hand, if feedthrough acts in both directions as described above, the value of the output voltage An output voltage Vout of a desired value can be formed.

なお1次に述べる実施例2においては、上記MO8FE
TQIないり、Ql2.キャパシタci。
In addition, in Example 2 described next, the above MO8FE
No TQI, Ql2. capacitor ci.

電圧比較回路VC及びNOR回路G1によって構成され
る回路を電流−パルス幅変換回路ICと称し、上記MO
8FETQ13ないしQl6、キャパシタC2及び演算
増幅回路OPによって構成される回路をパルス幅−電圧
変換回路CVと称する。
The circuit constituted by the voltage comparison circuit VC and the NOR circuit G1 is called a current-pulse width conversion circuit IC, and the above MO
The circuit constituted by the 8FETs Q13 to Ql6, the capacitor C2, and the operational amplifier circuit OP is referred to as a pulse width-voltage conversion circuit CV.

傘 〔実施例2〕 第3図は、この発明をディジタル電話機用線路等化器の
一種である判定帰還型自動等化器に適用した場合の一実
施例のブロック図である。
Umbrella [Embodiment 2] FIG. 3 is a block diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a decision feedback automatic equalizer, which is a type of line equalizer for digital telephones.

音声信号は、正、負の両極性のパルス信号、すなわちバ
イポーラのパルス信号に変換されて、伝送される。この
パルス信号を伝えるための伝送線に例えば分岐線を結合
させることなどにより、伝送されたパルス信号にはエコ
ー成分が含まれてしまう。伝送されたパルス信号からエ
コー成分を除くために次に述べるような判定帰還型自動
等化器が使われる。
The audio signal is converted into a pulse signal having both positive and negative polarities, that is, a bipolar pulse signal, and then transmitted. For example, by connecting a branch line to a transmission line for transmitting this pulse signal, the transmitted pulse signal contains an echo component. A decision feedback automatic equalizer as described below is used to remove echo components from the transmitted pulse signal.

すなわち、エコー成分を含む入力信号BTINは、加減
算回路1の一万の入力端子(+)に印加される。加減算
回路1の出力は、バイポーラのパルス信号に変換された
音声信号を識別するために設けられた3値しベル判定回
路Mに供給される。
That is, the input signal BTIN containing the echo component is applied to the 10,000 input terminal (+) of the addition/subtraction circuit 1. The output of the adder/subtracter circuit 1 is supplied to a three-valued bell determination circuit M provided for identifying an audio signal converted into a bipolar pulse signal.

なお、入力信号BTINにおいて、音声信号から変換さ
れたバイポーラのパルス信号のピーク電圧は±1.Ov
にされている。
In addition, in the input signal BTIN, the peak voltage of the bipolar pulse signal converted from the audio signal is ±1. Ov
It is being done.

上記3値しベル判定回路Mは、電圧比較器2゜3、AN
D回路4.排他的論理和回路5及びN。
The above three-valued bell judgment circuit M includes a voltage comparator 2゜3, AN
D circuit 4. exclusive OR circuits 5 and N;

R回路6によって構成される。上記電圧比較器2の反転
入力端子(−)に0.5■の基準電圧を印加し、上記電
圧比較器30反転入力端子(−)K−0,5Vの基準電
圧が印加される。これにより、力ロ減算回路1の出力信
号の電位が0.5Vを超える値であれば、AND回路4
の出力信号Xがハイレベル(2値信号″1”)となり、
加減算回路1の出力信号が一〇、5vよりも低い値であ
れば、NOR回路6の出力信号Yがハイレベル(2値信
号″′1”)となり、また加減算回路1の出力信号の電
位が上記基準電圧0.5 Vと一〇、5Vの範囲内の値
であれば、排他的論理和回路5の出力信号2がハイレベ
/I/(2値信号“1”)となる。
It is constituted by an R circuit 6. A reference voltage of 0.5V is applied to the inverting input terminal (-) of the voltage comparator 2, and a reference voltage of K-0.5V is applied to the inverting input terminal (-) of the voltage comparator 30. As a result, if the potential of the output signal of the power-low subtraction circuit 1 exceeds 0.5V, the AND circuit 4
The output signal X becomes high level (binary signal "1"),
If the output signal of the addition/subtraction circuit 1 has a value lower than 10.5V, the output signal Y of the NOR circuit 6 becomes high level (binary signal "'1"), and the potential of the output signal of the addition/subtraction circuit 1 becomes If the value is within the range of the reference voltage 0.5 V and 10.5 V, the output signal 2 of the exclusive OR circuit 5 becomes high level /I/ (binary signal "1").

音声信号から変換されたパルス信号のレベルが例えば1
■で、これがエコー成分無しに上記3値しベル判定回路
Mに供給されたとすると、上記出力信号Xがハイレベル
(1”)となり、残の出力信号Y、 Zがともにロウレ
ベル(2値信号“0″′)となる。また音声信号から変
換されたパルス信号のレベルが例えば−1vで、これが
エコー成分無しに、上記3値しベル判定回路Mに供給さ
れた場合には、上記出力信号Yがハイレベル(”1”)
となり、残りの出力信号X、Zがともにロウレベ/l/
(”0”)となる。また、音声信号から変換されたパル
ス信号ルヘルカ例えばOVで、これがエコー成分無しに
、上記3値しベル判定回路Mに供給された場合には、上
記出力信号Zがハイレベル(”1”)となり、残の出力
信号X、Yがともにロウレベル(0”)となる。
For example, if the level of the pulse signal converted from the audio signal is 1
(2) If this is supplied to the ternary signal and bell judgment circuit M without any echo component, the output signal 0''').Furthermore, if the level of the pulse signal converted from the audio signal is -1V, for example, and this is supplied to the ternary bell judgment circuit M without an echo component, the output signal Y is high level (“1”)
The remaining output signals X and Z are both low level /l/
(“0”). Furthermore, when a pulse signal converted from an audio signal, for example OV, is supplied to the ternary bell determination circuit M without an echo component, the output signal Z becomes a high level ("1"). , the remaining output signals X and Y both become low level (0'').

伝送されてきたバイポーラのパルス信号ヲユニボーラの
パルス信号に変換するために、上記出力信号XとYは、
2人力の排他的論理和回路7に供給される。すなわち、
排他的論理和回路7に上記出力信号XとYを供給するこ
とにより、出力信号X又はYがハイレベル(1”)のト
キ、バインベル(”1”)の出力信号outを形成し、
出力信号X及びYがともにロウレベA/(0”)のとき
、ロウレベル(” 0 ” )の出力信号outを形成
する。これにより、排他的論理和回路7は、音声信号か
ら変換されたパルス信号のレベルが0.5V以上(例え
ば+IV)又は−〇、5V”’例えば−I V )のと
き、ハイレベル(” 1 ” )の出力信号outを形
成し、音声信号から変換されたパルス信号のレベルが0
.5Vと−0,5■の範囲内(例えば、OV)のとき、
ロウレベルじO”)の出力信号outを形成する。
In order to convert the transmitted bipolar pulse signal into a uni-polar pulse signal, the output signals X and Y are
The signal is supplied to a two-person exclusive OR circuit 7. That is,
By supplying the output signals X and Y to the exclusive OR circuit 7, the output signal X or Y forms a high level (1") output signal out.
When the output signals X and Y are both at low level A/(0"), an output signal out of low level ("0") is formed. Thereby, the exclusive OR circuit 7 outputs the pulse signal converted from the audio signal. When the level is 0.5V or more (for example +IV) or -0,5V"' (for example -IV), a high level ("1") output signal out is formed, and the pulse signal converted from the audio signal is level is 0
.. When within the range of 5V and -0,5■ (for example, OV),
An output signal out of low level (0") is formed.

同図において、Nは、等化誤差検出回路であって、上記
出力信号X、Z、YKよってそれぞれスイッチ制御され
るNチャンネル型エンノ・ンスメン)MO8FET8,
9.10と、このMOS F ET8,9.10を介し
て供給された電圧と上記加減算回路1・の゛出力信号の
電圧とを比較する比較回路TVOとによって構成されて
いる。比較回路TVOは、その(+)入力端子に(−)
入力端子よりも高い電圧が印加されたとき、例えば+1
.V(+1)の等化誤差信号Aを出力し、その(+)入
力端子と(−)入力端子とに同じ値の電圧が印加された
とき、0V(0)の等化誤差信号Aを出力し、その(−
)入力端子に(+)入力端子よりも高い値の電圧が印加
されたとき、−1V[−1)の等化誤差信号Aを出力す
る。
In the same figure, N is an equalization error detection circuit, which is an N-channel encoder MO8FET8, which is switch-controlled by the output signals X, Z, and YK, respectively.
9.10, and a comparison circuit TVO that compares the voltage supplied via the MOS FETs 8 and 9.10 with the voltage of the output signal of the addition/subtraction circuit 1. The comparison circuit TVO has (-) on its (+) input terminal.
When a voltage higher than the input terminal is applied, for example +1
.. Outputs an equalization error signal A of V (+1), and when the same voltage is applied to its (+) input terminal and (-) input terminal, outputs an equalization error signal A of 0V (0). And that(-
) When a voltage with a higher value than the (+) input terminal is applied to the input terminal, an equalization error signal A of -1V[-1] is output.

同図において、工0は、電流−パルス幅変換回路であっ
て、詳しい回路は示されていないが、上記実施例1で述
べたようにMO8FETQIないしG12.キャパシタ
01.電圧比較回路■0及びNOR回路G1によって構
成されている。すなわち、第1図におけるICと同様な
構成にされている。
In the figure, reference numeral 0 is a current-pulse width conversion circuit, and although the detailed circuit is not shown, as described in the first embodiment, MO8FETQI to G12. Capacitor 01. It is composed of a voltage comparator circuit (2)0 and a NOR circuit G1. That is, it has the same configuration as the IC shown in FIG.

上記電流−パルス幅変換回路工0の電流線11゜12は
、3個のパルス幅−電圧変換回路cv−1゜0V−2,
0V−3に結合されている。各パルス幅−電圧変換回路
は、実質的に互いに同じ構成にされている。同図には、
その1つのみが詳しく示されている。同図から判るよう
に各パルス幅−電圧変換回路は、第1図におけるパルス
幅−電圧変換回路Ovとほぼ同じ構成にされている。但
し、負の電圧を形成することができるようにするために
、MO8FETQI 6のソースは、第1図と異なり負
の電圧源Vssに結合されている。後で述べるが、各パ
ルス幅−電圧変換回路eV−1,eV−2,eV−3が
それぞれエコー成分を相殺するための電圧(タップ電圧
)を出力する。
The current wires 11゜12 of the current-pulse width conversion circuit 0 are connected to three pulse width-voltage conversion circuits cv-1゜0V-2,
Coupled to 0V-3. Each pulse width-voltage conversion circuit has substantially the same configuration as each other. In the same figure,
Only one of them is shown in detail. As can be seen from the figure, each pulse width-voltage conversion circuit has almost the same configuration as the pulse width-voltage conversion circuit Ov in FIG. 1. However, in order to be able to generate a negative voltage, the source of MO8FET QI 6 is coupled to a negative voltage source Vss, unlike in FIG. As will be described later, each of the pulse width-voltage conversion circuits eV-1, eV-2, and eV-3 outputs a voltage (tap voltage) for canceling the echo component.

上記3値しベル判定回路Mの出力信号X、Zは、遅延回
路11−1に供給される。この遅延回路11−1の出力
信号は、次の遅延回路11−2に供給され、更にこの遅
延回路11−2の出力信号は遅延回路11−3に供給さ
れる。これらの遅延回路11−1ないし11−3によっ
てシフトレジスタ11が構成されている。
The output signals X and Z of the ternary bell determination circuit M are supplied to a delay circuit 11-1. The output signal of this delay circuit 11-1 is supplied to the next delay circuit 11-2, and the output signal of this delay circuit 11-2 is further supplied to a delay circuit 11-3. A shift register 11 is constituted by these delay circuits 11-1 to 11-3.

また、上記各遅延回路11−1. 11−2゜11−3
の出力信号は、対応する掛算回路12−1゜12−2.
12−3の一万の入力端子と、対応する掛算回路14−
1.14−2.14−3の一万の入力端子に供給される
Further, each of the delay circuits 11-1. 11-2゜11-3
The output signals of the corresponding multiplication circuits 12-1, 12-2, .
12-3 10,000 input terminals and corresponding multiplication circuit 14-
1.14-2.10,000 input terminals of 14-3.

上記各掛算回路12−1. 12−2. 12−3のそ
れぞれの他方の入力端子には、上記等化誤差信号Aが供
給される。各掛算回路12−1.12−2.12−3は
、それぞれ等化誤差信号Aと、対応する遅延回路11−
1.11−2..11−3の出力信号との掛算を行なっ
て、その結果を対応する論理回路13og  1.IJ
Og  2+  log  3に出力する。
Each of the above multiplication circuits 12-1. 12-2. The equalization error signal A is supplied to the other input terminal of each of the circuits 12-3. Each multiplication circuit 12-1.12-2.12-3 receives an equalization error signal A and a corresponding delay circuit 11-
1.11-2. .. 1. Multiply the output signal of 11-3 and send the result to the corresponding logic circuit 13og 1. I.J.
Output to Og 2+ log 3.

上記論理回路log −1+  log −2+ IJ
Og3は、対応する上記掛算回路12−1.12−2.
12−3の出力信号と、上記電流−パルス幅変換回路1
0からのパルス信号φとを受けて、それぞれパルス信号
U、 Dを形成し、これを対応する上記パルス幅−電圧
変換回路0V−1,0V−2,0V−3に出力する。こ
の論理回路flag−L  Aog −2、log−3
は、特に制限されないが互いに同じ構成にされている。
The above logic circuit log -1+ log -2+ IJ
Og3 is the corresponding multiplication circuit 12-1.12-2.
12-3 output signal and the above current-pulse width conversion circuit 1
0 to form pulse signals U and D, respectively, and output them to the corresponding pulse width-voltage conversion circuits 0V-1, 0V-2, and 0V-3. This logic circuit flag-L Aog -2, log-3
Although not particularly limited, they have the same configuration.

論理回路11ogは、掛算回路からの出力信号が正の電
圧のとき、パルス信号φを位相反転した信号をパルス信
号Uとして出力する。
The logic circuit 11og outputs a signal obtained by inverting the phase of the pulse signal φ as the pulse signal U when the output signal from the multiplication circuit is a positive voltage.

またこのとぎロウレベルのパルス信号りを出力する。掛
算回路からの出力信号が負の電圧のときには、パルス信
号φをパルス信号りとして出力するととモICハイレベ
ルのパルス信号Uを出力する。
It also outputs this low level pulse signal. When the output signal from the multiplication circuit is a negative voltage, when the pulse signal φ is output as a pulse signal, the MOIC outputs a high level pulse signal U.

また、掛算回路からの出力信号がほぼO■のときニハ、
ハイレベルのパルス信号Uとロウレベルのパルス信号り
を出力する。
Also, when the output signal from the multiplication circuit is approximately O■,
It outputs a high-level pulse signal U and a low-level pulse signal U.

上記各遅延回路の出力信号をその一万の端子に受ける掛
算回路14−1.14−2.14−3の他方の入力端子
には、対応するパルス幅−電圧変−1,14−2,14
−3は、対応する遅延回路11−I、11−2.11−
3の出力信号がハイレベル(” 1 ” )のとき、対
応するパルス幅−電圧変換回路0V−1,CV−2,0
V−3からの出力電圧を加算回路13に供給する。
The other input terminal of the multiplication circuit 14-1. 14
-3 is the corresponding delay circuit 11-I, 11-2.11-
When the output signal of 3 is high level ("1"), the corresponding pulse width-voltage conversion circuit 0V-1, CV-2, 0
The output voltage from V-3 is supplied to the adder circuit 13.

加算回路13は、上記各掛算回路14−1゜14−2.
14−3の出力電圧を加算して、それを上記力ロ減算回
路10入力端子(−)に供給する。
The addition circuit 13 includes the respective multiplication circuits 14-1, 14-2, .
14-3 and supplies it to the input terminal (-) of the power subtraction circuit 10.

次に、この判定帰還型自動等止器の動作を説明する。Next, the operation of this decision feedback type automatic equalizer will be explained.

動作には、トレーニング動作と実際の等化動作とがある
The operations include training operations and actual equalization operations.

トレーニング動作は、特に制限されないが、実際の等化
動作を行なう前に行なわれる。トレーニング動作におい
ては、上記3値しベル判定回路Mとシフトレジスタ11
とが切り雛なされて、シフトレジスタ1]と、伝送線の
送信端とにトレーニングのための所定のパルス信号が印
加される。これにより、各論理回路log −1〜lo
g−3は、各パルス幅−電圧変換回路0V−1〜eV−
3が各エコー成分E1〜E3を相殺するような電圧■2
□〜Vg3を形成するようにパルス信号U又はDを出力
する。各パルス幅−電圧変換回路0V−1>CV−3が
、それぞれエコー成分を相殺できるような電圧を形成で
きるようになると、トレーニング動作が終わり、実際の
等化動作に移ゐ。
Although the training operation is not particularly limited, it is performed before performing the actual equalization operation. In the training operation, the above three-valued bell judgment circuit M and the shift register 11
A predetermined pulse signal for training is applied to the shift register 1 and the transmission end of the transmission line. As a result, each logic circuit log −1 to lo
g-3 is each pulse width-voltage conversion circuit 0V-1 to eV-
3 cancels each echo component E1 to E3 ■2
The pulse signal U or D is output so as to form □ to Vg3. When each pulse width-to-voltage conversion circuit 0V-1>CV-3 is able to generate a voltage that can cancel out the echo components, the training operation ends and the actual equalization operation begins.

第4図に示されているようにエコー成分E1〜E3(符
号干渉)を含んだ入力信号BTINが加減算回路1に供
給されるものとして以下説明する。
The following description will be made assuming that an input signal BTIN containing echo components E1 to E3 (symbol interference) as shown in FIG. 4 is supplied to the adder/subtractor circuit 1.

すなわち入力信号BTINは、音声信号から変換された
信号、つまり同図に訃いて破線で示されているように正
のメインパルスMPとその後のovの信号とからなる信
号と、エコー成分E1〜E3によって構成されている。
That is, the input signal BTIN consists of a signal converted from an audio signal, that is, a signal consisting of a positive main pulse MP and a subsequent ov signal as shown by the broken line in the figure, and echo components E1 to E3. It is made up of.

また上述したトレーニング動作によって、パルス幅−電
圧変換回路O■−1は、エコー成分E1を箱殺するよう
な電圧■2□を、パルス幅−電圧変換回路cv−2は、
エコー成分E2を相殺するような電圧vg3を、パルス
幅−電圧変換回路0V−3は、エコー成分E3を相殺す
るような電圧■83をそれぞれ形成しているものとする
Also, by the training operation described above, the pulse width-voltage conversion circuit O■-1 generates a voltage ■2□ that eliminates the echo component E1, and the pulse width-voltage conversion circuit cv-2 generates a voltage ■2□ that eliminates the echo component E1.
It is assumed that the pulse width-voltage conversion circuit 0V-3 forms a voltage vg3 that cancels out the echo component E2, and a voltage 183 that cancels out the echo component E3.

今、第4図に示されているように、メインパルスMPが
3値しベル判定回路Mに供給されると、このメインパル
スMPの電圧が0.5■の基準電圧よりも高いため、3
゛値フレベル定回路Mはノ・イレヘ/I/(1”)の出
力信号Xを形成する。これにより、排他的論理和回路7
の出力信号outがハイレベルC1”)になるとともに
、遅延回路11−1に71イレベルC1”)の出力信号
Xが印力口される。
Now, as shown in FIG. 4, when the main pulse MP is ternary and is supplied to the bell judgment circuit M, the voltage of this main pulse MP is higher than the reference voltage of 0.5■, so
The value level constant circuit M forms the output signal X of ノ・IREHE/I/(1'').
At the same time, the output signal OUT of 71 becomes high level C1''), and the output signal X of 71 high level C1'') is input to the delay circuit 11-1.

ある時間後、遅延回路11−1の出力信号がノ・イレベ
ル(1”)になる。これによりパルス幅−電圧変換回路
0V−1において形成された出力電圧vg0が、掛算回
路14−1を介して加減算回路1の入力端子(−)に供
給される。このとき、工コー成分E1が、上記加減算回
路1の入力端子(+)に供給式れる。エコー成分E1の
電圧値と、出力電圧v81とはほぼ同じ値であるため、
上記加減算回路1の出力信号の電圧は、基準電圧0.5
vと−0,5Vとの間の値になる。これにより、3値し
ベル判定回路Mの出力信号2がハイレベル(”1”)と
なる。この結果、上記出力信号outはロウレベルじ0
″)となる。出力信号Xがロウレベル(0″)で、出力
信号Zがハイレベル(”1”)となることにより、遅延
回路11−1′に、は、ロウレベル(”0”)の信号が
印加される。
After a certain period of time, the output signal of the delay circuit 11-1 becomes a zero level (1"). As a result, the output voltage vg0 formed in the pulse width-voltage conversion circuit 0V-1 is The echo component E1 is supplied to the input terminal (-) of the addition/subtraction circuit 1. At this time, the echo component E1 is supplied to the input terminal (+) of the addition/subtraction circuit 1. The voltage value of the echo component E1 and the output voltage v81 are almost the same value, so
The voltage of the output signal of the addition/subtraction circuit 1 is a reference voltage of 0.5
The value will be between v and -0.5V. As a result, the output signal 2 of the ternary bell determination circuit M becomes high level ("1"). As a result, the output signal out is at a low level of 0.
''). Since the output signal X is low level (0'') and the output signal Z is high level (``1''), the delay circuit 11-1' receives a low level (``0'') signal. is applied.

遅延回路]1−1の出力信号がハイレベルになってから
ある時間後、遅延回路11−2の出力信号がハイレベル
(”1”)となる。これにより、パルス幅−電圧変換回
路0V−2で形成されている出力電圧■8゜が掛算回路
14−2及び710算回路13を介してカロ減算回路1
0入力端子(−)に供給される。このとき、エコー成分
E2が上記加減算回路の入力端子(十)に供給される。
Delay circuit] After a certain period of time after the output signal of delay circuit 11-1 becomes high level, the output signal of delay circuit 11-2 becomes high level ("1"). As a result, the output voltage ■8° formed by the pulse width-voltage conversion circuit 0V-2 is transferred to the Calo subtraction circuit 1 through the multiplication circuit 14-2 and the 710 multiplication circuit 13.
0 input terminal (-). At this time, the echo component E2 is supplied to the input terminal (10) of the addition/subtraction circuit.

エコー成分E2の電圧値と上記出力電圧vg□とがほぼ
同じ値であるため、上記7JD減算回路1の出力信号の
電圧は、基準電圧0,5Vと一〇、5Vとの間の値とな
る。
Since the voltage value of the echo component E2 and the output voltage vg□ are almost the same value, the voltage of the output signal of the 7JD subtraction circuit 1 has a value between the reference voltage 0.5V and 10.5V. .

この結果、3値しベル判定回路Mは、ノ・イノベルじ1
″)の出力信号2とロウレベル(” O” )の出力信
号X、Yを形成する。このため、上記出力信号outは
ロウレベル(0″)となる。また上記出力信号Xのロウ
レベル(0”)によって、遅延回路11−1にはロウレ
ベル(” 0 ” )の信号が印兆されろ。
As a result, the three-valued bell judgment circuit M is
'') output signal 2 and low level ("O") output signals X and Y. Therefore, the output signal out becomes low level (0"). Furthermore, due to the low level (0'') of the output signal X, a low level (0'') signal is imprinted on the delay circuit 11-1.

上記遅延回路11−2の出力信号が)SイレベルじJ″
)になってからある時間後、遅延回路1】−3の出力信
号がハイレベル(“”1”)となり、パルス幅−電圧変
換回路0■−3で形成された出力電圧”へ3が、掛算回
路】4−3及び加算回路13を介して上記力ロ減算回路
lの入力端子(−)に供給される。このとき、エコー成
分E3が上記加減算回路10入力端子(+)に供給され
る。エコー成分E3の電圧値と上記出力電圧Vg3とが
ほぼ同じ値であるため、3値しベル判定回路Mは、ノ゛
・イレヘル(勺°″)の出力信号Zとロウレベル(0“
′つの出力信号X、 Yを形成する。この結果、上記出
力信号outハoウレベル(0”)となる。
The output signal of the delay circuit 11-2 is at the same level as )
), the output signal of the delay circuit 1]-3 becomes high level ("1"), and the output voltage formed by the pulse width-voltage conversion circuit 0-3 changes to 3. The multiplication circuit 4-3 and the addition circuit 13 are supplied to the input terminal (-) of the subtraction circuit 1. At this time, the echo component E3 is supplied to the input terminal (+) of the addition/subtraction circuit 10. Since the voltage value of the echo component E3 and the above-mentioned output voltage Vg3 are almost the same value, the three-valued bell determination circuit M distinguishes between the output signal Z at a low level (0") and the output signal Z at a low level (0").
' output signals X and Y are formed. As a result, the output signal out becomes the high level (0'').

以上述べたようにして、入力信号BTINからエコー成
分が除かれ、音声信号から変換された信号に対応した信
号が出力信号outとして得られる。
As described above, the echo component is removed from the input signal BTIN, and a signal corresponding to the signal converted from the audio signal is obtained as the output signal out.

なお、上述した説明では、音声信号から変換された信号
として最初に1”となり、その後連続(” F)となる
。このため加算回路13M:は、1つのパルス幅−電圧
変換回路で形成された出力電圧だけが供給され、それを
上記加減算回路1に伝えろように動作する。
In the above explanation, the signal converted from the audio signal first becomes 1" and then becomes continuous ("F). For this reason, the adder circuit 13M operates so as to be supplied with only the output voltage formed by one pulse width-to-voltage conversion circuit and to transmit it to the addition/subtraction circuit 1.

次に等化誤差検出回路Nの働きについて述べろ。Next, describe the function of the equalization error detection circuit N.

例えば、エコー成分E1と出力電圧vg1との減算を行
なったとき、エコー成分E1の方か出力電圧v8、より
もその電圧が高いと、比較回路TVOの入力端子(+)
にはノ・イレベルの電圧が印加される。またこのとき、
ノ・イVべ/l/(”1”)の出力信号XによってMO
8FETQ9がオン状態にされているため、上記比較回
路TVOの入力端子(@には、0■が印力ロ嘔れろ。こ
の結果、比較回路TVCは、正の電圧の等化誤差信号A
を出力する。この等化誤差信号Aと遅延回路11−1の
)−イレベルの出力信号とによって、掛算回路12−1
は、ハイVべ〃の出力信号を論理回路log −1に出
力する。これにより論理回路log−1は、上記実施例
1で述べたようにある時間、パルス信号φの位相反転さ
れたパルス信号Uを出力する。この結果、パルス幅−電
圧変換回路0V−1の出力電圧V8□が上昇し、エコー
成分E1の電圧値との差が小さくされる。
For example, when subtracting the echo component E1 and the output voltage vg1, if the voltage of the echo component E1 is higher than the output voltage v8, the input terminal (+) of the comparison circuit TVO
A voltage of the level No. 1 is applied to. Also at this time,
MO by the output signal
Since the 8FETQ9 is in the on state, 0 is applied to the input terminal (@) of the comparison circuit TVO. As a result, the comparison circuit TVC outputs a positive voltage equalization error signal A.
Output. By this equalization error signal A and the output signal of -I level of the delay circuit 11-1, the multiplication circuit 12-1
outputs a high V output signal to the logic circuit log -1. As a result, the logic circuit log-1 outputs the pulse signal U, which is the phase-inverted pulse signal φ, for a certain period of time as described in the first embodiment. As a result, the output voltage V8□ of the pulse width-voltage conversion circuit 0V-1 increases, and the difference between it and the voltage value of the echo component E1 is reduced.

反対に、出力電圧■2□の方がエコー成分E1の電圧値
よりも高かった場合、比較回路TVOの入力端子(、−
)K印加される電圧の万が、入力端子(+)に印加され
る電圧よりも高くなる。このため、等化誤差信号Aは、
負の電圧となり、論理回路1Joz −1に負の出力信
号が印加される。これにより、論理回路log −1は
、ある時間、パルス信号φに対応したパルス信号りをパ
ルス幅−電圧変換回路CV−tに供給する。この結果、
上記実施例1で述べたようにパルス幅−電圧変換回路e
V−1の出力電圧vg□の電圧値が低下し、エコー成分
E1との間の差が小さくされる。
On the other hand, if the output voltage ■2□ is higher than the voltage value of the echo component E1, the input terminal (, -
) The voltage applied to K is higher than the voltage applied to the input terminal (+). Therefore, the equalization error signal A is
The voltage becomes negative, and a negative output signal is applied to the logic circuit 1Joz-1. As a result, the logic circuit log-1 supplies a pulse signal corresponding to the pulse signal φ to the pulse width-voltage conversion circuit CV-t for a certain period of time. As a result,
As described in Example 1 above, the pulse width-voltage conversion circuit e
The voltage value of the output voltage vg□ of V-1 decreases, and the difference between it and the echo component E1 is reduced.

また、エコー成分E1と出力電圧■2□とが同じ値の場
合には、等化誤差信号Aがほぼ0■となるため、論理回
路7og−1はハイレベルのパルス信号Uとロウレベル
のパルス信号りを出力する。これにより、MO8FET
QI 3.Ql 6がオフ状態となり、出力電圧■8□
の値は変化しない。
Furthermore, when the echo component E1 and the output voltage ■2□ have the same value, the equalization error signal A becomes almost 0■, so the logic circuit 7og-1 outputs the high-level pulse signal U and the low-level pulse signal output. This allows MO8FET
QI 3. Ql 6 turns off, and the output voltage ■8□
The value of does not change.

他の出力電圧vg□、■g3とエコー成分E2゜E3V
cついても、上述したのと同様に等化誤動検出回路Nが
働いて、エコー成分とそれに対する出力電圧との間の差
が小さくされる。
Other output voltages vg□, ■g3 and echo components E2゜E3V
Even if c, the equalization error detection circuit N operates in the same way as described above, and the difference between the echo component and the corresponding output voltage is reduced.

なお、第3図には、正の信号(メインパルスMP)につ
いてのみ、エコー成分、を除く回路が示されているが、
負の信号についても、上述したのと同様な回路を設ける
ことによってエコー成分を除くことができる。すなわち
、出力信号Yを受けるシフトレジスタ、上記掛算回路1
2−1〜12−3.14−1〜14−3に対応する掛算
回路、上記論理回路log−1〜log −3に対応す
る論理回路、上記パルス幅−電圧変換回路0V−1〜0
v−3に対応するパルス幅−電圧変換回路及び上記加算
回路13に対応する力n算回路を設けて、この加算回路
の出力電圧を上記刃口減算回路1の新らたに設げられた
入力端子(+)に供給するようにすればよい。
Note that although FIG. 3 shows a circuit that excludes echo components only for the positive signal (main pulse MP),
Even for negative signals, echo components can be removed by providing a circuit similar to that described above. That is, the shift register receiving the output signal Y, the multiplication circuit 1
2-1 to 12-3. Multiplication circuits corresponding to 14-1 to 14-3, logic circuits corresponding to the logic circuits log-1 to log-3, and pulse width-voltage conversion circuits 0V-1 to 0.
A pulse width-voltage conversion circuit corresponding to V-3 and a force n calculating circuit corresponding to the adding circuit 13 are provided, and the output voltage of this adding circuit is converted to the output voltage of the adding circuit 1. What is necessary is to supply it to the input terminal (+).

第3次のエコー成分、すなわち上記エコー成分E3は、
そのレベルか数十mVと小さい。第」図に示されている
ような電圧発生回路(電流−パルス幅変換回路■0とパ
ルス幅−電圧変換回路C■によって構成された電圧発生
回路)をエコー成分を相殺するだめの電圧源として用い
ることによって、そのレベルが小さいエコー成分に高精
度に近似された電圧を形成することができろため、精度
の高い等化動作を行なうことができる。すなわち、電源
の変動などに影響されない微少電圧を形成することがで
きるため、精度の高い等化動作を行なわせることができ
る。
The third-order echo component, that is, the echo component E3, is
That level is as small as several tens of mV. The voltage generation circuit shown in Figure 1 (a voltage generation circuit composed of a current-pulse width conversion circuit 0 and a pulse width-voltage conversion circuit C) is used as a voltage source to cancel the echo component. By using this, it is possible to form a voltage that is highly accurately approximated to the echo component whose level is small, so that a highly accurate equalization operation can be performed. That is, it is possible to form a very small voltage that is not affected by fluctuations in the power supply, so that highly accurate equalization operation can be performed.

なお、この実施例においては、3個のパルス幅−電圧変
換回路に対して共通に1個の電流−パルス幅変換回路が
設けられている。これにより素子数の減少が図られてい
る。
In this embodiment, one current-pulse width conversion circuit is provided in common for three pulse width-voltage conversion circuits. This attempts to reduce the number of elements.

〔実施例3〕 第5図には、この発明をミラー積分回路のオフセットキ
ャンセル回路に適用した場合の一実施例の回路図が示さ
れている。
[Embodiment 3] FIG. 5 shows a circuit diagram of an embodiment in which the present invention is applied to an offset canceling circuit of a Miller integrating circuit.

この実施例においては、演算増幅回路OFと、その反転
入力(−)と出力端子OUTとの間に設けられたキャパ
シタCと、上記反転入力(−)と入力端子INとの間に
設けられた抵抗素子Rとによってミラー積分回路が構成
されている。演算増幅回路OPのオフセット除去の・た
め、上記第1図の実施例と同様な電圧発生回路VGで形
成された電圧vgか演算増幅回路OPの非反転入力(+
)に供給される。通常、演算増幅回路OFは、その一対
の入力レベルが互いに等しくても出力信号が生じてしま
う。すなわち、演算増幅回路は、いわゆるオフィストを
持っている。これは、例えば演算増幅回路が差動増幅回
路を含んでおり、その差動増幅回路を構成するベア素子
、例えば1対のMOSFETの特性が、製造条件のバラ
ツキ等によって互いに一致しないために生じる。このた
め、積分回路は、演算増幅回路のオフセットのために、
入力信号を高N度に積分することができないという欠点
を持っている。このようなオフセント除去のため、上述
のような電圧発生回路VGが用いられる。
In this embodiment, an operational amplifier circuit OF, a capacitor C provided between its inverting input (-) and the output terminal OUT, and a capacitor C provided between the inverting input (-) and the input terminal IN. The resistor R constitutes a Miller integration circuit. In order to remove the offset of the operational amplifier circuit OP, the voltage vg generated by the voltage generating circuit VG similar to the embodiment shown in FIG.
). Normally, the operational amplifier circuit OF generates an output signal even if its pair of input levels are equal to each other. That is, the operational amplifier circuit has a so-called office. This occurs because, for example, the operational amplifier circuit includes a differential amplifier circuit, and the characteristics of bare elements, such as a pair of MOSFETs, forming the differential amplifier circuit do not match each other due to variations in manufacturing conditions. Therefore, due to the offset of the operational amplifier circuit, the integrator circuit
It has the disadvantage that the input signal cannot be integrated to a high N degree. To remove such offsets, the voltage generating circuit VG as described above is used.

すなわち、通常、上記オフセントは数十mVの微少な電
圧となるので、このオフセット電圧に相当する微少電圧
vgを制御信号Up、Downを使って形成して、上記
非反転入力(+)側に供給することによって、その相殺
を行わせるものである。
That is, since the above-mentioned offset is usually a very small voltage of several tens of mV, a very small voltage vg corresponding to this offset voltage is formed using the control signals Up and Down and is supplied to the non-inverting input (+) side. By doing so, the offset can be achieved.

なお、低消費電力化のために、積分すべき入力信号が供
給された時だけ、上記電圧発生回路VGを動作させるよ
うにしてもよい。演算増幅回路の持つオフセットの極性
に応じて、上記微少電圧vgの極性が設定されるもので
ある。
Note that in order to reduce power consumption, the voltage generating circuit VG may be operated only when an input signal to be integrated is supplied. The polarity of the minute voltage vg is set according to the polarity of the offset of the operational amplifier circuit.

〔効果〕〔effect〕

(1+、基準電流に比例した電流により、基準電流に反
比例した時間、キャパシタへの充電動作又は放電動作を
行ない、キャパシタに保持された電圧にもとづいて出力
電圧を形成するようにしたことにより、基準電流が変化
しても、キャパシタへの充電動作又は放電動作を行なう
時間が、基準電流の変化に反比例して変化し、キャパシ
タへの充電動作又は放電動作を行なうための電流が、基
準電流の変化に比例して変化するため、充電動作又は放
より、キャパシタに保持された電圧は、基準電流の変化
にほとんど影響されなくなる。このため、基準電流の変
動に影響されない、高精度に制御された出力電圧を形成
することができるという効果が得られる。
(1+) The capacitor is charged or discharged by a current proportional to the reference current for a time inversely proportional to the reference current, and the output voltage is formed based on the voltage held in the capacitor. Even if the current changes, the time for charging or discharging the capacitor changes in inverse proportion to the change in the reference current, and the current for charging or discharging the capacitor changes in proportion to the change in the reference current. The voltage held in the capacitor during charging or discharging is almost unaffected by changes in the reference current.Therefore, a precisely controlled output that is unaffected by fluctuations in the reference current. The effect is that a voltage can be generated.

(2)、キャパシタへの充電動作と放電動作とを基準電
流に反比例した時間、基準電流に比例した電流によって
それぞれ行なうことによって、キャパシタに充電される
電荷量と放電される電荷量が、基準電流の変動に実質的
に影響されなくなるため、キャパシタに保持てれた電、
圧にもとづい又出力電圧を形成するようにすれば、基準
電流の変動に影響されない高精度に制御されたパルス状
の出力電圧を形成することができるという効果が得られ
る。
(2) By performing the charging and discharging operations on the capacitor for a time inversely proportional to the reference current and with a current proportional to the reference current, the amount of charge charged to the capacitor and the amount of charge discharged are Since the current held in the capacitor is virtually unaffected by fluctuations in
By forming the output voltage based on the voltage, it is possible to form a highly precisely controlled pulsed output voltage that is not affected by fluctuations in the reference current.

(3)、その保持電圧にもとづいて出力電圧が形成され
るキャパシタへの充電と放電を切り換えろためノスイッ
チ手段としてPチャン坏ル型MO8F’ETとNチャン
ネル型MO8F’ETとを用いることによって、Pチャ
ンネル型MO8FETのフィードスルーによって生じる
キャパシタの保持電圧の変化と、Nチャンネル型MO8
FETのフィードスルーによって生じるキャパシタの保
持電圧の変化とが互に異なる方向に変化するようにでき
るため、例えば一定となるべき出力電圧を形成するとき
、そのレベルか正又は負に徐々に変化してしまうという
問題を減らすことができると℃・う効果が得られる。
(3) By using a P-channel type MO8F'ET and an N-channel type MO8F'ET as a switch means for switching between charging and discharging the capacitor, which forms an output voltage based on the holding voltage. , the change in the holding voltage of the capacitor caused by the feedthrough of the P-channel MO8FET, and the change in the holding voltage of the capacitor caused by the feedthrough of the P-channel MO8FET, and the
Since the change in the holding voltage of the capacitor caused by the feedthrough of the FET can be made to change in different directions, for example, when forming an output voltage that should be constant, the level can be gradually changed to positive or negative. If you can reduce the problem of storing things away, you will get a ℃/cold effect.

(4)、その保持電圧にもとづいて出力電圧が形成され
るキャパシタへの充電と放電を切り換えろためのスイッ
チ手段として互いにほぼ同じ寸法のPチャンネル型MO
8FETとNチャンネル型MO8、F” E Tとを用
いることによって、Pチャンネル型M OS F E 
Tのフィードスルーによって生じるキャパシタの保持電
圧の変化と、Nチャンネル型MO8FETのフィードス
ルーによって生じるキャパシタの保持電圧の変化とが互
に異なる方向にほぼ同じ値だけ変化するようにできるた
め、例えば一定となるべき出力電圧を形成するとき、そ
のレベルが正又は負に徐々に変化してしまうという問題
を防止することができるという効果が得られる。
(4) A P-channel type MO with approximately the same dimensions as a switching means for switching between charging and discharging a capacitor, which forms an output voltage based on its holding voltage.
By using 8FET and N-channel type MO8, F''ET, P-channel type MOSFET
The change in the holding voltage of the capacitor caused by the feedthrough of the T and the change in the holding voltage of the capacitor caused by the feedthrough of the N-channel MO8FET can be made to change by approximately the same value in different directions, for example. When forming the desired output voltage, it is possible to prevent the problem of the level gradually changing to positive or negative.

(5)、基準電流の変動に影響されない出力電圧を形成
することかできる電圧発生回路が得られるためこれをデ
ィジタル電話機用線路等化器のエコー成分相殺用電圧発
生回路に適用することにより、伝送されたパルス信号か
ら確実にエコー成分を減らすことのできる等化器を得ろ
ことができるという効果が得られる。
(5) Since a voltage generation circuit that can form an output voltage that is not affected by fluctuations in the reference current can be obtained, by applying this to a voltage generation circuit for canceling the echo component of a line equalizer for a digital telephone, transmission The effect is that it is possible to obtain an equalizer that can reliably reduce echo components from the pulse signal that is generated.

(6)、第1の電流と第2の電流との間の比例定数αと
、第1の電流と第3の電流との間、の比例定数βとの比
と、キャパシタの容量値とによって決まる微少電圧単位
で出力電圧の値を調整できるため、上記定数の比あるい
はキャパシタの容量値、またはこの両者を適当に設定す
ることにより、小さな微小電圧を形成できるとともに出
力電圧の値をこまか(調整できるという効果が得られる
(6), depending on the ratio of the proportionality constant α between the first current and the second current to the proportionality constant β between the first current and the third current, and the capacitance value of the capacitor. Since the value of the output voltage can be adjusted in determined microvoltage units, by appropriately setting the ratio of the above constants, the capacitance value of the capacitor, or both, it is possible to form a small microvoltage and also finely adjust the value of the output voltage. You can get the effect that you can.

(7)、第1の電流とこれにもとづいて形成される第2
の電流との間の比例定数αと、第1の電流とこれにもと
づいて形成される第3の電流との間の比例定数βとの比
と、キャパシタの容量値とによって決まる微少電圧単位
で出力電圧の値を調整できるため、上記定数の比あるい
はキャパシタの容量値、またはこの両者を適当に設定す
ることにより、小さな微小電圧を形成できるとともに出
力電圧の値をこまかく調整できる。また、この形成され
る電圧は、電流の値ではなく、比例定数αとβθ比と、
キャパシタの容量値とによって決まるため、電流の変動
に対してほとんど影響されない電圧を形成することがで
きるという効果が得られる。
(7), the first current and the second current formed based on this
in minute voltage units determined by the ratio of the proportionality constant α between the current and the proportionality constant β between the first current and the third current formed based on this, and the capacitance value of the capacitor. Since the value of the output voltage can be adjusted, by appropriately setting the ratio of the above-mentioned constants, the capacitance value of the capacitor, or both, a small microvoltage can be generated and the value of the output voltage can be finely adjusted. In addition, the voltage that is formed is not determined by the value of the current, but by the proportionality constant α and βθ ratio.
Since it is determined by the capacitance value of the capacitor, it is possible to form a voltage that is almost unaffected by current fluctuations.

(8)MOSFETで電圧発生回路を構成できるから、
半導体集積回路装置に適l〜だ電圧発生回路とずろこと
ができろという効果が得られる。
(8) Since the voltage generation circuit can be configured with MOSFETs,
The advantage is that it can be used with a voltage generating circuit that is suitable for a semiconductor integrated circuit device.

(9)、積分回路を構成する演算増幅回路のオフセント
除去のだめの微少電圧も高精度に形成できるので、高精
度の積分動作を行うことのできるミラー積分回路を提供
することができるという効果が得られる。
(9) Since it is possible to form a minute voltage with high precision to remove the offset of the operational amplifier circuit that constitutes the integrating circuit, it is possible to provide a Miller integrating circuit that can perform highly accurate integrating operation. It will be done.

(10)、基単電流の変動に対して反比例したパルス幅
を持った信号を形成するために使われる第1キヤパシタ
と、上記パルス幅の間、充電あるいは放電される第2ギ
ヤバシタとを美質的に同時に形成するようにすれば、製
造条件にバラツキがあっても第1キヤパシタと第2キヤ
パシタの容量比はほとんど変化しない。このため、製造
条件のバラツキによって第」キャパシタの容量値か変化
し、これにより上記パルス幅が変化した場合、第2キヤ
パシタを充電あるいは放電する時間が変化してしまうが
、この第2キヤパシタの容量値は第1キヤパシタの容量
値と同様に変化するため、充電あるいは放電によって決
まる第2キヤパシタの保持電圧は、製造条件のバラツキ
などに対してほとんど変動しない。従って、第2キヤパ
シタの保持電圧にもとづいた電圧をその出力電圧とする
ことにより製造歩留の高い電圧発生回路を得ろことがで
きろという効果が得られる。
(10), the first capacitor is used to form a signal with a pulse width inversely proportional to the fluctuation of the base current, and the second gear capacitor is charged or discharged during the pulse width. If they are formed at the same time, the capacitance ratio between the first capacitor and the second capacitor will hardly change even if there are variations in manufacturing conditions. Therefore, if the capacitance value of the second capacitor changes due to variations in manufacturing conditions, and the pulse width changes as a result, the time for charging or discharging the second capacitor will change; Since the value changes in the same way as the capacitance value of the first capacitor, the holding voltage of the second capacitor determined by charging or discharging hardly changes due to variations in manufacturing conditions. Therefore, by setting the voltage based on the holding voltage of the second capacitor as its output voltage, it is possible to obtain a voltage generating circuit with a high manufacturing yield.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記第1図の
回路において、キャパシタC2の放電回路を単にリセ、
ノド用MO8FETとし、キャパシタC2への充電電圧
のみを出力電圧とするものであってもよい。この場合に
は、出力回路として、この電圧を受けろサンプルホール
ド回路を設けて、スタティックな電圧信号に変換するも
のであってもよい。また、上記各電流源を構成する具体
的回路は、種々の実施形態を採ることができるものであ
る。また、上記基準電圧Vrefは、電諒電圧の変動に
従ってその値が変化する電圧であってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the circuit shown in FIG. 1 above, simply resetting the discharge circuit of capacitor C2,
The MO8FET for the node may be used, and only the charging voltage to the capacitor C2 may be used as the output voltage. In this case, a sample and hold circuit may be provided as an output circuit to receive this voltage and convert it into a static voltage signal. Furthermore, the specific circuits constituting each of the current sources described above can take various embodiments. Further, the reference voltage Vref may be a voltage whose value changes according to fluctuations in the voltage.

〔利用分野〕[Application field]

この発明は、上記実施例に限定されず、高精歴に制御さ
れた電圧を形成する電圧発生回路として広く利用できる
ものである。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be widely used as a voltage generating circuit that generates a highly precisely controlled voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、その動作を説明するための波形図、第3図は、この発
明をディジタル電話機用線路等化器における判定帰還型
自動等化器に適用した場合の一実施例を示すブロック図
、 第4図は、その動作を説明するための波形図、第5図は
、この発明をミラー積分回路に適用した場合の一実施例
を示す回路図である。 Vo、  2. 3・・・電圧比較回路、OP・・・演
算増幅回路、LOG・・・組合論理回路、M・・・3値
しベル判定回路、11・・・シフトンジスタ、■G・・
・電圧発生回路、10・・・電流−パルス幅変換回路、
Cv・・・パルス幅−電圧変換回路、N・・・等化誤差
検出回路。 第  1  図 第  2 図 メロWル
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram for explaining its operation, and FIG. FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of the invention when applied to an automatic equalizer, FIG. 4 is a waveform diagram for explaining its operation, and FIG. 5 is an embodiment of the invention when it is applied to a Miller integration circuit. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example. Vo, 2. 3...Voltage comparison circuit, OP...Operation amplifier circuit, LOG...Combined logic circuit, M...Three value and bell judgment circuit, 11...Shifton register, ■G...
・Voltage generation circuit, 10... current-pulse width conversion circuit,
Cv...Pulse width-voltage conversion circuit, N...Equalization error detection circuit. Figure 1 Figure 2 Melo W Le

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基準電流発生回路と、この基準電流に従った電流を
形成する第1の電流源と、クロック信号を受けて上記電
流源の電流をキャパシタC1に供給する第1のスイッチ
MO8FETと、このキャパク信号との位相差に見合っ
たパルス幅をもつ信号を形成する論理ゲート回路と、上
記基準電流に従った電流を形成する第2の電流源と、上
記論理ゲート回路の出力信号を受けて上記第2の電流源
の電流をキャパシタC2に供給する第2のスイッチMO
8FETと、上記キャパシタCI、C2の保持電圧をそ
れぞれ所定のタイミングで放電させる放電回路とを言み
、上記キャパシタC2の保持電圧を出力可、圧としたこ
とを特徴とする電圧発生回路。 2、上記キャパシタC2の放電回路は、上記第2の電流
源の電流値と同じ値に設定された放電電流を流す第3の
電流源と、第3のスイッチMO8FETとで構成され、
上記第2のスイッチMO8FETと第3のスイッチMO
8FETとは、上記論理ゲート回路の出力信号により形
成された2相パルス信号によりそれぞれ制御されるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記帳の電
圧発生回路。 3、上記第1〜第3の電流源は、電流ミラー形態のMO
8F’ETによって構成されるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1又は第2項記載の電圧発生回路
。 4、上記第2のスイッチMO8FETは、そのフィール
ドスルーが出力電圧を大きくする方向に発生するMOS
FETが用いられ、上記第3のスイッチMO8FETは
、そのフィールドスルーが出力電圧を小さくする方向に
発生するMOSFETが用いられるものであることを特
徴とする特許請求の範囲第2又は第3項記載の電圧発生
回路。 5、上記出力電圧は、ゲイジタルト話機用線路等化器に
おける判定帰還型自動等化器の制御電圧源と1.て用い
られるものであることを特徴とする特許請求の範囲第2
、第3又は第4項記載の電圧発生回路。 6、上記第2のスイッチMO8FETと上記第3のスイ
ッチMO8FETとは、互いに異なる導電型であって、
互いに実質的に同じ寸法であることを特徴とする特許請
求の範囲第4又は第5項記載の電圧発生回路。
[Claims] 1. A reference current generation circuit, a first current source that generates a current according to the reference current, and a first current source that receives a clock signal and supplies the current of the current source to the capacitor C1. A switch MO8FET, a logic gate circuit that forms a signal with a pulse width commensurate with the phase difference with this capacitor signal, a second current source that forms a current according to the reference current, and an output of the logic gate circuit. a second switch MO that receives the signal and supplies the current of the second current source to the capacitor C2;
8FET and a discharge circuit that discharges the voltages held in the capacitors CI and C2 at predetermined timings, the voltage generation circuit is characterized in that the voltage held in the capacitor C2 can be output. 2. The discharge circuit of the capacitor C2 is composed of a third current source that flows a discharge current set to the same value as the current value of the second current source, and a third switch MO8FET,
The second switch MO8FET and the third switch MO
2. The voltage generating circuit according to claim 1, wherein each of the 8FETs is controlled by a two-phase pulse signal formed by the output signal of the logic gate circuit. 3. The first to third current sources are current mirror MOs.
3. The voltage generating circuit according to claim 1, wherein the voltage generating circuit is constituted by 8F'ET. 4. The second switch MO8FET is a MOS whose field through occurs in the direction of increasing the output voltage.
The third switch MO8FET is a MOSFET whose field through occurs in the direction of decreasing the output voltage. Voltage generation circuit. 5. The above output voltage is the control voltage source of the decision feedback type automatic equalizer in the line equalizer for the gauge Talto telephone and 1. Claim 2 is characterized in that it is used for
, the voltage generating circuit according to item 3 or 4. 6. The second switch MO8FET and the third switch MO8FET are of different conductivity types,
6. The voltage generating circuit according to claim 4, wherein the voltage generating circuit has substantially the same dimensions.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015211270A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 株式会社東芝 Receiving circuit and communication system

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