JPS59211811A - 表面あらさ測定装置 - Google Patents
表面あらさ測定装置Info
- Publication number
- JPS59211811A JPS59211811A JP8572483A JP8572483A JPS59211811A JP S59211811 A JPS59211811 A JP S59211811A JP 8572483 A JP8572483 A JP 8572483A JP 8572483 A JP8572483 A JP 8572483A JP S59211811 A JPS59211811 A JP S59211811A
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- JP
- Japan
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- measured
- plane
- light
- interference
- surface roughness
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- Pending
Links
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気テープ、磁気ディスクなどの軟質物の表面
のめらさを光学的に非接触で測定する装置に関するもの
である。
のめらさを光学的に非接触で測定する装置に関するもの
である。
従来の表面ららさ測定器は被測定物に触針を接触させ、
その触針の振動を電気信号に変換するか、または触針に
連結した鏡の変位を光学的に増幅しこの増幅変位量から
表面あらさを測定するものである。
その触針の振動を電気信号に変換するか、または触針に
連結した鏡の変位を光学的に増幅しこの増幅変位量から
表面あらさを測定するものである。
しかし、このような測定器では、触針の接触圧力による
被測定物表面の変形および損傷などを防止するため、触
針の接触圧力は極力低く設定する必要が套る。したがっ
て、検出速度が遅いばかシでなく、精度、安定性および
簡便性などにおいて問題がある。
被測定物表面の変形および損傷などを防止するため、触
針の接触圧力は極力低く設定する必要が套る。したがっ
て、検出速度が遅いばかシでなく、精度、安定性および
簡便性などにおいて問題がある。
そこで表面ろらさを、ンーザ光を使用して基準面とのギ
ャップの変化となし、光学的に測定する手段が提案され
ている。このような手段は被測定物を移動させる際、機
械的なガタによシ誤差を発生する欠点がある。
ャップの変化となし、光学的に測定する手段が提案され
ている。このような手段は被測定物を移動させる際、機
械的なガタによシ誤差を発生する欠点がある。
本発明は上記欠点を解消し、被測定物の表面あらさを高
精度に、かつ簡便に測定することを目的とするものであ
る。
精度に、かつ簡便に測定することを目的とするものであ
る。
本発明は上記目的を達成するために、レーザ発振器、ビ
ームスプリッタ、集光レンズ、集光を反射する基準面、
この基準面と平行に設けた被測定物固定面、前記基準面
と被測定物固定面を一体として移動させる手段およびビ
ームスプリッタの側方に対設した光センサなどによシ構
成し、前記基準面と被測定物表面からの両反射光の干渉
によシ生ずる干渉縞を前記移動手段を介して移動させ、
この干渉縞の移動を光センサにより検出して被測定物の
表面ららさを測定するものにしたものである。
ームスプリッタ、集光レンズ、集光を反射する基準面、
この基準面と平行に設けた被測定物固定面、前記基準面
と被測定物固定面を一体として移動させる手段およびビ
ームスプリッタの側方に対設した光センサなどによシ構
成し、前記基準面と被測定物表面からの両反射光の干渉
によシ生ずる干渉縞を前記移動手段を介して移動させ、
この干渉縞の移動を光センサにより検出して被測定物の
表面ららさを測定するものにしたものである。
以下本発明の一実施例を図面について説明する。
第1図において、1は単色光を発する光源例えばレーザ
発振器、2はレーザ発振器1から発振されるレーザビー
ムを透過または反射させるビームスプリッタ、3はビー
ムスグリツタ2を透過した光を集光する集光レンズ、4
は基準平面、5は基□準平面4を支持し、基準平面4と
平行な平面5aを備える支持台、6は前記平面5a上に
固定された被測定物、例えば不透明な磁気テープ、7は
前記支持台5を矢印9方向に移動させる手段、例えば移
動台、8はビームスグリツタ2の側方に対向するように
設けられた光センサで、この光センサ8は入射光を電気
信号に変換する光検出器を線状に配置したアレイセンサ
である。
発振器、2はレーザ発振器1から発振されるレーザビー
ムを透過または反射させるビームスプリッタ、3はビー
ムスグリツタ2を透過した光を集光する集光レンズ、4
は基準平面、5は基□準平面4を支持し、基準平面4と
平行な平面5aを備える支持台、6は前記平面5a上に
固定された被測定物、例えば不透明な磁気テープ、7は
前記支持台5を矢印9方向に移動させる手段、例えば移
動台、8はビームスグリツタ2の側方に対向するように
設けられた光センサで、この光センサ8は入射光を電気
信号に変換する光検出器を線状に配置したアレイセンサ
である。
次に上記のような構成からなる本実施例の作用について
説明する。
説明する。
レーザ発振器1から発振されたレーザビーム10は、ビ
ームスプリッタ2を透過して集光レンズ3に至り、この
集光レンズ3で集光された光の一部は基準平面4を透過
し、磁気テープ6の表面に焦点を結び、こ\で反射され
る。この反射光をB1と称す。前記集光レンズ3で集光
された光の残部は基準平面4で反射される。この反射光
をB2と称す。前記反射光B1は集光レンズ3に至シ、
ここで平行光(平面波)となってビームスプリッタ2に
至シ、こ\で反射されてアレイセ/す8に人。
ームスプリッタ2を透過して集光レンズ3に至り、この
集光レンズ3で集光された光の一部は基準平面4を透過
し、磁気テープ6の表面に焦点を結び、こ\で反射され
る。この反射光をB1と称す。前記集光レンズ3で集光
された光の残部は基準平面4で反射される。この反射光
をB2と称す。前記反射光B1は集光レンズ3に至シ、
ここで平行光(平面波)となってビームスプリッタ2に
至シ、こ\で反射されてアレイセ/す8に人。
射する。
一方、基準平面4で反射された光B2は、基準平面4が
集光レンズ3の焦点と一致していないから球面波となる
。この球面波は、基準平面4と磁気テープ6との距離が
短かいときには、ビームの拡が9はそれ程大きくないの
で、前記反射光B1と同一光路を経て2−一部スプリッ
タ2に至シ、ここで反射されてアレイセンサ8に至る。
集光レンズ3の焦点と一致していないから球面波となる
。この球面波は、基準平面4と磁気テープ6との距離が
短かいときには、ビームの拡が9はそれ程大きくないの
で、前記反射光B1と同一光路を経て2−一部スプリッ
タ2に至シ、ここで反射されてアレイセンサ8に至る。
この場合、前記反射光B1とB2は光路長差Δtに応じ
た干渉信号を発生する。その光路長差Δtri、基準平
面4と磁気テープ6の表面との距離8に起因するもの(
ΔAt )と、反射光Bl。
た干渉信号を発生する。その光路長差Δtri、基準平
面4と磁気テープ6の表面との距離8に起因するもの(
ΔAt )と、反射光Bl。
B2がそれぞれ平面波および球面波であることに起因す
るもの(Δtz)として分けることができる。
るもの(Δtz)として分けることができる。
前記ΔtIは下記(1)式で表わされることは容易に理
解される。
解される。
Δt1−26 ・・・(υついで、上記
Δt2を求めるために、まず平面波と球面波との間に生
ずる光路長差を求める。
Δt2を求めるために、まず平面波と球面波との間に生
ずる光路長差を求める。
第2図において、Z軸方、向に進行する平面波Cおよび
点Aから発した球面波りが、点Aから距離tの位置でZ
軸に垂直に立てた平面Σに入射す−る場合、Z軸と平面
Σとの交点を0とし、とのOから距離γの位置における
二つの光の光路長差Δt′を求める。この光路長差ΔL
′が点Oで零であるとすると、Δt′は下記(2)式で
表わされる。
点Aから発した球面波りが、点Aから距離tの位置でZ
軸に垂直に立てた平面Σに入射す−る場合、Z軸と平面
Σとの交点を0とし、とのOから距離γの位置における
二つの光の光路長差Δt′を求める。この光路長差ΔL
′が点Oで零であるとすると、Δt′は下記(2)式で
表わされる。
・・・(2)
したがって、光源の波長をλとすると、垂直面Σ上にお
ける干渉パターンは下記(3)(41式を満足する位置
にそれぞれ明リングEと暗リングFが生ずる。
ける干渉パターンは下記(3)(41式を満足する位置
にそれぞれ明リングEと暗リングFが生ずる。
Δt/=nλ ・・・(3)λ
ΔZ / == nλ+−・・・(4)ま
たソし1l==Q、i、2・・・・・・これよシ第1゛
図の磁気チーブ6おiび基準平面4の各表面よで反射し
た光Bl、B2がアレイセンサ8の位置でi生ずる干渉
パターンを求めることができる。
図の磁気チーブ6おiび基準平面4の各表面よで反射し
た光Bl、B2がアレイセンサ8の位置でi生ずる干渉
パターンを求めることができる。
基準平面4と磁気テープ6との距離δ、果先光レンズの
焦点距離をfとすれば、基準平面4で反射された光B2
は基準平面4から距離δの位置、すなわち集光レンズ3
から距離f−2δの位置で一点に果まる。この光が集光
レンズ3を通ると、集光レンズ3の後方の位置Wから発
した球面波りに変わるとすれば、前記f1 δ、Wとの
間には下記(5)式が成立する。
焦点距離をfとすれば、基準平面4で反射された光B2
は基準平面4から距離δの位置、すなわち集光レンズ3
から距離f−2δの位置で一点に果まる。この光が集光
レンズ3を通ると、集光レンズ3の後方の位置Wから発
した球面波りに変わるとすれば、前記f1 δ、Wとの
間には下記(5)式が成立する。
この(5)式よシWは下記(6)式で表わされる。
いマ、集光レンズ3からビームスプリッタ2を経てアレ
イセンサ8に至る距離をLとすれば、アレイセンサ8の
位置で前記反射光Bl、B2の間に生ずる光路長差のう
ち、反射光B1.“B2がそれぞれ平面波(j?よび球
面波りであることによる光路長差Δt2は前記(2)式
にt=W+Lを代入してえられる。一般にW+L))r
であるから、前記Δtz/d下記(7ン式で表わされる
。
イセンサ8に至る距離をLとすれば、アレイセンサ8の
位置で前記反射光Bl、B2の間に生ずる光路長差のう
ち、反射光B1.“B2がそれぞれ平面波(j?よび球
面波りであることによる光路長差Δt2は前記(2)式
にt=W+Lを代入してえられる。一般にW+L))r
であるから、前記Δtz/d下記(7ン式で表わされる
。
したがって、アレイセンサ8の位置における反射光Bl
、B2の光路長差Δ2(=Δt!十Δtz)は下記(8
)式で表わされる。
、B2の光路長差Δ2(=Δt!十Δtz)は下記(8
)式で表わされる。
満足する位置で明、暗り/グをそれぞn発生する。
したがって、移動台7を介してレーザビームの来光位置
を移動させると、磁気テープ6の表面の凹凸に応じてδ
は微小変化するからΔtも変化する。
を移動させると、磁気テープ6の表面の凹凸に応じてδ
は微小変化するからΔtも変化する。
ところが、一般に前記(8)式において、第2項Δt2
の変化分(第1項Δtの変化分であるから、第2項Δt
2は無視できる。例えばδ=0.5■、f=2 sts
+、L=10001111. r=2tasとし、磁
気テープ6表面の凹凸のためにδが0.5smから(0
,5−)−0,001)+mに変化(1μm変化)した
とすれば、前記Δ71+Δt2の変化はそれぞれ2μm
。
の変化分(第1項Δtの変化分であるから、第2項Δt
2は無視できる。例えばδ=0.5■、f=2 sts
+、L=10001111. r=2tasとし、磁
気テープ6表面の凹凸のためにδが0.5smから(0
,5−)−0,001)+mに変化(1μm変化)した
とすれば、前記Δ71+Δt2の変化はそれぞれ2μm
。
0.002μmである。
したがって、アレイセンサ8で干渉縞の移動をλ
観則す庇は、一つの干渉縞の移動が−の凹凸(磁気テー
プ表面)に相当し、その干渉縞が中心から外方へ同うと
きに(は、集光位置の移動に伴って磁気テープ60表面
が突出する場合でめ9、逆に干渉縞が外方から内方へ向
うときには、磁気テープ6の表面がへこむ場合でりゐこ
とがわかる。
プ表面)に相当し、その干渉縞が中心から外方へ同うと
きに(は、集光位置の移動に伴って磁気テープ60表面
が突出する場合でめ9、逆に干渉縞が外方から内方へ向
うときには、磁気テープ6の表面がへこむ場合でりゐこ
とがわかる。
以上説明したように本発明に工れは、レーザビームの来
光位置を被測定物の表面上を横方向に移動さぜる場合、
上下方向に多少ずnても基準面と被測定物との位置関係
は不変であるので、表面めらさゲ被測定物表面の凹凸に
よる基準面との距離変化として正確に測定することがで
きる。
光位置を被測定物の表面上を横方向に移動さぜる場合、
上下方向に多少ずnても基準面と被測定物との位置関係
は不変であるので、表面めらさゲ被測定物表面の凹凸に
よる基準面との距離変化として正確に測定することがで
きる。
また本発明でVよ、元センサで干渉縞のパターン全観測
しているので、その干渉縞の間隔を補整することによシ
、測足d度をより一層に向上させることが可能である利
点かめる。
しているので、その干渉縞の間隔を補整することによシ
、測足d度をより一層に向上させることが可能である利
点かめる。
第1図は本発明の狭面あらさ測定装置の一実施例を示す
概略図、第2図および第3図は同実施例の作用説チ」図
でるる。 1・・・光源、2・・・ビームスプリッタ、3・・・来
光レンズ、4・・・基準面、5a・・・被測定物置足面
、6・・・被測定物、7・・・移動台、8・・・光セン
サ。 代理人 升埋士 高橋明夫 第1図 箭2図 Σ 第 3 図
概略図、第2図および第3図は同実施例の作用説チ」図
でるる。 1・・・光源、2・・・ビームスプリッタ、3・・・来
光レンズ、4・・・基準面、5a・・・被測定物置足面
、6・・・被測定物、7・・・移動台、8・・・光セン
サ。 代理人 升埋士 高橋明夫 第1図 箭2図 Σ 第 3 図
Claims (1)
- 単色光を発する光源と、その光ビームを透過または反射
させるビームスグリツタと、このビームスプリッタから
の光を集光する集光レンズと、この集光レンズからの集
光を反射する基準面と、この基準面と平行に設け一←れ
た被測定物固定面と、前記基準面および被測定物固定面
を一体として移動させる手段と、前記ビームスグリツタ
の側方に対向するように設けた光センサとからなシ、前
記基準面と被測定物表面からの両反射光の干渉によシ生
ずる干渉縞を前記移動手段を介して移動させ、この干渉
縞の移動を光センサによシ検出して被測定物の表面らら
さを測定するようにしたことを特徴とする表面あらさ測
定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8572483A JPS59211811A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 表面あらさ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8572483A JPS59211811A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 表面あらさ測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211811A true JPS59211811A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13866789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8572483A Pending JPS59211811A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 表面あらさ測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59211811A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6325503A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Ee D S:Kk | 表面粗さ計 |
EP0818667A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Dispositif pour déterminer la forme de la surface d'onde transmise par une pièce transparente à faces sensiblement parallèles |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8572483A patent/JPS59211811A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6325503A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Ee D S:Kk | 表面粗さ計 |
EP0818667A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Dispositif pour déterminer la forme de la surface d'onde transmise par une pièce transparente à faces sensiblement parallèles |
FR2751069A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-16 | Cilas | Dispositif pour determiner la forme de la surface d'onde transmise par une piece transparente a faces sensiblement paralleles |
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