JPS5920989B2 - 2次分解能を持つシンチレ−シヨンカメラ - Google Patents
2次分解能を持つシンチレ−シヨンカメラInfo
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- JPS5920989B2 JPS5920989B2 JP50072800A JP7280075A JPS5920989B2 JP S5920989 B2 JPS5920989 B2 JP S5920989B2 JP 50072800 A JP50072800 A JP 50072800A JP 7280075 A JP7280075 A JP 7280075A JP S5920989 B2 JPS5920989 B2 JP S5920989B2
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- anodes
- photomultiplier tube
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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Description
【発明の詳細な説明】
薄層シンチレーション結晶とこれに光学的に結合する複
数個の光電子増倍管とを有する放射線像化装置は医学及
び医療の分野において広く用いられている。
数個の光電子増倍管とを有する放射線像化装置は医学及
び医療の分野において広く用いられている。
放射線像化装置の基本的なものは米国特許第30110
57号に記述されている。
57号に記述されている。
本発明に係る装置は一般にシンチレーションカメラと称
されるものであり、研究対象から発せられる放射線の分
布像を即座に得る事を目的とする。
されるものであり、研究対象から発せられる放射線の分
布像を即座に得る事を目的とする。
対象は、通常放射性追跡子(トレーサ)の注入された生
体器管である。
体器管である。
本型式のシンチレーションカメラは、対象内に分布する
放射性同位元素から放射されると共に規準器を通過して
薄層シンチレーション結晶内にシンチレーションを発生
せしめる個々のガンマ線を検出する事によって、放射能
分布像を求めるものである。
放射性同位元素から放射されると共に規準器を通過して
薄層シンチレーション結晶内にシンチレーションを発生
せしめる個々のガンマ線を検出する事によって、放射能
分布像を求めるものである。
本発明に係るシンチレーションカメラの1態様において
は、シンチレーション結晶に発生するシンチレーション
は同時に複数の光電子増倍管によって検出される。
は、シンチレーション結晶に発生するシンチレーション
は同時に複数の光電子増倍管によって検出される。
光電子増倍管からの出力は、適当な電子回路によってX
およびy座標信号と、シンチレーション現象のエネルギ
を表わす2信号とに変換される。
およびy座標信号と、シンチレーション現象のエネルギ
を表わす2信号とに変換される。
シンチレーションエネルギが所定の許容範囲内であれば
、シンチレーションの位置を2次元行列として表わす像
が発生され、且つ、記録される。
、シンチレーションの位置を2次元行列として表わす像
が発生され、且つ、記録される。
観測対象内の放射能分布の表示は、X、yおよびZ信号
を陰極線オシロスコープあるいは他の画像表示装置に入
力する事によって得られる。
を陰極線オシロスコープあるいは他の画像表示装置に入
力する事によって得られる。
個々のシンチレーション現象は画面上に、Xおよびy座
標信号に従って位置する輝点として表示される。
標信号に従って位置する輝点として表示される。
輝点の記録は通常写真を用いて行なわれるが、シンチレ
ーションの発生と位置とを表わす諸信号を量子化して電
気的又は磁気的に記憶せしめる事も可能である。
ーションの発生と位置とを表わす諸信号を量子化して電
気的又は磁気的に記憶せしめる事も可能である。
市販のシンチレーションカメラにおいては記憶手段とし
て何れの手段を選択する事も可能となる様に作られてい
る。
て何れの手段を選択する事も可能となる様に作られてい
る。
一般にシンチレーションカメラシステムにおいては、空
間分解能を向上せしめる事が要求されている。
間分解能を向上せしめる事が要求されている。
この分解能は、シンチレーションカメラの出力側におい
て、分離した2点として結像され得る2箇の放射線間の
最小距離によって表現される。
て、分離した2点として結像され得る2箇の放射線間の
最小距離によって表現される。
分解能の低下を阻止すべ〈従来から種々の手段が採用さ
れている。
れている。
例えば特定方向からシンチレータに入射するガンマ線に
対してのみシンチレーションが発生する様に鉛コリメー
タが設置されているが、この手段のみによっては分解能
を充分に向上せしめる事は困難である。
対してのみシンチレーションが発生する様に鉛コリメー
タが設置されているが、この手段のみによっては分解能
を充分に向上せしめる事は困難である。
従来のシンチレーションカメラにおいては、単一陽極と
単一陰極とを有する光電子増倍管による1次座標決定手
段のみを採用している。
単一陰極とを有する光電子増倍管による1次座標決定手
段のみを採用している。
この1次)座標決定手段によると、各光電子増倍管に対
応する単一基準点が2次元空間上に与えられる事になる
。
応する単一基準点が2次元空間上に与えられる事になる
。
従ってシンチレータに入射するガンマ線の像は上記基準
点の間を補間して表示される。
点の間を補間して表示される。
具体的には、19個の光電子増倍管を有する市販シンチ
; レーションカメラにおいては、基準点の数は19点
のみである。
; レーションカメラにおいては、基準点の数は19点
のみである。
37個の光電子増倍管を有するシンチレーションカメラ
においては、基準点の数は37となる。
においては、基準点の数は37となる。
この様な従来シンチレーションカメラを用いる□ と、
シンチレーション結晶あるいは光電子増倍管あるいは電
子的処理回路内における非直線に応じて、記録スべきシ
ンチレーションの位置の線型補間による誤差が生じる。
シンチレーション結晶あるいは光電子増倍管あるいは電
子的処理回路内における非直線に応じて、記録スべきシ
ンチレーションの位置の線型補間による誤差が生じる。
本発明の目的は、2次元空間上に固定される基準点の数
を数倍に増加して誤差を少(する事の出来る2次座標決
定手段を提供する事にある。
を数倍に増加して誤差を少(する事の出来る2次座標決
定手段を提供する事にある。
本発明の目的は、更に1次座標決定手段に付属する2次
座標決定手段を提供する事にある。
座標決定手段を提供する事にある。
具体的には、各光電子増倍管に対して、従来の如き単一
固定基準点に替えて複数個の固定基準点を設ける事にあ
る。
固定基準点に替えて複数個の固定基準点を設ける事にあ
る。
本発明の他の目的は、本発明を用いたシンチレーション
カメラの視野を増大せしめる事にある。
カメラの視野を増大せしめる事にある。
1次座標決定手段によって2次元空間上の特定領域が視
野に収められるとすると、本発明の2次座標決定手段に
よれば、同程度の分解能を得つつ、全視野を拡大する事
が出来る。
野に収められるとすると、本発明の2次座標決定手段に
よれば、同程度の分解能を得つつ、全視野を拡大する事
が出来る。
これにより光電子増倍管の数を増加せしめる事な(、視
野の拡大されたシンチレーションカメラを得る事が出来
る。
野の拡大されたシンチレーションカメラを得る事が出来
る。
本発明の目的は、更に、空間分解能の改善されたシンチ
レーションカメラを提供する事にある。
レーションカメラを提供する事にある。
固定基準点数を増加せしめる事により、基準点はより近
接し、隣接基準点間の補間による歪は軽減され、シンチ
レーションカメラの全体的分解能は改善される事になる
。
接し、隣接基準点間の補間による歪は軽減され、シンチ
レーションカメラの全体的分解能は改善される事になる
。
以下本発明のシンチレーションカメラを図面に従って詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は、本発明に従ったシンチレーションカメラの全
体的な配置を示す。
体的な配置を示す。
該シンチレーションカメラの主要要素は検出ヘッド10
とコンソール60とである。
とコンソール60とである。
該コンソール60はケーブル47によって上記検出ヘッ
ド10に接続されている。
ド10に接続されている。
取付台50は、検出ヘッド10が設置されている枠17
を支持する。
を支持する。
取付台50は底板51と垂直柱18とを含んで構成され
ている。
ている。
枠17は柱18に関して垂直方向に可動であり、検出ヘ
ッド10は枠17の腕により回転可能である。
ッド10は枠17の腕により回転可能である。
検出ヘッド100回転と枠17の移動とは電動化されて
いる事が多く、検出ヘッド10の位置ぎめは比較的容易
である。
いる事が多く、検出ヘッド10の位置ぎめは比較的容易
である。
鉛コリメータ75は検出ヘッド10の下面に取付けられ
ている。
ている。
該はピンホール型コリメータでも良く、又平行型、先細
型あるいは末広型の開口を有するコリメータでも良(、
使用目的に応じて選定すれば良い。
型あるいは末広型の開口を有するコリメータでも良(、
使用目的に応じて選定すれば良い。
上記コンソール60は、上記検出ヘッド、取付台および
コンソール内装置に必要な電源は全て含んでいる。
コンソール内装置に必要な電源は全て含んでいる。
コンソール60は、通常主要表示部70と、増幅および
位置計算回路80等の電気回路と、中央制御部73と、
補助表示部110とを含んでいる。
位置計算回路80等の電気回路と、中央制御部73と、
補助表示部110とを含んでいる。
上記増幅および位置計算回路は、検出された放射現象に
対する直交座標を得るものである。
対する直交座標を得るものである。
放射現象が検出されると、シンチレーションエネルギに
比例したパルス振幅信号が発生される。
比例したパルス振幅信号が発生される。
座標表示信号はパルス振幅信号に対して正規化され、パ
ルス高分析回路は、パルス信号が所定の波高範囲内にあ
る時に、トリガ即ちアンブランキング信号を発生する。
ルス高分析回路は、パルス信号が所定の波高範囲内にあ
る時に、トリガ即ちアンブランキング信号を発生する。
表示部γ0は、放射検出座標を登録および記録する為、
増幅および位置計算回路80からの出力を表示すべ(、
位置記録手段として作動する。
増幅および位置計算回路80からの出力を表示すべ(、
位置記録手段として作動する。
この記録は、陰極線管面上における、トリガ信号を伴っ
た直交座標信号が表わす位置に生じ、写真に撮られる。
た直交座標信号が表わす位置に生じ、写真に撮られる。
制御部73は、レジスタとディジタル表示装置とを有す
る拡大縮小およびタイミング回路や、その他の種々の制
御要素を含む。
る拡大縮小およびタイミング回路や、その他の種々の制
御要素を含む。
補助表示部110は、主要表示部70上の情報の繰返し
表示、あるいは他の情報の同時表示を行う事が出来る。
表示、あるいは他の情報の同時表示を行う事が出来る。
第2図を参照すると、検出ヘッド10は金属筺体16を
含んで構成されており、該金属筐体の内側には、鉛等の
放射線吸収材で構成された放射線遮蔽12が設置されて
いる。
含んで構成されており、該金属筐体の内側には、鉛等の
放射線吸収材で構成された放射線遮蔽12が設置されて
いる。
同様な放射線遮蔽92は、筺体16の上部に設置された
ヘッドカバー93の内側に配置されている。
ヘッドカバー93の内側に配置されている。
筐体16の下端は内側へ屈出したフランジ41となって
おり、該フランジは環状鋼鉄製フレーム20とシンチレ
ーション手段、即チシンチレーション結晶部42とを支
持している。
おり、該フランジは環状鋼鉄製フレーム20とシンチレ
ーション手段、即チシンチレーション結晶部42とを支
持している。
シンチレーション結晶部42の主要要素は薄層シンチレ
ーション結晶3γであり、該結晶は薄いアルミニウム遮
蔽36と透明なガラス円板39との間にはさまれている
。
ーション結晶3γであり、該結晶は薄いアルミニウム遮
蔽36と透明なガラス円板39との間にはさまれている
。
シンチレーション結晶37としてはタリウム活性化ヨウ
化ナトリウムが用いられる。
化ナトリウムが用いられる。
該結晶37は吸湿性である為図に示す如(完全に密閉し
なげればならない。
なげればならない。
アルミニウム遮蔽36は、埋込み材99に埋め込まれた
小ねじ19によって、フレーム20に締め付けられてい
る。
小ねじ19によって、フレーム20に締め付けられてい
る。
光ガイド45は紫外線を透過せしめる透明プラスチック
で構成されたもので、バネにより圧力を加えられたボル
ト22によって、シンチレーション結晶部42のガラス
円板39と密着しており、上記ボルト22は光ガイドを
貫通して鋼鉄フレーム20内に至る。
で構成されたもので、バネにより圧力を加えられたボル
ト22によって、シンチレーション結晶部42のガラス
円板39と密着しており、上記ボルト22は光ガイドを
貫通して鋼鉄フレーム20内に至る。
放射線検出ヘッド内には、複数個の光電子増倍管P1か
らPI3が配置されており、各光電子増倍管は各光電子
増倍管毎に各別に定められたシンチレーション手段、即
ち実施例のシンチレーション結晶37、の特定領域を夫
々視野に収める様設置されている。
らPI3が配置されており、各光電子増倍管は各光電子
増倍管毎に各別に定められたシンチレーション手段、即
ち実施例のシンチレーション結晶37、の特定領域を夫
々視野に収める様設置されている。
実施例では上記光電子増倍管の受光面26は、V字型の
溝15によって相互に分離された光ガイド450台座に
密着している。
溝15によって相互に分離された光ガイド450台座に
密着している。
19個の光電子増倍管は任意の配列でシンチレーション
結晶37の上に配置される。
結晶37の上に配置される。
光電子増倍管の受光面26はシンチレーション結晶部4
2と平行な面上に設置され、且つ両者間に挿入された光
ガイド45によって距離が隔てられている。
2と平行な面上に設置され、且つ両者間に挿入された光
ガイド45によって距離が隔てられている。
幾つかの光電子増倍管P1からPI3の相互位置は第3
図に示されている。
図に示されている。
光電子増倍管P10はシンチレーション結晶37の中心
上に配置されており、光電子増倍管P10の感光面の中
心は、第3図および第4図に示す如(、y軸とy軸とに
よって4象限に分割された2次元座標系の原点Cを与え
ている。
上に配置されており、光電子増倍管P10の感光面の中
心は、第3図および第4図に示す如(、y軸とy軸とに
よって4象限に分割された2次元座標系の原点Cを与え
ている。
第2図は、第3図のy軸に沿った断面図に対応している
。
。
光電子増倍管は、上端を固定板24によって横方向に対
して固定されており、該固定板はねじ23によって支持
リング97に取付けられている。
して固定されており、該固定板はねじ23によって支持
リング97に取付けられている。
支持リング97はねじ21によって垂直支柱46の上端
に締め付けられている。
に締め付けられている。
支柱46の下端は平ねじ(図示せず)によって環状フレ
ーム20に締め付けられている。
ーム20に締め付けられている。
補助支柱95は、支柱46からずれて且つ一定間隔で支
持リング97から上方に伸びている。
持リング97から上方に伸びている。
補助支柱95の下端は支持リング97に、父上端は中間
環状リング91に取付けられている。
環状リング91に取付けられている。
カバー支柱94は中間リング91から上方に伸びており
、支柱95からずれて且つ一定間隔で取付けられている
。
、支柱95からずれて且つ一定間隔で取付けられている
。
上記カバー支柱94はカバー93の重量を支えるもので
ある。
ある。
光電子増倍管P1からPI3は、通常該光電子増倍管の
周囲に設置されたらせんばねによって圧力を受けて光ガ
イド45に密着せしめられると共に、該光電子増倍管P
1からPI3の末広の下端と固定板24とによって、圧
力が保持されている。
周囲に設置されたらせんばねによって圧力を受けて光ガ
イド45に密着せしめられると共に、該光電子増倍管P
1からPI3の末広の下端と固定板24とによって、圧
力が保持されている。
上記らせんばねは図面の簡明さを期して省略されている
。
。
光電子増倍管の上端には、それぞれソケット52がはめ
られており、該ソケットからは電線コード54が伸びて
いる。
られており、該ソケットからは電線コード54が伸びて
いる。
コード54はケーブル47内に結束され、該ケーブルは
放射線検出ヘッドからコンソール60に接続されている
。
放射線検出ヘッドからコンソール60に接続されている
。
図示したシンチレーションカメラは、観測対象から放射
される放射線の分布を決定すると共に、放射線量子とシ
ンチレーション結晶37との間の相互作用の位置を記録
する為に使用される。
される放射線の分布を決定すると共に、放射線量子とシ
ンチレーション結晶37との間の相互作用の位置を記録
する為に使用される。
上記シンチレーション結晶は、広い意味で、放射線量子
の相互作用の2次元座標による位置信号を発生せしめる
薄層変換手段である。
の相互作用の2次元座標による位置信号を発生せしめる
薄層変換手段である。
放射線の入射点においてシンチレーション結晶37によ
って生じた発光は2次元行列即ち座標系における座標と
して検出および記録される。
って生じた発光は2次元行列即ち座標系における座標と
して検出および記録される。
薄層シンチレーション結晶37は、放射性核種あるいは
放射性同位元素から放射されるエネルギを可視光に変換
する為の変換器として働(。
放射性同位元素から放射されるエネルギを可視光に変換
する為の変換器として働(。
各光電子増倍管P1〜P19に夫々対応する各特定領域
は隣接する1又は2以上の他の特定領域と重なりを有す
る様に設定されており、従って各光電子増倍管からみれ
ば光電子増倍管は相互に重複した視野を有する様に配置
されている。
は隣接する1又は2以上の他の特定領域と重なりを有す
る様に設定されており、従って各光電子増倍管からみれ
ば光電子増倍管は相互に重複した視野を有する様に配置
されている。
このために光電子増倍管P1〜P19は光ガイド45に
よってシンチレーション結晶37から隔てられており、
これにより、この実施例においては、成る特定領域の1
点から発せられた光は複数個の光電子増倍管によって検
出される。
よってシンチレーション結晶37から隔てられており、
これにより、この実施例においては、成る特定領域の1
点から発せられた光は複数個の光電子増倍管によって検
出される。
全体として、光電子増倍管P1からPI3は、位置応答
回路と共に、相互に所定の間隔を隔てた直交行列内の主
要点を表わす出力信号を発生する為の1次座標決定手段
として作動する。
回路と共に、相互に所定の間隔を隔てた直交行列内の主
要点を表わす出力信号を発生する為の1次座標決定手段
として作動する。
単独の光電子増倍管とこれに関連する位置応答回路とが
第7図の点線領域5内に2 示されている。
第7図の点線領域5内に2 示されている。
全体として、全ての光電子増倍管についての、領域5内
の構成要素に対応するもの全てが、図示した実施例にお
ける、1次座標決定手段と見なす事が出来る。
の構成要素に対応するもの全てが、図示した実施例にお
ける、1次座標決定手段と見なす事が出来る。
1次座標決定手段によって与えられる主要点は、第4図
に示す直交座標i 系において、数字25で示されると
共に、光電子増倍管の感光面26の中心に対応している
。
に示す直交座標i 系において、数字25で示されると
共に、光電子増倍管の感光面26の中心に対応している
。
放射線入射の2次元座標系における位置座標は、光電子
増倍管の出力信号をシンチレーションカメラシステムの
増幅および位置計算回路によって処理す; る事によっ
て与えられる。
増倍管の出力信号をシンチレーションカメラシステムの
増幅および位置計算回路によって処理す; る事によっ
て与えられる。
各光電子増倍管からの全出力は大まかな座標信号と見な
す事が出来、該座標信号から、各光電子増倍管の個々の
出力に応じて、第4図の主要点250間を補間する事に
より、放射現象の検出位置を得る事が出来る。
す事が出来、該座標信号から、各光電子増倍管の個々の
出力に応じて、第4図の主要点250間を補間する事に
より、放射現象の検出位置を得る事が出来る。
換言すれば、光電子増倍管P1からPI3とこれに対応
する位置応答回路とは、検出されたシンチレーション現
象に対して第3図に示す19個の6角形領域29のそれ
ぞれから受けた光量を定量的に信号化するものと考えら
れる。
する位置応答回路とは、検出されたシンチレーション現
象に対して第3図に示す19個の6角形領域29のそれ
ぞれから受けた光量を定量的に信号化するものと考えら
れる。
各光電子増倍管は重複した視野を有するが、6角形領域
29のそれぞれに対応すると考える事が出来る。
29のそれぞれに対応すると考える事が出来る。
此等6角形領域29は2次元視野内において隣接した領
域を表わす。
域を表わす。
各光電子増倍管は、第5図に示した光電子増倍管P10
と同一の様式で構成されている。
と同一の様式で構成されている。
光電子増倍管P10は中空の被覆71を含んで構成され
ており、該被覆の一部は、結晶37と光学的に結合され
た受光面26となっている。
ており、該被覆の一部は、結晶37と光学的に結合され
た受光面26となっている。
光電陰極72で形成される感光面は、被覆71の受光面
26に近接して配置されている。
26に近接して配置されている。
該光電陰極はシンチレーション結晶37から放射される
光電子を吸収すると共に、受けた光電子の数に比例した
量の電子を放射する。
光電子を吸収すると共に、受けた光電子の数に比例した
量の電子を放射する。
該電子は光電陰極72面上から一様には放射されない。
即ち、光源に近い光電陰極72而上の位置からの方が光
源から遠い光電陰極72面上の位置からよりも多くの電
子を放射する。
源から遠い光電陰極72面上の位置からよりも多くの電
子を放射する。
光電陰極72は、光電放射に伴う電荷損失を補うと共に
光陰極の必要電位を保持すべ(、図示しない直流電源端
子に接続されている。
光陰極の必要電位を保持すべ(、図示しない直流電源端
子に接続されている。
光電陰極72から放射された電子は、該電子が放射され
た光電陰極の部分の対角側に位置する初段の2次電子放
出電極、即ち初段ダイノード内のダイノード板によって
受けられる。
た光電陰極の部分の対角側に位置する初段の2次電子放
出電極、即ち初段ダイノード内のダイノード板によって
受けられる。
即ち、光電陰極72から放射された電子は、第5および
6図に示す仕切り3,4,8および9の如き電子仕切り
によって分割された後、初段ダイノード内の4個のダイ
ノード板群61.62,63および64の特定の1つに
引付けられる。
6図に示す仕切り3,4,8および9の如き電子仕切り
によって分割された後、初段ダイノード内の4個のダイ
ノード板群61.62,63および64の特定の1つに
引付けられる。
即ち、光電陰極72は第6図の仮想破線によって、4個
の扇形即ち象限115,116,117および118に
分割されると考える事が出来る。
の扇形即ち象限115,116,117および118に
分割されると考える事が出来る。
扇形115から放射された電子による応答はダイノード
板群64において最大となる。
板群64において最大となる。
更に、扇形116からの電子による応答はダイノード板
群62において最大となり、扇形117および118は
ダイノード板群61および63にそれぞれ最大の応答を
もたらす。
群62において最大となり、扇形117および118は
ダイノード板群61および63にそれぞれ最大の応答を
もたらす。
各ダイノード板群内の個々のダイノード板53は電子の
通路に対して約45度の角度をもって配置されていると
共に、放射電子を直上に位置するダイノードに向かう様
に方向づけられており、最終的には、最上部に位置する
陽極に至らしめる。
通路に対して約45度の角度をもって配置されていると
共に、放射電子を直上に位置するダイノードに向かう様
に方向づけられており、最終的には、最上部に位置する
陽極に至らしめる。
第5図において、陽極A2P10はダイノード板群63
の直上に、又、陽極AIP10はダイノード板群61の
直上に位置している。
の直上に、又、陽極AIP10はダイノード板群61の
直上に位置している。
従来の光電子増倍管と同様に、第1段のダイノード81
内のダイノード板53に衝突した電子は数個の新たな電
子を放射せしめ、該電子は第2段のダイノード82に至
り、これが繰返される。
内のダイノード板53に衝突した電子は数個の新たな電
子を放射せしめ、該電子は第2段のダイノード82に至
り、これが繰返される。
この電子源はダイノード83から90にわたって持続す
る。
る。
電子は最後に陽極の1つに衝突する。
例えば、初段ダイノード81のダイノード板群61から
放射された電子は、電子を陽極AIP10に至らしめる
。
放射された電子は、電子を陽極AIP10に至らしめる
。
同様に、ダイノード板群63からの電子は、電子を陽極
A2P10に至らしめる。
A2P10に至らしめる。
図示した様に、被覆71内には、複数個の陽極が配置さ
れており、各陽極は光電陰極72の特定の扇形に対応し
ていると共に、該陽極に一意的に対応したリード線12
0上に識別可能な陽極出力信号を生せしめる。
れており、各陽極は光電陰極72の特定の扇形に対応し
ていると共に、該陽極に一意的に対応したリード線12
0上に識別可能な陽極出力信号を生せしめる。
キャップ74を貫通するリード線120の他のものは各
段のダイノードと光電陰極72とに接続されている。
段のダイノードと光電陰極72とに接続されている。
前述の様に、仕切り3,4,8および9は光電陰極と初
段ダイノードとの間に設置されると共に光電陰極からの
電子を対応する初段ダイノードに至らしめる様な構造に
なっている。
段ダイノードとの間に設置されると共に光電陰極からの
電子を対応する初段ダイノードに至らしめる様な構造に
なっている。
光電子増倍管P10は、米国インジアナ州フォートウニ
イン、イーストポンティアツクストリート3700のア
イ・ティー・ティー・コーポレーション(I T T−
Corporation )の電子管部門製造のF40
02(SL)型電子管と同様な動作をするが、構造的に
は変更がある。
イン、イーストポンティアツクストリート3700のア
イ・ティー・ティー・コーポレーション(I T T−
Corporation )の電子管部門製造のF40
02(SL)型電子管と同様な動作をするが、構造的に
は変更がある。
複数個の陽極を有する他の光電子増倍管もシンチレーシ
ョン観測用として提供されているが、完成されたものは
少い。
ョン観測用として提供されているが、完成されたものは
少い。
例えば米国特許第3209201号には、単一の光電子
増倍管を用いたシステムで、XおよびY座標を決定する
為に、各陽極からの個々の信号に可変な重みをつける方
式が記されている。
増倍管を用いたシステムで、XおよびY座標を決定する
為に、各陽極からの個々の信号に可変な重みをつける方
式が記されている。
これに対し本発明においては、陽極からの信号は、以下
に述べる様に、第4図の2次基準点30あるいは区分領
域部32や様な特定の点あるいは区分領域部において受
けた光量を表わしている。
に述べる様に、第4図の2次基準点30あるいは区分領
域部32や様な特定の点あるいは区分領域部において受
けた光量を表わしている。
図示した本発明の実施例においては、光電子増倍管内の
複数個の陽極は、これに対応する位置応答回路と共に、
シンチレーション結晶37からの信号に応答する2次座
標決定手段として動作する。
複数個の陽極は、これに対応する位置応答回路と共に、
シンチレーション結晶37からの信号に応答する2次座
標決定手段として動作する。
単一の陽極とこれに対応する位置応答回路とは、第7図
の点線領域6内に示されている。
の点線領域6内に示されている。
全体として、全光電子増倍管における全陽極についての
、点線領域6内の構成要素に対応するもの全ては2次座
標決、定手段と考えられる。
、点線領域6内の構成要素に対応するもの全ては2次座
標決、定手段と考えられる。
図示した実施例において、2次座標決定手段はガラス被
覆71内および光電子増倍管の対応する位置応答回路内
に含まれている。
覆71内および光電子増倍管の対応する位置応答回路内
に含まれている。
従って2次座標決定手段は1次座標決定手段の中に含ま
れると考える事が出来、放射現象の検出位置を表わす精
密座標信号を、各光電子増倍管からの全出力の和として
与えられる大まかな座標信号と対比して与える為に用い
られる。
れると考える事が出来、放射現象の検出位置を表わす精
密座標信号を、各光電子増倍管からの全出力の和として
与えられる大まかな座標信号と対比して与える為に用い
られる。
従って、陽極出力は、シンチレーションカメラシステム
の表示部70上に発生される位置座標よりも精密な位置
座標を表わす。
の表示部70上に発生される位置座標よりも精密な位置
座標を表わす。
前述の様に、光電子増倍管内の各陽極は、その光電子増
倍管が視野に収めるシンチレーション手段の扇形区分領
域部から生ずる発光のみに応答する。
倍管が視野に収めるシンチレーション手段の扇形区分領
域部から生ずる発光のみに応答する。
例えば、第3図を参照すれば、単一の陽極は隣接する6
角形領域2901つを構成する4箇の扇形区分領域部3
2の内1つに対応すると考える事が出来る。
角形領域2901つを構成する4箇の扇形区分領域部3
2の内1つに対応すると考える事が出来る。
従って、2次座標決定手段は各6角形領域29内の隣接
する複数の各扇形区分領域部32に対応する出力信号を
発生する。
する複数の各扇形区分領域部32に対応する出力信号を
発生する。
各陽極からの信号は、第3図及び第4図の直方行列内の
それぞれの2次基準点30および30′の内の対応した
点において受けた光量を表わすと考えられる。
それぞれの2次基準点30および30′の内の対応した
点において受けた光量を表わすと考えられる。
該2次基準点、例えば点30は主要点25の周囲に散在
していると共に、相互に所定の間隔で並んでいる。
していると共に、相互に所定の間隔で並んでいる。
第4図を参照すると、主要点は相互にX方向に距離Sを
、又X方向に距離りを隔てている。
、又X方向に距離りを隔てている。
2次基準点30は相互にX方向に距離■を、又X方向に
距離Jを隔てている。
距離Jを隔てている。
2次基準点30は主要点25から、X方向に距離iを、
又X方向に距離jを隔てている。
又X方向に距離jを隔てている。
図示の如(,2次空間距離■又はJは対応する1次空間
距離S又はDよりも小さい。
距離S又はDよりも小さい。
従って2次点30および30′は追加基準点を与える事
になり、該追加基準点は、シンチレーション結晶37に
衝突した放射線の座標決定に際しての距離補間に用いら
れる。
になり、該追加基準点は、シンチレーション結晶37に
衝突した放射線の座標決定に際しての距離補間に用いら
れる。
2次基準点が表わす位置には一定の許容範囲がある。
例えば、第4図における2次基準点30は、6角形領域
29を構成する扇形区分領域部32の各々の重心位置を
表わす。
29を構成する扇形区分領域部32の各々の重心位置を
表わす。
他の実施例においては、各2次基準点30′は、6角形
領域29の内接円、即ち光電子増倍管P1からPI3の
受光面26と光ガイド45との円形接触面に対応する内
接円を構成する四分円の重心位置を表わす。
領域29の内接円、即ち光電子増倍管P1からPI3の
受光面26と光ガイド45との円形接触面に対応する内
接円を構成する四分円の重心位置を表わす。
上記以外の基準点の位置決定に関しては、シンチレーシ
ョンカメラの光学的性質を考慮する必要がある。
ョンカメラの光学的性質を考慮する必要がある。
本発明のシンチレーションカメラシステムは、光電子増
倍管の陽極に接続された増幅および位置計算回路を含ん
で構成されており、該回路は、シンチレーション結晶に
衝突した放射線に応答して生じたシンチレーションの直
交座標系における座標に対応する電気信号を発生せしめ
る為のものである。
倍管の陽極に接続された増幅および位置計算回路を含ん
で構成されており、該回路は、シンチレーション結晶に
衝突した放射線に応答して生じたシンチレーションの直
交座標系における座標に対応する電気信号を発生せしめ
る為のものである。
上記増幅および位置計算回路は光電子増倍管の陽極に接
続されており、各発光に応答した光電子増倍管の出力を
、シンチレーション結晶に衝突した放射線の座標に対応
する座標信号に変換する。
続されており、各発光に応答した光電子増倍管の出力を
、シンチレーション結晶に衝突した放射線の座標に対応
する座標信号に変換する。
上記増幅および位置計算回路は、第7図における抵抗7
と、4本の座標信号線+x 、 −x 、 +yおよび
−yを含んで構成されている。
と、4本の座標信号線+x 、 −x 、 +yおよび
−yを含んで構成されている。
上記抵抗は上記座標信号線上に適当な大きさの信号を発
生せしめる為の抵抗手段である。
生せしめる為の抵抗手段である。
上記抵抗7の抵抗値は、第3あるいは4図の2次元座標
系におけるXおよびy軸に関した扇形区分領域部32(
特に対応する2次基準点)の位置に応じて決定される。
系におけるXおよびy軸に関した扇形区分領域部32(
特に対応する2次基準点)の位置に応じて決定される。
従って座標信号線±x 、 −x 、 +yおよび−y
に接続される抵抗7の抵抗値は、通常隣接する他の陽極
に対して異っている。
に接続される抵抗7の抵抗値は、通常隣接する他の陽極
に対して異っている。
上記抵抗は、2次元座標系において各陽極が表わす座標
位置に応じて、各陽極から伝達される信号毎に異った重
みづけを行うものである。
位置に応じて、各陽極から伝達される信号毎に異った重
みづけを行うものである。
第7図のマトリックスシステムは、本発明に使用する為
に市販のシンチレーションカメラを変更したものである
。
に市販のシンチレーションカメラを変更したものである
。
インピーダンス素子としてコンデンサを用いたり或いは
遅延線増幅器を用いた他のマトリックス方式もシンチレ
ーションカメラに用いられており、これらも又本発明に
使用可能である。
遅延線増幅器を用いた他のマトリックス方式もシンチレ
ーションカメラに用いられており、これらも又本発明に
使用可能である。
。本発明のシンチレーションカメラは、更に、陽極に接
続された加重回路手段を含んでいる。
続された加重回路手段を含んでいる。
該加重回路手段は、小陽極出力信号に対してよりも大陽
極出力信号に対して大きな増幅度を与えるという非直線
性により、出力信号を増幅するものでありこれにより、
各シンチレーションに近い扇形区分領域部32に対応す
る陽極からの信号情報を、より遠い扇形区分領域部から
の信号情報よりも優先せしめる事が出来る。
極出力信号に対して大きな増幅度を与えるという非直線
性により、出力信号を増幅するものでありこれにより、
各シンチレーションに近い扇形区分領域部32に対応す
る陽極からの信号情報を、より遠い扇形区分領域部から
の信号情報よりも優先せしめる事が出来る。
第7図においては、上記加重回路手段は閾値前置増幅器
2を有して構成される。
2を有して構成される。
該増幅器においては、所定の閾値以下の陽極出力信号を
、シンチレーションの座標位置にほとんど寄与せしめな
い。
、シンチレーションの座標位置にほとんど寄与せしめな
い。
この閾値は、第7図の前置増幅器2のそれぞれについて
独自に設定される。
独自に設定される。
前置増幅器2の所定の閾値以上の陽極出力信号に対して
は、該陽極出力信号の波高に比例して増幅された出力信
号が発生する。
は、該陽極出力信号の波高に比例して増幅された出力信
号が発生する。
例えば、前置増幅器2の設定閾値を越える陽極AIP1
の出力は、比例した振幅の信号を結線135上に発生せ
しめる。
の出力は、比例した振幅の信号を結線135上に発生せ
しめる。
上記前置増幅器2で増幅される陽極出力信号の波高は閾
値以上の全波高であるのが通常であるが、場合によって
は陽極出力信号の波高を所定高さでカットしたり、或は
又ノイズ等の不必要な信号を除(ため陽極出力信号の波
高を所定幅で選別しても良(、此等手法は従来公知の増
幅回路におけるのと同様である。
値以上の全波高であるのが通常であるが、場合によって
は陽極出力信号の波高を所定高さでカットしたり、或は
又ノイズ等の不必要な信号を除(ため陽極出力信号の波
高を所定幅で選別しても良(、此等手法は従来公知の増
幅回路におけるのと同様である。
上記加重回路手段は上記増幅および位置計算回路の抵抗
7をも含むと考える事も出来る。
7をも含むと考える事も出来る。
前述の様に、表示部70で構成される位置記録手段は、
検出放射線の座標を登録且つ記録するべく、上記増幅お
よび位置計算回路の出力に接続されている。
検出放射線の座標を登録且つ記録するべく、上記増幅お
よび位置計算回路の出力に接続されている。
以上の記述および図面は説明の為のものであり、これに
よって不要な制限を与えるものではない。
よって不要な制限を与えるものではない。
本発明シンチレーションカメラはこの様なものであるか
ら、前述の如き目的を達成する事が出来、従って従来の
シンチレーションにおける不利益を解消する事が出来る
。
ら、前述の如き目的を達成する事が出来、従って従来の
シンチレーションにおける不利益を解消する事が出来る
。
又、光電増倍管の光陰極の異る扇形部分を適当な材質で
被覆する事により受けたシンチレーションのエネルギあ
るいは波長を変化せしめて、光電増倍管からのパルスが
特定の扇形区分領域部からの放射として識別出来るなら
ば、複数陽極光電増倍管に代えて単一陽極光電増倍管を
使用する事も可能である。
被覆する事により受けたシンチレーションのエネルギあ
るいは波長を変化せしめて、光電増倍管からのパルスが
特定の扇形区分領域部からの放射として識別出来るなら
ば、複数陽極光電増倍管に代えて単一陽極光電増倍管を
使用する事も可能である。
更に従来のシンチレーションカメラに見られる種々の特
徴を必要に応じて変更し、本発明のシンチレーションカ
メラシステムに組込む事も出来る。
徴を必要に応じて変更し、本発明のシンチレーションカ
メラシステムに組込む事も出来る。
第1図は本発明シンチレーションカメラの全体構成を示
す正面図、第2図は第1図の検出ヘッドの正面断面図、
第3図は2次元行列とシンチレーションカメラの光電子
増倍管との関係を示す略解図、第4図は2次元座標系と
、本発明の座標決定手段によって改善された分解能とを
示す略解図、第5図は本発明に用いる複数個の陽極を有
する光電子増倍管の正面断面図、第6図は第5図の光電
子増倍管の線6−6に沿った平面断面図、第7図は本発
明の実施例に用いる電子回路を示す回路図である。 図中P1〜P19は光電子増倍管、AIP1〜A4P1
9は陽極、十x 、 −x 、 +y 、 −yは座標
信号線、2は加重回路手段としての閾値前置増幅器、5
,6は増幅および位置計算回路を構成する位置応答回路
、γは抵抗、25は主要点、26は受光面、29は6角
形領域、30,30’は2次基準点、31.32は区分
領域部、37は薄層変換手段としての薄層シンチレーシ
ョン結晶、70は位置記録手段としての表示部、71は
被覆、S。 Dは1次空間距離、I、Jは2次空間距離を示す。
す正面図、第2図は第1図の検出ヘッドの正面断面図、
第3図は2次元行列とシンチレーションカメラの光電子
増倍管との関係を示す略解図、第4図は2次元座標系と
、本発明の座標決定手段によって改善された分解能とを
示す略解図、第5図は本発明に用いる複数個の陽極を有
する光電子増倍管の正面断面図、第6図は第5図の光電
子増倍管の線6−6に沿った平面断面図、第7図は本発
明の実施例に用いる電子回路を示す回路図である。 図中P1〜P19は光電子増倍管、AIP1〜A4P1
9は陽極、十x 、 −x 、 +y 、 −yは座標
信号線、2は加重回路手段としての閾値前置増幅器、5
,6は増幅および位置計算回路を構成する位置応答回路
、γは抵抗、25は主要点、26は受光面、29は6角
形領域、30,30’は2次基準点、31.32は区分
領域部、37は薄層変換手段としての薄層シンチレーシ
ョン結晶、70は位置記録手段としての表示部、71は
被覆、S。 Dは1次空間距離、I、Jは2次空間距離を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 放射線量子の突入位置に発光を生じるシンチレーシ
ョン手段と、夫々個別的に電気出力信号を発生する複数
個の陽極を含んだ複数個の光電子増倍管と、此等光電子
増倍管の各陽極に接続されると共に各発光に応答する陽
極の出力を上記シンチレーション手段へ突入した放射線
量子の座標に対応する座標信号に変換する電気的回路と
を有し、上記各光電子増倍管は各光電子増倍管毎に各別
に定められたシンチレーション手段の特定領域を夫夫視
野に収める様設定され、上記各陽極は該陽極を含む光電
子増倍管に対応する前記特定領域中において各陽極毎に
特定された一部分から発せられる発光にのみ応答する様
に構成された事を特徴とするシンチレーションカメラ。 2 上記シンチレーション手段カ薄層シンチレーション
結晶で構成され、前記特定領域は隣接する1又は2以上
の他の特定領域と重なりを有する様に設定されて、これ
により上記結晶内の1点から発せられた光が複数個の光
電子増倍管によって検出される様に構成され、上記電気
的回路は増幅及び位置計算回路を備えていて、この増幅
及び位置計算回路は上記結晶と放射線量子との相互作用
の位置を2次元行列内の座標として表わす電気信号を発
生する様構成され、上記増幅及び位置計算回路の出力端
には上記座標を記録する位置記録手段を設けた事を特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のシンチレーションカ
メラ。 3 上記複数の光電子増倍管が上記結晶から離隔せしめ
られて設置され、上記各光電子増倍管は中空の被覆を備
えると共にこの被覆の一部を上記シンチレーション結晶
と光学的に結合する受光面とした構成に作られ、上記受
光面には光電陰極で形成される感光面が近接配置される
と共に上記被覆内には複数の陽極が内蔵され、上記各陽
極は上記感光面に陽極数と同数区分された特定部分の夫
々に各別に関連ずけられて、各特定部分からの放射電子
によって各別に陽極出力信号を発生する様に構成した事
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のシンチレーシ
ョンカメラ。 4 上記増幅及び位置計算回路が上記陽極に接続された
加重回路手段を有し、該加重回路手段は、陽極からの小
出力信号に対してよりも陽極からの大出力信号に対して
大きな増幅度を与える様、上記陽極からの出力信号を非
直線型に増幅する様構成され、これによって、各シンチ
レーションの発光位置に近い部分に対応する陽極からの
信号情報を、上記発光位置より遠い部分に対応する陽極
からの信号に対し優先せしめる様構成した事を特徴とす
る特許請求の範囲第3項記載のシンチレーションカメラ
。 5 上記位置記録手段に座標信号線を接続すると共にこ
の座標信号線と上記陽極との間に抵抗手段を挿入し、上
記抵抗手段により、上記2次元座標系において、上記各
陽極により表わされる座標位置に関連して、上記各陽極
から伝達される各信号に夫々別個の重み附げを行う様に
構成した事を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のシ
ンチレーションカメラ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US481694 | 1974-06-21 | ||
US05/481,694 US3937964A (en) | 1974-06-21 | 1974-06-21 | Scintillation camera with second order resolution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5114379A JPS5114379A (en) | 1976-02-04 |
JPS5920989B2 true JPS5920989B2 (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=23913001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50072800A Expired JPS5920989B2 (ja) | 1974-06-21 | 1975-06-17 | 2次分解能を持つシンチレ−シヨンカメラ |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3937964A (ja) |
JP (1) | JPS5920989B2 (ja) |
AU (1) | AU8235975A (ja) |
CA (1) | CA1044820A (ja) |
CH (1) | CH592888A5 (ja) |
DE (1) | DE2527516A1 (ja) |
FR (1) | FR2275784A1 (ja) |
GB (1) | GB1476575A (ja) |
IT (1) | IT1040675B (ja) |
NL (1) | NL7507391A (ja) |
SE (1) | SE407861B (ja) |
ZA (1) | ZA753998B (ja) |
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US4355229A (en) * | 1980-11-28 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Intensified charge coupled image sensor having universal header assembly |
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GB2208256B (en) * | 1983-04-15 | 1989-07-26 | Philips Electronic Associated | Infra-red radiation imaging devices and systems |
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JP3650654B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2005-05-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
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US7495644B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing display device |
CN112114347B (zh) * | 2019-06-21 | 2024-05-17 | 清华大学 | 用于制造闪烁体探测器的设备和方法 |
US11774608B2 (en) * | 2019-10-09 | 2023-10-03 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Sensor layout for direct converter detector |
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US3723735A (en) * | 1971-02-01 | 1973-03-27 | Nuclear Chicago Corp | Radiation detecting apparatus |
-
1974
- 1974-06-21 US US05/481,694 patent/US3937964A/en not_active Expired - Lifetime
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1975
- 1975-06-17 JP JP50072800A patent/JPS5920989B2/ja not_active Expired
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