JPS59204137A - 1,4−ジ置換ベンゼンの製造法 - Google Patents
1,4−ジ置換ベンゼンの製造法Info
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- JPS59204137A JPS59204137A JP58077265A JP7726583A JPS59204137A JP S59204137 A JPS59204137 A JP S59204137A JP 58077265 A JP58077265 A JP 58077265A JP 7726583 A JP7726583 A JP 7726583A JP S59204137 A JPS59204137 A JP S59204137A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、■、4−ジ置換ベンゼンを選択的に製造する
方法に関し、さらに詳しくは、モノ置換ベンセンを炭素
数1〜3のアルキル化剤で気相においてアルギル化する
際に、特定の結晶性アルミノ/リケートセオライトを触
媒として用いることを特徴とする1、4−ジ置換ベンゼ
ンの選択的な製造力f去に関するものである。
方法に関し、さらに詳しくは、モノ置換ベンセンを炭素
数1〜3のアルキル化剤で気相においてアルギル化する
際に、特定の結晶性アルミノ/リケートセオライトを触
媒として用いることを特徴とする1、4−ジ置換ベンゼ
ンの選択的な製造力f去に関するものである。
各種1.4−ジ置換ベンゼンは石油1ヒ学中間原料とし
て有用なものであり、例えばバラキンレンはボ、リエス
テル原料であるテレフタル酸の出発原料として用いられ
ている。
て有用なものであり、例えばバラキンレンはボ、リエス
テル原料であるテレフタル酸の出発原料として用いられ
ている。
この1,4−ジ置換べ/センは、従来、モノ置換ベンゼ
ンを塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒の存在下にア
ルキル化剤で液相アルキル化して得られる異性体を、蒸
留や吸着分離などの手段を用いて分離することによシ製
造されている。しかしながらこれらの分離操作は、極め
てコストがかかり、1だ化合物によっては分離不可能な
場合もある。
ンを塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒の存在下にア
ルキル化剤で液相アルキル化して得られる異性体を、蒸
留や吸着分離などの手段を用いて分離することによシ製
造されている。しかしながらこれらの分離操作は、極め
てコストがかかり、1だ化合物によっては分離不可能な
場合もある。
最近、モーピルオイル社は、このような問題を解決する
ために、触媒としてゼオライ)ZsM−sを各種の金属
酸化物で処理したものを用い、パラキンレンやバラエチ
ルトルエンなどの1,4−ジ置換ベンセンを90%以上
の高選択率で製造する方法を開発している。しかしなが
ら、この触媒調製法においては、金属溶液への含浸過程
を含むため、出現性の点で問題があり、その上触媒調製
工程は、例えば水熱合成→空気焼成−+H+イオン交換
→乾燥(又は焼成)→金属溶液含浸→空気焼成のように
工程数が多くて煩雑であるなどの問題がある。
ために、触媒としてゼオライ)ZsM−sを各種の金属
酸化物で処理したものを用い、パラキンレンやバラエチ
ルトルエンなどの1,4−ジ置換ベンセンを90%以上
の高選択率で製造する方法を開発している。しかしなが
ら、この触媒調製法においては、金属溶液への含浸過程
を含むため、出現性の点で問題があり、その上触媒調製
工程は、例えば水熱合成→空気焼成−+H+イオン交換
→乾燥(又は焼成)→金属溶液含浸→空気焼成のように
工程数が多くて煩雑であるなどの問題がある。
本発明者らは、このような問題を解決すべく鋭意101
究を重ねた結果、シリカ供給物質、アルミナ供給物質、
アルカリ金属供給物質及び有機カチオン若しくは有機カ
チオン前駆物質を用いて水熱合成したのち、空気焼成す
ることによって極めて容易に得られる、特定の表面積を
有する未イオン交換結晶性−アルミノンリケードゼオラ
イトe触媒として用いると、再現性よく極めて高い選択
率で1.4−ジ置換ベンゼンが得られることを見出し、
この知見に基ついて本発明を完成するに至った。
究を重ねた結果、シリカ供給物質、アルミナ供給物質、
アルカリ金属供給物質及び有機カチオン若しくは有機カ
チオン前駆物質を用いて水熱合成したのち、空気焼成す
ることによって極めて容易に得られる、特定の表面積を
有する未イオン交換結晶性−アルミノンリケードゼオラ
イトe触媒として用いると、再現性よく極めて高い選択
率で1.4−ジ置換ベンゼンが得られることを見出し、
この知見に基ついて本発明を完成するに至った。
すなわち1本発明は、結晶性アルミノシリヶ=トセオラ
イトの存在下に、気相において炭素数1〜3のアルキル
化剤でモノ置換ベンゼンをアルキル化するに当り、前記
結晶性アルミノシリヶートセオライトとして、シリカ供
給物質、アルミナ供給物質、アルカリ金属供給物質及び
有機カチオン若しくは有機カチオン前駆物質を用いて水
熱合成したのち、空気焼成して得られたものであり、が
つ/リカ/アルミナモル比が10以上、制御指数が1〜
15及び窒素吸着BET表面積が100〜250m′/
7の未イオン交換ゼオライト’を用いることを特徴とす
る1、4−ジ置換ベンゼンの製造法を提供するものであ
る。
イトの存在下に、気相において炭素数1〜3のアルキル
化剤でモノ置換ベンゼンをアルキル化するに当り、前記
結晶性アルミノシリヶートセオライトとして、シリカ供
給物質、アルミナ供給物質、アルカリ金属供給物質及び
有機カチオン若しくは有機カチオン前駆物質を用いて水
熱合成したのち、空気焼成して得られたものであり、が
つ/リカ/アルミナモル比が10以上、制御指数が1〜
15及び窒素吸着BET表面積が100〜250m′/
7の未イオン交換ゼオライト’を用いることを特徴とす
る1、4−ジ置換ベンゼンの製造法を提供するものであ
る。
本発明の特徴は、使用する触媒がモーピル社の方法のよ
うな煩雑な操作を必要とせず、極めて簡単な操作、すな
わち水熱合成したのち、空気焼成するのみといった操作
で調製しうるという点にある。このことは、触媒調製の
再現性の点で極めて有利である。
うな煩雑な操作を必要とせず、極めて簡単な操作、すな
わち水熱合成したのち、空気焼成するのみといった操作
で調製しうるという点にある。このことは、触媒調製の
再現性の点で極めて有利である。
本発明に用いられるゼオライトは、制御指数が1〜15
の範囲のものである。ここで用いられる制御指数とは、
J、Catal 67、218 (1981)に記載さ
れているn−へキサンと3−メチルペンタンのクラッキ
ング速度の比を表わす指数である。この制御指数の決定
は、n−ヘキサンと3−メチルペンタンの等量混合物を
、ヘリウムで5倍希釈して、260〜510℃の温度範
囲で触媒上を流した時の残存n−ヘキザン、3−メチル
ペンタンの量から次の式によって決定される。
の範囲のものである。ここで用いられる制御指数とは、
J、Catal 67、218 (1981)に記載さ
れているn−へキサンと3−メチルペンタンのクラッキ
ング速度の比を表わす指数である。この制御指数の決定
は、n−ヘキサンと3−メチルペンタンの等量混合物を
、ヘリウムで5倍希釈して、260〜510℃の温度範
囲で触媒上を流した時の残存n−ヘキザン、3−メチル
ペンタンの量から次の式によって決定される。
測定の際、全体の転化率が、10〜60チになるように
、LH8Vを適当に選ぶ必要があり、通常、0.05〜
1.Ohr−1の範囲で行われる。
、LH8Vを適当に選ぶ必要があり、通常、0.05〜
1.Ohr−1の範囲で行われる。
この制御指数は、ゼオライトの空孔の大きさと関連があ
り、例えば、12員環構造を有する空孔の大きいゼオラ
イトはn−ヘキサンと3−メチルペンタンの両者が空孔
に入りつるため、制御指数は1以下となる。また8員環
構造を有する空孔の小さいゼオライトでは、n−ヘキサ
ンが優先的に空孔に入すクラソキングされるため、制御
指数は30以上の大きな値となる。本発明における1、
4−ジ置換体の選択性は、この空孔の大きさによって大
きく影響を受ける。
り、例えば、12員環構造を有する空孔の大きいゼオラ
イトはn−ヘキサンと3−メチルペンタンの両者が空孔
に入りつるため、制御指数は1以下となる。また8員環
構造を有する空孔の小さいゼオライトでは、n−ヘキサ
ンが優先的に空孔に入すクラソキングされるため、制御
指数は30以上の大きな値となる。本発明における1、
4−ジ置換体の選択性は、この空孔の大きさによって大
きく影響を受ける。
本発明におけるゼオライトは、制御指数が1〜15の値
を有する中程度の大きさの空孔を有するゼオライトであ
る。この範囲内の代表的なゼオライトとしては、X線回
折図において第1表のX線回折ハターンを有するゼオラ
イトAZ−1、モーピルオイル社が開発1〜たZSM−
5(米国特許第3702886号明細書参照)、ZSM
−11(特開昭54−52699号公報参照)などが挙
げられる。
を有する中程度の大きさの空孔を有するゼオライトであ
る。この範囲内の代表的なゼオライトとしては、X線回
折図において第1表のX線回折ハターンを有するゼオラ
イトAZ−1、モーピルオイル社が開発1〜たZSM−
5(米国特許第3702886号明細書参照)、ZSM
−11(特開昭54−52699号公報参照)などが挙
げられる。
第 1 表
ただし、X線回折分析に用いるX線はCuKα線である
。
。
前記制御指数は、ゼオライトの空孔構造を特徴づけるも
のであるが、測定温度、LH8V、転化率などの諸因子
によって変化するものであり、例えば、ZSM−5につ
いては、300〜450℃の温度範囲で9.5〜3の範
囲の値をとる[ J、Catal 67’。
のであるが、測定温度、LH8V、転化率などの諸因子
によって変化するものであり、例えば、ZSM−5につ
いては、300〜450℃の温度範囲で9.5〜3の範
囲の値をとる[ J、Catal 67’。
218 (1981) ]。また同じ種類のゼオライト
においても、結晶化度や空孔閉塞物質の存在などにより
その値は変化する。いくつかのゼオライトについて31
5℃における制御指数の値を第2表に示す。
においても、結晶化度や空孔閉塞物質の存在などにより
その値は変化する。いくつかのゼオライトについて31
5℃における制御指数の値を第2表に示す。
第 2 表
本発明におけるゼオライトは、制御指数が1〜15のも
のであるが、特に好ましいものは、315℃の温度にお
ける制御指数が10〜15の範囲のものであり、この点
でゼオライトAZ−1は特に好ましいゼオライトである
。
のであるが、特に好ましいものは、315℃の温度にお
ける制御指数が10〜15の範囲のものであり、この点
でゼオライトAZ−1は特に好ましいゼオライトである
。
また、本発明に用いられるゼオライトは、窒素吸着法に
よるBET表面積が100〜250 rr?/ ?のも
のである。ここで用いられるBET表面積とはグルナウ
アー、エメソl−テラーの方法[JA、fE860゜3
09 (1938) ]によって導かれた多分子層吸着
等温式から求められる表面積である。この方法は、多孔
性物質の表面積の測定法としてもつとも一般的な方法で
ある。このBET表面積は、ゼオライトの結晶化度と相
関があり、一般に結晶化度の高いセオライ)・ば5,1
重類によって異なるが、だいたい300tyz’/g以
上のBET表面積を有する。本発明においては、このB
ET表面積が100〜250 rr?/ rの時に、8
0%以上の高いパラ選択性を示すことが見出された。B
ET表面積が100 rr?/ 9未満でtま一バラ選
択性は高いが活性が著しく低く、また250n? /
f f超えるとBET表面積の増加とともにパラ選択性
が低下するため実用的ではない。
よるBET表面積が100〜250 rr?/ ?のも
のである。ここで用いられるBET表面積とはグルナウ
アー、エメソl−テラーの方法[JA、fE860゜3
09 (1938) ]によって導かれた多分子層吸着
等温式から求められる表面積である。この方法は、多孔
性物質の表面積の測定法としてもつとも一般的な方法で
ある。このBET表面積は、ゼオライトの結晶化度と相
関があり、一般に結晶化度の高いセオライ)・ば5,1
重類によって異なるが、だいたい300tyz’/g以
上のBET表面積を有する。本発明においては、このB
ET表面積が100〜250 rr?/ rの時に、8
0%以上の高いパラ選択性を示すことが見出された。B
ET表面積が100 rr?/ 9未満でtま一バラ選
択性は高いが活性が著しく低く、また250n? /
f f超えるとBET表面積の増加とともにパラ選択性
が低下するため実用的ではない。
このように結晶化度の若干低いゼオライトがなぜ高いパ
ラ選択性を示すのかは不明であるが、このものは結晶の
細孔構造や表面構造が特異的であることを示している。
ラ選択性を示すのかは不明であるが、このものは結晶の
細孔構造や表面構造が特異的であることを示している。
本発明に用いられるゼオライトは、プロトンや希土類な
どでイオン交換しないことを特徴とする。
どでイオン交換しないことを特徴とする。
一般に、アルキル化反応に用いられるゼオライトはイオ
ン交換して用いられるが、本発明に用いられ−るゼオラ
イトはイオン交換を行わない場合に、高いパラ選択性を
示すことが認められ、特にAZ−1においてその傾向が
顕著であった。このことは。
ン交換して用いられるが、本発明に用いられ−るゼオラ
イトはイオン交換を行わない場合に、高いパラ選択性を
示すことが認められ、特にAZ−1においてその傾向が
顕著であった。このことは。
本発明におけるゼオライトが酸点の分布や酸強度の点で
特異的であることを示している。
特異的であることを示している。
本発明(ri、比較的高温で反応を実施し−また触媒再
生も高温で行われるため、耐熱性に優れたシリカ/アル
ミナモル比が10以上の高シリカゼオライトが用いられ
る。
生も高温で行われるため、耐熱性に優れたシリカ/アル
ミナモル比が10以上の高シリカゼオライトが用いられ
る。
本発明におけるシリカ供給物質としては、コロイダルノ
リ力、水ガラス、シリカゲルなどが挙げられるが、特に
コロイダルシリカが好ましい。
リ力、水ガラス、シリカゲルなどが挙げられるが、特に
コロイダルシリカが好ましい。
本発明におけるアルミナ供給物質としては、アルミナ粉
末−硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、アルミン酸
ナトリウムなどが挙げられる。
末−硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、アルミン酸
ナトリウムなどが挙げられる。
本発明におけるアルカリ金属供給物質としては、水酸化
す) l)ラム、水酸化カリウムなどの水酸化物や塩化
ナトリウム、塩化カリウムなどの塩化物が挙げられる。
す) l)ラム、水酸化カリウムなどの水酸化物や塩化
ナトリウム、塩化カリウムなどの塩化物が挙げられる。
本発明における有機カチオン若しくは有機カチオン前1
駆物質としては、テトラエチルアンモニウムーテトラグ
ロビルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムなどの
4級アンモニウム、炭素数2〜10のアルキルモノアミ
ン、炭素数2〜1oのアルキレンンアミン、1,8−ジ
アミノ−4−アミノメチルオクタンなどのトリアミンが
挙げられる。
駆物質としては、テトラエチルアンモニウムーテトラグ
ロビルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムなどの
4級アンモニウム、炭素数2〜10のアルキルモノアミ
ン、炭素数2〜1oのアルキレンンアミン、1,8−ジ
アミノ−4−アミノメチルオクタンなどのトリアミンが
挙げられる。
本発明に用いられるモノ置換ベンゼンとしては、トルエ
ン、エチルベンゼン−niり1rJ−1so−7”ロピ
ルベンセンなどの炭素数1〜3のアルキルベンゼン、モ
ノクロルベンゼン、モノブロムベンゼン、モノヨードベ
ンゼンなどのハロゲン化ベンゼンが挙げられる。
ン、エチルベンゼン−niり1rJ−1so−7”ロピ
ルベンセンなどの炭素数1〜3のアルキルベンゼン、モ
ノクロルベンゼン、モノブロムベンゼン、モノヨードベ
ンゼンなどのハロゲン化ベンゼンが挙げられる。
丑た、本発明に用いられる炭素数が1〜3のアルギル化
剤としてはメタノール、エタノール、n−またld:1
so−プロパツールなどのアルコール、エチレン、グロ
ビレンなどのオレフィンが挙げられる。
剤としてはメタノール、エタノール、n−またld:1
so−プロパツールなどのアルコール、エチレン、グロ
ビレンなどのオレフィンが挙げられる。
本発明を実施するに当り、反応温度は反応原料の種類に
よって異なるが、反応系全気相に保つために、少なくと
も200℃の温度が必要であり、また700℃以上の温
度では選択性が極めて低くなるので、好ましい温度とし
て通常300〜600℃の範囲が用いられる。捷だ、モ
ノ置換ベンゼン/アルキル化剤のモル比は5反応原料の
種類によって異なるが、通常0.5〜20、好寸しくば
1.0〜10の範囲で行われる。さらに反応圧力は減圧
、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式としては、固
定床や流動床などの流通反応方式が好せしい。
よって異なるが、反応系全気相に保つために、少なくと
も200℃の温度が必要であり、また700℃以上の温
度では選択性が極めて低くなるので、好ましい温度とし
て通常300〜600℃の範囲が用いられる。捷だ、モ
ノ置換ベンゼン/アルキル化剤のモル比は5反応原料の
種類によって異なるが、通常0.5〜20、好寸しくば
1.0〜10の範囲で行われる。さらに反応圧力は減圧
、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式としては、固
定床や流動床などの流通反応方式が好せしい。
本発明方法において触媒として用いる未イオン交換結晶
性アルミノシリケートゼオライトは、極めて簡単な操作
で調製することができ、捷だ、モノ置換ベンゼンとアル
ギル化剤との反応に前記ゼオライトヲ用いると、再現性
よく極めて高い選択率で1.4−ジ置換ベンゼンが得ら
れる。
性アルミノシリケートゼオライトは、極めて簡単な操作
で調製することができ、捷だ、モノ置換ベンゼンとアル
ギル化剤との反応に前記ゼオライトヲ用いると、再現性
よく極めて高い選択率で1.4−ジ置換ベンゼンが得ら
れる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細Gて説明する。
実施例1
1.8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン1007
、硫酸アルミニウム(At2(S04)3・18H20
)52、水酸化ツートリウム5グを水150グにとかし
、さらにシリカゾル(30%5i02 ) 200 ?
を加えて均質な溶液fO:得た。この溶液にかきまぜな
がら20%硫酸307を滴下して均質なゲルを得た。
、硫酸アルミニウム(At2(S04)3・18H20
)52、水酸化ツートリウム5グを水150グにとかし
、さらにシリカゾル(30%5i02 ) 200 ?
を加えて均質な溶液fO:得た。この溶液にかきまぜな
がら20%硫酸307を滴下して均質なゲルを得た。
さらに、このゲル金ホモジナイザーに入れ、1ooo。
r p Illで10分間混合した。このゲルをテフロ
ンコーティングステンレス製耐圧容器中で、180℃、
36時間静置して結晶化を行った。
ンコーティングステンレス製耐圧容器中で、180℃、
36時間静置して結晶化を行った。
得られた生成物をろ過、洗浄したのち、120℃で3時
間乾燥してさらに500℃で4時間焼成した。
間乾燥してさらに500℃で4時間焼成した。
この生成物のX線回折パターンは、ゼオライト八Z−1
であり、ケイ光X線分析によるシリカ/アルミナモル比
は60.315℃における制御指数は15.0、窒素吸
着によるBET表面積は185rr?/fであった。
であり、ケイ光X線分析によるシリカ/アルミナモル比
は60.315℃における制御指数は15.0、窒素吸
着によるBET表面積は185rr?/fであった。
この生成物全触媒に用いて、トルエンとエチレンからの
エチルトルエン合成反応を行った。
エチルトルエン合成反応を行った。
反応条件は、トルエン/エチレン/H2モル比6.6
/ 1.0 / 2.0 + WH3V () ルx
ン基準)6、Ohr=−反応温度420℃、圧力5
K97 cniで行った。
/ 1.0 / 2.0 + WH3V () ルx
ン基準)6、Ohr=−反応温度420℃、圧力5
K97 cniで行った。
反応開始後、20〜22時間後の結果に、トルエン転化
率(エチレン基準)95係、エチルトルエン収率91%
、エチルトルエン中の、<う体の割合95襲であった。
率(エチレン基準)95係、エチルトルエン収率91%
、エチルトルエン中の、<う体の割合95襲であった。
比較例1
実施例1で得られたAZ−1を、INの塩化アンモニウ
ム水#液でイオン交換したのち、500℃で4時間焼成
して、実施例1と同じ条件で、エチル[・ルエンの合成
反応を行った。
ム水#液でイオン交換したのち、500℃で4時間焼成
して、実施例1と同じ条件で、エチル[・ルエンの合成
反応を行った。
反応開始後、20〜22時間後の結果は、トルエフ 1
に化率(x チL/ン基準)100%、エチルトルエン
1又率90%、エチルトルエン′中のパラ1本の割合4
5%であった。
に化率(x チL/ン基準)100%、エチルトルエン
1又率90%、エチルトルエン′中のパラ1本の割合4
5%であった。
比較例2
】、8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン507、
硫酸アルミニウム5グ、水酸化ナトリウム57を水20
02にとかし、さらにシリカゾル(30係5i02 )
2009を加えて均質な溶液を得た。
硫酸アルミニウム5グ、水酸化ナトリウム57を水20
02にとかし、さらにシリカゾル(30係5i02 )
2009を加えて均質な溶液を得た。
この溶液にかきはぜながら20%硫酸307を滴ドして
均質なゲルを得て、さらにホモジナイザー−C1000
0rpmで10分間混合した。このゲルをナノ1コン内
張りステンレス製耐圧容器中で、200℃、20時間静
置して結晶化を行った。
均質なゲルを得て、さらにホモジナイザー−C1000
0rpmで10分間混合した。このゲルをナノ1コン内
張りステンレス製耐圧容器中で、200℃、20時間静
置して結晶化を行った。
得られた生成物をろ過、洗浄したのち、120℃で3時
間乾燥して、さらに500℃で4時間焼成した。この生
成物のX線回折パターンは、AZ−1の回折パターンと
一致した。この生成物のシリカ/アルミナ比(は50、
制御指数9.5、窒素吸着によるl3ET表面積tよ3
00靜/1であった。
間乾燥して、さらに500℃で4時間焼成した。この生
成物のX線回折パターンは、AZ−1の回折パターンと
一致した。この生成物のシリカ/アルミナ比(は50、
制御指数9.5、窒素吸着によるl3ET表面積tよ3
00靜/1であった。
この生成物を触媒として用いて、実施例1と同じ条1’
l=でエチルI・ルエンの合成反応を行った。
l=でエチルI・ルエンの合成反応を行った。
反応開始後、20〜22時間後の結果は、トルエン転化
率(エチレン基準)100%、エチルトルエン 合70%であった。
率(エチレン基準)100%、エチルトルエン 合70%であった。
比較例3
比較例2と同じ原料組成のゲルを190℃、60時間結
晶化させた。
晶化させた。
得られた生成物をろ過洗浄後、120℃で3時間乾燥し
て− 500℃で4時間空気焼成した。この生成物のX
線回折パターンは、AZ−1の回折パターンと一致した
。この生成物のシリカ/アルミナモル比(i70、制御
指数9.0、窒素吸着によるBET表面債ば400tn
”/f?であった。
て− 500℃で4時間空気焼成した。この生成物のX
線回折パターンは、AZ−1の回折パターンと一致した
。この生成物のシリカ/アルミナモル比(i70、制御
指数9.0、窒素吸着によるBET表面債ば400tn
”/f?であった。
この生成物を、触媒として用いて実施例1と同じ条件で
、エチルトルエンの合成反応を行った。
、エチルトルエンの合成反応を行った。
反応開始後、20〜22時間後の結果は、トルエン転化
率100係、エチルトルエン収率93%、エチルトルエ
ン中のパラ体の割合50%であった。
率100係、エチルトルエン収率93%、エチルトルエ
ン中のパラ体の割合50%であった。
比較例4
実施例」と同じ組成のゲルヲ130℃、100時間結晶
化させた。
化させた。
得られた生成物をろ過洗浄後、120℃で3時間1:を
燥したのし、500℃で4時間焼成した。この生成物の
X線回折パターンは、AZ−1の回折パターンに一致し
た。この生成物のシリカ/アルミナモル比は40、制御
指数14.0、窒素吸着によるf3ET表面積!”、、
j: 7 5 +n’ / ?であった。
燥したのし、500℃で4時間焼成した。この生成物の
X線回折パターンは、AZ−1の回折パターンに一致し
た。この生成物のシリカ/アルミナモル比は40、制御
指数14.0、窒素吸着によるf3ET表面積!”、、
j: 7 5 +n’ / ?であった。
この生成物乞触媒として用いて、実施例1と同シ条件で
エチルトルエンの合成反応を行った。
エチルトルエンの合成反応を行った。
反応開始後、20〜22時間後の結果は、トルエン転化
率1 5%−エチルトルエン収$14%ーエチルトルエ
ン中のパラ体の割合100チであった。
率1 5%−エチルトルエン収$14%ーエチルトルエ
ン中のパラ体の割合100チであった。
実施例2
実施例1で得られたAZ−1を触媒として、トルエンと
メタノールからのキシレンの合成反応を行った。
メタノールからのキシレンの合成反応を行った。
反応条件は、トルエン/メタノールモル比4.OWl.
lSV(1−ルエン基l) 4.Ohr ”−反応温度
550℃、常圧で行った。
lSV(1−ルエン基l) 4.Ohr ”−反応温度
550℃、常圧で行った。
反応開始後、3〜4時間後の結果は、トルエン転化率3
0チーキンレン収率28%、キ/レン中のパラ体の割合
90%であった。
0チーキンレン収率28%、キ/レン中のパラ体の割合
90%であった。
実施例3
実施例1でイHられたAZ−1を触媒として、クロルベ
ンゼンとエチレンからのエチルトルエンゼ ′
ンの合成反応を行った。
ンゼンとエチレンからのエチルトルエンゼ ′
ンの合成反応を行った。
反応条件tri、、クロルベンゼン/エチレンモル比6
.0+WHsv ’(クロルヘンセン基準)4.0hr
−1反応温度400℃、常圧で行った。
.0+WHsv ’(クロルヘンセン基準)4.0hr
−1反応温度400℃、常圧で行った。
反応開始後、2〜3時間後の結果は、クロルベンセフ転
化率(エチレン基準)70%、エチルクロルヘンセン収
率65 %、エチルクロルベンゼン中のパラ体の割合9
8係であった。
化率(エチレン基準)70%、エチルクロルヘンセン収
率65 %、エチルクロルベンゼン中のパラ体の割合9
8係であった。
実施例4
水3501に硫酸アルミニウム5グとテトラプロピルア
ンモニウムプロミド107を均一に溶かし、さらにQb
randケイ酸塩水溶@ (Na2O= 8.9 wt
%、 5i02 = 28.9 wt%、 H2,0=
62.2wt%)1502を加えかき捷ぜて均質なゲル
を得た。このゲルに、20係H7so450 r iか
きまぜながら滴下してケル化を促進させた。このゲルを
、■tのテフロン内張りオートクレーブに入れ、150
℃で20時jii /+・き丑ぜながら結晶化させた。
ンモニウムプロミド107を均一に溶かし、さらにQb
randケイ酸塩水溶@ (Na2O= 8.9 wt
%、 5i02 = 28.9 wt%、 H2,0=
62.2wt%)1502を加えかき捷ぜて均質なゲル
を得た。このゲルに、20係H7so450 r iか
きまぜながら滴下してケル化を促進させた。このゲルを
、■tのテフロン内張りオートクレーブに入れ、150
℃で20時jii /+・き丑ぜながら結晶化させた。
得られた生成物音ろ過洗浄後、120℃で3時間乾燥し
−500℃で4時間空気焼成を行った。
−500℃で4時間空気焼成を行った。
この生成物のXlfa回折ノζターンは、ZSM−5の
回折パターンと一致した。
回折パターンと一致した。
この生成物のシリカ/アルミナモル比は50、制御指数
は10,5、窒素吸着によるBET表面積は1551イ
/7であった。
は10,5、窒素吸着によるBET表面積は1551イ
/7であった。
この生成物を触媒として用いて、トルエンとエチレンか
らのパラエチルトルエンの合成反応を行った。
らのパラエチルトルエンの合成反応を行った。
反応条件ハ、I・ルエン/エチレンモル比2.2W)I
IEV 4.Ohr ’−反応温度4り0℃−常圧で行
った0 反応開始後、3〜4時間後の結果は、トルエン+に化率
(エチレン基Q)’50%、エチルトルエン収率46%
、エチルトルエン中のパラ体の割合80%であった。
IEV 4.Ohr ’−反応温度4り0℃−常圧で行
った0 反応開始後、3〜4時間後の結果は、トルエン+に化率
(エチレン基Q)’50%、エチルトルエン収率46%
、エチルトルエン中のパラ体の割合80%であった。
実施例5
オクタメチレンジアミン100 f、硫酸アルミニウム
52、水酸化ナトリウム5vを水1507に均一に溶か
し、この溶液に、シリカゾル(30%Si02 )20
01を加え、さらに20チH2SO4 2 0 tを滴
下して均質なゲルを得た。このゲルを、テフロン内張り
ステンレス製耐圧容器に仕込み、150℃、20時間か
きまぜて結晶化させた0 得られた生成物をろ過洗浄後、120℃で3時間乾燥し
たのち、500℃で4時間空気焼成した。
52、水酸化ナトリウム5vを水1507に均一に溶か
し、この溶液に、シリカゾル(30%Si02 )20
01を加え、さらに20チH2SO4 2 0 tを滴
下して均質なゲルを得た。このゲルを、テフロン内張り
ステンレス製耐圧容器に仕込み、150℃、20時間か
きまぜて結晶化させた0 得られた生成物をろ過洗浄後、120℃で3時間乾燥し
たのち、500℃で4時間空気焼成した。
この生成物のXm回折パターンは、ZSM−11の回折
パターンと一致した。またこの生成物のシリカ/アルミ
ナモル比は30、制御指数は10.2、窒素吸着による
BET表面積は150 rr?/グであった。
パターンと一致した。またこの生成物のシリカ/アルミ
ナモル比は30、制御指数は10.2、窒素吸着による
BET表面積は150 rr?/グであった。
この生成物を触媒として用いて実施例3と同じ条件でエ
チルトルエンの合成反応を行った。
チルトルエンの合成反応を行った。
反応開始後、4〜5時間後の結果は、トルエン転化率(
エチレン基準)45%、エチルトルエン収率40%.エ
チルトルエン中のノZう体の割合80%であった。
エチレン基準)45%、エチルトルエン収率40%.エ
チルトルエン中のノZう体の割合80%であった。
特許出願人 旭化成工業株式会社
代理人 阿 形 明
手続補正書
l小作の表アJく
昭和58年特許願第77265号
2発明の名称
J,4−ジ置換ベンゼンの製造法
3抽止をする者
事イ′1との関係 特許出願人
住 所大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号エ ゎ(
OOa)旭化成工業株式会社 代表者 宮 崎 輝 4、代 理 人− 〒105東京都港区新橋2丁目2番2号川志濶・邦信ビ
ル8階(7182) 弁理士 阿 形 明□′1ハ
T電話591ー9910番′−6升− 8、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のとおシ訂正しfす。
OOa)旭化成工業株式会社 代表者 宮 崎 輝 4、代 理 人− 〒105東京都港区新橋2丁目2番2号川志濶・邦信ビ
ル8階(7182) 弁理士 阿 形 明□′1ハ
T電話591ー9910番′−6升− 8、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のとおシ訂正しfす。
(2)明細1:第8ページの第1表の回折角(2θ)の
項「23.6±0.24全「233±02」に訂正しま
す。
項「23.6±0.24全「233±02」に訂正しま
す。
特許請求の範囲
1 結晶性アルミノンリケードゼオライトの存在下に、
気相において炭素数1〜3のアルキル化剤でモノ置換ベ
ンセン?アルキル化するに尚シ、前記結晶性アルミノン
リケードゼオライトとして、シリカ供給物質、アルミナ
供給物質、アルカリ金属供給物質及び有機カチオン若し
くは有機カチオン前駆物質を用いて水熱合成し次のち、
空気焼成して得られたものであり、かつシリカ/アルミ
ナモル比が10以上、制御指数が1〜15及び窒素吸着
BET表面積が100〜250m2/1の未イオン交換
ゼオライト全用いることを特徴とする1、4−ジ置換ベ
ンゼンの製造法。
気相において炭素数1〜3のアルキル化剤でモノ置換ベ
ンセン?アルキル化するに尚シ、前記結晶性アルミノン
リケードゼオライトとして、シリカ供給物質、アルミナ
供給物質、アルカリ金属供給物質及び有機カチオン若し
くは有機カチオン前駆物質を用いて水熱合成し次のち、
空気焼成して得られたものであり、かつシリカ/アルミ
ナモル比が10以上、制御指数が1〜15及び窒素吸着
BET表面積が100〜250m2/1の未イオン交換
ゼオライト全用いることを特徴とする1、4−ジ置換ベ
ンゼンの製造法。
2 結晶性アルミノンリケードゼオライトがX線回折図
において、以下に示す回折角及び相対強度を有するもの
である特許請求の範囲第1項記載の製造法。
において、以下に示す回折角及び相対強度を有するもの
である特許請求の範囲第1項記載の製造法。
ただし、X線回折分析に用いるX線は0uKa線である
。
。
3 モノ置換ベンゼンが炭素数1〜3のアルキル基を有
するモノアルキルベンゼンでちる特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の製造法。
するモノアルキルベンゼンでちる特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の製造法。
4 モノ置換ベンゼンが塩素、臭素又はヨウ素のモノ・
・ロゲン化ベンゼンである特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の製造法。
・ロゲン化ベンゼンである特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の製造法。
5 炭素数1〜3のアルキル化剤がアルコール又はオレ
フィンである特許請求の範囲第1項、第2項、第3項又
は第4項記載の製造法。
フィンである特許請求の範囲第1項、第2項、第3項又
は第4項記載の製造法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 結晶性アルミノシリケートゼオライトの存在下に、
気相において炭素数1〜3のアルキル化剤でモノ置換ベ
ンゼンをアルキル化するに当り、前記結晶性アルミノシ
リケートゼオライトとして、シリカ供給物質、アルミナ
供給物質、アルカリ金属供給物質及び有機カチオン若し
くは有機カチオン前駆物質を用いて水熱合成したのち、
空気焼成(7て得られたものであり、がっ/リカ/アル
ミナモル比が10以上、制御指数が1〜15及び窒素吸
着BET表面積がioo〜250 tn2/ ’i’の
未イオン交換ゼオライトi用いることを特徴とする1、
4−ジ置換ベンゼンの製造法。 2 結晶性アルミノンリケードゼオライトがX線回折図
において、以下に示す回折角及び相対強度を有するもの
である特許請求の範囲第1項記載の製造法。 ただし、X線回折分析に用いるX線はCuKa線である
。 3 モノ置換ベンゼンが炭素数1〜3のアルギル基ヲ有
するモノアルキルベンゼンである特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の製造法。 4 モノ置換ベンゼンが塩素、実業又はヨウ素のモノハ
ロゲン化ベンゼンである特許請求の範囲第1項又は第2
項記載の製造法。 5 炭素数1〜3のアルキル化剤がアルコール又はオレ
フィンである特許請求の範囲第1項。 第2項、第3項又は第4項記載の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58077265A JPS59204137A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 1,4−ジ置換ベンゼンの製造法 |
EP83113159A EP0113116B1 (en) | 1982-12-30 | 1983-12-28 | A crystalline aluminosilicate, a process for producing the same, and a catalyst comprising the crystalline aluminosilicate |
DE8383113159T DE3361440D1 (en) | 1982-12-30 | 1983-12-28 | A crystalline aluminosilicate, a process for producing the same, and a catalyst comprising the crystalline aluminosilicate |
US06/595,069 US4537757A (en) | 1982-12-30 | 1984-03-30 | Crystalline aluminosilicate AZ-1 and a process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58077265A JPS59204137A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 1,4−ジ置換ベンゼンの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59204137A true JPS59204137A (ja) | 1984-11-19 |
JPH0443054B2 JPH0443054B2 (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=13629006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58077265A Granted JPS59204137A (ja) | 1982-12-30 | 1983-04-30 | 1,4−ジ置換ベンゼンの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59204137A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3702886A (en) * | 1969-10-10 | 1972-11-14 | Mobil Oil Corp | Crystalline zeolite zsm-5 and method of preparing the same |
JPS5688820A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Crystalline aluminosilicate |
JPS57129820A (en) * | 1980-12-17 | 1982-08-12 | Ici Ltd | Novel synthetic zeolite and manufacture |
JPS6365604A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Hitachi Ltd | 鉄系磁性体膜 |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58077265A patent/JPS59204137A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3702886A (en) * | 1969-10-10 | 1972-11-14 | Mobil Oil Corp | Crystalline zeolite zsm-5 and method of preparing the same |
JPS5688820A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Crystalline aluminosilicate |
JPS57129820A (en) * | 1980-12-17 | 1982-08-12 | Ici Ltd | Novel synthetic zeolite and manufacture |
JPS6365604A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Hitachi Ltd | 鉄系磁性体膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0443054B2 (ja) | 1992-07-15 |
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