JPS59198768A - ツエナ−ダイオ−ド - Google Patents
ツエナ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS59198768A JPS59198768A JP58073275A JP7327583A JPS59198768A JP S59198768 A JPS59198768 A JP S59198768A JP 58073275 A JP58073275 A JP 58073275A JP 7327583 A JP7327583 A JP 7327583A JP S59198768 A JPS59198768 A JP S59198768A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- region
- type diffusion
- diffusion region
- zener diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 22
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
- H10D8/25—Zener diodes
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はツェナーダイオードの構造に関する。
最近、テレビの電子チ＝−す化等の市場要求に伴い、初
期ドリフトが少なく長期間使用に際しても安定な電圧を
供給する定電圧装置が必要となって来た。第１図ａ）及
びｂ）は従来用いられて来たツェナーダイオードの構造
を示すもので、そのツェナー降伏電圧の初期ドリフト、
長期安定性等の問題があり、製造上も歩留シの制約があ
る。つまシ同図ａ）の構造についていえばＮ型又はＰ型
シリコン基板１上に成長したＮ型エピタキシャル層２内
部に選択拡散によｆｉＰ型拡散領域３を形成し、このＰ
型拡散領域３とは異なる領域に更に選択拡散によシＮ型
拡散領域４を形成し、酸化膜５と電極６とで構成したも
のであシ、本構造のツェナー降伏電圧はＰ型拡散領域３
とＮ型拡散領域４との接合の酸化Ｍ５直下の状態で決ま
るため、表面準位、酸化膜とシリコンとの歪、表面欠陥
等の影響を受は易く、製造上バラツキの原因ともなるし
表面状態の変化に伴う電圧変動があ多安定な電圧を維持
する上で問題があった。
期ドリフトが少なく長期間使用に際しても安定な電圧を
供給する定電圧装置が必要となって来た。第１図ａ）及
びｂ）は従来用いられて来たツェナーダイオードの構造
を示すもので、そのツェナー降伏電圧の初期ドリフト、
長期安定性等の問題があり、製造上も歩留シの制約があ
る。つまシ同図ａ）の構造についていえばＮ型又はＰ型
シリコン基板１上に成長したＮ型エピタキシャル層２内
部に選択拡散によｆｉＰ型拡散領域３を形成し、このＰ
型拡散領域３とは異なる領域に更に選択拡散によシＮ型
拡散領域４を形成し、酸化膜５と電極６とで構成したも
のであシ、本構造のツェナー降伏電圧はＰ型拡散領域３
とＮ型拡散領域４との接合の酸化Ｍ５直下の状態で決ま
るため、表面準位、酸化膜とシリコンとの歪、表面欠陥
等の影響を受は易く、製造上バラツキの原因ともなるし
表面状態の変化に伴う電圧変動があ多安定な電圧を維持
する上で問題があった。
また第１図に示すものは、同じく半導体基板１上のＮ型
エピタキシャル層２にＰ型拡散領域３．３１を２重に形
成し、これらの重複部分にＮ型拡散領域４を形成し、Ｐ
型拡散領域３．３１の重複部分とＮ型拡散領域４との接
合をツェナー接合として表面酸化膜５の開孔を通して金
属電極６による配線を施したものである。この場合も第
１図ａ）と同様にツェナー接合が酸化膜５と接する部分
での表面準位、結晶歪、表面欠陥等でツェナ電圧が変動
しやすいものであった。
エピタキシャル層２にＰ型拡散領域３．３１を２重に形
成し、これらの重複部分にＮ型拡散領域４を形成し、Ｐ
型拡散領域３．３１の重複部分とＮ型拡散領域４との接
合をツェナー接合として表面酸化膜５の開孔を通して金
属電極６による配線を施したものである。この場合も第
１図ａ）と同様にツェナー接合が酸化膜５と接する部分
での表面準位、結晶歪、表面欠陥等でツェナ電圧が変動
しやすいものであった。
本発明の目的は降伏電圧が酸化膜と接触する半導体表面
に影響されることなく安定なツェナーダイオードを得る
ことにある。
に影響されることなく安定なツェナーダイオードを得る
ことにある。
本発明によれば半導体基板上のエピタキシャル層内もし
くはエピタキシャル層に延在するように埋込み層を形成
し、エピタキシャル層表面から埋込み層に達し、これと
接合を形成するように形成された領域を有し、埋込み層
と前述の領域とで形成される接合をツェナー接合とした
ツェナーダイオードを得る。
くはエピタキシャル層に延在するように埋込み層を形成
し、エピタキシャル層表面から埋込み層に達し、これと
接合を形成するように形成された領域を有し、埋込み層
と前述の領域とで形成される接合をツェナー接合とした
ツェナーダイオードを得る。
次に、図面を参照して本発明をよシ詳細に説明する。
第２図及び第３図に本発明の各実施例の構造を示す。第
２図はＮ型又はＰ型シリコンサブストレート１１上にＰ
型埋込領域１２を形成し、その上にＮ型エピタキシャル
層１３を成長した彼、Ｐ型拡散領域１４とこのＰ型拡散
領域１４によって囲まれる領域内にＮ型拡散領域１５を
形成する。この際、Ｐ型拡散領域１４及びＮ型拡散領域
１５はいずれもＰ型埋込領域１２迄達している必要があ
る。更に表面酸化膜」６をエツチングで電極取出し窓を
開は電極１７及び１７’を設け、Ｐ型拡散領域１４及び
これに連らなる電極１７’をカソード、Ｎ型拡散領域１
５及びこれに連らなる電極１７をアノードとしてツェナ
ーダイオードを形成する。
２図はＮ型又はＰ型シリコンサブストレート１１上にＰ
型埋込領域１２を形成し、その上にＮ型エピタキシャル
層１３を成長した彼、Ｐ型拡散領域１４とこのＰ型拡散
領域１４によって囲まれる領域内にＮ型拡散領域１５を
形成する。この際、Ｐ型拡散領域１４及びＮ型拡散領域
１５はいずれもＰ型埋込領域１２迄達している必要があ
る。更に表面酸化膜」６をエツチングで電極取出し窓を
開は電極１７及び１７’を設け、Ｐ型拡散領域１４及び
これに連らなる電極１７’をカソード、Ｎ型拡散領域１
５及びこれに連らなる電極１７をアノードとしてツェナ
ーダイオードを形成する。
本構造に依ればＰ−Ｎ接合はＰ型埋込領域１２とＮ型拡
散領域１５とで形成され、そのツェナー降伏電圧は素子
表面よシ深い領域で決まることになシ、表面不安定性に
懸ることかない。
散領域１５とで形成され、そのツェナー降伏電圧は素子
表面よシ深い領域で決まることになシ、表面不安定性に
懸ることかない。
第３図は他の素子と共に同一ペレット内にツェナーダイ
オードを含めて集積回路を構成する場合の構造例である
。１はＰ型サブストレートでこの上に第１のエピタキシ
ャル層２３を成長させ、ここにＰ型埋込層１２を形成す
る。更にこの上にＮ型の第２のエピタキシャル層２３１
を成長させた後、埋込領域１２を他の素子から分離する
絶縁領域１８を形成しその後、前記第２図の格造同様に
アノード、カソードを形成するものである。
オードを含めて集積回路を構成する場合の構造例である
。１はＰ型サブストレートでこの上に第１のエピタキシ
ャル層２３を成長させ、ここにＰ型埋込層１２を形成す
る。更にこの上にＮ型の第２のエピタキシャル層２３１
を成長させた後、埋込領域１２を他の素子から分離する
絶縁領域１８を形成しその後、前記第２図の格造同様に
アノード、カソードを形成するものである。
このようにすれば、第２図同様に第２のエピタキシャル
４２３’の表面状態がツェナー特性に影響することはな
い。また、集積回路では通常半導体基板１１としてＰ型
が用いられるが、第１のエピタキシャル層２３によって
半導体基板１１とツェナーダイオードとの絶縁分離も得
られる。
４２３’の表面状態がツェナー特性に影響することはな
い。また、集積回路では通常半導体基板１１としてＰ型
が用いられるが、第１のエピタキシャル層２３によって
半導体基板１１とツェナーダイオードとの絶縁分離も得
られる。
第１図ａ）およびｂ）はそれぞれ従来のツェナーダイオ
ードの断面図である。 １・・・・・・Ｐ型又はＮ型半導体基板、２・・・・・
・Ｎ型エピタキシャルｉ、 ３．３’・・・・・・Ｐ
型拡散領域、４°・。 ・・・Ｎ型拡散領域、５・・・・・・酸化膜、６・・・
・・・電極。 第２図および第３図はそれぞれ本発明の実施例によるツ
ェナーダイオードの断面図である。 １１・・・・・・Ｐ型半導体基板、１２・・・・・・Ｐ
型埋込領域、 １３． ２３． ２３’・・・・・・
Ｎｕエピタキシャル領域、１４・・・・・・Ｐ型拡散領
域、１５・・・・・・Ｎ型拡散領塚、１６・・・・・・
酸化膜、 １７． １７’・・・・・・電極、１８・
・・・・・Ｐ型分離拡散領域。 代理人 弁理士 内 原 晋
ードの断面図である。 １・・・・・・Ｐ型又はＮ型半導体基板、２・・・・・
・Ｎ型エピタキシャルｉ、 ３．３’・・・・・・Ｐ
型拡散領域、４°・。 ・・・Ｎ型拡散領域、５・・・・・・酸化膜、６・・・
・・・電極。 第２図および第３図はそれぞれ本発明の実施例によるツ
ェナーダイオードの断面図である。 １１・・・・・・Ｐ型半導体基板、１２・・・・・・Ｐ
型埋込領域、 １３． ２３． ２３’・・・・・・
Ｎｕエピタキシャル領域、１４・・・・・・Ｐ型拡散領
域、１５・・・・・・Ｎ型拡散領塚、１６・・・・・・
酸化膜、 １７． １７’・・・・・・電極、１８・
・・・・・Ｐ型分離拡散領域。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された一導電型のエピタキシャル層
に存する他の導電型の埋込み層と、前記エピタキシャル
層表面から前記埋込み層に達するように形成された前記
−導電型の領域とで形成される接合を用いたことを特徴
とするツェナーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073275A JPS59198768A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | ツエナ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073275A JPS59198768A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | ツエナ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198768A true JPS59198768A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13513436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073275A Pending JPS59198768A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | ツエナ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4739378A (en) * | 1986-02-18 | 1988-04-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Protection of integrated circuits from electric discharge |
| US5521414A (en) * | 1993-04-28 | 1996-05-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Monolithic integrated structure to protect a power transistor against overvoltage |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073275A patent/JPS59198768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4739378A (en) * | 1986-02-18 | 1988-04-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Protection of integrated circuits from electric discharge |
| US5521414A (en) * | 1993-04-28 | 1996-05-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Monolithic integrated structure to protect a power transistor against overvoltage |
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