JPS59191225A - 液体金属イオン種合金 - Google Patents
液体金属イオン種合金Info
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- JPS59191225A JPS59191225A JP58065426A JP6542683A JPS59191225A JP S59191225 A JPS59191225 A JP S59191225A JP 58065426 A JP58065426 A JP 58065426A JP 6542683 A JP6542683 A JP 6542683A JP S59191225 A JPS59191225 A JP S59191225A
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 38
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001202 Cs alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001035193 Sipunculus nudus Hemerythrin subunit B Proteins 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は液体金属イオン源において、B、si。
P、As等の高融点元素イオン種を単元素イオンとして
効率よく安定に長時間引出せるイオン種材料に関する。
効率よく安定に長時間引出せるイオン種材料に関する。
マイクロ・ドライ・プロセス(イオンビーム露光・ドラ
イ現像、マイクロドーピング等)、サブミクロン表面分
析等の分野における高性能化と共に、高輝度の液体金属
イオン源の開発が強く要望されておシ、特にエレクトロ
・デバイスの分野においては、ドープイオン種として重
要なり、P。
イ現像、マイクロドーピング等)、サブミクロン表面分
析等の分野における高性能化と共に、高輝度の液体金属
イオン源の開発が強く要望されておシ、特にエレクトロ
・デバイスの分野においては、ドープイオン種として重
要なり、P。
Si、As等を液体金属イオン源を用いて、直接半導体
材料にドーピングする試みがなされている。
材料にドーピングする試みがなされている。
この液体金属イオン源の動作原理は次の如くである。先
ずW、Ta、′カーボン等から成るエミッタチップに、
抵抗加熱あるいは電子線加熱によシ溶融させたイオン種
材料を供給し、チップ先端に強電界を印加し、チップ先
端よシミ界電離イオンを引出す。従ってイオン源として
は長時間、安定に、目的とするイオンビームを引き出せ
ることが重要である。
ずW、Ta、′カーボン等から成るエミッタチップに、
抵抗加熱あるいは電子線加熱によシ溶融させたイオン種
材料を供給し、チップ先端に強電界を印加し、チップ先
端よシミ界電離イオンを引出す。従ってイオン源として
は長時間、安定に、目的とするイオンビームを引き出せ
ることが重要である。
従来このイオン種材料として融点が400〜1000
CのP tsz Bss * P d4o N 140
B10 +P t27 Nj13 Be0 、
A uss、s P t 2o I G e1
3.S B2O。
CのP tsz Bss * P d4o N 140
B10 +P t27 Nj13 Be0 、
A uss、s P t 2o I G e1
3.S B2O。
P d4oNI 4OB+o ASso + P ty
z AS2@1Pd248n68ASl1等の合金が用
いられている。しかしこれらイオン種材料は以下に示す
いずれかの問題があるため、イオン源の寿命が10時間
以下と極めて短いという致命的な欠点を有していた。
z AS2@1Pd248n68ASl1等の合金が用
いられている。しかしこれらイオン種材料は以下に示す
いずれかの問題があるため、イオン源の寿命が10時間
以下と極めて短いという致命的な欠点を有していた。
1)溶融イオン種材料の蒸気圧が高いため、蒸発が激し
く、目的とする引出し元素イオンが短時間で枯渇してし
まう。
く、目的とする引出し元素イオンが短時間で枯渇してし
まう。
2)エミッタチップと溶融したイオン種材料が激しく反
応し、短時間でイオンビームの引出しが停止する。
応し、短時間でイオンビームの引出しが停止する。
3)溶融イオン種材料の粘性が高すぎる、あるいはエミ
ッタチップとのぬれ性が悪い等の理由によりイオンビー
ムの引出しが困難である。
ッタチップとのぬれ性が悪い等の理由によりイオンビー
ムの引出しが困難である。
本発明の目的は安定で且つ長寿命のB、si。
P、As等の高融点元素イオンビームを取り出せるイオ
ン源のイオン種材料を提供することにある。
ン源のイオン種材料を提供することにある。
上記のように、本発明はB、St、P、AS等の高融点
イオン種を安定に且つ長寿命で引き出すことを目的とし
ており、融点が低くて、その温度での蒸気圧も低く、特
にチップ材料として高温長時間使用可能なガラスカーボ
ンあるいはSiC系、WC系、LaB5系材料を用いた
時それと反応が皆無か、あるいはあっても少で、濡れ性
も良好なイオン種材料(合金)を得ようと試み、本発明
に到達したものである。
イオン種を安定に且つ長寿命で引き出すことを目的とし
ており、融点が低くて、その温度での蒸気圧も低く、特
にチップ材料として高温長時間使用可能なガラスカーボ
ンあるいはSiC系、WC系、LaB5系材料を用いた
時それと反応が皆無か、あるいはあっても少で、濡れ性
も良好なイオン種材料(合金)を得ようと試み、本発明
に到達したものである。
本発明者等は先ずNt元素が目的とする高融点イオン種
元素のB、St、P、もしくはAsと、これら元素の低
濃度側(20〜50原子パーセント)で、比較的低融点
(800〜100OC)の共晶合金が得られることに着
目し、これら二元系合金のイオン種材料を作製した。し
かし、ガラスカーボンあるいは炭化物をエミッタチップ
材料とし、これらNi基二元系合金をイオン種材料とし
て用いた場合:)融点での粘性が高い、11)エミッタ
チップとのぬれ性が悪い、i+Dエミッタチップと反応
する、lv)融点での蒸気圧が高く短時間で蒸発してし
まう等々、これまでと同様の問題が生じ、イオン源の寿
命は従来材と比べて延びたものの高々100時間程度で
あった。従ってさらに長寿命のイオン源を得るために、
これら共晶合金組成附近のNi基2元系合金に各種の添
加元素を加えることによシ、融点をさらに下げ、その温
度での蒸気圧、粘性を低くし、またエミッタチップ材料
(主としてガラスカーボン、炭化物、L a Be等)
との反応を軽減して、ぬれ性を良くすることを試みた。
元素のB、St、P、もしくはAsと、これら元素の低
濃度側(20〜50原子パーセント)で、比較的低融点
(800〜100OC)の共晶合金が得られることに着
目し、これら二元系合金のイオン種材料を作製した。し
かし、ガラスカーボンあるいは炭化物をエミッタチップ
材料とし、これらNi基二元系合金をイオン種材料とし
て用いた場合:)融点での粘性が高い、11)エミッタ
チップとのぬれ性が悪い、i+Dエミッタチップと反応
する、lv)融点での蒸気圧が高く短時間で蒸発してし
まう等々、これまでと同様の問題が生じ、イオン源の寿
命は従来材と比べて延びたものの高々100時間程度で
あった。従ってさらに長寿命のイオン源を得るために、
これら共晶合金組成附近のNi基2元系合金に各種の添
加元素を加えることによシ、融点をさらに下げ、その温
度での蒸気圧、粘性を低くし、またエミッタチップ材料
(主としてガラスカーボン、炭化物、L a Be等)
との反応を軽減して、ぬれ性を良くすることを試みた。
その結果、XをB + S i* P + C、および
Asからなる群よシ選択した少なくとも2元素とすると
き、一般式N ’ * X bで示される組成を有し、
且つ30≦a≦68(Niが30at%以上68atチ
以下を示す、以下同様に解する)、b=100−aであ
る液体金属イオン種合金によシ前記目的が達成できるこ
とを見出した。したがって、本発明の液体イオン種合金
はNiを含む少なくとも3元素からなシ、B、st、p
、cおよびAsからなる群よシ選択した2以上の元素の
合計量は32〜70at%であるが、とのNi以外の元
素のうちの少なくとも2元素はそれぞれ1st1以上含
有されていることが、よシ好ましい。これは上記Hi基
2元合金に添加する元素の効果を大ならしめるためには
添加元素の量を1at%以上とすることが望ましいから
である。しかし、この添加元素は少量でも添加すればそ
れなシの効果があるので、1814未満でも前記2元系
合金よりすぐれた特性を示す。
Asからなる群よシ選択した少なくとも2元素とすると
き、一般式N ’ * X bで示される組成を有し、
且つ30≦a≦68(Niが30at%以上68atチ
以下を示す、以下同様に解する)、b=100−aであ
る液体金属イオン種合金によシ前記目的が達成できるこ
とを見出した。したがって、本発明の液体イオン種合金
はNiを含む少なくとも3元素からなシ、B、st、p
、cおよびAsからなる群よシ選択した2以上の元素の
合計量は32〜70at%であるが、とのNi以外の元
素のうちの少なくとも2元素はそれぞれ1st1以上含
有されていることが、よシ好ましい。これは上記Hi基
2元合金に添加する元素の効果を大ならしめるためには
添加元素の量を1at%以上とすることが望ましいから
である。しかし、この添加元素は少量でも添加すればそ
れなシの効果があるので、1814未満でも前記2元系
合金よりすぐれた特性を示す。
さらにまた、より好ましい添加元素は、Hr−B合金に
はSi、Pおよび/もしくはCで、N1−P合金にはB
、Si、および/もしくはCで、Ni−3i合金にはB
で、Nt−As合金にはB。
はSi、Pおよび/もしくはCで、N1−P合金にはB
、Si、および/もしくはCで、Ni−3i合金にはB
で、Nt−As合金にはB。
si、pおよび/もしくはCであった。
上記の如く構成した本願発明の液体金属イオン種合金は
、融点が約1000C以下である他、前記の各目標特性
を満足するものであシ、良好な特性で寿命も長いイオン
源を得ることに成功した。
、融点が約1000C以下である他、前記の各目標特性
を満足するものであシ、良好な特性で寿命も長いイオン
源を得ることに成功した。
なお、上記組成範囲外では融点が高く、好ましくない。
Bおよび/もしくはSiのイオンを目的とする場合には
、特にBとBlの2元素を同時に含むNi基合金でBと
3iの濃度の合計が35〜7゜ai%のものが、融点1
000tl’未満であることはもちろん、エミッタチッ
プ材料との反応がほとんど無く、ぬれ性も良好で、イオ
ン源の寿命を飛躍的に向上させることが見出された。こ
の場合、この合金系に20at%以下のPおよび/もし
くはCを添加することによシ、その合金の融点、粘性を
さらに低下せしめ、且つチップ材料とのぬれ性をさらに
改善することができた。Pおよび/もしくはCが2oa
tlを越えると合金の融点が高まり、且つ求めるイオン
となる元素の量が減シイオン放射の効率の点から好まし
くない。この組成を示す一般式は、YをBおよびsiと
し、ZをPおよびCからなる群より選択した少なくとも
1元素とするとき、N1.Y4Z−で示され且つ3o≦
C≦65.35≦d≦7010≦e≦20.C−1−d
十e=100であるとするものである。この場合も、B
およびB+はいずれもlat%以上含まれていることが
より好ましい。
、特にBとBlの2元素を同時に含むNi基合金でBと
3iの濃度の合計が35〜7゜ai%のものが、融点1
000tl’未満であることはもちろん、エミッタチッ
プ材料との反応がほとんど無く、ぬれ性も良好で、イオ
ン源の寿命を飛躍的に向上させることが見出された。こ
の場合、この合金系に20at%以下のPおよび/もし
くはCを添加することによシ、その合金の融点、粘性を
さらに低下せしめ、且つチップ材料とのぬれ性をさらに
改善することができた。Pおよび/もしくはCが2oa
tlを越えると合金の融点が高まり、且つ求めるイオン
となる元素の量が減シイオン放射の効率の点から好まし
くない。この組成を示す一般式は、YをBおよびsiと
し、ZをPおよびCからなる群より選択した少なくとも
1元素とするとき、N1.Y4Z−で示され且つ3o≦
C≦65.35≦d≦7010≦e≦20.C−1−d
十e=100であるとするものである。この場合も、B
およびB+はいずれもlat%以上含まれていることが
より好ましい。
Pイオンを目的とするイオン種合金ではNi以外の上記
元素(P、B、Cおよび/もしくけsi)の総量を35
at%以上、5Qat%以下とすることがよシ望ましく
、このようにすることにょシ、より長寿命のイオン源が
得られることを見出した。
元素(P、B、Cおよび/もしくけsi)の総量を35
at%以上、5Qat%以下とすることがよシ望ましく
、このようにすることにょシ、より長寿命のイオン源が
得られることを見出した。
これは、TをB、Cおよびsiからなる群よシ選択した
少なくとも1元素とするとき、一般式Nl*P、Thで
示される組成を有し、且っ5o≦f≦65.35≦g
+it≦50.f+g+h=100である液体金属イオ
ン種合金である。この場合も、B、Cおよび/もしくは
siはfat%以上であることがざらに望ましい。
少なくとも1元素とするとき、一般式Nl*P、Thで
示される組成を有し、且っ5o≦f≦65.35≦g
+it≦50.f+g+h=100である液体金属イオ
ン種合金である。この場合も、B、Cおよび/もしくは
siはfat%以上であることがざらに望ましい。
また、A8イオンを目的とするイオン種合金の場合も、
同様に、MをB、st、c、およびPからなる群よシ選
択した少なくとも1元素とするとき、一般式N1kA8
zMm で示される組成を有し、且つ55≦に≦65.
35≦t≦45、Q(m≦20、lc+z+m=i 0
0Chる?ニーとがLF)’litしい。この場合もB
、st、cおよび/もしくはPは1at%以上であるこ
とがさらに好ましい。
同様に、MをB、st、c、およびPからなる群よシ選
択した少なくとも1元素とするとき、一般式N1kA8
zMm で示される組成を有し、且つ55≦に≦65.
35≦t≦45、Q(m≦20、lc+z+m=i 0
0Chる?ニーとがLF)’litしい。この場合もB
、st、cおよび/もしくはPは1at%以上であるこ
とがさらに好ましい。
さらに上記Ni基合金のNiをcu、Ru*Rh+Pd
、Ag、Au、P を等の元素で1部置換(10原子パ
ーセント以下)することによっても、合金の融点をさら
に下げることが出来、イオン源の寿命をさらに向上出来
ることを見い出した。ここで重金属は半導体材料では特
性を劣化させる効果があるため、イオンドープ時にその
混入を防止するためにもイオン種材料としては1o原子
パーセント以下に抑えることが好ましい。このようにし
て得た上記発明の該Ni基イオン種材料は、特にガラス
カーボン、炭化物(sic、wC)、LaBa等をエミ
ッタチップ材料として用いた場合イオン源として100
時間を越える長寿命化を図ることが出来る。
、Ag、Au、P を等の元素で1部置換(10原子パ
ーセント以下)することによっても、合金の融点をさら
に下げることが出来、イオン源の寿命をさらに向上出来
ることを見い出した。ここで重金属は半導体材料では特
性を劣化させる効果があるため、イオンドープ時にその
混入を防止するためにもイオン種材料としては1o原子
パーセント以下に抑えることが好ましい。このようにし
て得た上記発明の該Ni基イオン種材料は、特にガラス
カーボン、炭化物(sic、wC)、LaBa等をエミ
ッタチップ材料として用いた場合イオン源として100
時間を越える長寿命化を図ることが出来る。
以上の本発明の該Ni基合金でNiの一部あるいは全部
をpeあるいはCoで置換して、上記と同様の長寿命化
を図ることが出来るが、この場合1000 tl;以下
の低融点を得るにはFe 、 CO*Niの全濃度を7
0〜85原子パーセントにする必要がある。
をpeあるいはCoで置換して、上記と同様の長寿命化
を図ることが出来るが、この場合1000 tl;以下
の低融点を得るにはFe 、 CO*Niの全濃度を7
0〜85原子パーセントにする必要がある。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例1
本発明のイオン種材料を用いたイオン源の構造の概略図
を第1図に示す。イオン源は幅2〜3酵、長さ20mm
、厚さ200μmの板状焼結カーボンからなる抵抗加熱
ヒータ1、イオン種材料2、電流導入端子3、止めネジ
4、イオン引出し電極5、ニードル状エミッタチップ(
ガラスカーボンあるいはsIc、wc等の炭化物あるい
はLaB6)6、支持台8、加熱電源9、引出し電源1
0、加速電源11より構成されている。7はイオンビー
ムを示す。
を第1図に示す。イオン源は幅2〜3酵、長さ20mm
、厚さ200μmの板状焼結カーボンからなる抵抗加熱
ヒータ1、イオン種材料2、電流導入端子3、止めネジ
4、イオン引出し電極5、ニードル状エミッタチップ(
ガラスカーボンあるいはsIc、wc等の炭化物あるい
はLaB6)6、支持台8、加熱電源9、引出し電源1
0、加速電源11より構成されている。7はイオンビー
ムを示す。
Bイオンのイオン種材料としてN15o B4OS j
+o、N Iu+ B48 S ’to 、 N
’ 46 CuS B4OS I 1c+ 、Nj
43 B45 S ! to C2、Nj45 B45
Plo、N15oBsoSl+oPsCs合金を、P
イオンのイオン種材料として、N165P250101
N’60P30BIQ、Njso CLls Pas
B+o合金を、Siイオンのイオン種拐料としてN1a
sSl<sB+o、N’35S’55BIO1NIao
Pds S ’45BIO合金を、Asイオンのイオ
ン種材料としてNj 50AS408 ilo、Njs
oAS4o E310、N i as ASno BL
o Cs合金をプラズマ溶解、高周波加熱により作製し
た。ここでPあるいはAsを含む合金系は焼結後、石英
管に真空対じこめした後、加熱溶解することにより作製
した。これら合金の測定した融点を第1表に示す。表に
は比較のためN15o Bso * N15o8f5o
、 N1ys P2S% N’60A540合金の融
点も示しである。表から二元系にB、P。
+o、N Iu+ B48 S ’to 、 N
’ 46 CuS B4OS I 1c+ 、Nj
43 B45 S ! to C2、Nj45 B45
Plo、N15oBsoSl+oPsCs合金を、P
イオンのイオン種材料として、N165P250101
N’60P30BIQ、Njso CLls Pas
B+o合金を、Siイオンのイオン種拐料としてN1a
sSl<sB+o、N’35S’55BIO1NIao
Pds S ’45BIO合金を、Asイオンのイオ
ン種材料としてNj 50AS408 ilo、Njs
oAS4o E310、N i as ASno BL
o Cs合金をプラズマ溶解、高周波加熱により作製し
た。ここでPあるいはAsを含む合金系は焼結後、石英
管に真空対じこめした後、加熱溶解することにより作製
した。これら合金の測定した融点を第1表に示す。表に
は比較のためN15o Bso * N15o8f5o
、 N1ys P2S% N’60A540合金の融
点も示しである。表から二元系にB、P。
C,5i、CO,pd等を添加したことによシ融点がさ
らに低下していることがわかる。
らに低下していることがわかる。
このように作製した合金から径が1〜2rrrMの大き
さのイオン種試料を作製し、第1図に示す抵抗加熱ヒー
タ1の上にのせて溶融し、イオン源の寿命を検討した。
さのイオン種試料を作製し、第1図に示す抵抗加熱ヒー
タ1の上にのせて溶融し、イオン源の寿命を検討した。
その結果エミッタチップ材として、ガラスカーボンある
いはsic、sるいはL a Baを用いた時、いずれ
の試料においてもチップとのぬれ性が良く、チップとの
反応も少なく、100時間を越えてもイオンビームを引
出せることを確認した。
いはsic、sるいはL a Baを用いた時、いずれ
の試料においてもチップとのぬれ性が良く、チップとの
反応も少なく、100時間を越えてもイオンビームを引
出せることを確認した。
特にN+Bsi合金のイオン種材料とSiCエミツクチ
ップ材料とを組み合わせだイオン源ではチップとのぬれ
性が極めて良く、反応も全く無く、溶融イオン種材料が
枯渇するまでイオンビームを引出すことが出来た。第2
図に代表的な本発明のN441184SSjl(1イオ
ン種材料のイオン放出角が数m radでの質量分析ス
ペクトルの一例を示す。この時の引出し電圧は10.5
kV、全イオン電流は約150μAであった。
ップ材料とを組み合わせだイオン源ではチップとのぬれ
性が極めて良く、反応も全く無く、溶融イオン種材料が
枯渇するまでイオンビームを引出すことが出来た。第2
図に代表的な本発明のN441184SSjl(1イオ
ン種材料のイオン放出角が数m radでの質量分析ス
ペクトルの一例を示す。この時の引出し電圧は10.5
kV、全イオン電流は約150μAであった。
なお、本発明の液体金属イオン種合金ならびにその応用
方法において、上記せざる事項については、従来この分
野で知られている知見を利用してよい。
方法において、上記せざる事項については、従来この分
野で知られている知見を利用してよい。
以上説明したところから明らかなように、本発明のイオ
ン種材料は従来の液体金属イオン源の致命的な欠点であ
った短寿命を克服し、B、St。
ン種材料は従来の液体金属イオン源の致命的な欠点であ
った短寿命を克服し、B、St。
P、As等の高融点元素イオン種を単元素イオンとして
効率よく安定に長時間引出せる材料として極めて優れて
いることがわかった。
効率よく安定に長時間引出せる材料として極めて優れて
いることがわかった。
第1表
第1図は液体金稿イオン源の縦断面図、第2図は本発明
の一実施例におけるNi4S B46 S it。合金
をイオン種材料として用いた時のイオンビームの質量分
析図である。 1・・・ヒータ、2・−・イオン種材料、3・・・電流
導入端子、4・・・止めネジ、5・・・イオン引出し電
極、6・・・ニードル状チップ、7・・・イオンビーム
、8・・・支持台、9・・・加熱電源、10・・・引出
し電源、11・・・別霜 1 図
の一実施例におけるNi4S B46 S it。合金
をイオン種材料として用いた時のイオンビームの質量分
析図である。 1・・・ヒータ、2・−・イオン種材料、3・・・電流
導入端子、4・・・止めネジ、5・・・イオン引出し電
極、6・・・ニードル状チップ、7・・・イオンビーム
、8・・・支持台、9・・・加熱電源、10・・・引出
し電源、11・・・別霜 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 XをB、Si、p、c、およびAsからなる群
より選択した少なくとも2元素とするとき、一般式Nj
、Xbで示される組成を有し、且つ30≦a≦68、b
=100−aであることを特徴とする液体金属イオン種
合金。 2、上記Xを構成する元素の少なくとも2元素がいずれ
もlat%以上含有されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の液体金属イオン種合金。 3、 YをBおよび3iとし、ZをPおよびCからな
る群より選択した少なくとも1元素とするとき、一般式
N ’ * Y a Z *で示される組成を有し、且
つ30≦C≦65.35≦d≦70.0≦e≦20.C
+d+e=100であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項もしくは第2項記載の液体金属イオン種合金。 4、 上記Yを構成するBおよびSiがいずれも1ai
%以上含有されてなることを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載の液体金属イオン種合金。 5、 TをB、CおよびBiからなる群より選択した
少なくとも1元素とするとき、一般式NitPgTbで
示される組成を有し、且つ50≦f≦65.35≦g+
h≦50、f+g+h=100であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項もしくは第2項記載の液体金属イ
オン種合金。 6、h≧1なることを特徴とする特許請求の範囲第5項
記載の液体金属イオン種合金。 7、 MをB、si、cおよびPからなる群よシ選択
した少なくとも1元素とするとき、一般式N’ kA
SAMmで示される組成を有し、且つ55≦に≦65.
35≦t≦45、Q(m≦20、k+4+m=100で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第
2項記載の液体金属イオン種合金。 f3. m≧1なることを特徴とする特許請求の範囲
第7項記載の液体金属イオン種合金。 9. 上記H+を、cu、au、Rh、Pd+ Ag。 Auおよびptからなる群よシ選択した少なくとも1元
素で、10at%以下置換してなることを特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第8項のいずれかの項に記載の
液体金属イオン種合金。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58065426A JPS59191225A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 液体金属イオン種合金 |
EP19840901430 EP0140979B1 (en) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Alloy containing liquid metal ion species |
PCT/JP1984/000188 WO1984004202A1 (en) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Alloy containing liquid metal ion species |
DE8484901430T DE3484167D1 (de) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Legierung enthaltende fluessigmetall-ion-arten. |
CA000452060A CA1225229A (en) | 1983-04-15 | 1984-04-16 | Alloys for liquid metal ion sources |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58065426A JPS59191225A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 液体金属イオン種合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59191225A true JPS59191225A (ja) | 1984-10-30 |
JPH0421976B2 JPH0421976B2 (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=13286735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58065426A Granted JPS59191225A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 液体金属イオン種合金 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0140979B1 (ja) |
JP (1) | JPS59191225A (ja) |
CA (1) | CA1225229A (ja) |
DE (1) | DE3484167D1 (ja) |
WO (1) | WO1984004202A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987003739A1 (en) * | 1985-12-13 | 1987-06-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid metal ion source |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617203A (en) * | 1985-04-08 | 1986-10-14 | Hughes Aircraft Company | Preparation of liquid metal source structures for use in ion beam evaporation of boron-containing alloys |
US4775818A (en) * | 1986-04-14 | 1988-10-04 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source and alloy |
US4670685A (en) * | 1986-04-14 | 1987-06-02 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4367429A (en) * | 1980-11-03 | 1983-01-04 | Hughes Aircraft Company | Alloys for liquid metal ion sources |
JPS57131360A (en) * | 1981-02-03 | 1982-08-14 | Rikagaku Kenkyusho | Electric field evaporation type ion source using liquid alloy |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58065426A patent/JPS59191225A/ja active Granted
-
1984
- 1984-04-13 DE DE8484901430T patent/DE3484167D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-13 EP EP19840901430 patent/EP0140979B1/en not_active Expired
- 1984-04-13 WO PCT/JP1984/000188 patent/WO1984004202A1/ja active IP Right Grant
- 1984-04-16 CA CA000452060A patent/CA1225229A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987003739A1 (en) * | 1985-12-13 | 1987-06-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid metal ion source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3484167D1 (de) | 1991-04-04 |
JPH0421976B2 (ja) | 1992-04-14 |
CA1225229A (en) | 1987-08-11 |
WO1984004202A1 (en) | 1984-10-25 |
EP0140979A1 (en) | 1985-05-15 |
EP0140979B1 (en) | 1991-02-27 |
EP0140979A4 (en) | 1988-01-26 |
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