JPS59161368A - 新規ハロゲン化3,3’,4,4’−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 - Google Patents
新規ハロゲン化3,3’,4,4’−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法Info
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- JPS59161368A JPS59161368A JP3183483A JP3183483A JPS59161368A JP S59161368 A JPS59161368 A JP S59161368A JP 3183483 A JP3183483 A JP 3183483A JP 3183483 A JP3183483 A JP 3183483A JP S59161368 A JPS59161368 A JP S59161368A
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- dianhydride
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規・・ロゲン化3.3’、4.4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物(以下ハロゲン化B
TDAと略記)およびその製造法に関し、さらに詳しく
は次の一般式(1)で示される3、3’、4.4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以下BTDA
を溶媒中でハロゲン化反応させることによって、新規化
合物である次の一般式(n)で示されるハロゲン化BT
DA(r見い出し、さらにその製造法を確立したことに
関するものである。
フェノンテトラカルボン酸二無水物(以下ハロゲン化B
TDAと略記)およびその製造法に関し、さらに詳しく
は次の一般式(1)で示される3、3’、4.4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以下BTDA
を溶媒中でハロゲン化反応させることによって、新規化
合物である次の一般式(n)で示されるハロゲン化BT
DA(r見い出し、さらにその製造法を確立したことに
関するものである。
(式中R1はハロゲン原子、R2,R3は夫々独立して
水素原子捷たけハロゲン原子を示す。)従来BTDAと
類似構造含有するテトラプロモフクール酸無水物は不飽
和ポリエステル樹脂の難燃剤として使用されているが、
樹脂に対する溶解度が非常に低い欠点を有し樹脂物性を
低下させるので好ましくない。本発明者らはこのような
欠点のない難燃剤、エポキシの難燃性硬化剤を見出すべ
く検討全型ねた結果、新規ハロゲン化BTDA’e開発
したものである。
水素原子捷たけハロゲン原子を示す。)従来BTDAと
類似構造含有するテトラプロモフクール酸無水物は不飽
和ポリエステル樹脂の難燃剤として使用されているが、
樹脂に対する溶解度が非常に低い欠点を有し樹脂物性を
低下させるので好ましくない。本発明者らはこのような
欠点のない難燃剤、エポキシの難燃性硬化剤を見出すべ
く検討全型ねた結果、新規ハロゲン化BTDA’e開発
したものである。
新規ハロゲン化BTDAはそれ単独で難燃済り、エポキ
シ樹脂の硬化剤、またプラスチック加工に際して紫外線
の安定剤などの広い用途が望めるはかりでなく、例えば
アリールアルコールと反応させ、ハロゲン化BTDAの
了り−ルエステル全誘導することにより、反応性難燃剤
の原料として適用が期待される化合物である。1だ、ポ
リエステノベポリイミド等の耐熱性の優れた高分子素材
に対する要望は近年ますます高まっているが、低ハロゲ
ン化BTDAはこの素材として広く適応が見込まれる化
合物である。
シ樹脂の硬化剤、またプラスチック加工に際して紫外線
の安定剤などの広い用途が望めるはかりでなく、例えば
アリールアルコールと反応させ、ハロゲン化BTDAの
了り−ルエステル全誘導することにより、反応性難燃剤
の原料として適用が期待される化合物である。1だ、ポ
リエステノベポリイミド等の耐熱性の優れた高分子素材
に対する要望は近年ますます高まっているが、低ハロゲ
ン化BTDAはこの素材として広く適応が見込まれる化
合物である。
本発明のハロゲン化BTDAは前記一般式(n)におい
て、Rノ1がハロゲン原子置換、R,2,R’sが水素
原子のジハロゲン化BTDA 、 R1,R2がノ・
ロゲン原子置換、R1が水素原子のテトラハロゲン化B
T DA 、、Rs 、 R2、R3がハロゲン置換
されたヘキサ/・ロゲン化BTDAとして得られる。こ
れらはそのノ・ロケン化条件、例えば反応温度、反応時
間、溶媒の種類、触媒やノ・ロゲン化剤の添加量等の反
応因子を調整することによって夫々の所望のものを得る
ことが出来る。またBTDAのハロゲン置換度が増大す
るに従ってもとの紫外吸収力減少し、ヘキサ体では吸収
を示さなくなる。赤外吸収スペクトルは3050〜31
50cm−’の−CH伸縮振動がハロゲン置換が増大す
ると共にこの吸収は減少し、ヘキサ体では吸収が消失す
る。したがって、これらを検出してハロゲン化反応をコ
ントロールすることが出来る。
て、Rノ1がハロゲン原子置換、R,2,R’sが水素
原子のジハロゲン化BTDA 、 R1,R2がノ・
ロゲン原子置換、R1が水素原子のテトラハロゲン化B
T DA 、、Rs 、 R2、R3がハロゲン置換
されたヘキサ/・ロゲン化BTDAとして得られる。こ
れらはそのノ・ロケン化条件、例えば反応温度、反応時
間、溶媒の種類、触媒やノ・ロゲン化剤の添加量等の反
応因子を調整することによって夫々の所望のものを得る
ことが出来る。またBTDAのハロゲン置換度が増大す
るに従ってもとの紫外吸収力減少し、ヘキサ体では吸収
を示さなくなる。赤外吸収スペクトルは3050〜31
50cm−’の−CH伸縮振動がハロゲン置換が増大す
ると共にこの吸収は減少し、ヘキサ体では吸収が消失す
る。したがって、これらを検出してハロゲン化反応をコ
ントロールすることが出来る。
本発明のハロゲン化BTDAばBTDAk溶媒中でハロ
ゲン化反応させることにより得られる。
ゲン化反応させることにより得られる。
ハロゲン化反応に用いられるハロケン化剤としては、塩
素または臭素全単独で用いるのが好ましいが、塩化臭素
、−塩化イオウ、塩化スルフリルやその他のハロゲン化
剤あるいはそれらの溶液であっても良い。塩化臭素はほ
ぼ等モルの塩素と臭素を反応させて得ることができるが
、はぼ等モルの塩素と臭素の混合物あるいはその混合溶
液であってもよい。また臭化カリウムなどの臭化物を水
中で塩化水素と反応させても得ることができる。ハロゲ
ン化反応には必要に応じて紫外線および/または触媒が
用いられるが、触媒としては有機過酸化物、リン、イオ
ウ、鉄粉、ヨウ素、塩化第2鉄などのフリーデルグラフ
ト触媒などがあり、これらの複合系でも使用することが
出来る。
素または臭素全単独で用いるのが好ましいが、塩化臭素
、−塩化イオウ、塩化スルフリルやその他のハロゲン化
剤あるいはそれらの溶液であっても良い。塩化臭素はほ
ぼ等モルの塩素と臭素を反応させて得ることができるが
、はぼ等モルの塩素と臭素の混合物あるいはその混合溶
液であってもよい。また臭化カリウムなどの臭化物を水
中で塩化水素と反応させても得ることができる。ハロゲ
ン化反応には必要に応じて紫外線および/または触媒が
用いられるが、触媒としては有機過酸化物、リン、イオ
ウ、鉄粉、ヨウ素、塩化第2鉄などのフリーデルグラフ
ト触媒などがあり、これらの複合系でも使用することが
出来る。
溶媒としてはプロトン性溶媒や有機溶媒を用いることが
できる。プロトン性溶媒としては、塩化スルフIJ )
ぺ硫酸、クロル硫酸、発煙硫酸、酢酸などが用いられる
。有機溶媒としては、塩素および/または臭素を含む炭
素数4以下の四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエ
タンなどのノ・ロゲン化脂肪族炭化水素である。
できる。プロトン性溶媒としては、塩化スルフIJ )
ぺ硫酸、クロル硫酸、発煙硫酸、酢酸などが用いられる
。有機溶媒としては、塩素および/または臭素を含む炭
素数4以下の四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエ
タンなどのノ・ロゲン化脂肪族炭化水素である。
溶媒はプロトン性溶媒と有機溶媒の不均一溶媒系であっ
てもハロゲン化反応をせしめることができる。
てもハロゲン化反応をせしめることができる。
不均一溶媒系の混合割合は特に限定されるものではない
。
。
ハロゲン化反応は通常BTDAk含有した溶媒系中で攪
拌しながらハロゲン化剤を添加して行なわれる。
拌しながらハロゲン化剤を添加して行なわれる。
反応温度は0〜150℃で行なえる。プロトン性溶媒中
では通常40〜80℃が好ましい。不均一溶媒系でハロ
ゲン化反応を行う場合には有機溶媒の沸点近くで反応を
行うのが好ましい。
では通常40〜80℃が好ましい。不均一溶媒系でハロ
ゲン化反応を行う場合には有機溶媒の沸点近くで反応を
行うのが好ましい。
反応終了後、反応液全氷水中に注入することによってハ
ロゲン化BTDAkF別分離する4、反応液には未反応
のハロゲン化剤が混入しているため、反応液全氷水中に
注入する場合において過剰なハロゲン化剤を還元するた
め、亜硫酸す) IJウム、チオ硫酸ナトリウムなどの
還元剤を加え生成物の着色を防止することもできる。戸
別分離された粗製ハロゲン化B TDAは希硫酸、氷水
、有機溶剤、洗浄い再結晶あるいはその他の方法で精製
する。例えば粗製2.2’、5.5’。
ロゲン化BTDAkF別分離する4、反応液には未反応
のハロゲン化剤が混入しているため、反応液全氷水中に
注入する場合において過剰なハロゲン化剤を還元するた
め、亜硫酸す) IJウム、チオ硫酸ナトリウムなどの
還元剤を加え生成物の着色を防止することもできる。戸
別分離された粗製ハロゲン化B TDAは希硫酸、氷水
、有機溶剤、洗浄い再結晶あるいはその他の方法で精製
する。例えば粗製2.2’、5.5’。
6.6′−ヘキサブロモ−3、3’、 4 、4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物は酢酸中で再結
晶を行うことによって高純度(99,9%以上〕のもの
として得ることができる。
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物は酢酸中で再結
晶を行うことによって高純度(99,9%以上〕のもの
として得ることができる。
以下本発明全実施例により具体的に説明するが、本発明
はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
実施例1゜
容積1.Otの四ツ目フラスコに温度計、冷却器、添加
ロートおよび攪拌機全付けた反応装置に、酢酸700m
1、BTDA 100 y @入れ、触媒として無水塩
化第二鉄1.0グ、ヨウ素1,51を加え40〜45℃
に保ちながら約60分かけ臭素11(1’r添加し、2
時間臭素化反応を行なった。この反応液を約晃濃縮後5
を仔と畳まV四望閣碧に芒竺泉芥俟与覧酢酸から再結晶
すると、高純度の2,2′−ジブロモ3゜3’ 、 4
、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物1
08.9′?を得た(対理論収率73.2%)。
ロートおよび攪拌機全付けた反応装置に、酢酸700m
1、BTDA 100 y @入れ、触媒として無水塩
化第二鉄1.0グ、ヨウ素1,51を加え40〜45℃
に保ちながら約60分かけ臭素11(1’r添加し、2
時間臭素化反応を行なった。この反応液を約晃濃縮後5
を仔と畳まV四望閣碧に芒竺泉芥俟与覧酢酸から再結晶
すると、高純度の2,2′−ジブロモ3゜3’ 、 4
、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物1
08.9′?を得た(対理論収率73.2%)。
なおこのものの元素分析値、mp、紫外部吸収スペクト
ルを第1表に示す。
ルを第1表に示す。
実施例2゜
実施例1と同様な反応装置に30%発煙硫酸8007、
BTDAIO(l全溶解し2、触媒として一塩化イオウ
3,07、液体塩素1,0?を加え、50〜55℃に保
ちした結晶kr遇し、氷水洗浄、アセトン洗浄後酢酸−
ジメチルスルホキサイドから再結晶すると高純度の2
、2’ 、 5 、5’−テトラブロモ−3,3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物17
11に得た(対理論収率86.5%)。
BTDAIO(l全溶解し2、触媒として一塩化イオウ
3,07、液体塩素1,0?を加え、50〜55℃に保
ちした結晶kr遇し、氷水洗浄、アセトン洗浄後酢酸−
ジメチルスルホキサイドから再結晶すると高純度の2
、2’ 、 5 、5’−テトラブロモ−3,3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物17
11に得た(対理論収率86.5%)。
なおこのものの元素分析値、mp、紫外部吸収スペクト
ル全第1表に示す。
ル全第1表に示す。
実施fylJ 3゜
実施例1と同じ反応装置に、60%発煙硫酸6002に
BTDA 100 f全溶解し、触媒として鉄4.07
〜塩化臭素5.Ofi加え、60〜65℃に保ちながら
約60分で臭素300f’に添加後8時間臭素化反応を
行なった。実施例2と同じ後処理によって高純度の2゜
2’、5.5’、6.6’−へキサブロモ3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物22
4′?を得た(対理論収率90,5%)。
BTDA 100 f全溶解し、触媒として鉄4.07
〜塩化臭素5.Ofi加え、60〜65℃に保ちながら
約60分で臭素300f’に添加後8時間臭素化反応を
行なった。実施例2と同じ後処理によって高純度の2゜
2’、5.5’、6.6’−へキサブロモ3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物22
4′?を得た(対理論収率90,5%)。
なお、このものの元素分析値、rnp、紫外部吸収スペ
クトルを第1表に示すとともに、赤外吸収スペクトル(
KBr法)全第2図に示す。第1図は参考のため示した
原料BTDAの赤外吸収スペクトルCKBr法うである
。
クトルを第1表に示すとともに、赤外吸収スペクトル(
KBr法)全第2図に示す。第1図は参考のため示した
原料BTDAの赤外吸収スペクトルCKBr法うである
。
実施例4゜
実施例1と同じ反応装置に、60%発煙硫酸600グに
BTDAloofを浴解し、触媒としてリン0.5f。
BTDAloofを浴解し、触媒としてリン0.5f。
鉄粉5.(lを加え45〜50℃に保ちながら約60分
で液化塩素:L501−導入後、6時間塩素化反応を行
なった。実施例2と同様に後処理全行なって高純度の2
、2’ 、 5 、5’ 、 6 、6’−へキサク
ロロ3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物1391全得た(対理論収率84
.6%〕。
で液化塩素:L501−導入後、6時間塩素化反応を行
なった。実施例2と同様に後処理全行なって高純度の2
、2’ 、 5 、5’ 、 6 、6’−へキサク
ロロ3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物1391全得た(対理論収率84
.6%〕。
なお、このものの元素分析値、rnp、紫外部吸収スペ
クトル全第1表に示す。
クトル全第1表に示す。
第 1 表
実施例5゜
容積500−の攪拌機、コンデンサー、温度計および添
加ロート付き4ツロフラスコに、濃硫酸60d。
加ロート付き4ツロフラスコに、濃硫酸60d。
四塩化炭素250m1を入れ、これに触媒として酢酸タ
ンクル1,07、−塩化ヨウ素2.OfとBTDA60
fを加えた不均一懸濁液を30〜40℃に保ちながら、
約30分で臭素150グ全添加し55〜60℃に昇温し
6時間臭素化反応を行なった。実施例2と同様な後処理
全災施したところ、高純度の2.2’、5.5’、6゜
a 6’−へキサブロモBTDA 139
.4 rを得た。
ンクル1,07、−塩化ヨウ素2.OfとBTDA60
fを加えた不均一懸濁液を30〜40℃に保ちながら、
約30分で臭素150グ全添加し55〜60℃に昇温し
6時間臭素化反応を行なった。実施例2と同様な後処理
全災施したところ、高純度の2.2’、5.5’、6゜
a 6’−へキサブロモBTDA 139
.4 rを得た。
第1図は本発明の実施例3で用いた原料BTDA。
第2図はその生成へキサブロモBTDAの、それぞれの
KBr法による赤外吸収スペクトルを示す。 手続7市正川、 (自 発) 昭和58年4月5臼 1、事件の表示 昭和58年 特許軸 第3”183/i号2、発明の名
称 新規ハロゲン化3.3’ 、 4.4’ −ヘンシフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 3、補正をする者 事件との関係 特t′F出e1人住 所
東京fli1千代1.L1区丸の内1−.4 5名 称
(234)山陽国策バルブ株式会社4、代理人 住 所 東京都千代田区神田北東物flJ16番地
〒101 英ビル3階 5、補正の対象 @閤及び明細書(発明の詳細な説明の拍及び図面の7山
正 の 内 容 A、願書中下記事項を訂正づる。 1、第1頁目の「特許軸」の右隣りに[(特許法第38
条たたし書の規定による特許出願)」を加入 2、第1頁目の「発明の名称」の欄と「発明者」の欄と
の間に「特許請求の範囲に記載された発明の数2」を加
入 B、明細書の発明の詳細な説明の項のうち下記事項を訂
正する。 1、明細書第6頁末行に[まIc B T D A J
とあるを「また紫外吸収スペクトルについてはハロゲン
化BTDAJと訂正 2、明細書筒7頁2行目の「収」と「が減少」との間に
[(λma×262.5 nm ) Jと加入C9明細
書の図面の簡単な説明の項のうち下記事項を訂正する。 1、明細書第13頁の末尾に[なお、図面中横軸の上側
はnll+を、まIc下側はCm −1をそれぞれ示し
、縦軸は%を示す。1を+IF]人。
KBr法による赤外吸収スペクトルを示す。 手続7市正川、 (自 発) 昭和58年4月5臼 1、事件の表示 昭和58年 特許軸 第3”183/i号2、発明の名
称 新規ハロゲン化3.3’ 、 4.4’ −ヘンシフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 3、補正をする者 事件との関係 特t′F出e1人住 所
東京fli1千代1.L1区丸の内1−.4 5名 称
(234)山陽国策バルブ株式会社4、代理人 住 所 東京都千代田区神田北東物flJ16番地
〒101 英ビル3階 5、補正の対象 @閤及び明細書(発明の詳細な説明の拍及び図面の7山
正 の 内 容 A、願書中下記事項を訂正づる。 1、第1頁目の「特許軸」の右隣りに[(特許法第38
条たたし書の規定による特許出願)」を加入 2、第1頁目の「発明の名称」の欄と「発明者」の欄と
の間に「特許請求の範囲に記載された発明の数2」を加
入 B、明細書の発明の詳細な説明の項のうち下記事項を訂
正する。 1、明細書第6頁末行に[まIc B T D A J
とあるを「また紫外吸収スペクトルについてはハロゲン
化BTDAJと訂正 2、明細書筒7頁2行目の「収」と「が減少」との間に
[(λma×262.5 nm ) Jと加入C9明細
書の図面の簡単な説明の項のうち下記事項を訂正する。 1、明細書第13頁の末尾に[なお、図面中横軸の上側
はnll+を、まIc下側はCm −1をそれぞれ示し
、縦軸は%を示す。1を+IF]人。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (式中R1はハロゲン原子、R2は水素原子又はハロゲ
ン原子、R3は水素原子又はハロゲン原子全夫々表わす
。。 で示される新規ハロゲン化3 、3’ 、 4 、4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物。 (2)式中R1がハロゲン原子、R2,R3がいずれも
水素原子の2.2′ジハロゲン3 、3’ 、 4 、
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物である
特許請求の範囲第1項記載の新規ハロゲン化3.3’、
4.4’ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
。 (3)式中R,,R,かいずれもハロゲン原子、R3が
水素原子の2.2’、、5.5’−テトラハロゲン3
、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物である特許請求の範囲第1項記載の新規ノ
・ロゲン化3 、3’、4゜6.6′−へキサハロゲン
3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物である特許請求の範囲第1項記載の新規ハロゲ
ン化3 、3’、 4 、4’ −ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物。 (5)式中のハロゲン原子が塩素の塩素化3.3’、4
゜4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物)
である特許請求の範囲第1項から第4項までのいずれか
1項記載の新規ハロゲン化3.3’、4.4’ −ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物。。 (6)式中の・・ロゲン原子が臭素の臭素化3 、3’
、 4 。 4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物である
特許請求の範囲第1項から第4項捷でのいずれか1項記
載の新規ハロゲン化3 、3’、 4 、4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物。 (7)一般式 で示される3 、 3’ 、 4 、4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物を溶媒中でハロゲン化反
応させることを特徴とする (式中R+はハロゲン原子、R2は水素原子又はハロゲ
ン原子、R3は水素原子又はハロゲン原子全夫々表わす
。) で示される新規ハロゲン化3.3’、4.4’−ベンゾ
フェノンカルボン酸二無水物の製造法。 (8)ハロゲン化反応が塩素化および/または臭素化反
応である特許請求の範囲第7項記載の句規ハロゲン化3
、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物の製造法。 (9)@媒が塩素および/または臭素を含む炭素敬4以
下のハロゲン化脂肪族炭化水素および/捷たけプロトン
性溶媒である特許請求の範囲第7項または第8項記載の
新規ハロゲン化3.3’、4,4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物の製造法。 (10)紫外線および/または触媒の存在下でハロゲン
化反応を行なう特許請求の範囲第7項から第9項までの
いずれか1項記載のハロゲン化3.3’、4゜4′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の製造法。 (11)触媒が有機過酸化物、リン、イオウ、鉄粉、ヨ
ウ素およびフリーチルクラフト触媒のいずれかである特
許請求の範囲第7項から第10項寸でのいずれか1項記
載の新規ハロゲン化3.3’、4.4’ −ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3183483A JPS59161368A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 新規ハロゲン化3,3’,4,4’−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3183483A JPS59161368A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 新規ハロゲン化3,3’,4,4’−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59161368A true JPS59161368A (ja) | 1984-09-12 |
JPS616071B2 JPS616071B2 (ja) | 1986-02-24 |
Family
ID=12342092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3183483A Granted JPS59161368A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 新規ハロゲン化3,3’,4,4’−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59161368A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5077415A (en) * | 1990-01-19 | 1991-12-31 | Ciba-Geigy Corporation | Disubstituted aromatic dianhydrides |
US5153303A (en) * | 1990-01-19 | 1992-10-06 | Ciba-Geigy Corporation | Polyimides prepared from disubstituted aromatic tetracarboxylic acid dianhydrides |
CN111303414A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种高性能低介电聚酰亚胺、其制备方法及高性能低介电聚酰亚胺薄膜 |
CN111303415A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种高性能无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
CN111303416A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP3183483A patent/JPS59161368A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5077415A (en) * | 1990-01-19 | 1991-12-31 | Ciba-Geigy Corporation | Disubstituted aromatic dianhydrides |
US5153303A (en) * | 1990-01-19 | 1992-10-06 | Ciba-Geigy Corporation | Polyimides prepared from disubstituted aromatic tetracarboxylic acid dianhydrides |
CN111303414A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种高性能低介电聚酰亚胺、其制备方法及高性能低介电聚酰亚胺薄膜 |
CN111303415A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种高性能无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
CN111303416A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-19 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
CN111303416B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-12-09 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
CN111303415B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-12-09 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种高性能无色透明的聚酰亚胺及其制备方法与应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS616071B2 (ja) | 1986-02-24 |
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