JPS59158525A - アルミニウム合金膜のパタ−ン形成方法 - Google Patents
アルミニウム合金膜のパタ−ン形成方法Info
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- JPS59158525A JPS59158525A JP3415583A JP3415583A JPS59158525A JP S59158525 A JPS59158525 A JP S59158525A JP 3415583 A JP3415583 A JP 3415583A JP 3415583 A JP3415583 A JP 3415583A JP S59158525 A JPS59158525 A JP S59158525A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程などにおけるアルミニ
ウム合金膜のパターン形成方法に関するものである。
ウム合金膜のパターン形成方法に関するものである。
従来、アルミニウム合金膜のパターン形成方法としては
所要マスクを介してリン酸、硝酸などを混合した溶液で
エツチングする方法があったが、マスク材の下へのエツ
チングのまわりこみによる、いわゆるアンダーエツチン
グが大きく、３μｍ以下の微細パターンの形成が困難で
あった。そこで、このような微細パターンの形成に当っ
ては、塩素または塩素を含む化合物、例えば四塩化炭素
（ＣＣ１４）もしくは三塩化ホウ素（ＢＣｌ２）ｔたは
これらのガスにヘリウム（Ｈｅ） 、璧素（Ｎ２） 、
。酸素（０２）などを混合したガスを用し・たガスプラ
ズマ・エツチングによる方法が最近広く用いられている
。これら、ガスプラズマ中での化学反応は次の式で示さ
れる。
所要マスクを介してリン酸、硝酸などを混合した溶液で
エツチングする方法があったが、マスク材の下へのエツ
チングのまわりこみによる、いわゆるアンダーエツチン
グが大きく、３μｍ以下の微細パターンの形成が困難で
あった。そこで、このような微細パターンの形成に当っ
ては、塩素または塩素を含む化合物、例えば四塩化炭素
（ＣＣ１４）もしくは三塩化ホウ素（ＢＣｌ２）ｔたは
これらのガスにヘリウム（Ｈｅ） 、璧素（Ｎ２） 、
。酸素（０２）などを混合したガスを用し・たガスプラ
ズマ・エツチングによる方法が最近広く用いられている
。これら、ガスプラズマ中での化学反応は次の式で示さ
れる。
ＣＣ１＋ ｅ −−ＣＣＩ −１−Ｃ１＊＋ ｅ −
−−−−−−（１）３ ＢＣＩ ＋ θ−ＢＣｊ７ −１− Ｃ〆＋ｅ −−−
−−−（２〕２ Ｃ１”＋ＡＮ ＝ ＡｌＣｌ−１またはｌ’ｃ７３−（
３＋上記〔３〕式で示したように、アルミニウム（Ａ４
）は、塩素ラジカル（Ｃ−）との反応によって、揮発性
のｐ、ｌｃｌ ｉたはＡ／Ｃ１３となって排気さｎて、
エツチング反応が継続される。
−−−−−−（１）３ ＢＣＩ ＋ θ−ＢＣｊ７ −１− Ｃ〆＋ｅ −−−
−−−（２〕２ Ｃ１”＋ＡＮ ＝ ＡｌＣｌ−１またはｌ’ｃ７３−（
３＋上記〔３〕式で示したように、アルミニウム（Ａ４
）は、塩素ラジカル（Ｃ−）との反応によって、揮発性
のｐ、ｌｃｌ ｉたはＡ／Ｃ１３となって排気さｎて、
エツチング反応が継続される。
ここで、エツチングに用いらｔｔなかった塩素ラジカル
（Ｂっは被加工物表面、特にマスク材の中に残留し、被
加工物が大気にさらされた場合に、大気中の水分と反応
して塩素（ＨＯｊ’ ） 答つくる。このＨＣｌは残存
するアルミニウム合金膜と反応してＭ！させる。従来の
エツチング方法では、わ「角形成された微細パターンが
、この腐蝕によって１ｌＪＴ線したり、腐蝕によって生
じたＡｆ化合物のためにパターンに突起を、生じ、隣接
したパターンとの間の短絡などのパターン欠陥を生じる
という欠点かあった。
（Ｂっは被加工物表面、特にマスク材の中に残留し、被
加工物が大気にさらされた場合に、大気中の水分と反応
して塩素（ＨＯｊ’ ） 答つくる。このＨＣｌは残存
するアルミニウム合金膜と反応してＭ！させる。従来の
エツチング方法では、わ「角形成された微細パターンが
、この腐蝕によって１ｌＪＴ線したり、腐蝕によって生
じたＡｆ化合物のためにパターンに突起を、生じ、隣接
したパターンとの間の短絡などのパターン欠陥を生じる
という欠点かあった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、塩
素系ガスによるプラズマ・エツチング工程の後に、伎加
工物表面に残留した塩素を除去する工程を加えることに
よって、被加工物を大気中に取り出した後のパターン欠
陥の発生のないアルミニウム合・金膜のパターン形成方
法を提供するものである。
素系ガスによるプラズマ・エツチング工程の後に、伎加
工物表面に残留した塩素を除去する工程を加えることに
よって、被加工物を大気中に取り出した後のパターン欠
陥の発生のないアルミニウム合・金膜のパターン形成方
法を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を説明する。
下地基板表面上に、アルミニウム・シリコン合金膜を、
例えはスパッタリング法によって形成した後、通常の写
真製版工程によって、感光性樹脂によるマスクパターン
を形成して被加工物とする。
例えはスパッタリング法によって形成した後、通常の写
真製版工程によって、感光性樹脂によるマスクパターン
を形成して被加工物とする。
平行平板電極を有するプラズマ・エツチング槽内の下方
の電極圧（こ上記被加工物を置き、エツチング槽内を一
気圧以下のガス圧力にした後に、ＣＣｌ４ガスとＨｅガ
スとを導入し、排気機構によって１０−３〜１０Ｔｏｒ
ｒの間の７′９Ｔａのガス圧力に保ちながら、上記平行
平板電極間に高周波電圧を印加してガスプラズマを発生
させて、マスクパターンで覆われていない部分のアルミ
ニウム・シリコン合金膜が除去できる捷でエツチングを
行なう。
の電極圧（こ上記被加工物を置き、エツチング槽内を一
気圧以下のガス圧力にした後に、ＣＣｌ４ガスとＨｅガ
スとを導入し、排気機構によって１０−３〜１０Ｔｏｒ
ｒの間の７′９Ｔａのガス圧力に保ちながら、上記平行
平板電極間に高周波電圧を印加してガスプラズマを発生
させて、マスクパターンで覆われていない部分のアルミ
ニウム・シリコン合金膜が除去できる捷でエツチングを
行なう。
エツチング終了後、高周波電圧の印加を止め、ＣＣ１！
４とＨｅガスの導入を止める。その後、エツチング槽内
に水素（Ｈ２）ガスを導入し、排気機構によって１０
−１０ Ｔｏｒｒの間の所定ガス圧力に保ちながら、平
行平板電極間に再び高周波電圧を印加してガスプラズマ
を発生させる。この処理を行なった後に、大気中に取り
出した被加工物表面のアルミニウム・シリコン合金膜の
パターンにおいては腐蝕は起こらず、断線や短絡は生じ
ていない。
４とＨｅガスの導入を止める。その後、エツチング槽内
に水素（Ｈ２）ガスを導入し、排気機構によって１０
−１０ Ｔｏｒｒの間の所定ガス圧力に保ちながら、平
行平板電極間に再び高周波電圧を印加してガスプラズマ
を発生させる。この処理を行なった後に、大気中に取り
出した被加工物表面のアルミニウム・シリコン合金膜の
パターンにおいては腐蝕は起こらず、断線や短絡は生じ
ていない。
これは、第１段階のエツチングで被加工物表面に残留し
た塩素ラジカル（ＣＺ ）が、第２段階のガスプラズマ
中で発生した水素ラジカル（Ｈゝ）と反応して、例えは
ガス状の塩化水素（Ｈａｇとなり、ガスの形で°排除さ
れることによって、その後の被加工物表面にＣＰか残留
しないからであると考えられる。
た塩素ラジカル（ＣＺ ）が、第２段階のガスプラズマ
中で発生した水素ラジカル（Ｈゝ）と反応して、例えは
ガス状の塩化水素（Ｈａｇとなり、ガスの形で°排除さ
れることによって、その後の被加工物表面にＣＰか残留
しないからであると考えられる。
なお、上記実施例では、第２段階の工程で用いるガスと
して水素を用いる場合を示したが、水素と他のガスとの
混合ガスであってもよく、マた、塩素と反応して除去さ
れ得るガスであれば何でもよく、例えばアンモニア（’
ＮＨ３）ガスを用いてもよい。なお、上記のガスのうち
複数のガスによるガスプラズマで連続的に処理を行なっ
てもよい。
して水素を用いる場合を示したが、水素と他のガスとの
混合ガスであってもよく、マた、塩素と反応して除去さ
れ得るガスであれば何でもよく、例えばアンモニア（’
ＮＨ３）ガスを用いてもよい。なお、上記のガスのうち
複数のガスによるガスプラズマで連続的に処理を行なっ
てもよい。
この発明は半導体装置の製造工程におけるアルミニウム
合金による電極配線のパターニングに適用して好適であ
るが、その他一般のアルミニウム合金膜のパターン形成
に広く用いることができる。
合金による電極配線のパターニングに適用して好適であ
るが、その他一般のアルミニウム合金膜のパターン形成
に広く用いることができる。
〔発明の効果５
以上説明したように、この発明ではアルミニウム合金膜
を塩素を含むガスを用いたプラズマエツチングによって
パターニングした後に、残留塩素を除去する工程を附加
したので、このようにして形成されたアルミニウム合金
膜のパターンに腐蝕が起こらず、半導体装置の配線パタ
ーンとして用いた場合には配［線、短絡などの生じない
高信頼度のパターンが得られる。
を塩素を含むガスを用いたプラズマエツチングによって
パターニングした後に、残留塩素を除去する工程を附加
したので、このようにして形成されたアルミニウム合金
膜のパターンに腐蝕が起こらず、半導体装置の配線パタ
ーンとして用いた場合には配［線、短絡などの生じない
高信頼度のパターンが得られる。
牟お平制坤牛−１°“′−−−′ 罰、。
代理人 葛 野 信 −（外１名）
手続補正書（自発）
特許庁長官殿
１、事件の表示 １）照明５８−３４’５５号３、
補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をっぎのとおり訂正する。
補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をっぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋］ 被加工物基体表面上に形成されたアルミニウ
ム合金膜のパターン形成に当って、塩素を含むガスを用
いてプラズマエツチングを施して上記アルミニウム合金
膜を所要パターンにする第１の工程の後に、上記被加工
物基体表面に残留した塩素を除去する第２の工程を加え
たことを％徴とするアルミニウム合金膜のパターン形成
方法。 （２）第２の工程が水素ガスを用いたガスプラズマ処理
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のア
ルミニウム合金膜のパターン形成方法０ （３）第２の工程が水素ガスと他のガスとの混合ガスを
用いたガスプラズマ処理であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のアルミニウム合金膜のパターン形
成方法。 （４）第２の工程かアンモニアガスを用いたガスプラズ
マ処理であることを特徴とする！！！ｆ許請求の範囲第
１項記載のアルミニウム合金膜のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3415583A JPS59158525A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | アルミニウム合金膜のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3415583A JPS59158525A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | アルミニウム合金膜のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158525A true JPS59158525A (ja) | 1984-09-08 |
Family
ID=12406310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3415583A Pending JPS59158525A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | アルミニウム合金膜のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158525A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
| US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
| US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
| US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
| US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
| US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
| US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
| US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
| US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
| US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
| KR20040006481A (ko) * | 2002-07-12 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 및 증착장비의 항상성 개선방법 |
| CN103646897A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法 |
| CN104916534A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法 |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP3415583A patent/JPS59158525A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN104916534A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法 |
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