JPS59146191A - 薄膜電場発光素子 - Google Patents
薄膜電場発光素子Info
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- JPS59146191A JPS59146191A JP58020601A JP2060183A JPS59146191A JP S59146191 A JPS59146191 A JP S59146191A JP 58020601 A JP58020601 A JP 58020601A JP 2060183 A JP2060183 A JP 2060183A JP S59146191 A JPS59146191 A JP S59146191A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は平板型キャラクタ−およびグラフィックディス
プレイとして、高い輝度、見易さおよび長寿命という特
徴を持つ交流駆動薄膜電場発光素子(以下、交流薄膜E
L累子と記す)に関するものである。
プレイとして、高い輝度、見易さおよび長寿命という特
徴を持つ交流駆動薄膜電場発光素子(以下、交流薄膜E
L累子と記す)に関するものである。
従来例の構成とその問題点
コンピュータやワードプロセッサの表示装置においては
、CRTが多く用いられているが、そこで見易いという
人間工学的見地から緑色や白色のモノクロ表示や、カラ
ー表示がなされている。したがって、軽量、薄形でちら
つきがないという特徴を持つEL表示素子全上記表示装
置として応用する場合も、当然緑色や白色の発光素子お
よびカラー化のため赤や青の発光素子が望まれる。
、CRTが多く用いられているが、そこで見易いという
人間工学的見地から緑色や白色のモノクロ表示や、カラ
ー表示がなされている。したがって、軽量、薄形でちら
つきがないという特徴を持つEL表示素子全上記表示装
置として応用する場合も、当然緑色や白色の発光素子お
よびカラー化のため赤や青の発光素子が望まれる。
ところで、KL表示素子としては、はぼ実用的輝度レベ
ルの黄色発光素子があるが、より積重しい緑色発光素子
金側にとっても栄も輝度の高いフッ化テルビウム付活硫
化亜鉛螢光体薄膜を用いたKL素子で、前記黄色発光素
子の約凭の輝度で、実用にはさらに改善が必要である。
ルの黄色発光素子があるが、より積重しい緑色発光素子
金側にとっても栄も輝度の高いフッ化テルビウム付活硫
化亜鉛螢光体薄膜を用いたKL素子で、前記黄色発光素
子の約凭の輝度で、実用にはさらに改善が必要である。
そして、他の有用な発光色である白、赤、青においても
同様に実用的輝度レベルに到達(−でいない。
同様に実用的輝度レベルに到達(−でいない。
発明の目的
本発明はKL素子の発光輝度の向上を目的とするもので
ある。
ある。
発明の構成
交流駆動EL発光素子は一般にガラス基板にコートされ
た透明@極と金属背面電極の間に、絶縁層、@光体層、
絶縁層の順にはさみ積層した構造を持つ。かかる螢光体
層は緑色発光を一例にとると硫化亜鉛の中にフン化テル
ビウムをドープしたものが用いられる。テルビウムとフ
ッ素ハ1:3の原f比で導入され、フッ素は共付活剤的
役割を果しているが詳細なことは判っていない。しかし
現在才でのところ一般に希土類元素をドープする場合、
希土類のフッ化物としてドープするのが最も効果的であ
ることが知られている。
た透明@極と金属背面電極の間に、絶縁層、@光体層、
絶縁層の順にはさみ積層した構造を持つ。かかる螢光体
層は緑色発光を一例にとると硫化亜鉛の中にフン化テル
ビウムをドープしたものが用いられる。テルビウムとフ
ッ素ハ1:3の原f比で導入され、フッ素は共付活剤的
役割を果しているが詳細なことは判っていない。しかし
現在才でのところ一般に希土類元素をドープする場合、
希土類のフッ化物としてドープするのが最も効果的であ
ることが知られている。
本発明はさらにフッ素より効果的な共付活剤を裸
探索した結果見て出したものである。すなわち、希土類
は硫化亜鉛の亜鉛原子価2価に対し3価で導入されるの
で、それに対する電荷補償が重要であると考えた。そこ
で希土類と同時に1価のアルカリ金属と丁度補償し会う
割合で硫化亜鉛中に導入1〜た。その結果、従来のフッ
化希土類付活硫化亜鉛薄膜金用いたEL発光素子よりも
、高い輝度ケ得ることができた。
は硫化亜鉛の亜鉛原子価2価に対し3価で導入されるの
で、それに対する電荷補償が重要であると考えた。そこ
で希土類と同時に1価のアルカリ金属と丁度補償し会う
割合で硫化亜鉛中に導入1〜た。その結果、従来のフッ
化希土類付活硫化亜鉛薄膜金用いたEL発光素子よりも
、高い輝度ケ得ることができた。
実施例の説明
実施例1
EL素子汀通常よく用いらtl、る、二重絶縁層音用い
た三層薄膜構造とした。すなわち、寸ず透明型(枳がコ
ートされたガラス基板に活性型イービーム蒸着法′″c
Y20sk 2000人形成した。その上に順次希土類
付活螢光体ケ高周彼スパッター法で4000人、 Y
、、O,、全再び上記手法で2000人積層した。最後
に背面型+b+としてAl金属を1500人形成1〜て
KL素子を完成させた。
た三層薄膜構造とした。すなわち、寸ず透明型(枳がコ
ートされたガラス基板に活性型イービーム蒸着法′″c
Y20sk 2000人形成した。その上に順次希土類
付活螢光体ケ高周彼スパッター法で4000人、 Y
、、O,、全再び上記手法で2000人積層した。最後
に背面型+b+としてAl金属を1500人形成1〜て
KL素子を完成させた。
以下、本発明のボイ/トである希土類付話螢尤膜につい
て詳しく述べる。
て詳しく述べる。
アルカリ金属としてLl、希土類としてTbの組合せの
場合、甘ずTbCl3とL12CO3試薬全2=1モル
比(原子比で1=1)に混合した。混合物を石英ボート
に入れ、硫化水素雰囲気中において560°Cで熱処理
し、LiTb52の硫化物に変換した。このようにして
作製した上記硫化物粉末を硫化亜鉛粉末に種々の割付で
添加し、各々よく混合させた。それら混合粉全硫化水素
雰囲気中におい6ペー二ン で1100°Cで2時間熱処理してスパッターターゲッ
ト拐料とした。適当に粉砕した後、ステンレス鋼製の皿
にターゲット材料をつめ、以下の条件で高周波マグネト
ロンスパッター法により螢光体層全4000人の厚みに
形成した。
場合、甘ずTbCl3とL12CO3試薬全2=1モル
比(原子比で1=1)に混合した。混合物を石英ボート
に入れ、硫化水素雰囲気中において560°Cで熱処理
し、LiTb52の硫化物に変換した。このようにして
作製した上記硫化物粉末を硫化亜鉛粉末に種々の割付で
添加し、各々よく混合させた。それら混合粉全硫化水素
雰囲気中におい6ペー二ン で1100°Cで2時間熱処理してスパッターターゲッ
ト拐料とした。適当に粉砕した後、ステンレス鋼製の皿
にターゲット材料をつめ、以下の条件で高周波マグネト
ロンスパッター法により螢光体層全4000人の厚みに
形成した。
スパッターガス圧 : 6X10 ’ torrアルゴ
ンパワー密度 :0・80 W / art基板
温度 :260℃ 基板ターゲット距離 :55mm レイト :約200八/分種々の添加割
合のターゲットについて螢光体薄膜形成の後、それら全
同時に360℃の温度で1時間、 106torrオー
ダーの真空中でアニールした。
ンパワー密度 :0・80 W / art基板
温度 :260℃ 基板ターゲット距離 :55mm レイト :約200八/分種々の添加割
合のターゲットについて螢光体薄膜形成の後、それら全
同時に360℃の温度で1時間、 106torrオー
ダーの真空中でアニールした。
以上のようにして螢光体層を形成した後、初めに記した
ように、その上にY2O,と人工電極を形成しRL素子
盆冗成させた。
ように、その上にY2O,と人工電極を形成しRL素子
盆冗成させた。
別途、螢光体薄膜の組成分析を行なった。
LiTb52硫化物と硫化亜鉛螢光体薄膜のオージェ分
光分析の結果、両者の間でLiとTbの強度比は同一で
、螢光体薄膜中にはLiとTbが電荷補6 ベーパi 償し合う割合で導入されていること全確認した。
光分析の結果、両者の間でLiとTbの強度比は同一で
、螢光体薄膜中にはLiとTbが電荷補6 ベーパi 償し合う割合で導入されていること全確認した。
Tbの絶対導入量もオージェ分光分析手法を用いて求め
た。
た。
KL素子の透明電極とA1電極の間に5 KHzの正弦
波電圧全印加して、輝度−電圧特性を求めた。
波電圧全印加して、輝度−電圧特性を求めた。
その結果、Tbが1・5原子係伺近で最も輝度が高くな
り、従来のフン化テルビウム付活の場合の最適添加量2
原子係より低い添加量で輝度の最大値が得られた。同じ
構成のEL素子で従来品に比較して40%増の輝度が得
られ、また、同−Tb添加量で比較すると、つねに本発
明の素子の方が高い輝度が得られた。
り、従来のフン化テルビウム付活の場合の最適添加量2
原子係より低い添加量で輝度の最大値が得られた。同じ
構成のEL素子で従来品に比較して40%増の輝度が得
られ、また、同−Tb添加量で比較すると、つねに本発
明の素子の方が高い輝度が得られた。
第1図に従来の2・O原子チのフッ化テルビウム添加素
子と、本発明のLiで電荷補償した1、6原子係のTb
を含む素子の電圧−輝度特性を示した。
子と、本発明のLiで電荷補償した1、6原子係のTb
を含む素子の電圧−輝度特性を示した。
図中曲線1は従来例、曲線2は本発明のノ時性盆示した
。図から明らかなように本発明によって輝度改善ととも
に、発光しきい電圧の低下をももたらすことができる。
。図から明らかなように本発明によって輝度改善ととも
に、発光しきい電圧の低下をももたらすことができる。
実施例2
γべ一2゛
実施例1と全く同じ手法にてLlのかわりにそれぞハ、
NaとGs f用いた。最高輝度は同じく1.6原子係
で得られ、それらの輝度−電圧特性全第1図に示した。
NaとGs f用いた。最高輝度は同じく1.6原子係
で得られ、それらの輝度−電圧特性全第1図に示した。
すなわち、曲線3にNa、同4((Icsの場合ケ示す
。
。
図から明らかなように、多少発光しきい電圧の上昇がみ
らil、るが、Liと同じく、従来品に比較してより高
い輝度のEL素子が得られる。
らil、るが、Liと同じく、従来品に比較してより高
い輝度のEL素子が得られる。
実施例3
アルカリ金属音L1として、赤色発光を示すSmおよび
白色発光のPrについて実施例1と全く同じ手法でEI
、素子ケ作製し、輝度−電圧特性′fr:調べた。その
結果全最適添加量の素子について第2図に示した。図中
、曲線11は従来のフッ化サマリウム、同12げLiで
電荷補償したSm、同13げ従来のフッ化プラセオジウ
ム、同14はLlで電荷補償したPrを添加した特性全
示す。
白色発光のPrについて実施例1と全く同じ手法でEI
、素子ケ作製し、輝度−電圧特性′fr:調べた。その
結果全最適添加量の素子について第2図に示した。図中
、曲線11は従来のフッ化サマリウム、同12げLiで
電荷補償したSm、同13げ従来のフッ化プラセオジウ
ム、同14はLlで電荷補償したPrを添加した特性全
示す。
図から明らかなようにTbの場合と同じく、従来品と比
較して、輝度の向上と発光しきい電圧の低下がもたらさ
れることがわかる。
較して、輝度の向上と発光しきい電圧の低下がもたらさ
れることがわかる。
以1−1実施例1,2および3でアルカリ金属元素お・
よび代表的希土類元素についで曲、明したが、それら元
素の性質の類似性から種々のアルカリ金属元素と希土類
元素の組合せについて効果的であることは原理的にも明
らかである。
よび代表的希土類元素についで曲、明したが、それら元
素の性質の類似性から種々のアルカリ金属元素と希土類
元素の組合せについて効果的であることは原理的にも明
らかである。
発明の効果
本発明の交流EL素子は、コンピュータ端末装置やワー
ドプロセッサにおいて積重れる緑色や白色およびカラー
表示のフラットディスジ1/イに好適なものである。
ドプロセッサにおいて積重れる緑色や白色およびカラー
表示のフラットディスジ1/イに好適なものである。
第1図はテルビウムを伺活剤とL7、アルカリ金属音電
荷補償元素とした硫化亜鉛薄膜のEL素子と従来品の輝
度−電圧特性全比較1〜で示す図、第2図はリチウムを
電荷補償元素とし、サマリウムとプラセオジウム付活剤
とした硫化亜鉛薄膜のEL素子と従来品の輝度−電壬特
性全比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 t 圧 (V) 第2図 梵 圧(7)
荷補償元素とした硫化亜鉛薄膜のEL素子と従来品の輝
度−電圧特性全比較1〜で示す図、第2図はリチウムを
電荷補償元素とし、サマリウムとプラセオジウム付活剤
とした硫化亜鉛薄膜のEL素子と従来品の輝度−電壬特
性全比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 t 圧 (V) 第2図 梵 圧(7)
Claims (2)
- (1)希土類元素付活硫化亜鉛螢光体薄膜において、希
土類元素に対する電荷補償元素としてアルカリ土属金用
いたこと全特徴とする≠÷厨働薄膜電場発光素子。 - (2)希土類元素力、Pr 、 Sm 、 Eu 、
Tb 、 Dy 、 Ho。 Er、およびTmのうち1種または2種以上から
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58020601A JPS59146191A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜電場発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58020601A JPS59146191A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜電場発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59146191A true JPS59146191A (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=12031780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58020601A Pending JPS59146191A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 薄膜電場発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59146191A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218474A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Futaba Corp | 薄膜電界発光素子 |
US5198721A (en) * | 1991-02-24 | 1993-03-30 | Nec Research Institute, Inc. | Electroluminescent cell using a ZnS host including molecules of a ternary europium tetrafluoride compound |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58020601A patent/JPS59146191A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218474A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Futaba Corp | 薄膜電界発光素子 |
US5198721A (en) * | 1991-02-24 | 1993-03-30 | Nec Research Institute, Inc. | Electroluminescent cell using a ZnS host including molecules of a ternary europium tetrafluoride compound |
US5286517A (en) * | 1991-02-24 | 1994-02-15 | Nec Research Institute, Inc. | A process for making an electroluminescent cell using a ZnS host including molecules of a ternary europium tetrafluoride compound |
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