JPS59134872A - フオトセンサ−用ｉｃ - Google Patents
フオトセンサ−用ｉｃInfo
- Publication number
- JPS59134872A JPS59134872A JP58009653A JP965383A JPS59134872A JP S59134872 A JPS59134872 A JP S59134872A JP 58009653 A JP58009653 A JP 58009653A JP 965383 A JP965383 A JP 965383A JP S59134872 A JPS59134872 A JP S59134872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- light
- peripheral circuit
- circuit
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトセンサ一部およびその周辺回路部が同
一チック上に作られているフォトセンサー用工ＣＫ関す
る。
一チック上に作られているフォトセンサー用工ＣＫ関す
る。
このようなフォトセンサー用ＩＣ（半導体集積回路）に
おいては、フォトセンサ一部として、フォトトランジス
タやフォトダイオード等のフォト感知素子が使用され、
また周辺回路部として増幅回路、比較回路、波形整形回
路、駆動回路等が使用されている。このようなフォトセ
ンサ一部や周辺回路部が同一チップ上に作られている場
合、フォトセンサ一部には光を照射させるが、周辺回路
部には光を照射させる必要はなく、むしろ光を照射させ
ることが回路の正常な動作に支障をきたすことが起こり
得る。このようなことから、従来では周辺回路部に極力
遮光を施こすようにしているが、この遮光手段として回
路配線に使用されるアルミニウム蒸着層を使用している
。ところが、この周辺回路部の自己配線を遮光用にも兼
用した場合には充分な遮光を施こすことに難点があり、
場合によ−ってｔｒｉ：遮光することができないことも
あった０ 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、周辺回路部を充分に遮光できるようにし、フォトセ
ンサ一部に照射された光が周辺回路部に好ましくない影
響を及ぼすことを解消して正常な動作が確実に保証でさ
るようにすることを目的とする。
おいては、フォトセンサ一部として、フォトトランジス
タやフォトダイオード等のフォト感知素子が使用され、
また周辺回路部として増幅回路、比較回路、波形整形回
路、駆動回路等が使用されている。このようなフォトセ
ンサ一部や周辺回路部が同一チップ上に作られている場
合、フォトセンサ一部には光を照射させるが、周辺回路
部には光を照射させる必要はなく、むしろ光を照射させ
ることが回路の正常な動作に支障をきたすことが起こり
得る。このようなことから、従来では周辺回路部に極力
遮光を施こすようにしているが、この遮光手段として回
路配線に使用されるアルミニウム蒸着層を使用している
。ところが、この周辺回路部の自己配線を遮光用にも兼
用した場合には充分な遮光を施こすことに難点があり、
場合によ−ってｔｒｉ：遮光することができないことも
あった０ 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、周辺回路部を充分に遮光できるようにし、フォトセ
ンサ一部に照射された光が周辺回路部に好ましくない影
響を及ぼすことを解消して正常な動作が確実に保証でさ
るようにすることを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、少なくと
も前記周辺回路部内の光による影響を受ける部分には、
周辺回路部の自己配線とは別途の遮光性部材を設けるよ
うにしている。
も前記周辺回路部内の光による影響を受ける部分には、
周辺回路部の自己配線とは別途の遮光性部材を設けるよ
うにしている。
以下、本発明を図面に示す各実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図はこの実施例の構造的断面図である。この実施例
のフォトセンサー用工Ｃ１は、同一チ・ノブ上ニフォト
センサ一部２および周辺回路部３゜３・・を有している
。フォトセンサ一部２はフォト感知素子、例えばフォト
トランジスタ４を含む。
のフォトセンサー用工Ｃ１は、同一チ・ノブ上ニフォト
センサ一部２および周辺回路部３゜３・・を有している
。フォトセンサ一部２はフォト感知素子、例えばフォト
トランジスタ４を含む。
周辺回路部３，３・・は、増幅回路、比較回路、波形整
形回路、駆動回路等を含み、第１図では、これらの各回
路の構成要素である抵抗５、コンデンサ６が示される。
形回路、駆動回路等を含み、第１図では、これらの各回
路の構成要素である抵抗５、コンデンサ６が示される。
これらのフォトトランジスタ４、抵抗５およびコンデン
サ６は通常のＩＣ製法により作られるものであり、その
製法についての言及は省略する。なお、図中、Ｎ＋ ｐ
＋ ”＋ ｎ−はエピタキシャル成長や、選択拡散によ
り作られたｐ形やｎ形の層を示し、ｐはｐ形シリコン基
板を示す。
サ６は通常のＩＣ製法により作られるものであり、その
製法についての言及は省略する。なお、図中、Ｎ＋ ｐ
＋ ”＋ ｎ−はエピタキシャル成長や、選択拡散によ
り作られたｐ形やｎ形の層を示し、ｐはｐ形シリコン基
板を示す。
フォトトランジスタ４は、エミッタ電極４ ａ 、コレ
クタ電極４ｂを有している。フォトトラン−ジメタ４０
ベースは受光部であるのでこのベースには電極が設けら
れない。抵抗５およびコンデンサ６もそれぞれ電極５ａ
＋ ５ｂ＋ ６ａ＋ ６ｂを有している。７は酸
化膜である。
クタ電極４ｂを有している。フォトトラン−ジメタ４０
ベースは受光部であるのでこのベースには電極が設けら
れない。抵抗５およびコンデンサ６もそれぞれ電極５ａ
＋ ５ｂ＋ ６ａ＋ ６ｂを有している。７は酸
化膜である。
８は遮光性部材でできた遮光膜である。この遮光膜８は
フォトセンサ一部２には設けられず、周辺回路部３．３
・・に設けられる。この遮光膜８としてに１、例えはポ
リイミド樹脂が用いられる。この遮光膜８は周辺回路部
３，３・・の全体に設ける必要は必ずしもなく、少なく
とも光による影響を受ける部分にのみ設ける七よい。こ
の遮光膜８を絶縁性を有するものにすれば、周辺回路部
３に、遮光性がない酸化膜７を設けず、この遮光膜８を
直接、設けることができる。この遮光膜８の形成方法は
、通常のＩＣ製法でよく、したがってその詳細について
の言及は省略する。
フォトセンサ一部２には設けられず、周辺回路部３．３
・・に設けられる。この遮光膜８としてに１、例えはポ
リイミド樹脂が用いられる。この遮光膜８は周辺回路部
３，３・・の全体に設ける必要は必ずしもなく、少なく
とも光による影響を受ける部分にのみ設ける七よい。こ
の遮光膜８を絶縁性を有するものにすれば、周辺回路部
３に、遮光性がない酸化膜７を設けず、この遮光膜８を
直接、設けることができる。この遮光膜８の形成方法は
、通常のＩＣ製法でよく、したがってその詳細について
の言及は省略する。
第２図は他の実施例の構造断面図でちり、第１図と対応
する部分には同一の符号が付さノーシる。この実施例の
フォトセンサー用ＩＣ１′において注目すべきは、遮光
性部材として第１図の実施例の遮光膜８を設けず、アル
ミニウム蒸着層を多層（本実施例では２１惰）にし、少
なくとも１つのアルミニウム蒸着り輌をフォトセンサ一
部２や周辺回路部３．３・・の回路素子４，５．６の電
極用４ａ、５’＋ ５ｂ＋ ６ａ＋ ８ｂとし、
少なくとも１つのアルミニウム蒸着層を遮光用８’、
８’・・とじていることである。なお、アルミニウム
蒸着層を多層にするため、酸化膜９が、電極用のアルミ
ニウム蒸着層５’＋ ５ｂ＋ （ｊａ、６ｂと遮光
用のアルミニウム蒸着層８’、 ８’・・との間に形
成されている。この実施例においても第１図と同様に、
遮光用のアルミニウム蒸着層８’、 ８’・・は周辺
回路部３，３・・の全体に設ける必要は必ずしもなく、
周辺回路部３の光による影響を受ける部分のみに設ける
とよい。
する部分には同一の符号が付さノーシる。この実施例の
フォトセンサー用ＩＣ１′において注目すべきは、遮光
性部材として第１図の実施例の遮光膜８を設けず、アル
ミニウム蒸着層を多層（本実施例では２１惰）にし、少
なくとも１つのアルミニウム蒸着り輌をフォトセンサ一
部２や周辺回路部３．３・・の回路素子４，５．６の電
極用４ａ、５’＋ ５ｂ＋ ６ａ＋ ８ｂとし、
少なくとも１つのアルミニウム蒸着層を遮光用８’、
８’・・とじていることである。なお、アルミニウム
蒸着層を多層にするため、酸化膜９が、電極用のアルミ
ニウム蒸着層５’＋ ５ｂ＋ （ｊａ、６ｂと遮光
用のアルミニウム蒸着層８’、 ８’・・との間に形
成されている。この実施例においても第１図と同様に、
遮光用のアルミニウム蒸着層８’、 ８’・・は周辺
回路部３，３・・の全体に設ける必要は必ずしもなく、
周辺回路部３の光による影響を受ける部分のみに設ける
とよい。
なお、アルミニウム蒸着層を多層にせず、電極用にはモ
リブデンや、ポリシリコンにリンをドーピングしたもの
を用い、遮光用にはアルミニウム蒸着層を用いるように
してもよい。また、酸化膜７゜９は通常の５１０２以外
にＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａ７＜ ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ） Ｓｉｎ□を用いてもよい。
リブデンや、ポリシリコンにリンをドーピングしたもの
を用い、遮光用にはアルミニウム蒸着層を用いるように
してもよい。また、酸化膜７゜９は通常の５１０２以外
にＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａ７＜ ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ） Ｓｉｎ□を用いてもよい。
以上のように、本発明によれば少なくとも周辺回路部内
の光による影響を受ける部分には周辺回路部の自己回路
配線とは別途の遮光性部材を設けたので、遮光性部材と
して絶縁性を有するものあるいは絶縁された金属膜に適
用するだけで、容易に周辺回路部の上記部分を完全に遮
光することができる。したがって、この遮光により光の
周辺回路部にメ・１する不要な干渉がなくなり、正常な
動作を確実に得ろことができる。
の光による影響を受ける部分には周辺回路部の自己回路
配線とは別途の遮光性部材を設けたので、遮光性部材と
して絶縁性を有するものあるいは絶縁された金属膜に適
用するだけで、容易に周辺回路部の上記部分を完全に遮
光することができる。したがって、この遮光により光の
周辺回路部にメ・１する不要な干渉がなくなり、正常な
動作を確実に得ろことができる。
図面は本発明の各実施例を示し、第］−図はこの実施例
の＋ｆ’ｔ ＋？ｆ ｉノｊ ＋ｈｉ図、第２図は他の
実軸例の舗造断面図である。 １．１′・・ノオトセンザー用工Ｃ１２・・フオトセ／
″Ｉノ一部、３・・周辺回路部、４・・フォトトランジ
スタ、５・・ｌｌ（杭、６・・コンデンサ、７，９・・
酸化＋ｌＵ、８・・樹脂４７Ｂ４ 、ｉｌ、ｊ熱光膜、
８”・７ ルミ＝ １７ ム蒸着３１（Ｃ〕’ＩＳ １
１６ 。 特許出願人 ローム株式会社
の＋ｆ’ｔ ＋？ｆ ｉノｊ ＋ｈｉ図、第２図は他の
実軸例の舗造断面図である。 １．１′・・ノオトセンザー用工Ｃ１２・・フオトセ／
″Ｉノ一部、３・・周辺回路部、４・・フォトトランジ
スタ、５・・ｌｌ（杭、６・・コンデンサ、７，９・・
酸化＋ｌＵ、８・・樹脂４７Ｂ４ 、ｉｌ、ｊ熱光膜、
８”・７ ルミ＝ １７ ム蒸着３１（Ｃ〕’ＩＳ １
１６ 。 特許出願人 ローム株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ フォトセンサ一部およびその周辺回路部が同
一チップ上に作られてなるフォトセンサー用ＸＣにおい
て、少なくとも前記周辺回路部内の光による影響を受け
る部分には周辺回路部の自己回路配線とは別途の遮光性
部材を設けてなるフォトセンサー用ＩＣ６ （２） 前記特許請求の範囲第１項に記載のフォトセ
ンサー用ＩＣにおいて、前記遮光性部材として遮光性を
有する樹脂を用いてなるフォトセンサー用ＩＣ６ ｉ３１ Ｍ記特許請求の範囲第１項に記載のフォトセ
ンサー用ＩＣにおいて、前記遮光性部材としてアルミニ
ウム蒸着層を用いてなるフォトセンサー用ＩＣ８ （４） 前記特許請求の範囲第３項に記載のフォトセ
ンサー用ＩＣにおいて、前記アルミニウム蒸着層を多層
とし、少なくとも１層を回路配線用とし、少なくとも１
層を遮光用としてなるフォトセンサー用ＩＣ８
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009653A JPS59134872A (ja) | 1983-01-23 | 1983-01-23 | フオトセンサ−用ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009653A JPS59134872A (ja) | 1983-01-23 | 1983-01-23 | フオトセンサ−用ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134872A true JPS59134872A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11726170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009653A Pending JPS59134872A (ja) | 1983-01-23 | 1983-01-23 | フオトセンサ−用ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134872A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112382A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
| JPS6381869A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 光配線式半導体集積回路 |
| US5382824A (en) * | 1992-07-16 | 1995-01-17 | Landis & Gyr Business Support Ag | Integrated circuit with an integrated color-selective photo diode and an amplifier following the photo-diode |
| US6069378A (en) * | 1996-12-05 | 2000-05-30 | Denso Corporation | Photo sensor integrated circuit |
| US6127715A (en) * | 1995-07-24 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photodetector element containing circuit element and manufacturing method thereof |
| WO2004093439A3 (en) * | 2003-04-10 | 2005-02-10 | Micron Technology Inc | Improved imager light shield |
-
1983
- 1983-01-23 JP JP58009653A patent/JPS59134872A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112382A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
| JPS6381869A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 光配線式半導体集積回路 |
| US5382824A (en) * | 1992-07-16 | 1995-01-17 | Landis & Gyr Business Support Ag | Integrated circuit with an integrated color-selective photo diode and an amplifier following the photo-diode |
| US6127715A (en) * | 1995-07-24 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photodetector element containing circuit element and manufacturing method thereof |
| US6069378A (en) * | 1996-12-05 | 2000-05-30 | Denso Corporation | Photo sensor integrated circuit |
| WO2004093439A3 (en) * | 2003-04-10 | 2005-02-10 | Micron Technology Inc | Improved imager light shield |
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