JPS59131552A - セメント用収縮低減剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセメント用収縮低減剤に関する。

従来、セメントモルタルおよびコンクリート（以下、セ
メント組成物と称する。）の重大な欠点の一つとして乾
燥ひび割れが発生し易いことがある。これはセ７メント
の乾燥収縮が大きいことに起因している。そのためにセ
メント組成物の乾燥収縮を低減することが望まれている
。

セメント組成物の乾燥収縮の低減を図るためには、セメ
ント組成物中にアクリルラテックス、合成ゴムラテック
スなどのラテックスを混入させる方法が行われているが
、この場合、比較的高価なラテックスを多量（例えば、
セメントに対し２０〜３０重量％程度）に混入する必要
があるので、経済上好ましくないばかりが、セメント組
成物の強度が大幅に低下するという致命的欠陥が生ずる
。さラニ、ラテックスを多量に混入することによってセ
メント組成物の不燃性が損なわれるという重大な欠陥も
生ずる。

また近年、無機系膨張性混和材（例えば、カルシウムス
ルホアルミネート系の膨張性混和材）が開発されるに至
ったものの本質的な乾燥収縮低減には十分ではない。ま
た、本発明者らは、特公昭５６−５１１４８号に記載さ
れた特定の低級アルコールのアルキレンオキシド付加物
が優れたセメントの収縮低減効果を有していることを見
い出したが、該付加物を使用してセメント組成物の乾燥
ひび割れを防止するためには、その添加量を若干多くす
る（例えば、セメントに対し４〜５重量％程度）必要が
あった。

かかる状況下で、発明者らは前述したような欠点を持た
ない、またより少量の添加量にてセメント組成物の乾燥
ひび割れを防止できるセメントに有効な収縮低減剤につ
き鋭意検討した結果、本発明に到達した。

すなわち゛、本発明は一般式（１） Ｒ２、Ｒ３は水素または炭素数１〜８のアルキル基、Ａ
は炭素数２〜３のアルキレン基、ｎはＯ〜３０の数）で
示される水溶性または自己水分散性のアセチレンアルコ
ール系化合物からなることを特徴とするセメント用収縮
低減剤、および一般式（１）で示される化合物と、さら
にフッソ系界面活性剤または／およびシリコーン系界面
活性剤とを含む収縮低減効果のより改善されたセメント
用収縮低減剤である。

本発明の一般式（１）で示される化合物は、アセチレン
と、ホルムアルデヒドまたは炭素数８以下のアルキル基
を有するケトン化合物とをアルカリ存在１・に反応させ
−（ｆ：ｉられるアセチレンアルコール、アセチレング
リコール、またはこれらアルコールのアルキレンオキシ
ド付加物である。炭素数９以上のアルキル基を有するア
セチレンアルコール、アセチレングリコール、またはこ
れらアルコールのアルキレンオキシド付加物の場合には
収縮低減効果が低下し好ましくない。

本発明に使用されるアセチレンアルコールの例としては
、プロパギルアルコール（Ｃ）Ｉ＝ＣＣｔ１２０Ｈ）、
メチルブチノー）Ｌｔ　ＣＣＨ：Ｃ−Ｃ（Ｃ１１３）（
ＯＨ）　ＣＨ３Ｅ、メチルベンチノール（ＣＩ＋＝（ニ
ー　Ｃ（ＣＨ３ＸＯＩＩ）　Ｃ２）１５　）、ジメチル
へキンノー　ルＣＣＨ−＝Ｃ−Ｃ（ＣＨ３ＸＯＨ機Ｃｌ
（Ｃ１１３）２）　、Ｊチルヘプチ／　−ル〔ＣＨ＝Ｃ
−Ｃ（ＣＨ３ＸＯＩＩ）　Ｃ＜　ｔｌａ　）　、Ｊチル
オクチ／　−／Ｌ、　：Ｃｌｌ＝Ｃ−Ｃ（ＣＩ＋３　Ｘ
０Ｈ）　Ｃｓ　Ｈｎ　）　、メチ）ｖ）ナノ−ルｊｃｌ
ｌ：　Ｃ−ｃ（ＣＨ３ＸＯＨ）　Ｃ６Ｈｌ３）　、メチ
ルデシ／−）Ｌ／　ＣＣＨ−Ｃ−（、（ＣＨ３ＸＯＨ）
　Ｃ７Ｒ１５）　、メチルウンデシノールＪＣＩｌ＝Ｃ
−Ｃ（ＣＨ３Ｘ０Ｈ）　Ｃ８Ｒ１７）　、ジメチルデシ
ノール（Ｃ１ｌ＝Ｃ−’Ｃ（ＣＨ３Ｘ０Ｈ）　Ｃ１１２
Ｃｌ１（Ｃ１１３）　Ｃ５Ｈｌｌ　）、エチルペンチノ
ール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２Ｈ５ＸＯＨ）　Ｃ２Ｈ５〕、
メチルエチルヘキシノール（ＣＨ三Ｃ−Ｃ，（Ｃ２ｌｌ
５ＸＯＩＩ）　Ｃ１１２ＣＩＤＣ１１３）　Ｃ１１３）
　、エチルヘプテノールＣＣ１１三Ｃ−Ｃ（Ｃ２＋１５
ＸＯＩＩ）　Ｃ４１１９）　、エチルオクチノール（Ｃ
Ｈ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２Ｈｓ　Ｘ０Ｈ）　Ｃｓ　ｌ−１１１）
　、エチルノナノールＣＣ）ＩテＣ−Ｃ（Ｃ２１＋５Ｘ
ＯＩＩ）　Ｃ６Ｉ１３）　、エチルデシノール（ＣＨ−
＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２＋１５ＸＯ旧Ｃ７１１１５）１、エチル
ウンデシノール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２ｔｌｓＸＯ１ｌ）
　Ｃ５Ｈ１７〕、メチルエチルデシノール（ＣＨ＝Ｃ−
Ｃ（Ｃ２Ｈｓ　Ｘ０Ｈ）　ＣＩ（２Ｃ１１（ＣＨ３）　
Ｃ５Ｈ１１）　、プロピルヘキシノール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ
（’Ｃ５Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃ３ｔ１７）　、メチルプロピ
ルヘキシノール（ＣＨ；Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃ
ｔ１２Ｃ）Ｉ（Ｃ１１３）　ＣＨ３）　、プロピルオク
チノール（ＣＨ：Ｃ−Ｃ（Ｃ３１１７０ＯＨ）　Ｃ４１
１９）　、プロピルオクチノール〔ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３
Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃｓ　Ｈｎ）、プロピルノナノールＣＣ
Ｈ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７）（ＯＨ）　Ｃ６Ｉ１３）　、プ
ロピルデシノール（Ｃ１ｌ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）
　Ｃ７１ｈ５）　、プロピルウンデシノール（ＣＨ＝Ｃ
−Ｃ（Ｃ３Ｈ７’Ｘ０Ｈ）　Ｃ５Ｈ１７〕、メチルプロ
ピルデシノール（ＣＨＪＣ−Ｃ（Ｃ３１１７Ｘ０Ｈ）　
Ｃ１１２Ｃｌ１（ＣＩｌ３）　Ｃ５１１＋ｔ　）　、プ
チルヘプチノール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４１１９ＸＯＨ）
　Ｃ４１−１９）　、メチルブチルヘキシノール（ＣＩ
Ｉ＝　Ｃ−Ｃ（Ｃ４Ｉ９　Ｘ０Ｈ）　Ｃ１１′２　Ｃｔ
ｌ（ＣＩｌ３）　Ｃ１１３：ｌ　、ブチルオクチノール
（Ｃ１ｌ：：Ｃ−Ｃ（Ｃ４１１９０ＯＩＩ）　Ｃｓ　Ｉ
ｈ＋　３　、ブチルノナノール（ＣＩｌ：Ｃ−Ｃ（Ｃ４
１１９ＸＯＩｌ）　Ｃｓ　１１１３）　、ブチルデシノ
ール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４１１９ＸＯ１ｌ）　Ｃ７１ｈ
５）　、ブチルウンデシノール（ＣＨ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４１
１９ＸＯＨ）　Ｃ８Ｈ＋７）　、メチルブチルデシノー
ル（Ｃ）ｌ＝ｃ−Ｃ（Ｃ４ｌ１ｇＸＯＨ）　ＣＨ２ＣＩ
（Ｃｈ）　Ｃ５Ｈｌｌ　：ｌ　、ペンチルオクチノール
ＣＣＩＩ＝ｃ−ｃ（Ｃｓ　ＨｌｌＸＯＩＩ）　Ｃ５１１
＋ｔ　）　、ペンチルノナノール〔Ｃｌ１−Ｃ−Ｃ（Ｃ
５１１１１Ｘ０Ｈ）　Ｃ５１１１３）　、ペンチルノナ
ノール〔ａｌｌ＝ｃ−ｃ　（Ｃｓ　Ｈｌｌ　Ｘ０Ｈ）　
Ｃ７１ｈ５）　、ペンチルオクチノールＣＣＨ＝Ｃ−Ｃ
（Ｃｓ　ＨｌｌＸＯＨ）　Ｃ。

１１１７）、メチルエチルデシノールＣＣＩＣ−Ｃ（Ｃ
５Ｎ１１　Ｘ０Ｈ）　Ｃ１１２ＣＨ（Ｃ１１３）　Ｃ５
Ｈｔｌ）　、ヘキシルノナノール（Ｃｌｌ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ
ｅ　Ｉ１３　ＸＱＨ）　Ｃ６ＨＩ３）　、ヘキシルデシ
ノール〔ｃ＋＋＝ｃ−ｃ　　（Ｃｓ　ＨＩ３　ＸＯ！（
）　Ｃ７Ｈ１５〕、ヘキシルウンデシノール（Ｃｔｉ三
Ｃ−Ｃ（Ｃｅ　Ｉ１３　Ｘ０Ｈ）　Ｃ８ＨＩ７　）　、
メチルへキシルデシノール〔Ｃ）ｌ＝ｃ−Ｃ（Ｃｓ　Ｈ
Ｉ３Ｘ叶）ＣＩｌ２　ＣＨ（ＣＨ３）　Ｃｓ　）１１ｔ
　）、ヘプチルデシノール（ＣＨ−１：Ｃ−Ｃ（Ｃ？　
Ｈ１５ＸＯＨ）　Ｃ７＋１１５）、ヘプチルウンデシノ
ールＣＣＨ−＝Ｃ−Ｃ（Ｃ７Ｎ＋５　Ｘ０ｔｌ）　Ｃｓ
　Ｉ１７　）　、メチルへブチルデシノール〔ｃｌｌ＝
ｃ−Ｃ（Ｃ７１ｈ５ＸＯＩＩ）　ＣＨ２Ｃ４１（Ｃ１１
３）　Ｃ３Ｈｔ＋　）、オクチルウンデシノールＣＣ１
１二Ｃ−Ｃ（Ｃ８１１１７Ｘ０ＩＩ）　Ｃａ　ＨＩ７）
　、メチルオクチルデシノールＣＣ）１．１１：Ｃ−Ｃ
（ＣＢ　＋＋１７　Ｘ０Ｈ）　ＣｌＩ２　ＣＨ（ＣＨ３
）　Ｃ５Ｉｎ　）などが挙げられる。またアセチレング
リコールの例としては、ブチンジオール（ＨＯＣＨ２−
Ｃ−１Ｃ−ＣＨ２０Ｈ）　、ジメチルヘキシンジオール
（Ｃ１１３Ｃ（ＣＩｌ３　Ｘ０Ｈ）−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（ＣＩ
ｌ３　Ｘ０ＩＩ＞　ＣＩｌ３３　、ハチルオクチンジオ
゛−ル（Ｃ２Ｉｔｓ　Ｃ（Ｃ１１３ＸＯＩＩ）　−Ｃ＝
ｃ−Ｃ（ＣＨ３ＸＯＨＩ）　Ｃ２＋１４　）、ジエチル
デシンジオール（Ｃ３１１７Ｃ（Ｃｌ１３　Ｘ０ＩＩ）
　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ１１３ＸＯＩＩ）　Ｃ３＋１７　〕
、ジジメチルドブシンジオールＣ４Ｈｇ、Ｃ（ＣＩｌ３
　Ｘ０ＩＩ＞　−Ｃ−Ｃ−Ｃ（ＣＩｌ３　Ｘ０Ｈ）　Ｃ
４１１９）、テトラメチルデシンジオール（Ｃ１１３Ｃ
Ｈ（ＣＩｌ３）　Ｃ１１２Ｃ（Ｃ１１３Ｘ０Ｈ）　−Ｃ
＝Ｃ−Ｃ（ＣＨ３Ｘ０Ｉ（）　Ｃ１１２Ｃｌ１（Ｃ１１
３）　ＣＨ３〕、ジメチルテトラデシンジオール（Ｃ５
ｕｌｉ　Ｃ（Ｃ１１３Ｘ、０１１）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ
Ｈ３ＸＯＨ（）　Ｃ３Ｈｕ　）　、ジメチルへキサデシ
ンジオール（Ｃ６ＨＩ３　Ｃ（ＣＨ３ＸＯＨＩ）　−Ｃ
＝Ｃ−Ｃ（ＣＩ−１３ＸＯＨ）　Ｃｓ　＋３）　、ジメ
チルオクタデシンジオールＣＣ？　、ＨＩ５　Ｃ（ＣＩ
ｌ３　Ｘ０Ｈ）　　（：＝（ニー　Ｃ（Ｃ１１３Ｘ　Ｏ
旧Ｃ７１１，５）　、ジメチルエイコシンジオール（Ｃ
８Ｈ１７Ｃ（Ｃ１１３Ｘ０１１）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（ＣＩ
ｌ３　Ｘ０ｔｌ）　Ｃ８１１１７）、テトラメチルオク
タデシンジオール〔Ｃ５１１ｏ　Ｃ１１（ＣＩｌ３　）
　ＣＨ２Ｃ（Ｃ１１３ＸＯＩ＋）　−Ｃ＝　Ｃ−Ｃ（Ｃ
Ｈ３ＸＯＨ）　Ｃ１１２ＣＨ（ＣＩｌ３）　Ｃｓ　Ｈｌ
ｌ　〕、ンエチルオクチンジオールＣＣ２８５Ｃ（Ｃｉ
ｓＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−ＣＣＣ２Ｈ３）（ＯＨ＞Ｃ２Ｈ
３）、ジエチルデシンジオール（Ｃ３Ｉ７　Ｃ（Ｃ２Ｈ
５ＸＯＩＩ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２ＨｓＸＯｔｌ）　Ｃ
３Ｈ７）　、ジエチルデシンジオール（Ｃ４１１９Ｃ（
Ｃ２１１ｓＸＯｔ＋）　　（：＝Ｃ−（：　　（Ｃ２Ｉ
Ｉｓ　Ｘ０ＩＩ）　Ｃ４１１９〕、ジジメチルジエチル
ジノンジオールＣＣＨ３Ｃ１１（Ｃ１１３）　Ｃ）１２
　Ｃ（Ｃ２Ｈ５ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２＋１５　
Ｘ０ｔｌ）　ＣＩａ２ＣＩｌ（ＣＨ３）　ＣＨ３：ｌ　
、ンエチルテトラデシンジオール（Ｃｓ　ｌｌｎ　Ｃ（
Ｃ２１１５ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２＋１Ｓ　Ｘ０
Ｈ）　Ｃｓ　ｌｈ＋　）　、ジエチルヘキサデシンジオ
ール（Ｃ６Ｉ１３　Ｃ（Ｃ２１１５ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ
−Ｃ（Ｃ２Ｈ５ＸＯＩＩ）　Ｃ６ＨＩ３）　、ジエチル
オクタデシンジオールＣＣＩ　ＨＩ５　Ｃ（Ｃ２）１５
ＸＯ１１）　−Ｃ：Ｃ−Ｃ（Ｃ２１１５ＸＯＨ）　Ｃ７
Ｈ１５）、ジエチルエイコシンジオール（Ｃｓ　ＨＩ７
　Ｃ（Ｃ２ｔｌｓＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２Ｈ５Ｘ
Ｏ１ｌ）　Ｃｓ　ＨＩ７）　、ジメチルジエチルオクタ
デシンジオール（Ｃ５８１１ＣＨ（ＣＨ３）　ＣＩ２　
Ｃ（Ｃ２ＨｓＸＯＨ）　−ＣミＣ−Ｃ（Ｃ２Ｈ５ＸＯ１
ｌ）ＣＨ２Ｃｌ１（ＣＨ３）　Ｃｓ　Ｈｕ　）　、ジプ
ロピル身ジンジオール（Ｃ３１１７Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ
）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃ３Ｈ７〕、ジ
プロピルドブシンジオ−ＪＬ／　（Ｃ４１４９Ｃ（Ｃ３
１１７ＸＯＩＩ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）　
Ｃ４Ｈ９）　、ジメチルジプロピルデシンジオール（Ｃ
Ｈ２Ｃｌ（Ｃｔ１３）　Ｃ１１２Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）
　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）　ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ
３）ＣＨ３）　、ジプロピルテトラデシンジオール（Ｃ
５Ｈｕ　Ｃ（Ｃ３Ｈ７Ｘ０Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ
７Ｘ０Ｈ）　Ｃ５Ｈｎ　）、ジプロピルヘキサデシンジ
オール（Ｃｓ　１１１３　Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯ１ｌ）　−
Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ３Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃ８ＨＩ３）　、ジプ
ロピルオクタデシンジオール（Ｃ７Ｉ１５　Ｃ（Ｃ３１
１７ＸＯＨ）　−Ｃ−ｉ−Ｃ−Ｃ（Ｃ３１１７）（ＯＨ
）　Ｃ７Ｉ１５）　、ジプロピルエイコシンジオール（
Ｃ８Ｈ１７Ｃ（Ｃ３Ｈ７Ｘ０Ｈ）　−Ｃ＝ｃ−Ｃ（Ｃ３
Ｈ７ＸＯＨ）　Ｃ８Ｉ１７）　、ジメチルジプロピルオ
クタデシンジオ−）Ｉｉ　（Ｃ５Ｈ１１ＣＨ（ＣＨ３）
　ＣＨ２Ｃ（Ｃ３＋１７　Ｘ０ＩＩ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（
Ｃ３Ｈ？　Ｘ０Ｈ）　ＣＨ２Ｃｌ１（ＣＨ３）　Ｃ５Ｈ
１１〕、シブチルドデシンジオ−７１／　（Ｃ４Ｈｇ　
Ｃ（Ｃ４Ｈ９ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ２Ｈ５ＸＯ１
ｌ）　Ｃ４Ｈ９）　、ジメチルジブチルデシンジオール
（Ｃ１１３ＣＨ（Ｃ１１３）　ＣＨ２Ｃ（Ｃ４Ｈ９ＸＯ
ｔｌ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４ｈＸＯＨ）　ＣＨ２ＣＨ（
ＣＩ＋３）　ＣＨ３〕、ジブチルテトラデシンジオール
（Ｃ５Ｈｎ　Ｃ（Ｃ４Ｈ９ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ
４１１９ＸＯＩＩ）　Ｃ５）＋１１　）　、ジブチルエ
イコシンジオール〔Ｃｓ　ＨＩ３　Ｃ（Ｃ４１＋９ＸＯ
Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４ｔ１ｇＸＯＨ）　Ｃ６ＨＩ３
）　、ジブチルエイコシンジオールＣＣ７Ｉ１５　Ｃ（
Ｃ４Ｈ９ＸＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４Ｈ９ＸＯＨ）　
Ｃ７Ｈ＋５〕、ジブチルエイコシンジオール（Ｃａ　Ｉ
１７　Ｃ（Ｃ４Ｈ９ＸＩ）Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ４１
１９）（ｏｎ）　Ｃ８Ｉ１７）　、ジメチルジブチルオ
クタデシンジオール（Ｃり　Ｈｌｌ　ＣＨ（Ｃ１１３）
　ＣＨ２Ｃ（Ｃ４Ｈ９Ｘ０ＩＩ）　−Ｃ＝（ニー（：　
　（Ｃ４）＋９ＸＯＨ）　Ｃｔ１２ＣＨ（ＣＨ３）　Ｃ
５Ｈｌｌ　）　、ジベンチルテトラデシンジオール（Ｃ
５Ｈｌｌ　Ｃ（Ｃ５ＨｌｌＸＯＩＩ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（
Ｃｓ　Ｈｎ　Ｘ０Ｈ）　Ｃｓ　Ｈｎ　）　、ジヘンチル
ヘキ号デシンジオール（Ｃ６８１３Ｃ（Ｃ５Ｈｌｌ）（
ＯＨ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃｓ　Ｈｌｌ　Ｘｏ）Ｉ）　Ｃ
ｓ　ＨＩ３）　、ジヘンチルオクタデシンジオールＣＣ
？−Ｉ１５　Ｃ（Ｃ５Ｈｌｌ　）（Ｏｌｌ）　−Ｃ＝Ｃ
−Ｃ（Ｃｓ　Ｈｎ　Ｘ０Ｈ）　Ｃ７ＨＩ５）　、ジヘン
チルエイコシンジオー／ｌ／　（Ｃ８Ｈ１７Ｃ（Ｃ５Ｈ
ｌｌ　Ｘ０Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃｓ　Ｈｎ　Ｘ０Ｈ）
　Ｃ８Ｉ１７）　、ジメチルジペンチルオククデシンジ
オール（Ｃ５Ｈ１１ＣＨ（Ｃ１１３）ＣＨ２Ｃ（Ｃｓ　
Ｈｌｌ　Ｘ０１１）−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ５Ｈｔｔ　Ｘ０Ｈ
）　Ｃ１１２Ｃｌ１（ＣＨ３）　Ｃ５Ｈｌｔ　）などや
、その化メチルブチンジオール（ＨＯＣ１１２＝Ｃ＝Ｃ
−ＣＨ（Ｃ１１３）　０ｌｌ）　、メチルペンチンジオ
ール（ＨＯＣＨ２−Ｃ−＝Ｃ−Ｃ（Ｃ１１３）２０Ｈ）
　、メチルエチルヘプチンジオール（ＣＨ３Ｃ（Ｃ２＋
１５　Ｘ０Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−Ｃ（Ｃ１１３ＸＯＨ）　Ｃ
Ｈａ　）　、）リメチルオクチンジオール（ＣＨ３Ｃ１
ｌ（ＣＨ３）　ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３Ｘ０Ｈ）　−Ｃ＝Ｃ−
Ｃ（Ｃ１１３Ｘ０ＩＩ）　ＣＨ３）など種々のものを挙
げることができる。

アセチレングリコールの場合、Ｒ１中のＲ２、Ｒ３基は
アセチレン基に対して対称である必要はなく、アルキル
基Ｒ２、Ｒ３の炭素数の範囲内で異なるアルキル基をと
ることができる。これら各種のアセチレンアルコール、
アセチレングリコールのうち、収縮低減効果の点から一
般式（１）のＲ２、Ｒ３は水素または炭素数１〜４のア
ルキル基であり、これらアルキル基Ｒ２とＲ３との全炭
素数は０〜１０の範囲内であることが好ましい。

本発明の一般式（１）において、（ＡＯ）ｎを構成する
アルキレンオキシドは、エチレンオキシドまたは／およ
びプロピレンオキシドである。また、本発明において、
ｎはアルキル基Ｒ２とＲ３との全炭素数が０〜１０の場
合にはＯ〜３０の数であり、また１１〜３２の場合には
２〜３０の数であることが必要である。アルキル基Ｒ２
とＲ３との全炭素数が１１〜３２のアセチレンアルコー
ルまたはアセチレングリコールの場合には、それ自体、
水に対する溶解性をほとんど持たず、収縮低減効果が大
幅に低下する。このため、アセチレンアルコールの場合
には該アセチレンアルコール１モル当たり少なくとも平
均２モル以上のエチレンオキシドを、またアセチレング
リコールの場合には該アセチレングリコール１モル当た
り少なくとも４モルのエチレンオキシドを付加させるこ
とが必要である。

そして、場合により、２または４モル以上のエチレンオ
キシドと、さらにプロピレンオキシドとをブロック状ま
たはランダム状に共付加して使用することもできる。共
付加する場合、エチレンオキシド／プロピレンオキシド
のモル比は少なくとも０．２であることが、水への／８
解性および親和性を保持し、収縮低減効果を発揮させる
ために必要である。また、アセチレングリコールに付加
させるモノまたはポリオキンアルキレン基はアセチレン
基に夕１称である必要はなく、一方の水酸基にのみ伺加
したものでも、あるいは両方の水酸基に付加したオキシ
アルキレン基が互いに異なっていても、さらにブロック
状、ランダム状等の共付加の構造が異なっていてもよい
。なお、ｎの数が３０を超えると収縮低減効果が低下す
るので好ましくない。

本発明の一般式（１）で示される化合物のうち、アルキ
ル基Ｒ２とＲ３との全炭素数がＯ〜１０の場合には、ｎ
かＯであっても水への溶解性が十分にあり、かつ収縮低
減効果も十分に有するためアルキレンオキシドを付加さ
せなくても使用できる。

しかし、アルキレンオキシドを付加した方が収縮低減効
果か向上する場合が多いので、付加することが好ましい
。この場合、収縮低減効果の点から特に好ましいのは、
ｎが２〜１０の範囲内の数であるときである。さらに、
一般式（１）で示される化合物のうち、アルキル基Ｒ２
とＲ３との全炭素数がＯ〜１０の場合にはプロピレンオ
キソｌを単独で付加させたものも好ましく、さらにプロ
ピレンオキシドとエチレンオキシドとを共付加させたも
のも収縮低減りＪ果の点からより好ましい。この場合、
エチレンオキシド／プロピレンオキシトのモル比は０〜
５の範囲が好ましく、特に好ましくは０．２〜５の範囲
である。なお、エチレンオキノドやプロピレンオキント
以外のプチレンメキノトやスチレンオキシドなと゛のア
ルキレンオキシドを１生能を害しない範囲内で共付加（
全オキシアルキレン中、通常５０重量％以下）させたも
のも使用可能である。

本発明は一般式（１）で示される化合物の一種または二
種以上の混合物を必須成分とじて用いることで優れた収
縮低減効果が得られるが、これにフッソ系界面活性剤ま
たは／およびソリコーン系界面活性剤を併用すると相乗
効果により収縮低減効果が向上し、非常に好ましいもの
となる。これら併用するフッソ系界面活性剤、シリコー
ン系界面活性剤には、それぞれカチオン型、ノニオン型
、アニオン型があり、これらいずれのものも使用できる
がカチオン型、ノニオン型のものが収縮低減９ノ果の点
から好ましく、ノニオン型のものが特に好ましい。

本発明に用いられるフッソ系界面活性剤としては一般に
市販されているものでよく、特に限定されない。カチオ
ン型フッソ系界面活性剤の代表的な例としては、炭素数
５〜１８のパーフルオロアルキル基を疎水基とし、これ
とカチオン性親水性基（例えば、第４級アンモニウム塩
基など）を有する化合物がある。例えば、住友スリーエ
ム０＠社製のフＩコラードＦＣ−１３４、大日本インキ
化学四社裂のメガファノクＦ−１５０などが挙げられ、
その地肌硝子９噂社製のサーフロン５１２１、ネオス■
社製のスタージェント３００、東北肥料ＦＴ１社製のエ
フ１−ノブＥＦ　−１２３Ｂ、エフトップＥＦ　−１３
２なとが挙けられる。ノニオン型フッソ系界面活性剤の
代表的な例としては、炭素数５〜１８のパーフルオロア
ルキル基を疎水基とし、これとノニオン性親水性基（例
えば、エチレンオキシド付加物など）とからなる化合物
がある。例えは、仕入スリーエム（株社裂のフロラード
ＦＣ−１７０ｃ、人日本インキ化学（１旬社盟のメガフ
ァノクＦ　−１４２Ｄ、　Ｆ　−１４４０、Ｆ　−１７
１、Ｆ−１７７、旭硝子０噂社”Ａのサーフ［：１７５
−１４１　、ネ、ｆ−７１１ｉ社ｇノス７’−シェフ　
ｔ−２００，２５１、東北肥料（（喝社時のエフトップ
ＥＦ−１２１、ＥＦ−１２２へ、Ｅｌ−１２２Ｂ　　、
　ＥＦ−１２２Ｃ，ＥＦ−１２２へ３などが挙げられる
。アニオン型］７ソ系界面活性剤の代表的な例としては
、炭素数５〜１８のパーフルオロアルキル基を疎水基と
し、ごれとアニオン性親水性基（例えば、スルポン酸基
、カルボン酸基、リン酸エステル基なと）とからなる化
合物がある。これには、住友スリーエム１；株社製のフ
ロラードＦＣ−９５、ＦＣ−９８、ＦＣ−１２６、ＦＣ
−１２８、大日本インキ化学（（菊社製のメガファノク
ＦｉｌＯ、Ｆ−１１３、Ｆ−１２０、Ｆ　−８１２、Ｆ
　−１９１、旭硝子ａ１社製ノサーフｏン５−１１１　
、Ｓ　−１１２、Ｓ　−１１３、ネオスｔｒｉ社裂のス
タージエン）１００　、１５０　、東北肥料側社製ノエ
フトノプ　ＥＦ−１０２、ＥＦ−１０３、ＥＦ−１１２
、ＥＦ　−１２３八、ＥＦ　−１２３Ｂなどが挙げられ
る。上記のものの他に、カチオン型、アニオン型、ノニ
オン型のフッソ系界面活性剤は、ダイキン工業０＠、関
東電化ｎＬ　Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　、　ＩＣＩ　、　Ｈｏｅ
ｃｈｓｔ　、　ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ各社からも市販さ
れ、これらも本発明のフッソ系界面活性剤として使用で
きる。

また、本発明に用いられるシリコーン系界面活性剤とし
ては、ポリシロキサンを疎水基とし、これとカチオン性
親水性基（例えば、第４アンモニウム塩基）、ノニオン
性親水性基（例えば、アルキレンオキシド付加物など）
、アニオン性親水性基（例えば、硫酸エステル塩、リン
酸エステル塩、カルボン酸塩など）とを有する化合物が
ある。日本では、トーレ・シリコーン■、信越シリコー
ン側、東芝シリコーン■などから各種のものが市販され
ており、本発明ではこれら種々のものを用いることがで
きる。

本発明の収縮低減剤の使用量は、一般式（１）で示され
る化合物のアルキル基の炭素数、アルキレン基の炭素数
によっても異なるが通常セメントに対して０．５〜１０
重量％である。使用量が０．５重量％未満では収縮低減
効果が低く、一方、１０重量％を超えるとセメント組成
物の強度が無添加のものに比較して約２／３以下となり
実用性において充分でない。一般式（１）で示される化
合物とフッソ系界面活性剤または／およびシリコーン系
界面活性剤とを併用する場合には相乗効果によって収縮
低減効果が増大する。この場合には、一般式（１）で示
される化合物の使用量はセメントに対し０．３〜１０重
量％、フッソ系界面活性剤はセメント重量に対し５０〜
５００　ｐｐｍ　、シリコーン系界面活性剤はセメント
に対し０．０５〜１重量％である。

本発明のセメント用収縮低減剤の添加手段は、普通一般
に行われているセメント混和剤の場合と同しであり、例
えば混練水に予め適量の本収縮低減剤を混和しておくか
、あるいはセメント、骨材、水からなる混合物の混練時
に適量の本セメント用収縮低減剤を添加するなどの手段
を採用することができる。

本発明Ｃ）収縮低減剤は使用に当たって他の成分（任意
成分）と併用することができる。このような任意成分と
しては、塩化カルシウム、塩化ナトリウムなどの金属塩
化物、硫酸ナトリウムなどの金属硫酸塩、トリエタノー
ルアミンなどの有機アミン等公知のセメント硬化促進剤
、アルコール類、糖類、澱粉、グリセリン、ポリリン酸
ソーダなどの公知のセメント硬化遅延剤、亜硝酸ナトリ
ウム、亜硝酸カルシウムなどの公知の鉄筋防錆剤、リグ
ニンスルホン酸、オキシカルボン酸、ナフタリンスルホ
ン酸ホルマリン縮合物、メラミンスルホン酸ホルマリン
縮合物など公知のセメント分散剤、カルボキシメチルセ
ルロース、ヒトロキシメ、チルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース、カルボキシメチル澱粉、リン酸化澱
粉、アルギン酸ソーダなどの公知のセメント用糊剤など
種々のものが挙げられる。

本発明の収縮低減剤を添加したモルタルまたはコンクリ
ートの施工法は、従来と同じ方法でよく、コテ塗り、型
枠への充填、吹き付は塗り、コーキングガンによる注入
などの方法を取り得る。また、養生法としては気乾養生
、湿空養生、水中養生、加熱促進養生（蒸気養生、オー
トクレーブ養生など）のいずれの方法でもよく、又これ
ら各方法を併用してもよい。

本発明の収縮低減剤をセメントに対して添加した場合、
無添加の場合に比較して大幅な乾燥収縮低減が図られる
。また、セメント組成物の不燃性を損なうことも少なく
、さらには・、高添加量（例えば数％程度）においても
セメント組成物の大幅な強度低下を来すことがない。

、以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。

実施例１ アセチレンと、ホルムアルデヒドまたはケトン化合物と
をアルカリの存在下で反応させて得られた各種アセチレ
ンアルコール、アセチレングリコール、またはこれらの
アルコールのオキシド付加物やアセチレンオキシド付加
物をセメント用収縮低減剤として選んだ。これらの収縮
低減剤を純分としてセメントに対し３．５重量％の割合
で添加して得たモルタル硬化物について、ＪＩＳ　Ａ　
１１２９のダイヤルゲージ法にて収縮低減率を測定し、
ＪＩＳ　Ｒ５２０１により強度を測定し、表−１の結果
を得た。

また、混入空気量は、ＪＩＳ　Ａ　１１２Ｂに従い、コ
ンクリートについて測定した。

なお、収縮低減率および強度を測定したモルタルの場合
には、水／セメント比６５％、砂／セメント比２００％
であった。コンクリートの場合には、単位セメント量３
００ｋｇ／　ｒＩ？、水／セメント比６０％、細骨材率
４４％であった。

また、表−１中のＥＯはエチレンオキノドを、ＰＯはプ
ロピレンオキシドを示す。

本頁以下余白 表−１（１） 表−１（２） 廻 実施例２ 実施例１における陽３の収縮低減剤を用い、その添加量
を変えて実施例１と同様の方法にて試験を行い、表−２
の結果を得た。

本頁以下余白 表−２ 実施例３ 実施例１におけるＮｏ、　３の収縮低減剤を普通ポルト
ランドセメントに対して２．０重量％用い、各種フッソ
系界面活性剤をセメントに対し２００ｐｐｍ、またはシ
リコーン系界面活性剤をセメントに対し０．１重量％併
用して、実施例１と同様の方法にて収縮率、空気量およ
び強度を測定して表−３の結果を得た。

表−３ 実施例４ 実施例１における本発明の収縮低減剤Ｎｏ、　１１をセ
メントに対し２．０重量％用い、フッソ系界面活性剤と
してサーフロンＳ−１４１、またシリコーン系界面活性
剤としてＳＨ３７４７を用い、その添加量を変えて実施
例１と同様の方法にて試験を行い、表−４の結果を得た
。

本頁以下余白 表−４ 特　許　出　願　人　日本セメント株式会社三洋化成工
業株式会社 代理人弁理士船　越　康　弘 手続補正書 昭和５８年４ＪＨ２日 特許庁長官若杉和夫殿　　　　　　　　　　　′：タ’
、場１、事件の表示 昭和５８年特許願第００７０８８号 ２、発明の名称 セメント用収縮低減剤 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 サンヨウ力セイコウギョウ 名称（２２８）三洋化成工業株式会社 二ホン 名称（４，１９）日本セメント株式会社４、代理人　■
６０１−　ｉ３　　冨０７５−５７１−１１２２６、補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄第２５頁表＝１（２）を
以下のように補正する。

（１）表中、Ｎａ　１３の構造式： ％式％ に補正する。

（２）表中、隘１４の構造式： に補正する。

（３）表中、隘１５の構造式； 補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １８次の一般式（１） Ｒ２、Ｒ３ば水素または炭素数１〜８の−）′ルキル基
   、Ａは炭素数２〜３のアルキレン基、ｎはＯ〜３０の数
   ）で示される水溶性または自己水分散性のアセヂレンア
   ルコール系化合物からなることを特徴とするセメント用
   収縮低減剤。 ２、一般式（１）において、べΔ０）−ｎで示されるポ
   リオキンアルキレン基は、オキシエチレン基／オキシプ
   ロピレン基のモル比が少なくとも０゜２となるブロック
   状またはランダム状共付加基である特許請求の範囲第１
   項記載のセメント用収縮低減剤。 ３、一般式（１）において、Ｒ２、Ｒ３は水素または炭
   素数１〜４のアルキル基であり、かつＲ２とＲ３との炭
   素数の合計が０〜１０の範囲内にある特許請求の範囲第
   １項または第２項記載のセメン１−用収縮低減剤。 ４、一般式（１）において、アルキル基Ｒ２とＲ３との
   炭素数の合計が１１〜３２であり、かつ１１個あるへの
   うち少なくとも２個かエチレン基である’１４ｊ許請求
   の範囲第２項記載のセノン１−用収縮低減剤。 ５、一般式（１）において、ｎが２〜１０の範囲内にあ
   る特許請求の範囲第１項または第２項記載のセメント用
   収縮低減剤。 ６、一般式（１）で示される化合物と、フッソ系界面活
   性剤またば／およびシリ」−ン系界面活性剤とよりなる
   ことを特徴とするセ用収縮低減剤縮低減剤。 ７、　フッソ系界面活性剤またば／およびシリコ−ン系
   界面活性剤が、カチオン型またはノニオン型である特許
   請求の範囲第６項記載のセメント用収縮低減剤。 ８、　フッソ系界面活性剤または／およびシリコーン系
   界面活性剤が、ノニオン型である特許請求の範囲第６項
   記載のセメント用収縮低減剤。