JPS59119329A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はトランジスタマトリクスアレイを用いた交流駆
動の液晶表示装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an AC-driven liquid crystal display device using a transistor matrix array.
近年スイッチングトランジスタをマトリクスアレイに構
成して駆動回路とした液晶表示装置が注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices in which switching transistors are arranged in a matrix array and used as a driving circuit have been attracting attention.
この方法は、基板上に設けられたスイッチングトランジ
スタマトリクスの各ドツトに画像情報全蓄積しておき、
これら画像情報をマトリクスアレイ上に設けられた液晶
1脅の各ドツトに対応した位置に表示を行ない所望の画
像を得ようとするものであり、従来の表示装置の主流で
あったCRjk用いた方法に比べ、原理的にはるかに薄
型の表示装置が実現できる。In this method, all image information is accumulated in each dot of a switching transistor matrix provided on a substrate.
This method attempts to obtain a desired image by displaying this image information at a position corresponding to each dot of a liquid crystal provided on a matrix array, and is a method using CRJK, which has been the mainstream of conventional display devices. In principle, a much thinner display device can be realized compared to the conventional method.
又、CRTの表示原理がけい光物質に高エネルギーの電
子ビームを衝突させ発光させるため、全画面が常に表示
されているわけでなく、人間の目の残像現象全利用した
ものとなっており、フリッカ−雑音等があり見易さに問
題があった。In addition, the display principle of CRT is that a high-energy electron beam collides with a fluorescent material to emit light, so the entire screen is not always displayed, and the CRT takes full advantage of the afterimage phenomenon of the human eye. There was a problem with visibility due to flicker noise, etc.
これに対し、トランジスタマトリクスを用いた液晶表示
装置はほぼ全時間表示となり、CRTよりもより自然な
画面を得ることができる。更に、CRTに比べ平坦な画
面が得られること、高圧電源を必要としないこと、真空
領域が必要でなく、全固体装置であるため小型軽量で十
分な強度が得られること、などの特徴を有する。On the other hand, a liquid crystal display device using a transistor matrix displays information almost all the time, and can provide a more natural screen than a CRT. Furthermore, compared to CRT, it has features such as a flat screen, no need for a high-voltage power supply, no need for a vacuum area, and because it is an all-solid-state device, it is small, lightweight, and has sufficient strength. .
第1図はトランジスタマトリクスアレイの基本構成を示
す概略図である。表示画面はたてm本、横n本のマトリ
クス状に分割され全部でm・n個の単位画素−分割され
ている。各マトリクスの交点C11+ C12・・・C
jj・・・Cmnはスイッチングトランジスタによるメ
モリ機能をもつ′画素回路が構成されており、ここに各
画素の画像情報が蓄えられ、この情報に従っ゛て、マト
リクスアレイ上に設けられた液晶の各画素に対応した領
域で表示が実現されるようになっている。FIG. 1 is a schematic diagram showing the basic configuration of a transistor matrix array. The display screen is divided into a matrix of m lines vertically and n lines horizontally, with a total of m·n unit pixels. Intersection of each matrix C11+ C12...C
Jjj...Cmn is composed of a pixel circuit with a memory function using switching transistors, in which image information of each pixel is stored, and according to this information, each of the liquid crystals provided on the matrix array is Display is realized in areas corresponding to pixels.
具体的な画素回路は第2図に示されるような単純な構成
のものが使用されている。これは、高精細な表示画面を
得るためには、マトリクスの大きさm”nが非常に大き
くなるため、高歩留りでマトリクスアレイを作成するた
めにはより単純な回路が望まれるためである。第2図に
おいて21はスイッチングトランジスタ、22は液晶層
、23は画像信号を蓄積するキヤ・ぐシタである。又、
24は液晶を交流駆動させるときに用いられる直流成分
カット用のキヤ・Pシタで、液晶層の容重に゛比べ十分
大きくとられる。A specific pixel circuit having a simple configuration as shown in FIG. 2 is used. This is because in order to obtain a high-definition display screen, the size of the matrix m''n becomes very large, so a simpler circuit is desired in order to create a matrix array with a high yield. In FIG. 2, 21 is a switching transistor, 22 is a liquid crystal layer, and 23 is a capacitor for accumulating image signals.
Reference numeral 24 denotes a capacitor/P capacitor for cutting a DC component used when AC driving the liquid crystal, and is sufficiently large compared to the weight of the liquid crystal layer.
トランジスタ2ノのダートは第1−曲目のアドレスライ
ンXiに接続され、ソース電極は第j番目のデータライ
ンYjに接続されている。アドレスラインXi及びデー
タラインYjはそれぞれv(XI)、V(Yj)の電源
が接続されている。アドレスラインXiにトランジスタ
21 ?ON状態にする信号が入ったとき、トランジス
タ21のチャンネルが導通し、このときデータラインY
jに用意された画像信号が、キャパシタ23に蓄積され
、ダート電圧v(Xi)が零〇間その信号はキヤ・やシ
タ23に記憶される。この蓄積された画像信号に対応し
て液晶22が駆動される。なお、アドレスライン上i上
の他のトランジスタも全て同時にQN状態となり、それ
ぞれそのときの各プ′−タラインYj上に用意された画
像信号V(Yi)、V(Y2 ) −v (Yn)が各
画素回路Ci l+ Ci 2・・・C3n V?−蓄
積される。同様にしてXトド’ + Xl +2 t・
・・というふうに各アドレスライン上の画像信号が次々
に蓄積されていき、全両面の信号が書き込まれることに
なる。The dart of the transistor 2 is connected to the first address line Xi, and the source electrode is connected to the jth data line Yj. Address line Xi and data line Yj are connected to power supplies v(XI) and V(Yj), respectively. Transistor 21 on address line Xi? When a signal to turn on is input, the channel of the transistor 21 becomes conductive, and at this time the data line Y
The image signal prepared in j is stored in the capacitor 23, and the signal is stored in the capacitor 23 while the dart voltage v(Xi) is zero. The liquid crystal 22 is driven in accordance with this accumulated image signal. Note that all other transistors on address line i also enter the QN state at the same time, and the image signals V(Yi) and V(Y2)-v(Yn) prepared on each printer line Yj at that time become Each pixel circuit Ci l+ Ci 2...C3n V? - Accumulated. Similarly, X Todo' + Xl +2 t・
In this way, the image signals on each address line are accumulated one after another, and the signals on all sides are written.
第3図は画素C1、jt CH++ l jにおいて画
像信号Vdi 、Vdi+1が書きこまれる様子を模式
的に示したものである。第3図の画像信号φ1.j。FIG. 3 schematically shows how the image signals Vdi and Vdi+1 are written in the pixel C1 and jt CH++ lj. Image signal φ1 in FIG. j.
φi+1 、 j において、実線が理想的な動作時
における電圧波形を示している。すなわち、画素C1,
j の画像信号は時刻t(1かも書き込みが開始され
、tij十ΔTにおいて書き込みが終了して同時にダー
ト電圧v(Xi)は零となり、次に1フイ一ルド周期T
f後の時刻ji2で再びC1jに画像信号貫き込みが行
なわれるまでは、φi、」は画像信号Vatに保持され
ることになる。At φi+1, j, the solid line shows the voltage waveform during ideal operation. That is, pixel C1,
The image signal of j starts writing at time t (1), and at the same time the writing ends at tij+ΔT, the dart voltage v(Xi) becomes zero, and then one field period T
Until the image signal penetrates into C1j again at time ji2 after f, φi,'' will be held as the image signal Vat.
しかしながら、実際には第2図に示したようにスイッチ
ングトランジスタ21のダート・ドレイン間に寄生容量
25があるため、ダート・クルスが零となった瞬間にこ
の寄生容量25の効果によりキャ/Fンタ23に蓄えら
れた電圧φi、jには、第3図に破線で示したような電
圧降下ΔVが生じる。However, in reality, as shown in FIG. 2, there is a parasitic capacitance 25 between the dart and drain of the switching transistor 21, so the moment the dart cruise becomes zero, the effect of this parasitic capacitance 25 causes the capacitance to increase. In the voltage φi,j stored in 23, a voltage drop ΔV as shown by the broken line in FIG. 3 occurs.
ところで、スイッチングトランジスタの材料としては、
結晶、多結晶、アモルファス状態のSi 、 CdSe
、 Te 、CdS等が用いられる。特に近年では、
トランジスタマトリクスアレイの大面積化、低コスト化
のために、低温プロセスで作製可能な多結晶半導体やア
モルファス半導体を用いた薄膜トランジスタ(TPT
)が注目されている。これらのTPTでは電界効果移動
度が結晶Si金用いたMOS)ランジスタと比べてかな
り低いことから、第3図に示す時間ΔT内に画像信号全
十分にキャパシタに書込むためには、TPTのチャネル
II@’に大きくして、チャネルのオン抵抗を十分低く
することが必要となる。このような大きなTFT i用
いた場合には、寄生容量25が無視できない程大きくな
って、前述の電圧降下ΔVも非常に大きくなる。By the way, the materials for switching transistors are:
Si, CdSe in crystalline, polycrystalline, and amorphous states
, Te, CdS, etc. are used. Especially in recent years,
In order to increase the area and reduce costs of transistor matrix arrays, thin film transistors (TPTs) using polycrystalline semiconductors and amorphous semiconductors, which can be manufactured using low-temperature processes, are being developed.
) is attracting attention. Since the field effect mobility of these TPTs is considerably lower than that of MOS transistors using crystalline Si gold, in order to fully write the entire image signal to the capacitor within the time ΔT shown in Figure 3, it is necessary to It is necessary to make the on-resistance of the channel sufficiently low by increasing it to II@'. When such a large TFT i is used, the parasitic capacitance 25 becomes so large that it cannot be ignored, and the voltage drop ΔV mentioned above also becomes very large.
一方、液晶材料の高寿命化のため、液晶層を交流駆動で
使用することが行なわれる。第4図はこの交流駆動によ
る動作の原理を概略的に示すものである。今、第tj番
目の画素回路について着目する。アrレスラインXiは
時間間隔T4ごとにそのラインのトランジスタをON状
態とし、データラインYjの画像信号全キャ/−、Oシ
タ23に蓄える。液晶全交流駆動するためにはデータラ
インYjの画像信号電圧V(Yj)は第4図のごとく加
えられる。すなわち、表示状態(ON状態)ではVo[
ボルト〕、0、vD[zルト〕、0のように信号が’1
4間隔でかつダート・ぞルス■(Xt)と同期して送ら
れる。反対の状態(、OFF状態)想状態ではキャパシ
タ23の電位は第4図の〔φi、j)のように変化し、
例えば液晶層の対向電甑電位VcをVD/2に設定して
おくことによシ、目的の表示全実現できる。ただし、v
D/2値は液晶層のしきい値電圧よりも大きくとること
が必要である。ところが実際のキャパシタ23の電位φ
i、jは前述した電圧降下ΔVの効果及びスイッチング
トランジスタ21のリーク電流あるいは液晶層のリーク
直流のため第4図に示すφi、j のごとく変化する
。第4図の例の場合、液晶層の対向電極の電位VCをV
D/2 としたのでは、目的の動作が達成されないのは
明らかである。例えば前記VCC全全理想値D/2
からΔVだ。On the other hand, in order to extend the lifespan of liquid crystal materials, the liquid crystal layer is driven by alternating current. FIG. 4 schematically shows the principle of operation by this AC drive. Now, attention is paid to the tjth pixel circuit. The array line Xi turns on the transistor of the line at every time interval T4, and all the image signals of the data line Yj are stored in the capacitor 23. In order to drive the liquid crystal fully AC, the image signal voltage V (Yj) of the data line Yj is applied as shown in FIG. That is, in the display state (ON state), Vo[
volt], 0, vD[z volt], 0, the signal is '1'
Sent at 4 intervals and in synchronization with Dart Zorus ■ (Xt). In the opposite state (OFF state), the potential of the capacitor 23 changes as shown in [φi, j) in FIG.
For example, by setting the counter voltage Vc of the liquid crystal layer to VD/2, the desired display can be fully realized. However, v
The D/2 value needs to be larger than the threshold voltage of the liquid crystal layer. However, the actual potential φ of the capacitor 23
i, j change as φi, j shown in FIG. 4 due to the effect of the voltage drop ΔV mentioned above and leakage current of the switching transistor 21 or leakage DC of the liquid crystal layer. In the case of the example shown in Fig. 4, the potential VC of the counter electrode of the liquid crystal layer is set to V
It is clear that the desired operation cannot be achieved with D/2. For example, the VCC total ideal value D/2
ΔV.
け下げておいた場合、すなわち、Vc=Vo/2−ΔV
とした場合でも、ON状態における液晶層に加わる電位
は、第4図に示す正、負の領域SB+Sb’に比較して
明らかなように完全な交流動作ではなく、液晶層に直流
的な′電圧を加えた効果を生じる。これは交流動作の目
的である液晶材料の長寿宿代にとって問題°である。ま
たOFF状態において第張図のΔ■値が液晶のしきい値
を超えるようになると、完全な、 OFF状態でなくな
って表示のコントラスト全署しく低下させてしまい、十
分な表示特注を得ることができなくなる。In other words, Vc=Vo/2-ΔV
Even in the case of produces the effect of adding This is a problem for the longevity of liquid crystal materials, which is the purpose of AC operation. Furthermore, if the Δ■ value in the graph exceeds the threshold value of the liquid crystal in the OFF state, the display will no longer be in a completely OFF state, and the contrast of the entire display will drop sharply, making it difficult to obtain sufficient display custom orders. become unable.
更に又、あらかじめΔV値を求めておく必要があり、そ
の値によっては中途半端な電位を液晶の対向電極に加え
る必要があるため、余分な宝典回路を必要とする。Furthermore, it is necessary to obtain the ΔV value in advance, and depending on the value, it is necessary to apply a halfway potential to the counter electrode of the liquid crystal, which requires an extra circuit.
以上は画像信号として(l r Vo/2 + Vpの
場合を示したが、例えば−Vn/2 、 O、VD/2
(7) 、j: ’) 1信号覗圧であっても同様の問
題を生ずる。The above example shows the case of (l r Vo/2 + Vp) as an image signal, but for example -Vn/2, O, VD/2
(7) , j: ') A similar problem occurs even with a single signal peeking pressure.
本発明は上記の点にかんがみ、画像信号を蓄積するキャ
パシタに書き込まれた1市1像信号′1程圧の書き込み
直後に生ずる電圧降下やリーク電流の影響を除去して液
晶層の長寿命化に必要なほぼ完全な交流駆動を実現し、
かつコントラストの低下のない信頌性の高い表示を可能
とした液晶表示装置を提供するものである3、
〔発明の概要〕
本発明は、トランノスタマトリクスアレイ全用いて前述
の如き交流駆動を行なうに当って、液晶に印加される交
流電圧が表示状態で正負対称に変化するように構成した
ことを基本とする。In view of the above points, the present invention extends the lifespan of the liquid crystal layer by eliminating the effects of voltage drop and leakage current that occur immediately after the 1 city 1 image signal '1 voltage is written in the capacitor that stores the image signal. Achieves almost perfect AC drive required for
The present invention provides a liquid crystal display device that enables highly reliable display without deterioration of contrast. 3. [Summary of the Invention] The present invention performs the above-mentioned AC drive using the entire transnosta matrix array. The basic structure is that the AC voltage applied to the liquid crystal changes symmetrically in positive and negative directions in the display state.
図面音用いて本発明の概要全具体的に説明する。M2図
の画素回路で、今アドレスラインX1に第5図に示すよ
うな大きさ、VG+Vao (Vc。The outline of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings. In the pixel circuit shown in Figure M2, the address line X1 now has a voltage of VG+Vao (Vc.
け直流バイアス)のグートノソルスv(X+)が印加さ
れこれと同期してデータラインYjに波高値VD の
画像信号V(Yj)を加える。これにょシキャパシタ2
3にはこの画像信号が蓄積され、その端子電圧はケ゛−
ト・ヤルスがvGoになる直前においてVDなる値とな
り、このときキャノクシタ23および寄生容量25を含
む全゛負荷容量に蓄えられる電荷Q−は、
Q −−CBVn+ Cp (Vo−Vc Vco
) ・曲−−・曲・(1)となる。C8p cP
はそれぞれキヤ・ぞシタ2.?、寄生容量25の容量値
である。ここで、vGoはトランジスタをオンさせるし
きい1直′亀圧Vsよりも小さく、VG +Vc o
(/’i Vs以上の値とする。第2図における直流カ
ット用キャノクシタ24の効果は(1)式に示してない
が、このキャノeシタ24と液晶22自体の容量はキャ
パシタ23に並列に付加されており、(1)式のCSに
含めて考えれは間j隠はない。次にダート・やルスV(
Xi)がVcoトなりトランジスタ21がオフになった
直後に〉ける全電荷Q+は1
Q+ = Cs (Vn−Δv)十cP(vD−ΔV
Vco ) =(2)となる。ここで、ΔVは前述し
た寄生容量25による電圧降下Mである。Q−−Q+で
あるから(])、(2)式から電圧降下ΔVは
となる。An image signal V(Yj) having a peak value VD is applied to the data line Yj in synchronization with the application of a signal V(X+) with a direct current bias. This capacitor 2
This image signal is accumulated in 3, and its terminal voltage is
The value becomes VD just before the voltage becomes vGo, and the electric charge Q- stored in the entire load capacitance including the capacitance 23 and the parasitic capacitance 25 at this time is Q--CBVn+Cp (Vo-Vc Vco
) ・Song --・Song・(1). C8p cP
2 respectively. ? , is the capacitance value of the parasitic capacitance 25. Here, vGo is smaller than the threshold voltage Vs that turns on the transistor, and VG +Vco
(/'i The value shall be greater than Vs. The effect of the DC cut capacitor 24 in FIG. 2 is not shown in equation (1), but the capacitance of this capacitor 24 and the liquid crystal 22 itself is It is obvious that it is included in the CS of equation (1).Next, Dart and Lus V (
Immediately after Xi) becomes Vco and the transistor 21 turns off, the total charge Q+ is 1 Q+ = Cs (Vn-Δv)0cP(vD-ΔV
Vco )=(2). Here, ΔV is the voltage drop M due to the parasitic capacitance 25 mentioned above. Since Q--Q+ (]), the voltage drop ΔV is given by equation (2).
本発明においては、データラインYjの画像信号電圧V
(Yj)として、第5図に示すように表示状態でOとv
Dの繰返し電圧とし、非表示状態としてVD/2なる電
圧を与える。そしてこのとき、液晶の対向電極に与える
電圧をVc ”= 0とし、(3)式にある直圧降下Δ
V値がΔ■さVD/2となるように、ダート・ドレイン
間寄生容量25の容量値Cpk設定する。この条件は(
3)式から次のとおり求まる。In the present invention, the image signal voltage V of the data line Yj
(Yj), O and v in the display state as shown in FIG.
A repetitive voltage of D is applied, and a voltage of VD/2 is applied as a non-display state. At this time, the voltage applied to the opposite electrode of the liquid crystal is set to Vc''=0, and the direct pressure drop Δ in equation (3) is
The capacitance value Cpk of the dirt-drain parasitic capacitance 25 is set so that the V value becomes ΔVD/2. This condition is (
3) From the formula, it can be found as follows.
ここテVD、vG 値はトランジスタ特性及び液晶の
特性から一義的に決定され、又C8も十分な保持特性を
持つように、面積の許すかぎ9十分大きくとられるため
、CP値は一義的に決定さ2’Lる。このような条件に
設定すれば、第5図に示すようにON状態における液晶
の交流1駆動電圧φ1.j は正負全く対称になる。Here, the VD and vG values are uniquely determined from the transistor characteristics and the liquid crystal characteristics, and since C8 is also taken as large as the area allows so that it has sufficient retention characteristics, the CP value is uniquely determined. Sa2'L. If these conditions are set, as shown in FIG. 5, the AC 1 drive voltage φ1. j is completely symmetrical in terms of positive and negative.
第6図は本発明の効果全液晶層の透過率−電圧特性を用
いて説明jるための図である。図中Vthは、液晶層が
透過全開始するしきい値電圧である。状態Aが電圧降下
がVo/2となった場合で最も理想的な動作を示す。図
中○はOFF状態、×はON状態で、正負両電圧領域に
○があるのは交流駆動であることを示す1.又、図中矢
印はリーク電流等による蓄積電荷の減少の効果を示す。FIG. 6 is a diagram for explaining the effect of the present invention using the transmittance-voltage characteristics of the entire liquid crystal layer. In the figure, Vth is the threshold voltage at which the liquid crystal layer starts to fully transmit. State A shows the most ideal operation when the voltage drop is Vo/2. In the figure, ○ indicates OFF state, × indicates ON state, and ○ in both positive and negative voltage regions indicates AC drive. Further, arrows in the figure indicate the effect of reducing accumulated charge due to leakage current or the like.
本発明においては状態Bに示すように、電圧降下ΔVが
VO/2から多少ずnていてもその効果は十分昭め、ら
れる。すなわち、BにおいてON及びOFF状態の表示
に誤動作が生ずることがなく、高いコントラスト比の表
示が得られる。In the present invention, as shown in state B, even if the voltage drop ΔV is slightly smaller than VO/2, the effect is sufficiently reduced. That is, in B, no malfunction occurs in the display of ON and OFF states, and a display with a high contrast ratio can be obtained.
しかし、そのズレが大きい場合、液晶層の寿命低下を招
く恐れがあるので、ΔV値のVD/2値からのズレは液
晶層のしきい値Vthに対し、約±Vth/2以内に収
まるようにすることが望ましい。この程度のズレであれ
ば、液晶ノーの寿命低下をある程度おさえることができ
る。However, if the deviation is large, there is a risk of shortening the life of the liquid crystal layer, so the deviation of the ΔV value from the VD/2 value should be kept within approximately ±Vth/2 with respect to the threshold value Vth of the liquid crystal layer. It is desirable to do so. If the deviation is of this degree, it is possible to suppress the decrease in the life of the liquid crystal to some extent.
以上述べたごとく本発明においては、画素回路のトラン
ジスタ及び液晶層のリーク電流が多少存在していても、
理想的な液晶交流駆動と誤表示のない高コントラストの
表示を得ることが可能である。また液晶層の対向電位も
零に固定できるため、特別な電源回路全必要としないと
いう利点が得られる。As described above, in the present invention, even if there is some leakage current in the transistor and liquid crystal layer of the pixel circuit,
It is possible to obtain ideal liquid crystal AC drive and high contrast display without display errors. Furthermore, since the opposing potential of the liquid crystal layer can also be fixed at zero, there is an advantage that no special power supply circuit is required.
更にキャパシタ23の一端は接地電位にしであることか
ら、そのキャi4シタが接続されている画素のアドレス
ライン以外のアドレスラインを接地線として利用するこ
とができ、これによジ集積度を高めることもできる。Furthermore, since one end of the capacitor 23 is connected to the ground potential, address lines other than the address line of the pixel to which the capacitor 23 is connected can be used as a ground line, thereby increasing the degree of integration. You can also do it.
第7図は本発明による実施例の要部構造断面図である。 FIG. 7 is a sectional view of the main part structure of an embodiment according to the present invention.
マトリクスアレイはアドレスライン220本、データラ
イン24’0本で、アドレスライン間隔は200μm1
データライン間隔は250μm である。トランジス
タマトリクスアレイはガラス基板71上に通常の薄膜集
積回路技術により形成されている。即ち、基板71上に
ケ゛−ト電極および接地線を兼ねるアドレスライン72
(7zl、 72.、・・・)を形成し、この上に5i
02膜73 を堆積した後、アモルファスSl膜74
(741、742−・・)を堆積、パターニングし、ソ
ース電極を兼ねるデータラインy s (y sl e
752・・・)とドレイン電$iを兼ねる表示電極76
(7el、 7 e2・−)q形成し、再び5i02膜
77でおおって表示電極76上に窓をあける。表示電極
76は約150×170μmの大きさで、その上部には
液晶層80を設け、これを透明電極79を設けたガラス
基板78で封止する。この透明電極79は電位零にバイ
アスされる。The matrix array has 220 address lines and 0 data lines, and the address line spacing is 200 μm1.
The data line spacing is 250 μm. The transistor matrix array is formed on a glass substrate 71 using normal thin film integrated circuit technology. That is, an address line 72 which also serves as a gate electrode and a ground line is provided on the substrate 71.
(7zl, 72.,...) and 5i on top of this.
After depositing the 02 film 73, the amorphous Sl film 74 is deposited.
(741, 742-...) is deposited and patterned to form a data line ys (ysl e
752...) and a display electrode 76 that also serves as a drain voltage $i
(7el, 7e2.-)q is formed and covered again with a 5i02 film 77 to form a window on the display electrode 76. The display electrode 76 has a size of about 150×170 μm, and a liquid crystal layer 80 is provided on top of the display electrode 76, which is sealed with a glass substrate 78 provided with a transparent electrode 79. This transparent electrode 79 is biased to zero potential.
第8図は第ftj番目の画素回路で、81がアモルファ
スSi膜74によるTFTである。キャノソシタ82は
、表示電極76を一方の端子電極とし、この画素に隣接
するアドレスライン72を他方の端子電極として構成し
ている。キヤ/?シタ82の容量値C8は約3. Op
F、液晶層の容量値Cよ約0.1 pFである。ここで
、このトランジスタマトリクスは第9図に示すようにア
ドレスラインは通常零とし、スブッチング時のみVc
=20V’!im印加する。トランジスタのしきい値V
sは約13(V)である。一方、データラインYjのデ
ータ信号はON状態で、0及びVD = 1−OVの繰
返し、OFF状態で5■の繰返しである。そして、ケ゛
−ト・ドレイン間寄生容量83の容量値CPはトランジ
スタ81がON状態のときのチャンネル容量も含めて(
4)式に従い、約1. OpFとした。この結果、液晶
層80に印加される電圧μ第9図のφ++j に示す
ようになり、はぼ理想的な交流駆動を実現できた。FIG. 8 shows the ftjth pixel circuit, in which 81 is a TFT made of an amorphous Si film 74. The display electrode 82 is configured with the display electrode 76 as one terminal electrode and the address line 72 adjacent to this pixel as the other terminal electrode. Kiya/? The capacitance value C8 of the capacitor 82 is approximately 3. Op
F is about 0.1 pF compared to the capacitance value C of the liquid crystal layer. Here, in this transistor matrix, as shown in FIG.
=20V'! Apply im. Transistor threshold value V
s is approximately 13 (V). On the other hand, the data signal on the data line Yj is in the ON state, repeating 0 and VD=1-OV, and in the OFF state, repeating 5 times. The capacitance value CP of the gate-drain parasitic capacitance 83 includes the channel capacitance when the transistor 81 is in the ON state (
4) According to the formula, approximately 1. It was set as OpF. As a result, the voltage μ applied to the liquid crystal layer 80 became as shown by φ++j in FIG. 9, and a nearly ideal AC drive was realized.
なお、アドレスラインXiに20V印加しているとき隣
接するアドレスラインX1−1は、零電位であるので、
キヤ・やシタ82の接地線として働く。父、アドレスラ
インX1−1に20(V)印pOされたとき、φ1+J
はかなり高い電圧になるが、これは瞬間的であり動
作上はとんど問題ない。Note that when 20V is applied to the address line Xi, the adjacent address line X1-1 is at zero potential, so
Works as a grounding wire for the carrier and the seat 82. Father, when 20 (V) mark pO is applied to address line X1-1, φ1+J
The voltage becomes quite high, but this is instantaneous and poses no problem in operation.
第10図は本発明による別の実施例を示すもので同様に
第i、j番目の画素回路で示しである。アドレスライン
、データライン共20本ずつで、マトリクスのセルサイ
ズは1×IWa2である。本実施例で先の実施例と異な
る点は、キヤ・ぐシタを特別に設けず、液晶層80の容
量84にその代替全させていることである。マトリクス
アレイは第7図に示した先の実施例と同様にガラス基板
上に市常の薄膜集積回路製造工程で試作した。FIG. 10 shows another embodiment according to the present invention, and similarly shows i-th and j-th pixel circuits. There are 20 address lines and 20 data lines each, and the matrix cell size is 1×IWa2. The difference between this embodiment and the previous embodiment is that no special capacitor is provided, and the capacitor 84 of the liquid crystal layer 80 is used instead. The matrix array was prototyped on a glass substrate using a common thin film integrated circuit manufacturing process, similar to the previous example shown in FIG.
アドレスラインに印加するダート・そルス全vG=15
vとし、データラインにON状態で0.10゜o、io
〔ボルト〕の信号を、OFF状態で5〔ボルト〕の信号
を印加する。又、液晶層の対向電極電位は0とした。液
晶層80の容量84の値は約3.2 pFあり、これよ
り(4)式に従い、ケ°−ト・ドレイン間容量83の値
としてトランジスタのON 状態におけるチャンネル容
量も含めて、約1、6 pF’e設けた。この結果、は
ぼ理想的な交流駆動を実現でき、高コントラストの表示
画面を得ることができた。Dart/Sorus total vG applied to address line = 15
v, 0.10゜o, io when the data line is ON
A signal of 5 [volts] is applied in the OFF state. Further, the potential of the counter electrode of the liquid crystal layer was set to 0. The value of the capacitance 84 of the liquid crystal layer 80 is approximately 3.2 pF, and from this, according to equation (4), the value of the gate-drain capacitance 83, including the channel capacitance in the ON state of the transistor, is approximately 1, 6 pF'e was provided. As a result, we were able to realize a nearly ideal AC drive and obtain a high-contrast display screen.
以上の実施例においては、液晶の対向透明電極に与える
電圧をVc ” 0として、トランジスタのケ゛−ト・
ドレイン間容量全所定の値に設定することにより、0と
vDの繰返しである画像信号を用いて液晶層に印加され
る交流電圧が正負対称に変化するようにした。しかしな
がら、ダートパルス電圧と両岱信号電圧全工夫すること
によっても同様の効果を得ることが可能である。In the above embodiment, the voltage applied to the opposite transparent electrode of the liquid crystal is set to Vc''0, and the gate electrode of the transistor is
By setting the entire inter-drain capacitance to a predetermined value, the AC voltage applied to the liquid crystal layer was made to change symmetrically in positive and negative directions using an image signal that was a repetition of 0 and vD. However, the same effect can be obtained by modifying the dart pulse voltage and both signal voltages.
そこで、本発明の別の実施例の動作原理を第11図によ
り説明する。画素回路の基本構成は先の実施例と変らな
い。本実施例においては、液晶の対向透明電極に電圧V
C+ダートパルス1Xi)としてVc+Vco k印加
し、画像信号電圧V(Yj)として、ON状態でVC+
ノv+vtおよ−びvc十ΔV−V、4なる電圧を1フ
イールド毎に諜返し印加し、OFF状態ではVC+ΔV
なる電圧を繰返し印加する。これにより液晶には、第1
1図に示すように、”c’fr:基準として、ON状態
で+Vzと−Vzの繰返し交流1に圧が、ON状態で零
なる電圧が印加され、交流駆動波形は正負対称とするこ
とができる。Therefore, the operating principle of another embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. The basic configuration of the pixel circuit is the same as in the previous embodiment. In this embodiment, a voltage V is applied to the opposite transparent electrode of the liquid crystal.
Apply Vc+Vcok as C+ dirt pulse 1Xi), and apply VC+ as image signal voltage V(Yj) in ON state.
A voltage of 4 is applied repeatedly to each field, and in the OFF state, VC + ΔV
Repeatedly apply the voltage. As a result, the first
As shown in Figure 1, "c'fr: As a reference, pressure is applied to AC 1 repeatedly of +Vz and -Vz in the ON state, and a voltage of zero in the ON state is applied, and the AC drive waveform can be made symmetrical between positive and negative. can.
本実施例による具体的なデータを説明する。Specific data according to this example will be explained.
マトリクスアレイはアドレスライン20本、データライ
ン20本で、アドレスライン間隔は1喘、データライン
間隔は1朧である。トランジスタマトリクスアレイの基
本構造は先の実施例と同様である。本実施例では画像信
号蓄積用のキャパシタ全基板上に特に設けておらず、液
晶・層自体の容量で代替させた。液晶層の容量は約3.
2pFである。トランジスタマトリクスはアドレス2イ
ンの岨位’kjlfi常零(即ちVoo=O)とし、ス
イッチング時のみ20 V、 (即ちvG=20)印加
する。トランジスタのしきい値Vsは約13(V)であ
る。トランジスタのダート・ドレイン間容量cpはトラ
ンジスタがON状態のときのチャンネル容量も含めて約
0.29Fであった。従って、(3)式に従って電圧降
下値を求めるとΔVΣ1.2 (V)となる。そこで液
晶層の対向電極電位’l<Vc−3,8〔ボルト〕、デ
ータラインの信号を、表示がON状態のとき0110.
0.10〔ボルト〕の交流電圧、OFF状態のとき5〔
ボルト〕の電−圧に設定した。この結果第12図のφ+
pjに示すように、液晶層はほぼ理想的な交流、:駆動
を実現できた。すなわち、表示がON状態のとき液晶に
はピーク値で±5vの交流電圧が、OFF状態ではほぼ
零の電圧金かけることができ、高コントラストでかつ正
負電圧がは//丁対称な液晶駆動が実現できた。The matrix array has 20 address lines and 20 data lines, and the address line interval is 1 inch and the data line interval is 1 inch. The basic structure of the transistor matrix array is similar to the previous embodiment. In this embodiment, a capacitor for storing image signals is not provided on the entire substrate, and the capacitor is replaced by the capacitance of the liquid crystal layer itself. The capacity of the liquid crystal layer is approximately 3.
It is 2 pF. The transistor matrix is always at zero level (ie, Voo=O) at address 2in, and 20 V (ie, vG=20) is applied only during switching. The threshold voltage Vs of the transistor is approximately 13 (V). The dirt-drain capacitance cp of the transistor, including the channel capacitance when the transistor is in the ON state, was about 0.29F. Therefore, when the voltage drop value is determined according to equation (3), it becomes ΔVΣ1.2 (V). Therefore, when the counter electrode potential of the liquid crystal layer is set to 'l<Vc-3.8 [volts] and the data line signal is set to 0110.
AC voltage of 0.10 [volt], 5 [volt] when in OFF state
Volt]. As a result, φ+ in Figure 12
As shown in pj, the liquid crystal layer was able to achieve almost ideal AC driving. In other words, when the display is in the ON state, an AC voltage of ±5V at the peak value can be applied to the liquid crystal, and in the OFF state, almost zero voltage can be applied to the liquid crystal, and the liquid crystal can be driven with high contrast and symmetrical positive and negative voltages. I was able to make it happen.
なお、本発明は上記各実施例に限定されるものではない
。例えば、トランジスタの半導体材料はアモルファスS
tに限らず、多結晶シリコンでもよく、またCdSe、
CdB等の半導体材料であってもよい。ただし本発明
ρ効果全十分発揮するだめには、スイッチングトランジ
スタは接合型(p−n分離)は望ましくない3.父、交
流駆動に際して、キャノ丁シタの電位によっては、トラ
ンジスタがOFFすべきときONするのでアドレスライ
ンのチャンネルオフ時のバイアス電位Vaok零以外の
値に適宜調整することが望ましい。Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the semiconductor material for transistors is amorphous S.
Not limited to t, polycrystalline silicon may be used, and CdSe,
It may also be a semiconductor material such as CdB. However, in order to fully utilize the ρ effect of the present invention, it is not desirable for the switching transistor to be of a junction type (p-n separation).3. In AC driving, depending on the potential of the capacitor, the transistor turns on when it should be turned off, so it is desirable to appropriately adjust the bias potential Vaok to a value other than zero when the channel of the address line is turned off.
第1図はトランジスタマトリクスアレイの等価回路図、
第2図はこのマトリクスアレイを用いた液晶表示装置の
画素回路を示す図、第3図はその液晶表示装置の直流駆
動による動作波形を示す図、第4図は同じく交流駆動に
よる動作波形を示す図、第5図は本発明に係る液晶表示
装置の交流駆動による動作波形を示す図、第6図は同じ
くその効果を説明するための図、第7図は本発明の一実
施例の液晶表示装置の要部構造を示す図、第8図はその
画素回路を示す図、第9図は同じくその動作波形を示す
図、第10図は他の実施例の画素回路を示す図、第11
図は更に他の実施例の液晶表示装置での原理的動作波形
を示す図、第12図は具体的動作波形を示す図である。
71・・・ガラス基板、7.?(7,?1,722・・
・)・・・アドレスライン(兼ゲート電極)、73・・
・5i02膜、74 (74+v74zy・・・)・・
・アモルファスSt膜、75(75,,75,・・・)
・・・データライン(兼ンース電極)、76 (761
、76z・・・)・・・表示電極(兼ドレイン電極)、
77・・・5to2膜、78・・・ガラス基板、79・
・・透明電極、80・・・液晶層、81・・・薄膜トラ
ンジスタ、82・・・キャノ! シp、8、?・・・ダ
ート・ドレイン間寄生容量。
出願人代理人 弁理士 鈴 工 武 彦第2[・1
′443 図
G
tlT t
i2第4図
ヒーーOn炊熟−−−メーoff扛態−第 5!!1
第 6 N
[B]o→−−m−に一’=−−−4一つ薯
第 7 N
第 8 囚Figure 1 is an equivalent circuit diagram of a transistor matrix array.
Figure 2 is a diagram showing the pixel circuit of a liquid crystal display device using this matrix array, Figure 3 is a diagram showing the operating waveforms of the liquid crystal display device driven by DC drive, and Figure 4 is a diagram showing the operating waveforms by AC drive. 5 is a diagram showing operation waveforms of the liquid crystal display device according to the present invention due to AC driving, FIG. 6 is a diagram for explaining the effect thereof, and FIG. 7 is a diagram showing a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention. 8 is a diagram showing the structure of the main part of the device, FIG. 8 is a diagram showing its pixel circuit, FIG. 9 is a diagram also showing its operating waveforms, FIG. 10 is a diagram showing a pixel circuit of another embodiment, and FIG.
12 is a diagram showing the principle operating waveforms of a liquid crystal display device according to another embodiment, and FIG. 12 is a diagram showing specific operating waveforms. 71...Glass substrate, 7. ? (7,?1,722...
・)・・・Address line (also gate electrode), 73...
・5i02 membrane, 74 (74+v74zy...)...
・Amorphous St film, 75 (75,,75,...)
・・・Data line (double electrode), 76 (761
, 76z...)...display electrode (also drain electrode),
77...5to2 film, 78...Glass substrate, 79...
...Transparent electrode, 80...Liquid crystal layer, 81...Thin film transistor, 82...Cano! Ship, 8,? ...parasitic capacitance between dirt and drain. Applicant's agent Patent attorney Suzu Ko Takehiko No. 2 [・1 '443 Figure G tlT t
i2 Fig. 4 Heat on cooking --- Me off state - No. 5! ! 1 6th N [B] o→--m-ni'=--4 1st 7th N 8th prisoner
Claims (8)
ータライン、これらアドレスラインとデータラインの各
交点位置に配置されソース、ダートがそれぞれデータラ
イン、アドレスラフインに接続されたスイッチングトラ
ンジスタ、および各トランジスタのドレインに一端が接
続され他端が接地されたキャパシタを集積形成してなる
トランジスタマトリクスアレイと、これに対向する透明
電極を有する透明基板との間に液晶全封入して構成され
る液晶表示装置であって、かつ前記アドレスラインに印
加するダート・ぐルスと同期して前記データラインに表
示状態で高レベルと低レベルの信号電圧を交互に連続的
に印加して交流駆動全行う液晶表示装置において、前記
液晶に印加される交流電圧が表示状態で正負対称に変化
するように構成したことを特徴とする液晶表示装置。(1) A plurality of address lines and data lines that are orthogonal to each other, switching transistors arranged at each intersection of these address lines and data lines, and whose sources and darts are connected to the data line and address rough-in, respectively, and each transistor. A liquid crystal display device consisting of a transistor matrix array formed by integrating capacitors with one end connected to the drain of the transistor and the other end grounded, and a transparent substrate having a transparent electrode facing the transistor matrix array. A liquid crystal display device which performs AC driving by alternately and continuously applying high-level and low-level signal voltages to the data line in a display state in synchronization with dart/gurus applied to the address line. 2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the alternating current voltage applied to the liquid crystal changes symmetrically in positive and negative directions depending on the display state.
タである特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装置。(2) The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the switching transistor is a thin film transistor.
を用いた特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装置。(3) The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the capacitor is the capacitance of the liquid crystal itself.
ノ9シタが接続されている画素のアドレスライン以外の
アドレスラインを用いた特許請求の範囲第1項記載の液
晶表示装置。(4) The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an address line other than the address line of the pixel to which this canopy 9th is connected is used as the ground line of the canopy 4th.
ータライン、これらアドレスラインとデータラインの各
交点位置に配置されソース、ダートがそれぞれデータラ
イン、アドレスラインに接続されたスイッチングトラン
ジスタ、および各トランジスタのドレインに一端が接続
され他端が接地されたキャパシタを集積形成してなるト
ランジスタマトリクスアレイと、これに対向する透明電
極を有する透明基板との間に液晶を封入して構成される
液晶表示装置であって、かつ前記液晶の対向透明電極に
Vc、 [: zルト]を与え、前記アドレスラインに
Va[ボルト〕のダート・やルス全周期的に印加し、こ
れと同期して前記データラインに表示状態でVD〔ボル
ト〕と零ボルトの信号4圧を交互に連続的に印加して交
流駆動を行なう液晶表示装置において、vc=0とし、
かつ前記キヤ・七シタの容量値kcsとして、前記スイ
ッチングトランジスタのタート・たこと全特徴とする液
晶表示装置1、(5) A plurality of address lines and data lines that are perpendicular to each other, switching transistors that are arranged at the intersections of these address lines and data lines, and whose sources and darts are connected to the data and address lines, respectively, and A liquid crystal display device consisting of a transistor matrix array formed by integrating capacitors with one end connected to the drain and the other end grounded, and a liquid crystal sealed between a transparent substrate having a transparent electrode facing the transistor matrix array. Vc, [:z] is applied to the opposite transparent electrode of the liquid crystal, and a voltage of Va [volts] is applied to the address line at all cycles, and in synchronization with this, the voltage is applied to the data line. In a liquid crystal display device that performs AC drive by alternately and continuously applying four signal voltages of VD (volts) and zero volts in the display state, vc = 0,
and a liquid crystal display device 1 characterized in that the capacitance value kcs of the capacitance is a capacitance value kcs of the switching transistor.
ジスタでちる特許請求の範囲第5項記載の液晶表示装置
1、(6) The liquid crystal display device 1 according to claim 5, wherein the switching transistor is a thin film transistor;
肴を用いた特許請求の範囲第5項記載の液晶表示装置。(7) The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the liquid crystal itself is used as the cover.
パシタが接続されている画素のアドレスライン以外のア
ドレスラインを用いた特許請求の範囲第5項記載の液晶
表示装置。(8) The liquid crystal display device according to claim 5, wherein an address line other than the address line of the pixel to which this capacitor is connected is used as the ground line of the capacitor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22671782A JPS59119329A (en) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22671782A JPS59119329A (en) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119329A true JPS59119329A (en) | 1984-07-10 |
JPH0463378B2 JPH0463378B2 (en) | 1992-10-09 |
Family
ID=16849523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22671782A Granted JPS59119329A (en) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119329A (en) |
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JPH0463378B2 (en) | 1992-10-09 |
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