JPS59116178A - 高密度セラミツク焼結体の製造法 - Google Patents
高密度セラミツク焼結体の製造法Info
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- JPS59116178A JPS59116178A JP57231678A JP23167882A JPS59116178A JP S59116178 A JPS59116178 A JP S59116178A JP 57231678 A JP57231678 A JP 57231678A JP 23167882 A JP23167882 A JP 23167882A JP S59116178 A JPS59116178 A JP S59116178A
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- porous
- ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度ｔう三ツク焼結体の製造に関し、更に
詳しくは高温静水圧下（以下Ｉｆ ＩＰという）で多孔
質ｔラミックス体を焼結して高密度セラミック焼結体を
得る新規な製造法に関する。
詳しくは高温静水圧下（以下Ｉｆ ＩＰという）で多孔
質ｔラミックス体を焼結して高密度セラミック焼結体を
得る新規な製造法に関する。
最近、セラミックスは極めて高い温度、高度の真空、大
きな応力、高腐食性などの苛酷な環境で使用される唯一
の材料として各種の難焼結性ｔう三ツク材料について開
発研究が盛んである。特に省エネルｆ−を目的とした各
種熱機関の熱効率改善のためには熱機関の入口温度を飛
躍的に向上させることが求められ、その熱を失わないた
めの効率のよい高温構造材料が検討されてきている。と
ころが、かかる高温下で使用される材料は従来の耐熱合
金では満足な熱的、機械的強度が得られず、資源的にも
多量に産出するセラミックスの金属代替材料としての期
待は大きいものになりつつある現状である。寸だ、かか
るｔラミ・ツク材料は、耐摩耗性にも優れているので、
各種のシイカスト型材やノズル等の材料としても注目さ
れている。
きな応力、高腐食性などの苛酷な環境で使用される唯一
の材料として各種の難焼結性ｔう三ツク材料について開
発研究が盛んである。特に省エネルｆ−を目的とした各
種熱機関の熱効率改善のためには熱機関の入口温度を飛
躍的に向上させることが求められ、その熱を失わないた
めの効率のよい高温構造材料が検討されてきている。と
ころが、かかる高温下で使用される材料は従来の耐熱合
金では満足な熱的、機械的強度が得られず、資源的にも
多量に産出するセラミックスの金属代替材料としての期
待は大きいものになりつつある現状である。寸だ、かか
るｔラミ・ツク材料は、耐摩耗性にも優れているので、
各種のシイカスト型材やノズル等の材料としても注目さ
れている。
かかるｔ５三ツク焼結体の製造としては、一般に熱間加
圧成形法いわゆるホットプレス法が好ましいとされてい
るが、この方法においてはセラミック素材を比較的単純
な形状の挿し型内で熱間加圧成形するため、例えばガス
ターじン用翼車や機械用歯車などの複雑な形状部品を成
形製造することは困難であり、また用いる型材が黒鉛製
、アル三す製などのため、熱間加圧上方はせいぜい数ｒ
気圧であって各種のセラミック焼結体製品製造には大き
な技術的制約となっている。ととろが、最近セラミック
成形において、セラミック粉末を所定形状に冷間加圧成
形して得られる成形体又は該成形体を予備焼結して得ら
れる予備焼結体に、アルゴンガス（Ａｒガス）、窒素ガ
ス（ｗ２ガス）＠の高温高圧ガス媒体を作用させて高密
度化焼結させるＨＩＰ法が提案されている。即ちＨＩＰ
法はセラミック成形体もしくは予備焼結体を高温高圧を
加えることが可能な高圧容器内に入れ、５００−３００
０気圧のガス圧と１３００＝２５００°Ｃまでの温度を
作用させ、高圧力、高温度の作用でセラミックスをより
等方的に加圧焼結するものである。
圧成形法いわゆるホットプレス法が好ましいとされてい
るが、この方法においてはセラミック素材を比較的単純
な形状の挿し型内で熱間加圧成形するため、例えばガス
ターじン用翼車や機械用歯車などの複雑な形状部品を成
形製造することは困難であり、また用いる型材が黒鉛製
、アル三す製などのため、熱間加圧上方はせいぜい数ｒ
気圧であって各種のセラミック焼結体製品製造には大き
な技術的制約となっている。ととろが、最近セラミック
成形において、セラミック粉末を所定形状に冷間加圧成
形して得られる成形体又は該成形体を予備焼結して得ら
れる予備焼結体に、アルゴンガス（Ａｒガス）、窒素ガ
ス（ｗ２ガス）＠の高温高圧ガス媒体を作用させて高密
度化焼結させるＨＩＰ法が提案されている。即ちＨＩＰ
法はセラミック成形体もしくは予備焼結体を高温高圧を
加えることが可能な高圧容器内に入れ、５００−３００
０気圧のガス圧と１３００＝２５００°Ｃまでの温度を
作用させ、高圧力、高温度の作用でセラミックスをより
等方的に加圧焼結するものである。
かかるＨＩＰ法は圧媒体としてＡｒガスあるいはＮ２ガ
スを使用するため、予備成形体もしくは予備焼結体の表
面がガス不透過性であることが必３− 須とされている。そのためセラミックへのＨＩＰ法の使
用に当っては、■予備成形体もしくは予備にＨＩＰ法を
作用させてより高密度化させる、■予備成形体もｌ〜く
け予備焼結体の密度が９３％以下の場合にはガス不透過
性の力′ＪＪセルに封入し、核力づｔル外部から高温高
圧ガス圧を作用させて高密度化させる、■前記■におけ
る力づセルの代りにガス不透過性膜、例えばガラス状物
質で被覆シールし、Ｉｆ ＩＰ処理して高密度化させる
等の公知の方法がある。
スを使用するため、予備成形体もしくは予備焼結体の表
面がガス不透過性であることが必３− 須とされている。そのためセラミックへのＨＩＰ法の使
用に当っては、■予備成形体もしくは予備にＨＩＰ法を
作用させてより高密度化させる、■予備成形体もｌ〜く
け予備焼結体の密度が９３％以下の場合にはガス不透過
性の力′ＪＪセルに封入し、核力づｔル外部から高温高
圧ガス圧を作用させて高密度化させる、■前記■におけ
る力づセルの代りにガス不透過性膜、例えばガラス状物
質で被覆シールし、Ｉｆ ＩＰ処理して高密度化させる
等の公知の方法がある。
しかしながらこれらの方法にはいずれも難点がある。即
ち、前記■の方法では、セラミック素材を比較的高温で
２回焼結させることが必要であり、その結果セラミック
成形に関しては相当高価となシ、高付加価値のあるセラ
ミック素材に対してのみ利用価値が見い出されるに過ぎ
ない。また前記４− ■の方法は、一度の高温処理で焼結が可能であるため、
前記■の方法に比し安価にｔう三ツク成形体の高密度化
焼結が可能であるが、■の方法における力づｔル化によ
るＨＩＰ処理では複雑な形状を有する焼結体を得ること
は困難である。この点前記■の方法は、最終形状に近い
状態でシール材膜を形成し得るシール材としてパイレッ
クスガラス、石英ガラス及びバイコールガラス（高ケイ
酸素材には焼結温度１５００°Ｃ以上を必要とするもの
が多く、それ故今日までに知られているシール材はいず
れも不適当である。例えば、パイレックスガラスはアル
カリ分を４％程度含んでいるので、高温では粘度が低く
、セラミック多孔体への被覆は簡単であるが、多孔体内
部へのガラスの侵入が著しくＨＩＰ処理後のセラミック
焼結体の機能が著しく阻害されるという欠点を有してい
る。また石英ガラスやバイコールガラスは、高温でも粘
性が非常に高く、パイレックスガラスの如き欠点を有し
ていないが、ガラス膜の形成には１５００°Ｃ以上の高
温が必要であ、す、しかも該ガラスは１２００−１３０
０’Ｃで結晶化が進み失透するので、ＨＩＰ処理が可能
なガス不透過性石英ガラス及びバイコールガラス膜の被
覆は困難であるという欠点を有している。
ち、前記■の方法では、セラミック素材を比較的高温で
２回焼結させることが必要であり、その結果セラミック
成形に関しては相当高価となシ、高付加価値のあるセラ
ミック素材に対してのみ利用価値が見い出されるに過ぎ
ない。また前記４− ■の方法は、一度の高温処理で焼結が可能であるため、
前記■の方法に比し安価にｔう三ツク成形体の高密度化
焼結が可能であるが、■の方法における力づｔル化によ
るＨＩＰ処理では複雑な形状を有する焼結体を得ること
は困難である。この点前記■の方法は、最終形状に近い
状態でシール材膜を形成し得るシール材としてパイレッ
クスガラス、石英ガラス及びバイコールガラス（高ケイ
酸素材には焼結温度１５００°Ｃ以上を必要とするもの
が多く、それ故今日までに知られているシール材はいず
れも不適当である。例えば、パイレックスガラスはアル
カリ分を４％程度含んでいるので、高温では粘度が低く
、セラミック多孔体への被覆は簡単であるが、多孔体内
部へのガラスの侵入が著しくＨＩＰ処理後のセラミック
焼結体の機能が著しく阻害されるという欠点を有してい
る。また石英ガラスやバイコールガラスは、高温でも粘
性が非常に高く、パイレックスガラスの如き欠点を有し
ていないが、ガラス膜の形成には１５００°Ｃ以上の高
温が必要であ、す、しかも該ガラスは１２００−１３０
０’Ｃで結晶化が進み失透するので、ＨＩＰ処理が可能
なガス不透過性石英ガラス及びバイコールガラス膜の被
覆は困難であるという欠点を有している。
本発明者らは、斯かる現状に鑑み従来のシール材の如き
欠点を有しない新規なシール材を開発すべく鋭意研究を
重ねた結果、高ケイ酸質多孔性ガラス又はその窒化物ガ
ラスが所望のシール材になり得ることを見い出した。本
発明は斯かる知見に基づき完成されたものである。
欠点を有しない新規なシール材を開発すべく鋭意研究を
重ねた結果、高ケイ酸質多孔性ガラス又はその窒化物ガ
ラスが所望のシール材になり得ることを見い出した。本
発明は斯かる知見に基づき完成されたものである。
即ち本発明は、予備成形もしくは予備焼結したセラミッ
ク多孔体をシール材で被覆し、高温静水圧下に焼結処理
して高密度セラミック焼結体を製造する方法において、
シール材として高ケイ酸質多孔性ガラス又はその窒化物
ガうスを使用することを特徴とする高密度ｔう三ツク焼
結体の製造法に係る。
ク多孔体をシール材で被覆し、高温静水圧下に焼結処理
して高密度セラミック焼結体を製造する方法において、
シール材として高ケイ酸質多孔性ガラス又はその窒化物
ガうスを使用することを特徴とする高密度ｔう三ツク焼
結体の製造法に係る。
本発明で用いられる高ケイ酸質多孔性ガラスは、１１０
０−１２００°Ｃという比較的低温でガうス化し、かつ
一度無乳化すると石英と同じか又はそれ以上の高粘性を
示すため、ｔ５三ツク多孔体表面に簡単にガス不透過性
被膜を形成することが可能であり、またセラミック多孔
体の内部にガラスが侵入してＩｆ Ｉ Ｐ処理後のセラ
ミック焼結体の機能を著しく阻害する恐れもない。それ
数本発明の方法によれば、セラミック体を最終成形品形
状に近い状態でＨＩ Ｐ処理して＃易に高密度焼結体を
得ることができる１゜ 本発明において、予備成形もしくはこれを予備焼結した
セラミック多孔体とは、■、階、■族元７− 未酸化物、炭化物、壺化物又はほう化物を母材とするも
のである限りなんら特定されるものではなく、例えばこ
れを一般公知の成形法、即ち金型成形、ラバープレス成
形、挿し出し成形、射出成形等によって所定形状に成形
したもの又はこれを通常のホットプレス法、常圧焼結法
、窒化物や炭化物においでは反応焼結法等によって予備
焼結して得られる多孔質のセラミック成形体を広く使用
できる。また必要に応じこれらの成形工程中に加えられ
る各種バインターの添加や焼結助剤として公知の添加物
等の予めの混合は、本発明ではなんら差し支えない。ま
た本発明で用いられるｔラミ・ツク多孔体は、密度が９
３％以下のもので良く、これ以上の高密度予備成形体で
は本発明の方法を使用しなくてもａ ｒ ｐ処理が可能
である。密度が９３％以下のセラ三・ツク多孔体であっ
てそのあとの処理中破損しない強度を保持できる成形体
であれば本発明の方法を適用できるが、密度が９３％８
− 以上のせ５ミック多孔体であっても本発明の方法を適用
することは勿論可能である。
０−１２００°Ｃという比較的低温でガうス化し、かつ
一度無乳化すると石英と同じか又はそれ以上の高粘性を
示すため、ｔ５三ツク多孔体表面に簡単にガス不透過性
被膜を形成することが可能であり、またセラミック多孔
体の内部にガラスが侵入してＩｆ Ｉ Ｐ処理後のセラ
ミック焼結体の機能を著しく阻害する恐れもない。それ
数本発明の方法によれば、セラミック体を最終成形品形
状に近い状態でＨＩ Ｐ処理して＃易に高密度焼結体を
得ることができる１゜ 本発明において、予備成形もしくはこれを予備焼結した
セラミック多孔体とは、■、階、■族元７− 未酸化物、炭化物、壺化物又はほう化物を母材とするも
のである限りなんら特定されるものではなく、例えばこ
れを一般公知の成形法、即ち金型成形、ラバープレス成
形、挿し出し成形、射出成形等によって所定形状に成形
したもの又はこれを通常のホットプレス法、常圧焼結法
、窒化物や炭化物においでは反応焼結法等によって予備
焼結して得られる多孔質のセラミック成形体を広く使用
できる。また必要に応じこれらの成形工程中に加えられ
る各種バインターの添加や焼結助剤として公知の添加物
等の予めの混合は、本発明ではなんら差し支えない。ま
た本発明で用いられるｔラミ・ツク多孔体は、密度が９
３％以下のもので良く、これ以上の高密度予備成形体で
は本発明の方法を使用しなくてもａ ｒ ｐ処理が可能
である。密度が９３％以下のセラ三・ツク多孔体であっ
てそのあとの処理中破損しない強度を保持できる成形体
であれば本発明の方法を適用できるが、密度が９３％８
− 以上のせ５ミック多孔体であっても本発明の方法を適用
することは勿論可能である。
本発明で用いられる高ケイ酸質多孔性ガラスはホウケイ
酸塩ガラスを熱処理してＮａ ２０、Ｂ２Ｏ３相とＳ＋
０２相に分相させ、可溶性（７） Ｈａ２０ 、 Ｂ
２Ｏ３分を酸によって溶出させて作られるガラスである
。
酸塩ガラスを熱処理してＮａ ２０、Ｂ２Ｏ３相とＳ＋
０２相に分相させ、可溶性（７） Ｈａ２０ 、 Ｂ
２Ｏ３分を酸によって溶出させて作られるガラスである
。
このガラスの化学組成は５ｉｎ２９４−９８％、Ｂ２０
３０．５−５％、Ａ１２０３０−２％、Ｎ ａ ２０Ｑ
、Ｑ１％である。その細孔径は４０−２０００ Ａｏ
、細孔容積Ｑ、３−１ｃｃ／ｇ、細孔表面積５０−６０
０ゴ／ｙのものであって、大きな比表面をもつ反応性に
富んだガラス素材である。このものは１０００−１２０
０°Ｃに加熱すると無孔化して均一なガラスとなる。
３０．５−５％、Ａ１２０３０−２％、Ｎ ａ ２０Ｑ
、Ｑ１％である。その細孔径は４０−２０００ Ａｏ
、細孔容積Ｑ、３−１ｃｃ／ｇ、細孔表面積５０−６０
０ゴ／ｙのものであって、大きな比表面をもつ反応性に
富んだガラス素材である。このものは１０００−１２０
０°Ｃに加熱すると無孔化して均一なガラスとなる。
本発明では上記ガラスをセうミック予備成形体もしくは
予備焼結した前記セラミック多孔体の表面に塗布する。
予備焼結した前記セラミック多孔体の表面に塗布する。
塗布法としては、水またはアルコールなどの溶媒中でス
ラリー状とし、この中へのド″ｊ漬け、吹付け、へケに
よる塗布等何れの方法でも良い。この際スラリー中へ醋
酸セル０−ズ、ＰＶＡなどの各種の糊を０．１ ” ２
ｔＩｌ）添加すると塗布後の性状を良くすることがで
きる。塗布すべき厚さとしては約１０μ以上、好ましく
は１００μ以上塗布するのがよいが、数渭以」二厚くす
る必要はない。
ラリー状とし、この中へのド″ｊ漬け、吹付け、へケに
よる塗布等何れの方法でも良い。この際スラリー中へ醋
酸セル０−ズ、ＰＶＡなどの各種の糊を０．１ ” ２
ｔＩｌ）添加すると塗布後の性状を良くすることがで
きる。塗布すべき厚さとしては約１０μ以上、好ましく
は１００μ以上塗布するのがよいが、数渭以」二厚くす
る必要はない。
ガラス粉を塗布したセラミック多孔体は複雑形状のもの
でもよく、これを自営９００°Ｃ以上、望ましくは１０
００−１２００°Ｃで焼成すれば該セラミック多孔体表
面にガス不透過性ガうス膜シールができＨＩＰ処理が可
能となる。本焼成の際の雰囲気は何れの雰囲気でもよい
が、大気中又は不活性雰囲気で焼成すれば高ケイ酸質ガ
ラスとなりまた窒素雰囲気又はアン上雰囲気囲完及びそ
の混合雰囲気で焼成すると当該高ケイ酸質多孔性ガラス
は無孔化するときに容易に窒化物ガラスとなる。
でもよく、これを自営９００°Ｃ以上、望ましくは１０
００−１２００°Ｃで焼成すれば該セラミック多孔体表
面にガス不透過性ガうス膜シールができＨＩＰ処理が可
能となる。本焼成の際の雰囲気は何れの雰囲気でもよい
が、大気中又は不活性雰囲気で焼成すれば高ケイ酸質ガ
ラスとなりまた窒素雰囲気又はアン上雰囲気囲完及びそ
の混合雰囲気で焼成すると当該高ケイ酸質多孔性ガラス
は無孔化するときに容易に窒化物ガラスとなる。
これらのガラスは、石英ガラス、パイコールガラスより
も粘度が高くなり、セラミック多孔体内部へのガラス分
の浸入量が低減され、表面層のみにガス不透過性シール
が可能となる。石英ガラスでは、反応性が低くζ前記処
理では窒化物ガラスとなり難い。また本発明では、高ケ
イ酸質多孔質ガラス粉末を、塗布するよりも、予め該ガ
ラスを窒化し、窒化物ガラスとして粉末を作り、前記方
法でｔ５ミック多孔体表面に塗布して加熱処理し、表面
被覆シールすることによっても、同様のＨＩＰ処理は可
能である。またガラス粉末をスラリー状として塗布後焼
成してガス不透過性ガラス被覆シールする方法では、Ｈ
ＩＰ高圧容器中でガラスによる被覆と焼結処理とを同時
に行うことも可能で工程は非常に簡単となる。このほか
高ケイ酸質多孔性ガラスもしくはそれを窒化した窒化物
ガラス粉末中にセラミック多孔体を埋没し、８０〇−１
１００°Ｃで多孔体が破損しない程度の加圧でホットプ
レスし、ガス不透過性ガラス被覆シールを行う方法も使
用できる。
も粘度が高くなり、セラミック多孔体内部へのガラス分
の浸入量が低減され、表面層のみにガス不透過性シール
が可能となる。石英ガラスでは、反応性が低くζ前記処
理では窒化物ガラスとなり難い。また本発明では、高ケ
イ酸質多孔質ガラス粉末を、塗布するよりも、予め該ガ
ラスを窒化し、窒化物ガラスとして粉末を作り、前記方
法でｔ５ミック多孔体表面に塗布して加熱処理し、表面
被覆シールすることによっても、同様のＨＩＰ処理は可
能である。またガラス粉末をスラリー状として塗布後焼
成してガス不透過性ガラス被覆シールする方法では、Ｈ
ＩＰ高圧容器中でガラスによる被覆と焼結処理とを同時
に行うことも可能で工程は非常に簡単となる。このほか
高ケイ酸質多孔性ガラスもしくはそれを窒化した窒化物
ガラス粉末中にセラミック多孔体を埋没し、８０〇−１
１００°Ｃで多孔体が破損しない程度の加圧でホットプ
レスし、ガス不透過性ガラス被覆シールを行う方法も使
用できる。
下記第１表に主なガラスの軟化点と高温粘性とを示す。
第１表
本発明においてＩＩ Ｉ Ｐ処理の際の焼成条件として
は特に制限がなく広い範囲内で適宜選択することができ
るが、通常１３００°Ｃ以上の温度で、５００−３００
０気圧のガス圧の下にＨＩＰ処理するのがよい。
は特に制限がなく広い範囲内で適宜選択することができ
るが、通常１３００°Ｃ以上の温度で、５００−３００
０気圧のガス圧の下にＨＩＰ処理するのがよい。
この高ケイ酸質多孔性ガラスを窒化して得られるガラス
被覆シール材は、ＨＩＰ処理条件でも失透することがな
く、石英ガラス（１３００°Ｃ以上で失透する）以上の
粘性をもち、高温焼結の必要な窒化物系、炭化物系、は
う化物系セラミック材料のＨＩＰ処理には最適のシール
材であり、セラミック多孔体からＩｆ Ｉ Ｐ処理して
高密度焼結体、特に最終成品形状にとられれない被覆シ
ールが可能であるだめ、最終成形形状に近い状態の／／
Ｉ Ｐ焼結成形体が得られる特徴がある。
被覆シール材は、ＨＩＰ処理条件でも失透することがな
く、石英ガラス（１３００°Ｃ以上で失透する）以上の
粘性をもち、高温焼結の必要な窒化物系、炭化物系、は
う化物系セラミック材料のＨＩＰ処理には最適のシール
材であり、セラミック多孔体からＩｆ Ｉ Ｐ処理して
高密度焼結体、特に最終成品形状にとられれない被覆シ
ールが可能であるだめ、最終成形形状に近い状態の／／
Ｉ Ｐ焼結成形体が得られる特徴がある。
以下に実施例及び比較例を挙げる。
実施例 Ｉ
Ｓ；Ｊ４粉末（，５ｔａｒ４社［ＬＣ−１０）にＹ２Ｏ
３−Ａｌ２Ｏ３系焼結助剤を８重量％添加し、十分混合
後３０００気圧でラバプレス成形した。これによって得
られた嵩密度は６３％、気孔率３７％である。
３−Ａｌ２Ｏ３系焼結助剤を８重量％添加し、十分混合
後３０００気圧でラバプレス成形した。これによって得
られた嵩密度は６３％、気孔率３７％である。
これを高ケイ酸質多孔質ガラス粉末（細孔容積）
０．３ ｃｃ／ ｆ 、平均細孔径１５０ 、細孔表面
積１８０７７７′／ｙ、平均粒径０．１羽）と醋酸上ル
Ｏ−ズ１％含有アルコール溶液で作ったスラリーにドづ
漬けし、表面に１謂厚さの塗膜をつけだ。乾燥後とのも
のをアン七ニア浴を通し九■２ガス流（流速５０ＣＣ／
−１ｎ）中１２００°Ｃ３０分処理した。処理した素材
をＨＩＰ装置に入れ、第１図に示した昇温スケジュール
でＨＩＰ処理した。最終＼ ＨＩＰ条件は１８００″Ｃの温度、６０分間、２０００
気圧Ａｒガス圧である。得られた結果を第２表に記す。
積１８０７７７′／ｙ、平均粒径０．１羽）と醋酸上ル
Ｏ−ズ１％含有アルコール溶液で作ったスラリーにドづ
漬けし、表面に１謂厚さの塗膜をつけだ。乾燥後とのも
のをアン七ニア浴を通し九■２ガス流（流速５０ＣＣ／
−１ｎ）中１２００°Ｃ３０分処理した。処理した素材
をＨＩＰ装置に入れ、第１図に示した昇温スケジュール
でＨＩＰ処理した。最終＼ ＨＩＰ条件は１８００″Ｃの温度、６０分間、２０００
気圧Ａｒガス圧である。得られた結果を第２表に記す。
比較例 １
前記実施例１に記載した条件のセうミック多孔体を石英
ガラス粉末スラリーで塗布し、１３００℃３０分熱処理
した素材を実施例１と同様ＩＩ Ｉ Ｐ処理した。結果
を第２表に記す。得られる焼結体は緻密化が進行してい
ないことが第２表かられかる。
ガラス粉末スラリーで塗布し、１３００℃３０分熱処理
した素材を実施例１と同様ＩＩ Ｉ Ｐ処理した。結果
を第２表に記す。得られる焼結体は緻密化が進行してい
ないことが第２表かられかる。
実施例 ２
ＳｉＣ粉末（不二見製 ＋８０００ ）を前記実施例１
と同様ラバープレス成形した１、嵩密度は５８％である
。これに高ケイ酸質多孔質ガうス粉末より作ったスラリ
ーをへケを用いて塗布し、乾燥後Ｎ１１３浴を通したＮ
２ガス（流速５０ＣＣ／ｍ１ｎ） Ｗ囲気中、１２００
°Ｃで処理して得た素材を第２図で示すＨＩＰスケジュ
ールで焼結した。結果を第２表に示す。この表には石英
ガラス粉末で同様処理を行ったものも併記した。
と同様ラバープレス成形した１、嵩密度は５８％である
。これに高ケイ酸質多孔質ガうス粉末より作ったスラリ
ーをへケを用いて塗布し、乾燥後Ｎ１１３浴を通したＮ
２ガス（流速５０ＣＣ／ｍ１ｎ） Ｗ囲気中、１２００
°Ｃで処理して得た素材を第２図で示すＨＩＰスケジュ
ールで焼結した。結果を第２表に示す。この表には石英
ガラス粉末で同様処理を行ったものも併記した。
実施例 ３
Ｓｉ、Ｎ４粉末に前記実施例１と同様Ｙ２Ｏ３−”２０
３系助剤を１２重量％加え、ラバプレス後、９．８気圧
Ｎ２下１８００°Ｃで１時間常）Ｅ焼結した。成形密度
は９１％相対密度であった。この表面に一つは前記実施
例１と同様の方法で高ケイ酸質多孔質カラス粉末中塗布
し熱処理したもの、もう一つはホット’）Ｌ、Ｉス型中
で高ケイ酸質多孔質カラス粉末中に埋没させ１０００°
Ｃ１１０分間１００にσ／２で加圧してガラスシールし
たものを作った。これを実施例１と同様のＨ−ＩＰ処理
スケジュールでＩＩ Ｉ Ｐ焼結した。その結果を第２
表に示しだ。同時に常圧焼結体でガラスシールしていな
いＨＩＰ処理結果も示した。
３系助剤を１２重量％加え、ラバプレス後、９．８気圧
Ｎ２下１８００°Ｃで１時間常）Ｅ焼結した。成形密度
は９１％相対密度であった。この表面に一つは前記実施
例１と同様の方法で高ケイ酸質多孔質カラス粉末中塗布
し熱処理したもの、もう一つはホット’）Ｌ、Ｉス型中
で高ケイ酸質多孔質カラス粉末中に埋没させ１０００°
Ｃ１１０分間１００にσ／２で加圧してガラスシールし
たものを作った。これを実施例１と同様のＨ−ＩＰ処理
スケジュールでＩＩ Ｉ Ｐ焼結した。その結果を第２
表に示しだ。同時に常圧焼結体でガラスシールしていな
いＨＩＰ処理結果も示した。
実施例 ４
ＺｒＣ、ＺｒＢ （何れもＣｔｒａｅ社製）の１６００
°Ｃ１０分 ２００ｋｑ／ｃｄの条件下ホットプレス成
形したものはそれぞれ相対密度は７７％、８３％である
。実施例１と同様の処理によって得られた結果を第２表
に示しである。
°Ｃ１０分 ２００ｋｑ／ｃｄの条件下ホットプレス成
形したものはそれぞれ相対密度は７７％、８３％である
。実施例１と同様の処理によって得られた結果を第２表
に示しである。
第２表
第１図はＳｉ３Ｎ４系ｔラミツクスのＨＩＰ焼戊スケジ
ュー；ｂを示したものであり、第２図はＳｉＣ系セラミ
ックスのＩＩ Ｉ Ｐ焼成スケジュールを示したもので
ある。 （以 上）
ュー；ｂを示したものであり、第２図はＳｉＣ系セラミ
ックスのＩＩ Ｉ Ｐ焼成スケジュールを示したもので
ある。 （以 上）
Claims (1)
- ■ 予備成形もしくは予備焼結したセラミック多孔体を
シール材で被覆し、高温静水圧下に焼結処理して高密度
セラミック焼結体を製造する方法において、シール材と
して高ケイ酸質多孔性ガうス又はその窒化物ガラスを使
用することを特徴とする高密度ｔ−５Ｅツク焼結体の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231678A JPS5941954B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 高密度セラミツク焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231678A JPS5941954B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 高密度セラミツク焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116178A true JPS59116178A (ja) | 1984-07-04 |
| JPS5941954B2 JPS5941954B2 (ja) | 1984-10-11 |
Family
ID=16927266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231678A Expired JPS5941954B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 高密度セラミツク焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941954B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4605428A (en) * | 1984-08-03 | 1986-08-12 | At&T Bell Laboratories | Sintered high-silica glass and articles comprising same |
| US4843043A (en) * | 1987-03-10 | 1989-06-27 | Nippon Kokan Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a sintered body with high density |
| US4938788A (en) * | 1987-12-28 | 1990-07-03 | Tosoh Corporation | Method of producing uniform silica glass block |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57231678A patent/JPS5941954B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4605428A (en) * | 1984-08-03 | 1986-08-12 | At&T Bell Laboratories | Sintered high-silica glass and articles comprising same |
| US4843043A (en) * | 1987-03-10 | 1989-06-27 | Nippon Kokan Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a sintered body with high density |
| US4938788A (en) * | 1987-12-28 | 1990-07-03 | Tosoh Corporation | Method of producing uniform silica glass block |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5941954B2 (ja) | 1984-10-11 |
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