JPS59112652A - 半導体撮像装置 - Google Patents
半導体撮像装置Info
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- JPS59112652A JPS59112652A JP57222498A JP22249882A JPS59112652A JP S59112652 A JPS59112652 A JP S59112652A JP 57222498 A JP57222498 A JP 57222498A JP 22249882 A JP22249882 A JP 22249882A JP S59112652 A JPS59112652 A JP S59112652A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13109—Indium [In] as principal constituent
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野、
本発明は半導体撮像装置、特に光検知素子基板と該素子
によって光″市変換された信号を処理する回路素子基板
とを一体的に結合した形式の半導体撮像装置の改良に関
する。
によって光″市変換された信号を処理する回路素子基板
とを一体的に結合した形式の半導体撮像装置の改良に関
する。
（ｂ） 技術の背景
光、特に赤外線を検知する赤外線検知素子群を該赤外線
に高感度を有する化合物半導体基板を用いて形成する一
方、該検知素子群によって得られた信号を処理する回路
素子群を安価で製造ブロセヌの安定したシリコン（Ｓｌ
）基板を用いて形成［７、前記赤外線検知素子基板と前
記回路素子基板の信号入力部となる入力ダイオードとを
インジウム（Ｉｎ）バンプ金柑いて電気的に接続した構
成のハイブリッド型固体撮像装置はすでに周知である。
に高感度を有する化合物半導体基板を用いて形成する一
方、該検知素子群によって得られた信号を処理する回路
素子群を安価で製造ブロセヌの安定したシリコン（Ｓｌ
）基板を用いて形成［７、前記赤外線検知素子基板と前
記回路素子基板の信号入力部となる入力ダイオードとを
インジウム（Ｉｎ）バンプ金柑いて電気的に接続した構
成のハイブリッド型固体撮像装置はすでに周知である。
（Ｃ）従来技術と問題点
このような従来のハイブリッド型固体撮像装置の断面構
造を第１図に示す。図示するように化合物半導体の鉛テ
Ｉレル（Ｐ’ｋ）Ｔｅ）や、テルル化カドミウム（Ｃａ
Ｔｅ ）の基板上には、Ｐ型の鉛・スズ・テルル（Ｐｂ
１−Ｘ５ｎＸＴｅ ）、水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ１−ｘｃαＸＴｅ）などの化合物半導体結晶２がエ
ビタキシャ／Ｉ／成長され、その上には絶縁膜３が形成
さｉｔでいる８この絶縁躾は所定のパターンＶＣ窓開き
されて督り、ぞ・ｙ′）部分に硼素（Ｂ ）原子がイオ
ン注入されて１＼ｊ型Ａ’Ｊ ４が形成され、）−’ｌ
：）１−ｘｓ１１ｙ’ｌ’ｅ 。
造を第１図に示す。図示するように化合物半導体の鉛テ
Ｉレル（Ｐ’ｋ）Ｔｅ）や、テルル化カドミウム（Ｃａ
Ｔｅ ）の基板上には、Ｐ型の鉛・スズ・テルル（Ｐｂ
１−Ｘ５ｎＸＴｅ ）、水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ１−ｘｃαＸＴｅ）などの化合物半導体結晶２がエ
ビタキシャ／Ｉ／成長され、その上には絶縁膜３が形成
さｉｔでいる８この絶縁躾は所定のパターンＶＣ窓開き
されて督り、ぞ・ｙ′）部分に硼素（Ｂ ）原子がイオ
ン注入されて１＼ｊ型Ａ’Ｊ ４が形成され、）−’ｌ
：）１−ｘｓ１１ｙ’ｌ’ｅ 。
Ｉｔ’： １−Ｘ（、：（ｌＸＴｅなどの結晶２内＆Ｃ
Ｐ −Ｎ 陳合部５が形成さ〕１て赤外線検知素子群が
多数アレイ状またはマトリックス状となって形成されて
いる。
Ｐ −Ｎ 陳合部５が形成さ〕１て赤外線検知素子群が
多数アレイ状またはマトリックス状となって形成されて
いる。
−ノｊ、ｐ型の８１基板６には燐（Ｊ−’ ）原子がイ
オン注入されてＩＸＪ型層７が所定のパターンで形成さ
ｉｌで、Ｐ’−Ｎ接合８によって入力ダイオードが形成
さシ１、更に該載板上には二酸化シリコンｊ模（Ｓｊ−
０２）９を介してアルミニウム（Ａ＃）等の金属膜を所
定のパターンリこ形成した入力ゲート電極襖１０、蓄積
ゲート屯１’Ｍ ］−１、転送ゲート′Ｉ［４章１２、
″区ρｆ結合素子用ゲート電瑚］３が設けられている。
オン注入されてＩＸＪ型層７が所定のパターンで形成さ
ｉｌで、Ｐ’−Ｎ接合８によって入力ダイオードが形成
さシ１、更に該載板上には二酸化シリコンｊ模（Ｓｊ−
０２）９を介してアルミニウム（Ａ＃）等の金属膜を所
定のパターンリこ形成した入力ゲート電極襖１０、蓄積
ゲート屯１’Ｍ ］−１、転送ゲート′Ｉ［４章１２、
″区ρｆ結合素子用ゲート電瑚］３が設けられている。
そしてこのような化合物半導体ジＮ板における上゛−Ｎ
接合−５によって形成された赤外線検知素子とＳｉ姑根
板６形成された入力ダイオードとはＩｎバンブ１４・に
よって電気的に接続さｆｌでいる。
接合−５によって形成された赤外線検知素子とＳｉ姑根
板６形成された入力ダイオードとはＩｎバンブ１４・に
よって電気的に接続さｆｌでいる。
このようなＰｂＴｅ、ＣｃｉＴｅの基板ｌの背面より赤
外光を照射するとＰ−Ｎ接合部５で光′ｌｔ変換された
電気信号がバンプ１４を介［７て８１一基板の入力ダイ
倒−ドに導入される、このように入力ダイオードに導入
された信号電荷は一旦入力ゲート電極１０下に貯えられ
、さらに蓄積ゲート電極１１丁、転送ゲート電ｒＭ１２
下に順次転送されたのち、電荷結合素子ゲート電極１３
［よって紙面に垂直の方向へ転送されていく。
外光を照射するとＰ−Ｎ接合部５で光′ｌｔ変換された
電気信号がバンプ１４を介［７て８１一基板の入力ダイ
倒−ドに導入される、このように入力ダイオードに導入
された信号電荷は一旦入力ゲート電極１０下に貯えられ
、さらに蓄積ゲート電極１１丁、転送ゲート電ｒＭ１２
下に順次転送されたのち、電荷結合素子ゲート電極１３
［よって紙面に垂直の方向へ転送されていく。
ところでこのような従来の構造の固体撮像装置において
は、解像度を上けるために赤外線検知素子数を増大させ
ると、それだけＳｉ基板に設けた入力クイオードの数を
増大させねばならず、そのため６１基板上（〆こおける
バンブ１４の数が増大じて他層処理を１べき回路素子の
形１戊有効而積が減少することＶＣなって、信号処理が
充分できず、したがって装置の解像度も向上しない不都
合に生じる。
は、解像度を上けるために赤外線検知素子数を増大させ
ると、それだけＳｉ基板に設けた入力クイオードの数を
増大させねばならず、そのため６１基板上（〆こおける
バンブ１４の数が増大じて他層処理を１べき回路素子の
形１戊有効而積が減少することＶＣなって、信号処理が
充分できず、したがって装置の解像度も向上しない不都
合に生じる。
０−）発明の目的
本発明は上述した欠点を除去、し、解像度全向上させる
ために光検知素子の数を増大させた場合においても、該
検知素子より導入さ′１１る信号を処理する回路素子の
形成面積が減少しないような解像度の旨い固体（最像装
置の提供に目的とするものである。
ために光検知素子の数を増大させた場合においても、該
検知素子より導入さ′１１る信号を処理する回路素子の
形成面積が減少しないような解像度の旨い固体（最像装
置の提供に目的とするものである。
ｔｅ＋ 冗明の構ｈ＋／。
このよゞ）な目的を達成するための本発明の半導体撮像
装置は第１の半導体基板に形成した光検知素子群と、前
記検知素子群によって光電変換された信号に処理する回
路素子を形成Ｉ〜た第２の半導体基板の信号入力部とを
導電性部利にて接続した構成において、前記第２の半導
体基板の第１の半導体基板と対向する面に信号入力部を
設け、前記第２の半導体基板の他方の面に信号を処理す
る回路素子を配設」７、上記光検知素子群より第２の半
導体基板裏面の信号入力部に導入されたイｐ級当該第２
の半導体基板裏面に形成した上記信号処理回路素子に接
続し７て処理するように１−たこと孕特徴とするもので
ある。
装置は第１の半導体基板に形成した光検知素子群と、前
記検知素子群によって光電変換された信号に処理する回
路素子を形成Ｉ〜た第２の半導体基板の信号入力部とを
導電性部利にて接続した構成において、前記第２の半導
体基板の第１の半導体基板と対向する面に信号入力部を
設け、前記第２の半導体基板の他方の面に信号を処理す
る回路素子を配設」７、上記光検知素子群より第２の半
導体基板裏面の信号入力部に導入されたイｐ級当該第２
の半導体基板裏面に形成した上記信号処理回路素子に接
続し７て処理するように１−たこと孕特徴とするもので
ある。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例Ｖこつき詳細に説明
する、第２図は本発明の半導体撮像装置の構造ケ示す断
面図で第１図に示（７た従来の構造と同等部分には同一
の符号を付す。
する、第２図は本発明の半導体撮像装置の構造ケ示す断
面図で第１図に示（７た従来の構造と同等部分には同一
の符号を付す。
本発明の半導体撮像装置が従来と異なる点は、第２の基
板と（７てのＳｉ基板６に入力ダイオードを形成するた
めに作成１〜たＮ型層７に対向（−で、反対側のＳｊ−
基板表面に該Ｎ型層よりも小さい面積を有するＮ型層２
１を新たに設けＮ型層７．２１間を接続用孔２２中の導
体を用いて接続するようにする。そして入力ダイオード
を形成［〜たＮ型層７の反対側のＳｌ基板表面にＳ ｉ
ｏ ２１１弾２３を介して入力ゲート電極１０．蓄積ゲ
ート電極１１、転送ゲート電極１２．電荷転送素子用ゲ
ート電極１３が形成されている点にある。
板と（７てのＳｉ基板６に入力ダイオードを形成するた
めに作成１〜たＮ型層７に対向（−で、反対側のＳｊ−
基板表面に該Ｎ型層よりも小さい面積を有するＮ型層２
１を新たに設けＮ型層７．２１間を接続用孔２２中の導
体を用いて接続するようにする。そして入力ダイオード
を形成［〜たＮ型層７の反対側のＳｌ基板表面にＳ ｉ
ｏ ２１１弾２３を介して入力ゲート電極１０．蓄積ゲ
ート電極１１、転送ゲート電極１２．電荷転送素子用ゲ
ート電極１３が形成されている点にある。
このようにすれば８１基板に導入される信号電荷を処理
するための電荷転送素子等（は工ｎ／＜ンプ１４が形成
されている側と反対側のＳｌ基板表面に形成されている
ので、電荷転送素子に形成すべきＳｊ−基板の有効面積
はそれだけ増加するので、解像度を向上させるために赤
外線検知素子を多数配設し、それに従って工ｎパンフ゛
を多数配設（７ても、１１．１．、 ｒ「（ｌ ％’、
ｉ送素子形成のための有効面積が減少するのをｌ；らぐ
ことかできる。
するための電荷転送素子等（は工ｎ／＜ンプ１４が形成
されている側と反対側のＳｌ基板表面に形成されている
ので、電荷転送素子に形成すべきＳｊ−基板の有効面積
はそれだけ増加するので、解像度を向上させるために赤
外線検知素子を多数配設し、それに従って工ｎパンフ゛
を多数配設（７ても、１１．１．、 ｒ「（ｌ ％’、
ｉ送素子形成のための有効面積が減少するのをｌ；らぐ
ことかできる。
このような半導体装置に形成するにＱよ、丁’ｈＴ６゜
Ｃ６Ｔθなどの第１の基板Ｉ上に面相エピタキシャル成
長方法才たは気相エビタギシーＶル法にょっ−Ｃ４゛型
（１） ｔｌ／ｊ： ］；（Ｃ：Ｌ＋Ｘ’ｌ’０やト”
ｊＪ、 Ｘ５１１Ｘ’Ｉ’ｅなどのエビタギシー＼・型
層２を形成後、表面に絶縁膜３を形成する。次いで該絶
縁膜３を窓開きしてＬ（原子全イオン注入１−で１１型
層４・を形ｔｊｌｊ Ｌ、 Ｐ −Ｎ接合５を形成する
。
Ｃ６Ｔθなどの第１の基板Ｉ上に面相エピタキシャル成
長方法才たは気相エビタギシーＶル法にょっ−Ｃ４゛型
（１） ｔｌ／ｊ： ］；（Ｃ：Ｌ＋Ｘ’ｌ’０やト”
ｊＪ、 Ｘ５１１Ｘ’Ｉ’ｅなどのエビタギシー＼・型
層２を形成後、表面に絶縁膜３を形成する。次いで該絶
縁膜３を窓開きしてＬ（原子全イオン注入１−で１１型
層４・を形ｔｊｌｊ Ｌ、 Ｐ −Ｎ接合５を形成する
。
史にあらかじめ十〇原子を所定のパターンに拡散して形
成したチャンネルヌトッグ３１金有するＰ型の５３１基
板６に熱酸化（７て基板の表面にＳ 」−０２膜９を形
成する。そ（−で８１０２１に！ ９の一部を窓開き後
、Ｐ原子をイオン注入してＮ型層７衛形成して入力タイ
オードを形成する９一方Ｓｉ基板の片Ｉｔｌｌｌ ＶＣ
ホｌ−ｖシヌト膜な塗布後、該ホトレジストを所定のパ
ターンにホトリソグラフィ法を用いて形成したのち、フ
゛ラズマエッチングを用いて接続孔２２’１５前記ｉｊ
型層に到達するまで開孔する。その後該開孔した接続孔
２２の部分に燐がドーフ゛さオ］またポリＳ１を蒸着ま
たは化学蒸着法によって埋設す／８］。その後燐原子を
イオン注入］７て接続孔２２上ζで１り型層２１を形成
する。その後該基板の片側に熱酸化、あるいけ化学蒸着
法によってＳ ｉＯ ２ １１Ａ２３を形成する。
成したチャンネルヌトッグ３１金有するＰ型の５３１基
板６に熱酸化（７て基板の表面にＳ 」−０２膜９を形
成する。そ（−で８１０２１に！ ９の一部を窓開き後
、Ｐ原子をイオン注入してＮ型層７衛形成して入力タイ
オードを形成する９一方Ｓｉ基板の片Ｉｔｌｌｌ ＶＣ
ホｌ−ｖシヌト膜な塗布後、該ホトレジストを所定のパ
ターンにホトリソグラフィ法を用いて形成したのち、フ
゛ラズマエッチングを用いて接続孔２２’１５前記ｉｊ
型層に到達するまで開孔する。その後該開孔した接続孔
２２の部分に燐がドーフ゛さオ］またポリＳ１を蒸着ま
たは化学蒸着法によって埋設す／８］。その後燐原子を
イオン注入］７て接続孔２２上ζで１り型層２１を形成
する。その後該基板の片側に熱酸化、あるいけ化学蒸着
法によってＳ ｉＯ ２ １１Ａ２３を形成する。
その後ＡＣ金属膜を蒸着およびプラズマエツチンクによ
り、入力ゲート電極１０、蓄積ゲート電極１１、転送ゲ
ート電極１２、電荷結合素子用電極１３となるように所
定のパターンに形成したのち、インジウムバンプ１４ｅ
用いて赤外線検知素子とＳ：］一一部の入力ダイオード
間を熱圧着により接続して撮像装置を形成する。
り、入力ゲート電極１０、蓄積ゲート電極１１、転送ゲ
ート電極１２、電荷結合素子用電極１３となるように所
定のパターンに形成したのち、インジウムバンプ１４ｅ
用いて赤外線検知素子とＳ：］一一部の入力ダイオード
間を熱圧着により接続して撮像装置を形成する。
（２）発明の効果
以上述べたように本発明の半導体撮像装置によれば、解
像度を増加させるために赤外線検知素子の数を増加させ
た場合においても、該検知素子からの信号を処理する回
路素子の形成面積が減少することがなくなり、高解像度
の撮像装置が得らｉする利点を生じる。ｔた本発明は信
号処理回路をｌｖｌ（’） Ｅ； ｊｆ，ｌＪＸ −
Ｙアドレス回路、あるいは電荷結合素子マルチフレクー
リーとした場合でも通用できる。
像度を増加させるために赤外線検知素子の数を増加させ
た場合においても、該検知素子からの信号を処理する回
路素子の形成面積が減少することがなくなり、高解像度
の撮像装置が得らｉする利点を生じる。ｔた本発明は信
号処理回路をｌｖｌ（’） Ｅ； ｊｆ，ｌＪＸ −
Ｙアドレス回路、あるいは電荷結合素子マルチフレクー
リーとした場合でも通用できる。
第１図は従来の半導体装置の構造を示−４−断面図、第
２図は本発明の半導体撮像装置の一実施例を示す断面図
である。 図において［はＰｂＴｅ寸たはＣＣ］Ｔｅ等の第ｌの基
板、２ １ｄ Ｐｂ１−Ｘｓｎｘ’Ｌ”ｅ ’ｌ ｆｌ
ｉｊ Ｈ＋’；！；］−ＸＣ（ｌＸＴＯ層、３は絶縁
層、Φ、７、２１はＮ型層、５、８は１Ｎ 接合ｒｅｌ
＋、６” Ｓｌ ＆ ｈ’ｉｊ、９、２ｓｖ．ｒＳｉ○
２ １１：４、］、 Ｏ ｉｌｌ： 入カケ） ’ｉ＋
ｉ ｆｌｊｉｉ、１１は蓄積ゲート’ｔ［ｌ’駅、Ｉ２
は転送ゲート電極、Ｉ３は電荷結合素子用デー１電極、
１． ４・ば■ｎバンフ゛、２２は接続孔、３１はチヤ
ンネルスｌーツブ全示す。 第１図 第２図
２図は本発明の半導体撮像装置の一実施例を示す断面図
である。 図において［はＰｂＴｅ寸たはＣＣ］Ｔｅ等の第ｌの基
板、２ １ｄ Ｐｂ１−Ｘｓｎｘ’Ｌ”ｅ ’ｌ ｆｌ
ｉｊ Ｈ＋’；！；］−ＸＣ（ｌＸＴＯ層、３は絶縁
層、Φ、７、２１はＮ型層、５、８は１Ｎ 接合ｒｅｌ
＋、６” Ｓｌ ＆ ｈ’ｉｊ、９、２ｓｖ．ｒＳｉ○
２ １１：４、］、 Ｏ ｉｌｌ： 入カケ） ’ｉ＋
ｉ ｆｌｊｉｉ、１１は蓄積ゲート’ｔ［ｌ’駅、Ｉ２
は転送ゲート電極、Ｉ３は電荷結合素子用デー１電極、
１． ４・ば■ｎバンフ゛、２２は接続孔、３１はチヤ
ンネルスｌーツブ全示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 第１の半導体基板に形成した光検知素子群と、前記検知
素子群によって光″覗変換された信号を処理する回路素
子を形成した第２の半導体基板の信号入力部とを導電性
部Ｈにて接続した構成において、前記第２の半導体系板
の第１の半導体基板と対向する面に信号入力部を設け、
前記第２の半導体基板の他方の而に信号を処理する回路
素子を配設し、上記光検知素子群より第２の半導体基板
表面の信号入力部に導入された信号を当該第２の半導体
ｗ板裏面に形成した上記信号処理回路素子に接続して処
理するようにしたこと全特徴とする半導体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222498A JPS59112652A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222498A JPS59112652A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112652A true JPS59112652A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16783369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222498A Pending JPS59112652A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112652A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170755A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-11 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 金属絶縁体半導体による光検出素子並びにその製造方法 |
| JPS61216455A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62116165A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-27 | Toshiba Corp | サ−マルヘツド |
| JPH04318979A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器の製造方法 |
| JP2011137744A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Omron Corp | 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57222498A patent/JPS59112652A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170755A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-11 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 金属絶縁体半導体による光検出素子並びにその製造方法 |
| JPH0587028B2 (ja) * | 1984-08-31 | 1993-12-15 | Texas Instruments Inc | |
| JPS61216455A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62116165A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-27 | Toshiba Corp | サ−マルヘツド |
| JPH0584227B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1993-12-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH04318979A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器の製造方法 |
| JP2011137744A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Omron Corp | 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール |
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