JPS59107226A - 温度検出器 - Google Patents
温度検出器Info
- Publication number
- JPS59107226A JPS59107226A JP57217417A JP21741782A JPS59107226A JP S59107226 A JPS59107226 A JP S59107226A JP 57217417 A JP57217417 A JP 57217417A JP 21741782 A JP21741782 A JP 21741782A JP S59107226 A JPS59107226 A JP S59107226A
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- JP
- Japan
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- voltage
- constant voltage
- circuit
- temperature
- ring oscillator
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
- G01K7/245—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit in an oscillator circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度検出用リングオシレターをＣＭＯ８集積
回路によって構成したとき、該リングオシレターの電圧
安定性を改良し且つ変化率の大きな温度特性を有する即
ち温度検出感度の高いＣＭ ＯＳ ＩＪソングシレター
を用いた温度検出器を提供づ−ることにある。
回路によって構成したとき、該リングオシレターの電圧
安定性を改良し且つ変化率の大きな温度特性を有する即
ち温度検出感度の高いＣＭ ＯＳ ＩＪソングシレター
を用いた温度検出器を提供づ−ることにある。
従来のＣＭ ＯＳ ＩＪングオルターを用いた温度検出
器のシステム構成を第１図に、温度検出部であるリング
オシレターの回路を第２図に示した。
器のシステム構成を第１図に、温度検出部であるリング
オシレターの回路を第２図に示した。
第１図において従来の温度検出器のシステムは、温度検
出部であるリングオシレター１、リングオシレターの周
波数を温度データに変換するロジック部２、表示部６、
電源４で構成される。
出部であるリングオシレター１、リングオシレターの周
波数を温度データに変換するロジック部２、表示部６、
電源４で構成される。
第２図は温度検出部である従来のリングオシレター１の
回路図で、リングオシレターの周波数ｆはＮ段のインバ
ーターで構成した時、各段の容量をＣ１抵抗をＲとすれ
ば ｆ＝１／２ＮＣＲ で表わされる。インバーターをＣＭＯ８で構成しプこと
ぎには、一般にＣはゲート酸化膜、アルミ配線容量など
で代表されろ値であり、温度特性はほとんどな（・０ま
たＲはＭＯＳトランジスタのオン抵抗、拡散抵抗などに
代表される値であり、正の温度特性２有している。した
がってリングオンレター周波数ｆは負の温度特性を有Ｊ
−る。
回路図で、リングオシレターの周波数ｆはＮ段のインバ
ーターで構成した時、各段の容量をＣ１抵抗をＲとすれ
ば ｆ＝１／２ＮＣＲ で表わされる。インバーターをＣＭＯ８で構成しプこと
ぎには、一般にＣはゲート酸化膜、アルミ配線容量など
で代表されろ値であり、温度特性はほとんどな（・０ま
たＲはＭＯＳトランジスタのオン抵抗、拡散抵抗などに
代表される値であり、正の温度特性２有している。した
がってリングオンレター周波数ｆは負の温度特性を有Ｊ
−る。
第５図はリングオシレターの周波数温度特性２示１−グ
ラフである。ライン５ａは標準値２示し、電源電圧■Ｄ
Ｄ〜■ｓ６が１．５■のとぎは、約−〇５％／℃の係敬
ヲ示している。従来の上記方法冗よる欠点は２点ある。
ラフである。ライン５ａは標準値２示し、電源電圧■Ｄ
Ｄ〜■ｓ６が１．５■のとぎは、約−〇５％／℃の係敬
ヲ示している。従来の上記方法冗よる欠点は２点ある。
第１に電源電圧によってリングオシレター周波数ｆが変
化すること、即ち電源電圧によってＲに影響を与えろＭ
ＯＳ ＋−ランジスタのオン抵抗が変化することによ
イ〕電圧周波数特性の悪さである。
化すること、即ち電源電圧によってＲに影響を与えろＭ
ＯＳ ＋−ランジスタのオン抵抗が変化することによ
イ〕電圧周波数特性の悪さである。
第７図はリング刈ルクーの周波９７［、圧訪性を示す。
第７図に於（・てライン７ａが従来の周波ｖ温度特性で
ある。電源として使用した電池電圧の低下などによる影
響は大ぎいものがある。
ある。電源として使用した電池電圧の低下などによる影
響は大ぎいものがある。
この結果、温度検出に使用したとき、電源電圧変化がそ
のまま温度誤差として生じてしまい、精度を悪（してい
た。第２は、温度係数が小さいことである。リングオシ
レター周波数ｆの温度係数が標準で０５％／°Ｃである
と１−ると、例えばｆ＝ＩＫＩ（ｚとした場合、５ ｆ
ｌｚ ／ Ｔ；の変化となり、ロジック部の精度などを
考えた場合、変化率が小さすぎて、温度検出の精度を上
げることができない。ここでリングオンレターの周波数
ｆは、ＣＭＯ８Ｏ消電の関係から、あまり大きくとるこ
とができないのは言うまでもない。したがって、リング
オシレターでの温度検出７ステムではもっと大きな温度
係数が従来より望まれている。
のまま温度誤差として生じてしまい、精度を悪（してい
た。第２は、温度係数が小さいことである。リングオシ
レター周波数ｆの温度係数が標準で０５％／°Ｃである
と１−ると、例えばｆ＝ＩＫＩ（ｚとした場合、５ ｆ
ｌｚ ／ Ｔ；の変化となり、ロジック部の精度などを
考えた場合、変化率が小さすぎて、温度検出の精度を上
げることができない。ここでリングオンレターの周波数
ｆは、ＣＭＯ８Ｏ消電の関係から、あまり大きくとるこ
とができないのは言うまでもない。したがって、リング
オシレターでの温度検出７ステムではもっと大きな温度
係数が従来より望まれている。
本発明は、上記２点の欠点を除去し、電圧特性が良好で
且つ温度係数が大きくなるよう改善した温度検出用リン
グオシレターを提供するもので、以下、詳細に説明する
。
且つ温度係数が大きくなるよう改善した温度検出用リン
グオシレターを提供するもので、以下、詳細に説明する
。
第３図に本発明での、ＣＭ ＯＳ ｌ）ングオ／レター
を用いた温度検出器のシステム構成を示した。
を用いた温度検出器のシステム構成を示した。
従来の第１図との差異は、リングオシレターの電源を定
電圧回路５００及び５０１の二重定電圧回路を介して供
給していることにある。第１次定電圧回路５００、第２
次定電圧回路５０１の二重定電圧回路を用いた、リング
オシレター回路の本発明での一実施例を第４図に示した
。また第８図は、さらに具体的な実施例の回路図を示し
波形整型回路１０ルベルシフト出力回路１０２を付加し
た回路図である。
電圧回路５００及び５０１の二重定電圧回路を介して供
給していることにある。第１次定電圧回路５００、第２
次定電圧回路５０１の二重定電圧回路を用いた、リング
オシレター回路の本発明での一実施例を第４図に示した
。また第８図は、さらに具体的な実施例の回路図を示し
波形整型回路１０ルベルシフト出力回路１０２を付加し
た回路図である。
第４図での第１次定電圧回路５００及び第２次定電圧回
路５０１の回路構成は、はぼ同じでありここで第１次定
電圧回路５００で説明すると、拡散抵抗あるいはポリシ
リコン抵抗などで構成される基準抵抗５１、Ｐチャネル
ＭＯ８）ランジスタ５２．５４．５８及びＮチャネルＭ
Ｏ８）ランジスタ５６．５５．５６よりなるカレントミ
ラー型電圧基準発生回路、そして第１次定電圧回路５０
０の例ではその基準電圧■８．′を入力として、定電圧
ｖＲ４を発生するボルテージフォロアー回路５７よりな
っている。第２次定電圧回路もほぼ同様な構成だが、第
２次定電圧Ｖ ｎ ＋、第１次定電圧ＶＲ２に差をつけ
るため、基準抵抗５１の値を変化させるとか、出力電圧
オフセット調整に用いられているＭＯＳトランジスタ５
８を短絡などして用いる。
路５０１の回路構成は、はぼ同じでありここで第１次定
電圧回路５００で説明すると、拡散抵抗あるいはポリシ
リコン抵抗などで構成される基準抵抗５１、Ｐチャネル
ＭＯ８）ランジスタ５２．５４．５８及びＮチャネルＭ
Ｏ８）ランジスタ５６．５５．５６よりなるカレントミ
ラー型電圧基準発生回路、そして第１次定電圧回路５０
０の例ではその基準電圧■８．′を入力として、定電圧
ｖＲ４を発生するボルテージフォロアー回路５７よりな
っている。第２次定電圧回路もほぼ同様な構成だが、第
２次定電圧Ｖ ｎ ＋、第１次定電圧ＶＲ２に差をつけ
るため、基準抵抗５１の値を変化させるとか、出力電圧
オフセット調整に用いられているＭＯＳトランジスタ５
８を短絡などして用いる。
第４図で、第１次定電圧回路５００の出力電圧ｖＲＩ＝
１．４ Ｖ、第２次定電圧回路５ｏ１の出力電圧Ｖ
Ｒ２′；１． Ｉ Ｖ程度に設定されており、基準抵抗
５１を２０〜５０ＭΩポリンリコン抵抗で実現したとき
、それぞれ消費電流は１０ｎＡ以下である。
１．４ Ｖ、第２次定電圧回路５ｏ１の出力電圧Ｖ
Ｒ２′；１． Ｉ Ｖ程度に設定されており、基準抵抗
５１を２０〜５０ＭΩポリンリコン抵抗で実現したとき
、それぞれ消費電流は１０ｎＡ以下である。
なお基準抵抗５１を数ＭΩとしたとぎは、これより少し
大きな消費電流となる。第１次定電圧回路の出力電圧ｖ
Ｒ１は、用いろ電源の最低出力電圧より、若干小さめに
設定しておけば、まず電源変動は数ｍＶ以内に収めるこ
とができる。そして出力電圧ｖＲ２は、リングオンレタ
ー回路の最低動作電圧より大きめにとっておけば、第２
次定電圧回路によってＶＲｌより■Ｒ２ＶＣ１二重に定
電圧化されることによって、電源変動は数十μＶ以内に
することができる。もし電源４を銀電池とした場合など
は、Ｖ ｎ＋ ”ｉ １．４ Ｖ、ｖＲ２−１０ｖ程度
が最も好ましい状態となる。
大きな消費電流となる。第１次定電圧回路の出力電圧ｖ
Ｒ１は、用いろ電源の最低出力電圧より、若干小さめに
設定しておけば、まず電源変動は数ｍＶ以内に収めるこ
とができる。そして出力電圧ｖＲ２は、リングオンレタ
ー回路の最低動作電圧より大きめにとっておけば、第２
次定電圧回路によってＶＲｌより■Ｒ２ＶＣ１二重に定
電圧化されることによって、電源変動は数十μＶ以内に
することができる。もし電源４を銀電池とした場合など
は、Ｖ ｎ＋ ”ｉ １．４ Ｖ、ｖＲ２−１０ｖ程度
が最も好ましい状態となる。
したがって、リングオシレター回路などの供給電圧ｖＲ
２は、非常に秀れた電圧安定性を保つことができるため
、本発明の二重定電圧回路を用いたリングオシレターの
電圧周波数特性は第７図でのライン７Ｃとなり、従来の
電圧変動をそのままうけるライン７ａ及び単一の定電回
路のみを用いたときのライン７ｂと比較して、飛躍的に
特性が向上して、電圧変動の影響を除去することができ
る。
２は、非常に秀れた電圧安定性を保つことができるため
、本発明の二重定電圧回路を用いたリングオシレターの
電圧周波数特性は第７図でのライン７Ｃとなり、従来の
電圧変動をそのままうけるライン７ａ及び単一の定電回
路のみを用いたときのライン７ｂと比較して、飛躍的に
特性が向上して、電圧変動の影響を除去することができ
る。
したがって本発明では、電池電圧の変動は除去できるの
で、リングオシレターの電圧係数はかえって大きい方が
温度に対する周波数変化は大きくとれる。そこで、遅延
のためのＲはＭＯＳ）ランジスタを用いた方がより効果
的である。
で、リングオシレターの電圧係数はかえって大きい方が
温度に対する周波数変化は大きくとれる。そこで、遅延
のためのＲはＭＯＳ）ランジスタを用いた方がより効果
的である。
さらに、第４図での第１次定電圧回路５００の温度電圧
特性を第６図に示した。第１次定電圧回路５００の温度
電圧特性はＭ ＯＳ ＋−ランジスタのしきい電圧及び
基準抵抗５１の温度依存性によって変化する。ここで基
準抵抗５１の温度特性を正〜負に選択することによって
、温度電圧係数を変化させることができるが、一般的に
は、第６図の如く、負の温度電圧係数を有して（・る。
特性を第６図に示した。第１次定電圧回路５００の温度
電圧特性はＭ ＯＳ ＋−ランジスタのしきい電圧及び
基準抵抗５１の温度依存性によって変化する。ここで基
準抵抗５１の温度特性を正〜負に選択することによって
、温度電圧係数を変化させることができるが、一般的に
は、第６図の如く、負の温度電圧係数を有して（・る。
例えば基準抵抗５１ ［Ｐ−［散抵抗を用いると、正の
温度抵抗特性のため、温度電圧係数の傾きは大となり、
ポリシリコン抵抗を用いると、負の温度抵抗特性のため
、温度電圧係数の傾きはやＮ小となる。したがって大き
くとるにはＰ１散抵抗の方が有利であるし、またＰ−拡
散抵抗の方が精度良く作ることができる。第２次定電圧
回路５［］１の温度特性も、全（同様な傾向は言うまで
もない。
温度抵抗特性のため、温度電圧係数の傾きは大となり、
ポリシリコン抵抗を用いると、負の温度抵抗特性のため
、温度電圧係数の傾きはやＮ小となる。したがって大き
くとるにはＰ１散抵抗の方が有利であるし、またＰ−拡
散抵抗の方が精度良く作ることができる。第２次定電圧
回路５［］１の温度特性も、全（同様な傾向は言うまで
もない。
したがって本発明では、温度電圧特性を有する定電圧回
路を二重に用いることによって、その出力電圧ｖＲ２は
、ｖＲｌよりさらに温度係数が大きくなって、リングオ
シレターの周波数ｆの変化は太き（なる。即ち温度によ
って定電圧ｖＲは第６図の如く変化し、その電圧変化は
第７図の７ａのラインで示される特性によって周波数の
変化に変換される。
路を二重に用いることによって、その出力電圧ｖＲ２は
、ｖＲｌよりさらに温度係数が大きくなって、リングオ
シレターの周波数ｆの変化は太き（なる。即ち温度によ
って定電圧ｖＲは第６図の如く変化し、その電圧変化は
第７図の７ａのラインで示される特性によって周波数の
変化に変換される。
この本発明による、温度→二重の定電圧→周波数変換は
、従来と比較して１０倍以上の温度係数を有しており、
第５図のライン５ｃで示すことができる。なおライン５
ｂは単一の定電圧回路を用いたときの特性である。即ち
、従来より１０倍以上の感度で温度検出をすることが可
能となり、温度検出器の精度を向上することかできる。
、従来と比較して１０倍以上の温度係数を有しており、
第５図のライン５ｃで示すことができる。なおライン５
ｂは単一の定電圧回路を用いたときの特性である。即ち
、従来より１０倍以上の感度で温度検出をすることが可
能となり、温度検出器の精度を向上することかできる。
以上説明したように、本発明によれば、ＣＭＯＳ集積回
路でのリングオンレタ一方式温度検出器において、従来
の欠点であった■電圧安定性、■温度検出感度向上の２
点が大幅に改良されて、その効果−は非常に太きいもの
がある。
路でのリングオンレタ一方式温度検出器において、従来
の欠点であった■電圧安定性、■温度検出感度向上の２
点が大幅に改良されて、その効果−は非常に太きいもの
がある。
なお、■Ｒ２の出力を直接アナログ出力としてとりだし
、温度データとして利用できることは言うまでもない。
、温度データとして利用できることは言うまでもない。
第１図は、従来のＣＭＯＳリングオシレタ一方式の温度
検出器のシステム構成図Ｓ第２図は、従来の温度検出部
であるＣＭＯＳリングオシレターの回路図、第３図は、
本発明のＣＭ ＯＳ ＩＪソングシレタ一方式の温度検
出器のシステム構成図、第４図は、本発明の温度検出部
である２重定電圧回路を用いたＣ Ｍ ＯＳ ＩＪソン
グシレターの回路図、第５図は、従来及び本発明のリン
グオシレターの周波数温度特性図、第６図は、一般的な
温度特性を有する定電圧回路の電圧温度特性図、第７図
は、従来及び本発明のリングオシレターの周波数電圧特
性図、第８図は、本発明のリングオシレフ一部を具体的
化した回路図である。 １・・・・・リングオシレター、 ２・・・・・ロジック部、 ３・・・・・表示部、 ５００．５０１・・・・定電圧回路、 ５１・・・・・基準抵抗、 １０１・・・・・・波形整型回路、 １０２・・・・・・レベルシフト出力回路。 Ｎ１図 第２図 第３図 第５図 第６図 Ｔ’Ｃ 第７図
検出器のシステム構成図Ｓ第２図は、従来の温度検出部
であるＣＭＯＳリングオシレターの回路図、第３図は、
本発明のＣＭ ＯＳ ＩＪソングシレタ一方式の温度検
出器のシステム構成図、第４図は、本発明の温度検出部
である２重定電圧回路を用いたＣ Ｍ ＯＳ ＩＪソン
グシレターの回路図、第５図は、従来及び本発明のリン
グオシレターの周波数温度特性図、第６図は、一般的な
温度特性を有する定電圧回路の電圧温度特性図、第７図
は、従来及び本発明のリングオシレターの周波数電圧特
性図、第８図は、本発明のリングオシレフ一部を具体的
化した回路図である。 １・・・・・リングオシレター、 ２・・・・・ロジック部、 ３・・・・・表示部、 ５００．５０１・・・・定電圧回路、 ５１・・・・・基準抵抗、 １０１・・・・・・波形整型回路、 １０２・・・・・・レベルシフト出力回路。 Ｎ１図 第２図 第３図 第５図 第６図 Ｔ’Ｃ 第７図
Claims (2)
- （１）ＣＭＯ３集積回路を用いた温度検出器に於いて、
該温度検出器はリングオシレター回路と第１と第２の二
つの定電圧回路とから構成され、第２の定電圧回路は第
１の定電圧回路の出力を入力とし、前記リングオシレタ
ーは前記第２の定電圧回路の出力によって駆動されるこ
とを特徴とする温度検出器。 - （２）ＣＭＯ８集積回路を用いた温度検出器に於いて、
該温度検出器は、ＭＯＳ）ランジスタからなる遅延抵抗
を有するリングオシレターと定電圧回路の基準抵抗は拡
散抵抗を用いかつ出力電圧の差が０．３Ｖ以上有する第
１と第２の定電圧回路とからなり、前記第２の定電圧回
路は第１の定電圧回路の出力を入力とし、前記リングオ
シレターは前記第２の定電圧回路の出力によって駆動さ
れることを特徴とする温度検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217417A JPS59107226A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 温度検出器 |
| GB08331949A GB2133160B (en) | 1982-12-10 | 1983-11-30 | Temperature detector |
| US06/557,469 US4549818A (en) | 1982-12-10 | 1983-12-02 | Temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217417A JPS59107226A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 温度検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107226A true JPS59107226A (ja) | 1984-06-21 |
Family
ID=16703877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217417A Pending JPS59107226A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 温度検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4549818A (ja) |
| JP (1) | JPS59107226A (ja) |
| GB (1) | GB2133160B (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256715B1 (en) * | 1986-08-18 | 1992-02-26 | Siliconix Limited | Temperature sensing apparatus |
| FR2619958B1 (fr) * | 1987-08-31 | 1992-02-21 | Thomson Semiconducteurs | Circuit de detection de seuil de temperature |
| JPH04169915A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| US6469493B1 (en) | 1995-08-01 | 2002-10-22 | Teradyne, Inc. | Low cost CMOS tester with edge rate compensation |
| USH1744H (en) * | 1995-09-21 | 1998-08-04 | Clayton; Stanley R. | Wireless remote sensing thermometer |
| GB2318231A (en) * | 1996-10-10 | 1998-04-15 | David Frank Moore | Micromechanical ring oscillator sensor |
| CA2245884C (en) * | 1996-12-19 | 2004-11-09 | Mts Systems Corporation | Method for high resolution measurement of a position |
| US5990725A (en) * | 1997-06-30 | 1999-11-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Temperature measurement with interleaved bi-level current on a diode and bi-level current source therefor |
| US6908227B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-06-21 | Intel Corporation | Apparatus for thermal management of multiple core microprocessors |
| JP2004146576A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Renesas Technology Corp | 半導体温度測定回路 |
| US7168853B2 (en) * | 2003-01-10 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Digital measuring system and method for integrated circuit chip operating parameters |
| TWI227320B (en) * | 2003-12-22 | 2005-02-01 | Sunplus Technology Co Ltd | Radio frequency temperature sensor and temperature calibrating method therefor |
| KR100576480B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-05-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 센서용 오실레이터 회로 |
| US7215212B2 (en) * | 2004-04-12 | 2007-05-08 | General Electric Company | Apparatus for monitoring temperature and method for operating same |
| KR100800470B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 링 오실레이터로 구현된 온도 센서 및 이를 이용한 온도검출 방법 |
| ES2691624T3 (es) * | 2006-10-09 | 2018-11-28 | Incide, S.A. | Sensor de temperatura inalámbrico |
| US8076980B2 (en) * | 2010-01-19 | 2011-12-13 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Temperature-compensated ring oscillator |
| US20140077856A1 (en) * | 2011-05-27 | 2014-03-20 | Freescale Semiconduction, Inc. | Integrated circuit device and method for self-heating an integrated circuit device |
| US8930724B2 (en) * | 2011-08-17 | 2015-01-06 | Broadcom Corporation | Semiconductor device predictive dynamic thermal management |
| KR102025722B1 (ko) * | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
| CN107830940A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种温度传感器、阵列基板、显示装置 |
| FR3089628A1 (fr) * | 2018-12-11 | 2020-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de température |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS57207833A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-20 | Toshiba Corp | Digital electronic clinical thermometer |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57217417A patent/JPS59107226A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-30 GB GB08331949A patent/GB2133160B/en not_active Expired
- 1983-12-02 US US06/557,469 patent/US4549818A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4549818A (en) | 1985-10-29 |
| GB2133160A (en) | 1984-07-18 |
| GB8331949D0 (en) | 1984-01-04 |
| GB2133160B (en) | 1987-03-11 |
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