JPS5897860A - 光センサ− - Google Patents
光センサ−Info
- Publication number
- JPS5897860A JPS5897860A JP56197132A JP19713281A JPS5897860A JP S5897860 A JPS5897860 A JP S5897860A JP 56197132 A JP56197132 A JP 56197132A JP 19713281 A JP19713281 A JP 19713281A JP S5897860 A JPS5897860 A JP S5897860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- light
- substrate
- diodes
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光センサーの構成！！索の相互接続技術へに関
するものである。
するものである。
従来技術とその問題点
従来、一般に構成要素の相互接続のための実装技術とし
ては、テープキャリアを用いる方式とフィルムリードを
用いる方式があった。しかるに、前者は熱圧着ケ所が多
く信頼性が悪（、またマトリクス基板、テープキャリア
等にコストがかかり、かつ工程が長いものとなっていた
。他方、後者はフィルムリードの加工に精度が要求され
、基板面の電極とフィルムリードの接続部の位置精度が
問題となり、したがってコストもかかり工程も長くかか
つていた。
ては、テープキャリアを用いる方式とフィルムリードを
用いる方式があった。しかるに、前者は熱圧着ケ所が多
く信頼性が悪（、またマトリクス基板、テープキャリア
等にコストがかかり、かつ工程が長いものとなっていた
。他方、後者はフィルムリードの加工に精度が要求され
、基板面の電極とフィルムリードの接続部の位置精度が
問題となり、したがってコストもかかり工程も長くかか
つていた。
発明の目的
そこで本発明は上記のような従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、コストも安く工程も簡単にし
て！クリクス結線を有する元センサーを作成することを
目的とするものである。
るためになされたもので、コストも安く工程も簡単にし
て！クリクス結線を有する元センサーを作成することを
目的とするものである。
発明の構成
上記目的を達成するために、本発明は基板上に光学的画
像情報が投影される受光素子を複数並置配列するととも
に、該受光素子の夫々に接続された電極を配置し、その
一部を絶縁膜で保賎してフレキシブルプリント板を熱圧
着して上記基板上にマトリクス結線することによりコス
トも安く工程も簡単となろ光七ンサーを提供するもので
ある。
像情報が投影される受光素子を複数並置配列するととも
に、該受光素子の夫々に接続された電極を配置し、その
一部を絶縁膜で保賎してフレキシブルプリント板を熱圧
着して上記基板上にマトリクス結線することによりコス
トも安く工程も簡単となろ光七ンサーを提供するもので
ある。
発明の実施例
以下、本発明による光センサーを図示する実施例に基づ
いて説明する。
いて説明する。
〔概要構成〕 第１図に本発明による光センサーの外観
を示す。透明基板ｌ上には、図面上左端１ｌｌＩＷＣ複
数のブロックに区分けされた共通電極２が設けられてい
る。この共通電極２には複数のダイオード３の一端が接
続されており、各ダイオード３の他端は対向電極４を介
して受光部５の一端が接続されている。各受光部５の他
端はそれぞれ個別成極６の一端が［絖され、個別電極６
の他端はフレキシブルシリンド板７の下面に形成された
各母線）ぐターン８に個別に接続さ・れている。この母
線パターン８と共通電極２との間に電圧が印加されてダ
イオ！ド３および受光部５は駆動される。
を示す。透明基板ｌ上には、図面上左端１ｌｌＩＷＣ複
数のブロックに区分けされた共通電極２が設けられてい
る。この共通電極２には複数のダイオード３の一端が接
続されており、各ダイオード３の他端は対向電極４を介
して受光部５の一端が接続されている。各受光部５の他
端はそれぞれ個別成極６の一端が［絖され、個別電極６
の他端はフレキシブルシリンド板７の下面に形成された
各母線）ぐターン８に個別に接続さ・れている。この母
線パターン８と共通電極２との間に電圧が印加されてダ
イオ！ド３および受光部５は駆動される。
対同電極４と個別電極６はその駆動のための導電路を形
成している。
成している。
〔構造の詳細〕 次に各部の詳細な構造を説明するが、
便宜的に製造過程とともに説明する。
便宜的に製造過程とともに説明する。
（１） ｆず、硼けい酸がクス、硬ガラス等からなる
透明基板ｌ上の全面にＩｎ２Ｏ，嘆を電子ビーム蒸着法
により形成しく膜厚３００〜６００Ｘ）、熱処理する（
３００〜５００℃）。
透明基板ｌ上の全面にＩｎ２Ｏ，嘆を電子ビーム蒸着法
により形成しく膜厚３００〜６００Ｘ）、熱処理する（
３００〜５００℃）。
（１） 次に、フォトエツチング法（イオンビームエ
ツチング）により各ダイオード３および感光部５近傍の
Ｉｎ２Ｏ３膜を残して他を除去し、それぞれ透明電極９
，１０を形成する。これらの透明電極９゜１０はそれぞ
れ共通電極、ｅターン２の一部および１１１１１別電極
／々ターン６の一部を形成する（第２図）。
ツチング）により各ダイオード３および感光部５近傍の
Ｉｎ２Ｏ３膜を残して他を除去し、それぞれ透明電極９
，１０を形成する。これらの透明電極９゜１０はそれぞ
れ共通電極、ｅターン２の一部および１１１１１別電極
／々ターン６の一部を形成する（第２図）。
透明電極とするのは感光部５に光を導入丁もためである
。
。
（１１） さらに、上面にＮｉＣｒ （膜厚３００〜
５００又）、Ａｕ（２０００〜３０００Ｘ）、Ｎｔｃｒ
（３００〜５００Ｘ）ｃｖｖでこれらｔ真空蒸着法によ
って製膜する。
５００又）、Ａｕ（２０００〜３０００Ｘ）、Ｎｔｃｒ
（３００〜５００Ｘ）ｃｖｖでこれらｔ真空蒸着法によ
って製膜する。
（ｉｖ） これらのＮｉＣｒ、Ａｕ、 Ｎ１Ｃｒｖ７
オトエツチング法Ｃケミカルエツチング（ｗｅｔ））Ｋ
より共通電極２および個別電極６部分を残して除去し、
各共通電極２および個別電極６ｖ形成する。
オトエツチング法Ｃケミカルエツチング（ｗｅｔ））Ｋ
より共通電極２および個別電極６部分を残して除去し、
各共通電極２および個別電極６ｖ形成する。
（Ｖ） 次に、そり上面全体に８ｉ０２１ＩＩＩをス
・臂ツタ法を形成しく膜厚５０００ス〜ｌＪＡｍ）、こ
れにより絶−膜を形成する。
・臂ツタ法を形成しく膜厚５０００ス〜ｌＪＡｍ）、こ
れにより絶−膜を形成する。
（Ｖｌ） 次に、共通電極２、ダイオード部３、感光
部５、個別電極６の母線ノ４ターン８との接続部分に対
応する部分の絶縁膜（８ｉ０□膜）をフォトエツチング
法処より除去し、露出させる。第３図に個別電極６の母
線ノ々ターン８との接続部分の絶＠模除去の態様を示す
。この部分の絶縁膜２５は図示するように各個別電極６
にわたって除去し、開口部がとする。母線ノ臂ターン８
との接続を容易ならしめるためである。
部５、個別電極６の母線ノ４ターン８との接続部分に対
応する部分の絶縁膜（８ｉ０□膜）をフォトエツチング
法処より除去し、露出させる。第３図に個別電極６の母
線ノ々ターン８との接続部分の絶＠模除去の態様を示す
。この部分の絶縁膜２５は図示するように各個別電極６
にわたって除去し、開口部がとする。母線ノ臂ターン８
との接続を容易ならしめるためである。
−このようにして絶縁膜が除去された共通′成極２と個
別電極６の接続端部にそれぞれ全メッキ１１ 、１２を
施こ丁。導電性の同上のためである。個別電極６の接続
端部への全メッキ部１２′ｌＪｒ：第３図に示す。なお
、メッキ厚は２〜５μｍとする。
別電極６の接続端部にそれぞれ全メッキ１１ 、１２を
施こ丁。導電性の同上のためである。個別電極６の接続
端部への全メッキ部１２′ｌＪｒ：第３図に示す。なお
、メッキ厚は２〜５μｍとする。
（燭 次に、共通電極２の端部および個別電極６の端部
にそれぞれダイオード部３および受光部５を形成する（
第２図）。■まず、透明電極９および透明基板ｌＫまた
がってｃｄｓ１３Ｖスノ９ツタ法によりｌＩ！！膜する
（膜厚４〜５μｍ）。条件は基板温度３００℃、Ａｔガ
ス圧ｔＯＰａである。製膜後熱処理する。■次いで、そ
の上Ｋ ＣｄＴｅ １４ ’＆蒸着法により製膜する（
膜圧２〜３μｍ）。その後、（９）分間５００℃にて熱
処理する。■次いで、その上１１ＣＡｕ １５ Ｙ３０
００−６０００！真空蒸着する。このＡｕ１５の中間部
分が対向電極４ｖ形成することとなる。■次いで、フォ
トリッツぐターン後、イオンビームエツチング法により
、ダイオード部３、感光部５をそれぞれ形成する。ここ
で、このよう和して形成されたダイオード部３と受光部
５とはその層構成は全く同一であるが、ダイオード部３
は遮光処理を施こしブロッキングダイオードとして便用
する。
にそれぞれダイオード部３および受光部５を形成する（
第２図）。■まず、透明電極９および透明基板ｌＫまた
がってｃｄｓ１３Ｖスノ９ツタ法によりｌＩ！！膜する
（膜厚４〜５μｍ）。条件は基板温度３００℃、Ａｔガ
ス圧ｔＯＰａである。製膜後熱処理する。■次いで、そ
の上Ｋ ＣｄＴｅ １４ ’＆蒸着法により製膜する（
膜圧２〜３μｍ）。その後、（９）分間５００℃にて熱
処理する。■次いで、その上１１ＣＡｕ １５ Ｙ３０
００−６０００！真空蒸着する。このＡｕ１５の中間部
分が対向電極４ｖ形成することとなる。■次いで、フォ
トリッツぐターン後、イオンビームエツチング法により
、ダイオード部３、感光部５をそれぞれ形成する。ここ
で、このよう和して形成されたダイオード部３と受光部
５とはその層構成は全く同一であるが、ダイオード部３
は遮光処理を施こしブロッキングダイオードとして便用
する。
このようにして透明基板ｌ上には共通電極２、ダイオー
ド部３、対同電極４、受光部５、個別電極６が形成され
る。
ド部３、対同電極４、受光部５、個別電極６が形成され
る。
（−次に１個別電極６の接続端部にフレキシブルプリン
ト板７の母線パターン８が各個別電極６に対応して熱圧
着され（熱圧着部２４）、母線パターン８と４！ｒ個別
電極６との接続が行われる（第１図、第２図）。
ト板７の母線パターン８が各個別電極６に対応して熱圧
着され（熱圧着部２４）、母線パターン８と４！ｒ個別
電極６との接続が行われる（第１図、第２図）。
ここで、７レキシゾルプリント板７の母線ノ９ターン８
の構造を第４図に示す。第４図かられかるように、ポリ
イミドからなる基板１６ （２０〜３０μｍ）Ｋ粘着剤
１７により銅膜パターン１８が接着され、その表面にハ
ンダ層１９（３〜１０μｍ）が設けられている。このハ
ンダ層１９と個別電極６の金メツキ接続部１２とが熱雀
着によりマトリクス結線される（第２図）。
の構造を第４図に示す。第４図かられかるように、ポリ
イミドからなる基板１６ （２０〜３０μｍ）Ｋ粘着剤
１７により銅膜パターン１８が接着され、その表面にハ
ンダ層１９（３〜１０μｍ）が設けられている。このハ
ンダ層１９と個別電極６の金メツキ接続部１２とが熱雀
着によりマトリクス結線される（第２図）。
〔変形例〕 以上の′ｊｉ！、施例では、ダイオード部
３および受光部５）ｉ透明電極９．１０”ｌ用いて構成
したが、透明電極を用いないものでもよい。その例を第
５図に示す。第５図において、透明基板ｌ上Ｋ ｃｄｓ
膜２０を形成して受光部５とし、かつ所定の間隔なおい
てＣｄ５２１とＴｅ２２エリなるダイオード部３ｖ形成
する。２３は電極であり、 Ａｕ、 Ｃｒ等を用いるこ
とができる。
３および受光部５）ｉ透明電極９．１０”ｌ用いて構成
したが、透明電極を用いないものでもよい。その例を第
５図に示す。第５図において、透明基板ｌ上Ｋ ｃｄｓ
膜２０を形成して受光部５とし、かつ所定の間隔なおい
てＣｄ５２１とＴｅ２２エリなるダイオード部３ｖ形成
する。２３は電極であり、 Ａｕ、 Ｃｒ等を用いるこ
とができる。
発明の効果
以上のよ５に本実明和よれＹｉ ’、基板上に受光素子
と電極を配役しその一部を絶縁膜で採種し７レキシブル
プリント板を熱圧着してマトリクス結麿を施して光セン
サーを得ているので、製造コストも安く工程も簡単とな
る。
と電極を配役しその一部を絶縁膜で採種し７レキシブル
プリント板を熱圧着してマトリクス結麿を施して光セン
サーを得ているので、製造コストも安く工程も簡単とな
る。
第１！＆Ａは本発明による光センサーの一実施例を示す
外観斜視図、 第２図は各部の層構造を示す縦断面図、第３図は個別電
極の母線ノ５ターンとの接続部を示す部分拡大図、 ｆｇ ４ 図−はフレキシブルプリント板におｎ６母ｍ
パターンの層構造を示す部分断面図、 第５図はダイオード部、感光部についての他σノ構成例
を示す断面図である。 ｌ・・・透明基板、２・・・共通電極、３・・・ダイオ
ード部、４・・・対同電も５・・・受光部、６・・・個
別電極、７・・・フレキシブルプリント板、訃・・母線
ノセターン、冴・・・熱圧着部。 出願人代理人 猪 股 清手続補正書 昭和５７年１月２日 特許庁長官 島 １）春 積段 １、事件の表示 昭和圀年特許願第１９７１３２号 ２、発明の名称 光センづ− ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （６７４）株式★社 リ コ −
外観斜視図、 第２図は各部の層構造を示す縦断面図、第３図は個別電
極の母線ノ５ターンとの接続部を示す部分拡大図、 ｆｇ ４ 図−はフレキシブルプリント板におｎ６母ｍ
パターンの層構造を示す部分断面図、 第５図はダイオード部、感光部についての他σノ構成例
を示す断面図である。 ｌ・・・透明基板、２・・・共通電極、３・・・ダイオ
ード部、４・・・対同電も５・・・受光部、６・・・個
別電極、７・・・フレキシブルプリント板、訃・・母線
ノセターン、冴・・・熱圧着部。 出願人代理人 猪 股 清手続補正書 昭和５７年１月２日 特許庁長官 島 １）春 積段 １、事件の表示 昭和圀年特許願第１９７１３２号 ２、発明の名称 光センづ− ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （６７４）株式★社 リ コ −
Claims (1)
- 基板上に光学的画像情報が投影される受光素子を複数着
ＩＩＩ配列すると共に該受光素子の夫々に接続さ九た電
極を配置し、その−′ｔｓを絶縁膜で保頑してフレキシ
ブルプリント板を熱圧着して上記基板上にマトリクス結
線したことを特徴とする光センサ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197132A JPS5897860A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 光センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197132A JPS5897860A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 光センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897860A true JPS5897860A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16369278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197132A Pending JPS5897860A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 光センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60221719A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-11-06 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子内蔵の内視鏡 |
| US5027226A (en) * | 1987-09-18 | 1991-06-25 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536881A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-21 | Hitachi Ltd | Flexible printed board having connecting terminal for connecting by multiple soldering connection method |
| JPS5471594A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
| JPS5471593A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56197132A patent/JPS5897860A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536881A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-21 | Hitachi Ltd | Flexible printed board having connecting terminal for connecting by multiple soldering connection method |
| JPS5471594A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
| JPS5471593A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60221719A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-11-06 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子内蔵の内視鏡 |
| US5027226A (en) * | 1987-09-18 | 1991-06-25 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
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