JPS5881304A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPS5881304A JPS5881304A JP18075881A JP18075881A JPS5881304A JP S5881304 A JPS5881304 A JP S5881304A JP 18075881 A JP18075881 A JP 18075881A JP 18075881 A JP18075881 A JP 18075881A JP S5881304 A JPS5881304 A JP S5881304A
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- Japan
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- dielectric resonator
- insulating plate
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- dielectric
- resonator element
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- Granted
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は小型、安価でしかも高い安定度を有する誘電体
共振器に関するものである。
共振器に関するものである。
従来、誘電体共振器素子をマイクロストリップライン等
の分布定数回路に電磁的に結合させて誘電体共振器回路
として使用する場合、第1図に示すように、誘電体共振
器素子11を絶縁物の支持台12の上に固定し基板13
の上に設けられたストリップライン14と電磁的に結合
させていた。この誘電体共振器回路の概略の共振周波数
は、誘電体共振器素子11の誘電率と幾何学的寸法で決
まるが、この誘電体共振器素子11は周波数可変機能を
持たないため、共振周波数の微調整は電磁界のシールド
効果を持つ金属ケース15の寸法を適切な値に設定しか
つ周波数調整用ネジ16を可変することによシ行なって
いた。このため誘電体共振器素子11のまわシに金属ケ
ース15を設けなければならず、共振器回路が大型にな
るという欠点があった。また、ネジ16と誘電体共振器
素子11との中心軸を所定の寸法内におさめるために高
い寸法精度が必要であシ、このため製造コストがかさむ
という欠点があった。また金属ケー215の寸法を適切
な値に設定しないと不要モードが発生し、所望の電気特
性が得られないという欠点があった。さらにこの誘電体
共振器回路では、金属ケース15の熱膨張によって共振
周波数が温度とともに変化するという欠点があった。
の分布定数回路に電磁的に結合させて誘電体共振器回路
として使用する場合、第1図に示すように、誘電体共振
器素子11を絶縁物の支持台12の上に固定し基板13
の上に設けられたストリップライン14と電磁的に結合
させていた。この誘電体共振器回路の概略の共振周波数
は、誘電体共振器素子11の誘電率と幾何学的寸法で決
まるが、この誘電体共振器素子11は周波数可変機能を
持たないため、共振周波数の微調整は電磁界のシールド
効果を持つ金属ケース15の寸法を適切な値に設定しか
つ周波数調整用ネジ16を可変することによシ行なって
いた。このため誘電体共振器素子11のまわシに金属ケ
ース15を設けなければならず、共振器回路が大型にな
るという欠点があった。また、ネジ16と誘電体共振器
素子11との中心軸を所定の寸法内におさめるために高
い寸法精度が必要であシ、このため製造コストがかさむ
という欠点があった。また金属ケー215の寸法を適切
な値に設定しないと不要モードが発生し、所望の電気特
性が得られないという欠点があった。さらにこの誘電体
共振器回路では、金属ケース15の熱膨張によって共振
周波数が温度とともに変化するという欠点があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたものであり、
その目的は、小形、安価でしかも高い動作安定度を有す
る誘電体共振器を提供することにおる。
その目的は、小形、安価でしかも高い動作安定度を有す
る誘電体共振器を提供することにおる。
以下本発明の詳細を実施例によって説明する。
第2図は本発明の誘電体共振器の一実施例の構成を示す
斜視図でおり、1は誘電体共振器素子、7は絶縁板、8
はこの絶縁板7上に形成された導体層である。誘電体共
振器素子1は、比誘電率40〜100程度の比較的大き
な誘電率を有するチタン酸バリウム系等のセラミックの
塊から構成されておシ、この素子1の誘電率及び幾何学
的寸法がこの誘電体共振器の概略の共振周波数を決定す
る。
斜視図でおり、1は誘電体共振器素子、7は絶縁板、8
はこの絶縁板7上に形成された導体層である。誘電体共
振器素子1は、比誘電率40〜100程度の比較的大き
な誘電率を有するチタン酸バリウム系等のセラミックの
塊から構成されておシ、この素子1の誘電率及び幾何学
的寸法がこの誘電体共振器の概略の共振周波数を決定す
る。
絶縁板7は誘電体共振器素子1よシも低誘電率の5オ等
。絶お物から構、成さi?おシ、最終的よゆ接着剤や低
融点ガラス等の結合層を介して素子1の上面に固着され
る。この絶縁板70表面には、蒸着、メッキ等適宜な手
法によシ導体層8が形成されている。この導体層8の形
成方法の一例は、まず絶縁板7の表面上に厚み200A
(20+%I@)程度のニクロム層を真空蒸着し、さら
にこの上に厚み5ooo、Z程度のAm層を蒸着し、最
後にこの上に電解メッキによシ厚み5pwm程度のAm
層を形成するものである。なおこの場合のニクロム層は
、絶縁板7に対する導体層8間の付着強度を高めるため
の下地の機能を果すものであシ、この層の厚みは共振器
のQの低下を防ぐため極力小さな値に設定される。
。絶お物から構、成さi?おシ、最終的よゆ接着剤や低
融点ガラス等の結合層を介して素子1の上面に固着され
る。この絶縁板70表面には、蒸着、メッキ等適宜な手
法によシ導体層8が形成されている。この導体層8の形
成方法の一例は、まず絶縁板7の表面上に厚み200A
(20+%I@)程度のニクロム層を真空蒸着し、さら
にこの上に厚み5ooo、Z程度のAm層を蒸着し、最
後にこの上に電解メッキによシ厚み5pwm程度のAm
層を形成するものである。なおこの場合のニクロム層は
、絶縁板7に対する導体層8間の付着強度を高めるため
の下地の機能を果すものであシ、この層の厚みは共振器
のQの低下を防ぐため極力小さな値に設定される。
このように構成した誘電体共振器において、共振周波数
は近似的に誘電体共振器素子1の誘電率と幾何学的寸法
で決定される。このとき電磁エネルギのほとんどは誘電
率の高い誘電体共振器素子1の内部に存在するが、その
一部は誘電体共振器素子10外部に洩れている。外部に
洩れ出す電磁エネルギの量は、誘電体共振器素子1の近
傍に導体層8を置きこの導体層8の位置を変えることに
よって制御することができる。導体層8は電磁エネルギ
の洩れ出しを制御するためのものであシ、所定厚みの絶
縁板7は、導体層8を素子1から所定距離だけ離間させ
て保持するためのスペーサとしての機能を果す。絶縁板
7の材料としては、この誘電体共振器のQを高めるうえ
で石英等の高周波損失が小さいものが望ましい。誘電体
共振器素子1の外部に洩れる電磁エネルギの量は絶縁板
7の厚み、すなわち導体層8の位置に依存するので、第
2図のように構成した誘電体共振器において、その共振
周波数は導体層8を付した絶縁板7の厚みを変えること
により調整することができる。
は近似的に誘電体共振器素子1の誘電率と幾何学的寸法
で決定される。このとき電磁エネルギのほとんどは誘電
率の高い誘電体共振器素子1の内部に存在するが、その
一部は誘電体共振器素子10外部に洩れている。外部に
洩れ出す電磁エネルギの量は、誘電体共振器素子1の近
傍に導体層8を置きこの導体層8の位置を変えることに
よって制御することができる。導体層8は電磁エネルギ
の洩れ出しを制御するためのものであシ、所定厚みの絶
縁板7は、導体層8を素子1から所定距離だけ離間させ
て保持するためのスペーサとしての機能を果す。絶縁板
7の材料としては、この誘電体共振器のQを高めるうえ
で石英等の高周波損失が小さいものが望ましい。誘電体
共振器素子1の外部に洩れる電磁エネルギの量は絶縁板
7の厚み、すなわち導体層8の位置に依存するので、第
2図のように構成した誘電体共振器において、その共振
周波数は導体層8を付した絶縁板7の厚みを変えること
により調整することができる。
具体的には、厚みの異なる絶縁板7を数種類用意してお
き第3図示の回路において誘電体共振器の共振周波数を
観測しながら、所望の共振周波数が得られるように適切
表厚みの絶縁板7を誘電体共振器素子1上に載置し、所
゛望の特性を与える厚みの絶縁板7を選択したのちこれ
を接着剤等を用いて素子1上に取付けるようにすれに、
絶縁板7の厚さに対応した階段的表共振周波数調整を行
なうことができる。絶縁板7の厚みを数多く用意してお
けば、はとんど連続的に共振周波数調整を行なうことが
できる。なお、本実施例では誘電体共振器素子1および
絶縁板7の断面形状を円形としているが他の形状でも同
様の作用効果が奏される。
き第3図示の回路において誘電体共振器の共振周波数を
観測しながら、所望の共振周波数が得られるように適切
表厚みの絶縁板7を誘電体共振器素子1上に載置し、所
゛望の特性を与える厚みの絶縁板7を選択したのちこれ
を接着剤等を用いて素子1上に取付けるようにすれに、
絶縁板7の厚さに対応した階段的表共振周波数調整を行
なうことができる。絶縁板7の厚みを数多く用意してお
けば、はとんど連続的に共振周波数調整を行なうことが
できる。なお、本実施例では誘電体共振器素子1および
絶縁板7の断面形状を円形としているが他の形状でも同
様の作用効果が奏される。
第4図は本発明の他の実施例の構成を示す斜視図である
。本図中第2図と同一の参照符号を付した要素は第2図
に関し既に説明した要素と同一の要素であシ、これにつ
いての重複した説明を要しないであろう。この実施例に
おいては、導体層8が絶縁板7の全表面上にではなくそ
の周辺部にのみ形成されている。誘電体共振器素子1の
外部に洩れる電磁エネルギの量は導体層8の面積に依存
する。したがって、この共振器を第5図示のような回路
に組込んで電気特性を観測しながらレーザトリ々ング等
によって導体層8を適切な面積だけ除去すれば、その面
積に対応して誘電体共振器素子1から外部に洩れる電磁
エネルギ量を調整することができ、その結果この誘電体
共振器の共振周波数を所望の値に設定することができる
。本実施例では導体層8の除去部分を円形としているが
、他の形状でも同様の作用・効果が奏される。
。本図中第2図と同一の参照符号を付した要素は第2図
に関し既に説明した要素と同一の要素であシ、これにつ
いての重複した説明を要しないであろう。この実施例に
おいては、導体層8が絶縁板7の全表面上にではなくそ
の周辺部にのみ形成されている。誘電体共振器素子1の
外部に洩れる電磁エネルギの量は導体層8の面積に依存
する。したがって、この共振器を第5図示のような回路
に組込んで電気特性を観測しながらレーザトリ々ング等
によって導体層8を適切な面積だけ除去すれば、その面
積に対応して誘電体共振器素子1から外部に洩れる電磁
エネルギ量を調整することができ、その結果この誘電体
共振器の共振周波数を所望の値に設定することができる
。本実施例では導体層8の除去部分を円形としているが
、他の形状でも同様の作用・効果が奏される。
第6図は第2図に示した誘電体共振器を用いて第3図に
示した誘電体共振器回路を構成したときの共振周波数調
整の具体例である。共振周波数は周波数は約10−変化
する。なお、第6図は誘電体共振器素子の寸法を直径7
寓町厚さ2.8mmとし、絶縁板として石英を用いてそ
0寸法を直径11samとしたときの例でおる。
示した誘電体共振器回路を構成したときの共振周波数調
整の具体例である。共振周波数は周波数は約10−変化
する。なお、第6図は誘電体共振器素子の寸法を直径7
寓町厚さ2.8mmとし、絶縁板として石英を用いてそ
0寸法を直径11samとしたときの例でおる。
第7図は、第4図に示した誘電体共振器を用いて第5図
に示した誘電体共振器回路を構成したとたがい低下する
。なお、第7図は誘電体共振器素子の寸法を直径7mm
、厚さ2.8mmとし、絶縁板7として石英を用い、そ
の寸法を直径7++atm、厚さ0.−寓、1′1 としたときの例である。
に示した誘電体共振器回路を構成したとたがい低下する
。なお、第7図は誘電体共振器素子の寸法を直径7mm
、厚さ2.8mmとし、絶縁板7として石英を用い、そ
の寸法を直径7++atm、厚さ0.−寓、1′1 としたときの例である。
上述した実施例においては誘電体共振器素子の頂面上に
絶縁板を装着したが、この素子の周囲に漏洩する電磁エ
ネルギーはほぼ等方的であるから、絶縁板を装着すべき
面は上述した頂面に限定されるものではなく、側面であ
ってもよいし、あるいは頂面と側面の双方であってもよ
い。また誘電体共振器素子を吊下げて保持する場合等に
おいては、素子の下面に絶縁板を装着することもできる
。
絶縁板を装着したが、この素子の周囲に漏洩する電磁エ
ネルギーはほぼ等方的であるから、絶縁板を装着すべき
面は上述した頂面に限定されるものではなく、側面であ
ってもよいし、あるいは頂面と側面の双方であってもよ
い。また誘電体共振器素子を吊下げて保持する場合等に
おいては、素子の下面に絶縁板を装着することもできる
。
また、絶縁板として石英を使用する例を説明したが、低
損失で低誘電率の誘電体材料であれば、テフロン等の商
品名で市販されている4ふつ化エチレンやセラミック等
適宜なものを使用することができる。
損失で低誘電率の誘電体材料であれば、テフロン等の商
品名で市販されている4ふつ化エチレンやセラミック等
適宜なものを使用することができる。
以上詳細に説明したように、本発明は誘電体共振器素子
近傍の絶縁物の板厚で選択された位置に選択された面積
の導体を設置することによシ、こ ゛の素子の周
辺に漏洩する電磁エネルギー量を調整し、これによって
誘電体共振器の共振周波数を所望の値に設定する構成で
あるから、従来の誘電体共振回路におけるように金属ケ
ースや周波数調整用ネジが不要となシ、この結果、回路
の小形化及び製造コストの低減が可能である。また、金
属ケースの寸法の不適切さに起因する不要モードの発生
の問題も伴わず、さらには金属ケースの熱膨張等に伴う
動作特性の変動も生ぜず、安定度が極めて向上するとい
う利点がある。
近傍の絶縁物の板厚で選択された位置に選択された面積
の導体を設置することによシ、こ ゛の素子の周
辺に漏洩する電磁エネルギー量を調整し、これによって
誘電体共振器の共振周波数を所望の値に設定する構成で
あるから、従来の誘電体共振回路におけるように金属ケ
ースや周波数調整用ネジが不要となシ、この結果、回路
の小形化及び製造コストの低減が可能である。また、金
属ケースの寸法の不適切さに起因する不要モードの発生
の問題も伴わず、さらには金属ケースの熱膨張等に伴う
動作特性の変動も生ぜず、安定度が極めて向上するとい
う利点がある。
第1図は従来の誘電体共振器回路の構成の一例を示す断
面図、第2図は本発明、の誘電体共振器の一実施例を示
す斜視図、第3図は第2図示の誘電体共振器を用いた誘
電体共振回路の構成の一例を示す断面図、第4図は本発
明の誘電体共振器の他の実施例を示す斜視図、第5図は
第4図示の誘電体共振器を用いた誘電体共振回路の構成
の一例を示す断面図、第6図は第3図示の共振回路Q特
性の一例を示す特性図、第7図は第5図の共振回路の特
性の一例を示す特性図。 1.11・・・誘電体共振器素子、7・・・絶縁物の板
、8・・・導体層、12・・・絶縁物の支持台、13・
・・基板、14・・・マイクロストリップライン、15
・・・金属ケース、16・・・周波数微調用ネジ。 特許出願人 日本電信電話公社 第1図 第21121 第3図 第4図 第5図 第61 絶縁板の厚さ (mm) 第 7111 導体除去部分の直径 (mm) 16−
面図、第2図は本発明、の誘電体共振器の一実施例を示
す斜視図、第3図は第2図示の誘電体共振器を用いた誘
電体共振回路の構成の一例を示す断面図、第4図は本発
明の誘電体共振器の他の実施例を示す斜視図、第5図は
第4図示の誘電体共振器を用いた誘電体共振回路の構成
の一例を示す断面図、第6図は第3図示の共振回路Q特
性の一例を示す特性図、第7図は第5図の共振回路の特
性の一例を示す特性図。 1.11・・・誘電体共振器素子、7・・・絶縁物の板
、8・・・導体層、12・・・絶縁物の支持台、13・
・・基板、14・・・マイクロストリップライン、15
・・・金属ケース、16・・・周波数微調用ネジ。 特許出願人 日本電信電話公社 第1図 第21121 第3図 第4図 第5図 第61 絶縁板の厚さ (mm) 第 7111 導体除去部分の直径 (mm) 16−
Claims (1)
- 分布定数回路に電磁的に結合されて該分布定数回路に共
振特性を付与する誘電体共振器素子を備えた誘電体共振
器でおって、前記誘電体共振器素れておシ、該絶縁物の
板の前記誘電体共振器素子に接する面と対向する面上の
少くとも一部には所定面積の導体層が形成されておシ、
かつ前記絶縁物の板の所定厚み及び前記導体層の所定面
積は前記誘電体共振集子の誘電率及び寸法と共に該誘電
体共振器の共振周波数を定めるように選択されているこ
とを特徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18075881A JPS5881304A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18075881A JPS5881304A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 誘電体共振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5881304A true JPS5881304A (ja) | 1983-05-16 |
JPS637684B2 JPS637684B2 (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16088798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18075881A Granted JPS5881304A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5881304A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5221913A (en) * | 1990-09-26 | 1993-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator device with thin plate type dielectric heat-radiator |
US5517203A (en) * | 1994-05-11 | 1996-05-14 | Space Systems/Loral, Inc. | Dielectric resonator filter with coupling ring and antenna system formed therefrom |
US8573171B2 (en) | 2009-08-04 | 2013-11-05 | Eaton Srl | Lost motion valve control apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58171367A (ja) * | 1982-12-27 | 1983-10-08 | 中村 憲司 | 化粧料封入袋 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP18075881A patent/JPS5881304A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5221913A (en) * | 1990-09-26 | 1993-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator device with thin plate type dielectric heat-radiator |
US5517203A (en) * | 1994-05-11 | 1996-05-14 | Space Systems/Loral, Inc. | Dielectric resonator filter with coupling ring and antenna system formed therefrom |
US8573171B2 (en) | 2009-08-04 | 2013-11-05 | Eaton Srl | Lost motion valve control apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS637684B2 (ja) | 1988-02-18 |
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