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JPS5881303A - 共振回路 - Google Patents

共振回路

Info

Publication number
JPS5881303A
JPS5881303A JP18083381A JP18083381A JPS5881303A JP S5881303 A JPS5881303 A JP S5881303A JP 18083381 A JP18083381 A JP 18083381A JP 18083381 A JP18083381 A JP 18083381A JP S5881303 A JPS5881303 A JP S5881303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coaxial line
substrate
integrated circuit
dielectric coaxial
microwave integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18083381A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6326921B2 (ja
Inventor
Sadahiko Yamashita
山下 貞彦
Mitsuo Makimoto
三夫 牧本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP18083381A priority Critical patent/JPS5881303A/ja
Publication of JPS5881303A publication Critical patent/JPS5881303A/ja
Publication of JPS6326921B2 publication Critical patent/JPS6326921B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/202Coaxial filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高誘電体材料を用いた同軸線路を 主構成要素
とし、マイクロ波集積回路用基板上にコンデンサおよび
同軸線路を一体化構成した共振四価に及びそれを使用し
た電子回路に関するものである。
共振回路を小形化にする方法として、最近1高誘電体材
料を用いた同軸線路があるが、従来は。
3 同軸TEMモード共振器としては共振周波数の部分の1
波長または4分の一波長の長さのものを用いている。更
に、高Q化用としては、同軸形共振器が利用されている
。マイクロ波集積回路構成において、各種の回路要素が
一つの誘電体基板材料例えばアルミナセラミックス材や
テフロン材等の上に一体化構成される時、特に共振回路
部で、高Qを要する場合には、この基板の上に構成され
るパターンが例えばスイクロストリップ線路の様な共振
線路では、Qが低すぎて問題になる場合がある。この場
合に、従来は、同軸形空洞共振器や立体線路の配線で、
共振回路のQ値を上げる方法が用いられていたが、マイ
クロ波集積回路部の構成としては、この部分だけが、別
回路構成になったり、ある場合には別筐体となり、構成
上繁雑であった0 本発明は、上記のような欠点をなくシ、マイクロ波集積
回路の構成上も他の回路部との接続等を大幅に繁雑にす
ることなく、かつ、共振回路のQ値もそれ程低下させず
に、小形化したマイクロ波集積回路用の共振回路を提供
するものである。以下図面を用いてその一実施例を説明
する。
第1図は本発明の一実施例を示すもので、誘電体を用い
た同軸線路部1をマイクロ波集積回路を構成する基板6
に、その一部を挿入し、誘電体同軸線路1の一方の端す
、導電性金属による被覆4を形成し、その端面と中心部
の円孔の内側にも導電性金属を被覆し、これらを同電位
に接続し。
マイクロ波集積回路の接地導体となる導電パターン部6
と同じく同電位になるように接続する。他方、同軸線路
の他方の端面は、中心導体部だけを同じくマイクロ波集
積回路基板上の導体パターン8を介して、コンデンサ9
を接続し、さらに集積回路基板6上の接地パターン部5
1と接続する。
この場合、同軸線路1の長さは、共振周波数の4分の一
波長より、さらに短かくてよく、かつマイクロ波集積回
路基板6上の分布定数のパターンを用いることによって
、Qが高くとれ、同時に、集積回路基板の中に同軸線路
1を挿入保持出来るので、全体が小形に出来る。
第2図は、第1図の実施例を更に詳細に説明するための
断面図である。誘電体21に、中空部11を榊成し、そ
の内側3及び外側2に導電性被覆を形成することにより
導体部22.23をそれぞれ構成して同軸伝送線路1を
構成する。この線路1の一方端面に導電被覆4をつけ、
外部導体部22と内部導体部を同電位になる様に接続す
る。これをマイクロ波集積回路用基板6に挿入し、その
接地面5と同軸線路1の片面に設けられた導電被覆4と
を接続する。同軸線路1の他方の面は、その中心導体部
23と1回路用基板6上の導体・ζターン8を通して、
コンデンサ素子9を保持し、その反対側を基板θ上の接
地導体、Cターン51に接続する。集積回路用基板6の
裏面の導体ノ;ター77は、マイクロストリップ線路構
成の場合には、接地導体として動作し、サスペンデッド
線路構成の場合には、不要であり、この基板全体を金属
導体内に保持する。
この構成において、コンデンサ素子9は、個gl素子の
例を記載したが、集積回路基板θ上の導体パターン8と
接地パターン510間に2間隙を用いた容量を集積化し
て、同一基板上に構成することも出来、その間隙容量の
方式として1例えばインタデジタル形構造の導体パター
ンによる容量を用いてもよい。
第3図は1本発明の他の実施例を示すものであり、特に
マイクロ波集積回路用基板の形状が第1の実施例とは異
3゜この実施例ではマイクロ波集積回路用基板6に同軸
線路(図示してない)を保持する孔10を形成し、基板
θ上の接地導体パターンと一体の導体部を有する突起5
5を設け、同軸線路の中空部にこの突起65を挿入し、
導体接地パターン5と同電位にしたもので同軸線路の位
置合わせ、保持が容易に出来るという利点を有する。9
0は同軸線路に接続される容量で、この場合は、基板上
に構成された空隙・の容量を用いる051は接地導体パ
ターンである0 第4図は1本発明の他の実施例で、同一基板上に上述の
共振回路を複数個並べた場合を示す0集積回路用基板4
4に、同軸線路を用いた共振素子41.42.43を並
列にならべ、例えばF波器の様な電子回路を構成すると
ともに遮蔽効果を一段と高め、かつマイクロ波集積回路
構成を繁雑としないため、前述の如く複数個並べた回路
を、金属遮蔽箱46で覆って、基板に一体化した構成と
したものである。
以上のように本発明は誘電体を用いた同軸線路とコンデ
ンサからなり誘電体同軸線路を、マイク0波集積回路用
基板の一部を透孔を形成してこの透孔にその一部または
全部を挿入し上記マイクロ波集積回路基板の接地導体部
と 上記誘電体同軸線路部の外側導体および一方の他端
の導体部をすべて同電位となる様に 電気的に接続した
もので従来の同軸線路のみの構成でなく、マイクロ波集
積回路構成において 更に小形化した共振回路が実現で
きる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は 本発明の一実施例における共振回路の斜視図
、第2図はその断面図、第3図および第4図は本発明の
他の実施例を示す断面図および斜視図である。 1 ・・・・・同軸線路、4・・・・・導電性金属被覆
。 6・・・・・・導体接地パターン、6・・・・・マイク
ロ波集積回路用基板、7・・・用裏面導体パターン、9
…中コンデンサ素子−51……接地パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名I1
1図 第2図 11E3図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マイクロ波集積回路用基板上に誘電体同軸線路と
    コンデンサとを備え、上記誘電体同軸線路の一端、内周
    面及び外周面に形成された導電性被覆を上記基板上に設
    けられた接地導体部と接続して同電位となし、かつ上記
    誘電体同軸線路の他端にコンデンサを接続したことを特
    徴とする共振回路。
  2. (2)  コンデンサの一方を、基板上に設けられた導
    体部を介して誘電体同軸線路の他端の内周面に設けられ
    た導電性被覆に、他方を基板上に設けられた接地導体部
    に接続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の共振回路。
  3. (3)  コンデンサを、基板上に形成された導体パタ
    ーンで集積化構成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項または第2項記載の共振回路。
  4. (4)基板に設けられた誘孔の一端部に突起部を設け、
    この突起部と誘電体同軸線路の内周面に設けられた導電
    性被覆とを接続固着したことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の共振回路。
  5. (5)内周面と外周面を有する誘電体同軸線路を、マイ
    クロ波集積回路化用基板に設けられた誘孔に挿入し、誘
    電体同軸線路の一端、内周面、及び外周面に導電性被覆
    を設けて同電位として基板上の接地導体に接続し、誘電
    体同軸線路の他端において内周面に設けられた導電性被
    覆をコンデンサを介して基板に設けられた接地導体に接
    続した共振回路を基本構成とし、この共振回路を複数個
    共の基板に配置し、基板の一部を遮θ板で保ったことを
    特徴する電子回路。
JP18083381A 1981-11-11 1981-11-11 共振回路 Granted JPS5881303A (ja)

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JP18083381A JPS5881303A (ja) 1981-11-11 1981-11-11 共振回路

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JPS5881303A true JPS5881303A (ja) 1983-05-16
JPS6326921B2 JPS6326921B2 (ja) 1988-06-01

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