JPS5860668A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5860668A JPS5860668A JP56156501A JP15650181A JPS5860668A JP S5860668 A JPS5860668 A JP S5860668A JP 56156501 A JP56156501 A JP 56156501A JP 15650181 A JP15650181 A JP 15650181A JP S5860668 A JPS5860668 A JP S5860668A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- mol
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化バリウム（Ｂａｄ）、酸化チタン（Ｔｉ０
２）、酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）およびチタン酸ビ
スマス（２’Ｂ１７０５・３ Ｔｉ０２） の成分で
構成される高周波用誘電体磁器組成物に関するものであ
り、その目的とするところは比誘電率（εｒ）が大きく
、安定した温度特性をもち、用途に応じて温度係数を広
範囲に変化し得る誘電体磁器を提供することにある。
２）、酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）およびチタン酸ビ
スマス（２’Ｂ１７０５・３ Ｔｉ０２） の成分で
構成される高周波用誘電体磁器組成物に関するものであ
り、その目的とするところは比誘電率（εｒ）が大きく
、安定した温度特性をもち、用途に応じて温度係数を広
範囲に変化し得る誘電体磁器を提供することにある。
近年、波長が数傭以下のマイクロ波やミリ波（以下これ
らをマイクロ波と総称する）を取扱う高周波回路の技術
の進展にともないこの回路を小形化することが積極的に
進められている。
らをマイクロ波と総称する）を取扱う高周波回路の技術
の進展にともないこの回路を小形化することが積極的に
進められている。
これ寸ではこの高周波回路には空胴共振器、アンテナな
どが使用されてきたがこれらの大きさはマイクロ波の波
長と同程度になるため小形化に対する障害となっていた
。この問題を解決するために誘電率の大きい誘電体磁器
を使用することにより波長そのものを短縮する方法がと
られてきた。
どが使用されてきたがこれらの大きさはマイクロ波の波
長と同程度になるため小形化に対する障害となっていた
。この問題を解決するために誘電率の大きい誘電体磁器
を使用することにより波長そのものを短縮する方法がと
られてきた。
このような用途に適する材料としてはＴｌＯ２系のもの
がよく使用され、たとえばＴｉＯ２−ＺｒＯ２−８ｎ０
２系、 ＣａＴｉＯ３−ＭｇＴｉＪ −Ｌａ２Ｏ３−２
ＴｉＯ２系、最近でばＢａ（Ｚｎ ’／３ Ｔａる’）
０３−Ｂａ（Ｚｎン、Ｎｂン３）０５ 系などの誘電体
磁器が知られている。しかしながら、これらの材料で誘
電体共振１惜を作った場合には、比誘電率が３０〜４ｏ
程度と低いため、たとえば共振周波数が約１１Ｇｌｌｚ
のＸ帯の誘電体共振器ではεｒ−３０の材料を使用した
場合、直径５．６ｍｍ、厚さ２．２ｍｍ程度の小さなユ
ニットになるが、周波数が下って２Ｇｌｌｚ程度のＵＨ
Ｆ帯での使用となると同じεｒ−３０の材料のときには
直径３０．７ ｍｍ 、厚さ１２．３ｍｍ程度と形状が
著しく大きくなる。ここで使用する材料の比誘電率が８
０程度に大きくできればその大きさを直径１８．８ ｍ
ｍ 、厚さ７．５ｍｍ１度と小形化することができるが
、従来の材料ではこのような要求を躍ｉ足させることは
できなかった。
がよく使用され、たとえばＴｉＯ２−ＺｒＯ２−８ｎ０
２系、 ＣａＴｉＯ３−ＭｇＴｉＪ −Ｌａ２Ｏ３−２
ＴｉＯ２系、最近でばＢａ（Ｚｎ ’／３ Ｔａる’）
０３−Ｂａ（Ｚｎン、Ｎｂン３）０５ 系などの誘電体
磁器が知られている。しかしながら、これらの材料で誘
電体共振１惜を作った場合には、比誘電率が３０〜４ｏ
程度と低いため、たとえば共振周波数が約１１Ｇｌｌｚ
のＸ帯の誘電体共振器ではεｒ−３０の材料を使用した
場合、直径５．６ｍｍ、厚さ２．２ｍｍ程度の小さなユ
ニットになるが、周波数が下って２Ｇｌｌｚ程度のＵＨ
Ｆ帯での使用となると同じεｒ−３０の材料のときには
直径３０．７ ｍｍ 、厚さ１２．３ｍｍ程度と形状が
著しく大きくなる。ここで使用する材料の比誘電率が８
０程度に大きくできればその大きさを直径１８．８ ｍ
ｍ 、厚さ７．５ｍｍ１度と小形化することができるが
、従来の材料ではこのような要求を躍ｉ足させることは
できなかった。
本発明は一ヒ記の問題点を解決するためになされたもの
であり、比誘電率が大きく、安定した温度特性をもち、
用途に応じてその温度係数を広範囲に変化させうる誘電
体磁器を提供しようとするものである。
であり、比誘電率が大きく、安定した温度特性をもち、
用途に応じてその温度係数を広範囲に変化させうる誘電
体磁器を提供しようとするものである。
発明者らは前記の要望を満足する材料について種々検討
した結果、ｘＢａｏ −ｙＴｉ０２− Ｚｓｍ２ｏ３で
表わされる組成において、５〈ｘ≦２３（モル％）、５
７≦ｙｌＢ２．５ （モル％）、 ２．５４ｚｉ３７．
５ （モル％）、ｘ＋ｙ十ｚ＝１００（モル％）の範囲
にある主成分に対して２ Ｂｉ２Ｏ５・３ ＴｉＯ２が
合計量のうちの１０重量％を超えない鼠だけ添加含有し
ている組成の磁器がすぐれた高周波用誘電体磁器になる
ことを見出した。
した結果、ｘＢａｏ −ｙＴｉ０２− Ｚｓｍ２ｏ３で
表わされる組成において、５〈ｘ≦２３（モル％）、５
７≦ｙｌＢ２．５ （モル％）、 ２．５４ｚｉ３７．
５ （モル％）、ｘ＋ｙ十ｚ＝１００（モル％）の範囲
にある主成分に対して２ Ｂｉ２Ｏ５・３ ＴｉＯ２が
合計量のうちの１０重量％を超えない鼠だけ添加含有し
ている組成の磁器がすぐれた高周波用誘電体磁器になる
ことを見出した。
主成分組成の範囲を限定した理由を説明すると、ＢａＯ
量メ）が２３モル％を超えあるいはＴｌＯ２量（ｙ）が
５７モル％未満あるいはＳｍ２Ｏ３量（ｚｌが２．５モ
ル％未満になると磁器の焼結が困難となり、無負荷Ｑが
低下して測定不能となるためである。またＸが５モル％
未満あるいは２が３７．５モル％を超えると磁器の焼結
が不安定となるとともに無負荷Ｑが低下して測定不能と
なり、また、ｙが８２．６モル％を超えると磁器の焼結
が不安定となるとともに温度特性の変化が著しく大きく
なるために本発明の範囲から除かれる。
量メ）が２３モル％を超えあるいはＴｌＯ２量（ｙ）が
５７モル％未満あるいはＳｍ２Ｏ３量（ｚｌが２．５モ
ル％未満になると磁器の焼結が困難となり、無負荷Ｑが
低下して測定不能となるためである。またＸが５モル％
未満あるいは２が３７．５モル％を超えると磁器の焼結
が不安定となるとともに無負荷Ｑが低下して測定不能と
なり、また、ｙが８２．６モル％を超えると磁器の焼結
が不安定となるとともに温度特性の変化が著しく大きく
なるために本発明の範囲から除かれる。
副成分の２Ｂｉ２０３・３ Ｔｉｏ２の添加については
、添加量を増加するにつれて比誘電率を大きくすること
ができ、また、温度特性を変化させることができるが、
主成分との合計量に対して１０重量％を超えて添加含有
させると焼結が不安定となり、無負荷Ｑが低下するため
に、本発明の範囲から除かれる。以下、実施例にもとづ
いて本発明を説明する。
、添加量を増加するにつれて比誘電率を大きくすること
ができ、また、温度特性を変化させることができるが、
主成分との合計量に対して１０重量％を超えて添加含有
させると焼結が不安定となり、無負荷Ｑが低下するため
に、本発明の範囲から除かれる。以下、実施例にもとづ
いて本発明を説明する。
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３、ＴｉＯ２。
Ｓｍ２Ｏ３およびあらかじめ調製された２ Ｂｉ２Ｏ３
。
。
３Ｔｉ０２を所定の組成になるように秤量し、めのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルで純水とともに温
式混合した。この混合物をボールミルからとり出して乾
燥したのち、空気中において９００ ’Ｃの温度で２時
間仮焼した。仮焼物は純水とともに前記のボールミル中
で湿式粉砕した。粉砕泥しようを脱水乾燥したのち、粉
末にバインダーとして濃度３％のポリビニールアルコー
ル溶液を８重量％添加して均暫としたのち、３２メソン
ユのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力ａ ｏ ｏ ｋｇ／、、４で直径
２０ｍｍ 、厚さ約ｉｏｍｍの円板に成形した。成形体
を高純度のアルミナ製のさや鉢の中に入れ、組成に応じ
て空気中において１２５０〜１５５０’Ｃの範囲内の温
度で１〜２時間保持して焼成し、表に示す配合組成の誘
電体磁器を得た。得られた磁器素子を使用し２誘電体共
振器法による測定から共振周波数と無負荷Ｑと比誘電率
を求めた。共振周波数の温度依存性は、−３０’Ｃから
７０゛Ｃの範囲で測定し、温度係数τｆを求めた。共振
周波数は２〜４Ｇｌｌｚであった。それらの実験結果を
表に示す。なお、表において朱印した試料は本発明の範
囲外の比較例であり、これ以外の試料が本発明の範囲内
の実施例である。
ールを備えたゴム内張りのボールミルで純水とともに温
式混合した。この混合物をボールミルからとり出して乾
燥したのち、空気中において９００ ’Ｃの温度で２時
間仮焼した。仮焼物は純水とともに前記のボールミル中
で湿式粉砕した。粉砕泥しようを脱水乾燥したのち、粉
末にバインダーとして濃度３％のポリビニールアルコー
ル溶液を８重量％添加して均暫としたのち、３２メソン
ユのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プ
レスを用いて成形圧力ａ ｏ ｏ ｋｇ／、、４で直径
２０ｍｍ 、厚さ約ｉｏｍｍの円板に成形した。成形体
を高純度のアルミナ製のさや鉢の中に入れ、組成に応じ
て空気中において１２５０〜１５５０’Ｃの範囲内の温
度で１〜２時間保持して焼成し、表に示す配合組成の誘
電体磁器を得た。得られた磁器素子を使用し２誘電体共
振器法による測定から共振周波数と無負荷Ｑと比誘電率
を求めた。共振周波数の温度依存性は、−３０’Ｃから
７０゛Ｃの範囲で測定し、温度係数τｆを求めた。共振
周波数は２〜４Ｇｌｌｚであった。それらの実験結果を
表に示す。なお、表において朱印した試料は本発明の範
囲外の比較例であり、これ以外の試料が本発明の範囲内
の実施例である。
（以下余白）
（注）Ｑｕ；無負荷Ｑ、＊印は比較例
衣から明らかなように、本発明の範囲内の誘電体磁器は
マイクロ波周波数帯において、比誘電率を大きくするこ
とができるとともに無負荷Ｑも大きい値をもち、１〜か
も安定した温度特性を示している。したがって、本発明
の誘電体磁器は発振器や共振器の温度依存性を安定化す
るのに有用であり、とくに比誘電率が大きいことがらＵ
ＨＦ帯での使用に適し、小形で高性能の電子回路部品を
作ることができる。さらに、材料の組成を変えることに
よって広い範囲で任意のτｆを選トぶことかできるので
、この磁器で誘電体共振器を組立てたとき周囲の金属板
などによる温度特性におよぼす影響をなくする温度補償
作用をもたせることができる。
マイクロ波周波数帯において、比誘電率を大きくするこ
とができるとともに無負荷Ｑも大きい値をもち、１〜か
も安定した温度特性を示している。したがって、本発明
の誘電体磁器は発振器や共振器の温度依存性を安定化す
るのに有用であり、とくに比誘電率が大きいことがらＵ
ＨＦ帯での使用に適し、小形で高性能の電子回路部品を
作ることができる。さらに、材料の組成を変えることに
よって広い範囲で任意のτｆを選トぶことかできるので
、この磁器で誘電体共振器を組立てたとき周囲の金属板
などによる温度特性におよぼす影響をなくする温度補償
作用をもたせることができる。
以上のように本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波
の誘電体共振器のみならず、マイクロ波用の基板や誘電
体調整棒などに有用な素材を提供することができ、工業
的に利用価値の大きいものである。
の誘電体共振器のみならず、マイクロ波用の基板や誘電
体調整棒などに有用な素材を提供することができ、工業
的に利用価値の大きいものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化バリウムと酸化チタンと酸化サマリウムとチタン酸
ビスマスからなる誘電体磁器で、その十成分組成をｘＢ
ａｏ −ｙＴｉ０２−ｚｓｍ２０５と表わし−２だとき
、ｚ 、ｙ 、ｚが５−＜ｘ／２３（モル％）。 ５７４ ｙ ４Ｂζ６（モル％） 、 ２．ｔｓ−；
ｚ ４．、３７．５（モル％）、Ｘ−１−ｙ＋Ｚ＝１
ｏｏ（モル％）の・範囲にあり、この主成分との合計量
に対してチタン酸ビスマス２ Ｂ１２ｏ３．３ ＴｌＯ
２が１０重購％を超えない量だけ添加含有されているこ
とを特徴とする１誘電体磁器組成物０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156501A JPS6054269B2 (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156501A JPS6054269B2 (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860668A true JPS5860668A (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6054269B2 JPS6054269B2 (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=15629136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56156501A Expired JPS6054269B2 (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054269B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265724A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Tokico Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS63106912A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPH01248371A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド支持装置 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56156501A patent/JPS6054269B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054269B2 (ja) | 1985-11-29 |
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