[go: up one dir, main page]

JPS5858583A - Improved thin layer electroluminescent display device - Google Patents

Improved thin layer electroluminescent display device

Info

Publication number
JPS5858583A
JPS5858583A JP57156488A JP15648882A JPS5858583A JP S5858583 A JPS5858583 A JP S5858583A JP 57156488 A JP57156488 A JP 57156488A JP 15648882 A JP15648882 A JP 15648882A JP S5858583 A JPS5858583 A JP S5858583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
optical interference
conductor
light
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57156488A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
リ−・チヤング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sun Chemical Corp
Original Assignee
Sun Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sun Chemical Corp filed Critical Sun Chemical Corp
Publication of JPS5858583A publication Critical patent/JPS5858583A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 通常の薄膜エレクトロルミネセント表示体は1枚の基板
ガラスと、1枚の透明導体と、2枚の絶縁層間にはさま
れた1枚のけい光体層及び普通にはアルミニウムからな
る1枚の不透明な背面導体とから成る多層構造の4ので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A typical thin film electroluminescent display consists of a substrate glass, a transparent conductor, a phosphor layer sandwiched between two insulating layers, and a phosphor layer sandwiched between two insulating layers. 4 has a multilayer structure consisting of a single opaque rear conductor made of aluminum.

この2枚の導体KAC電圧を印加するとこのけい光体中
に光が生じ、活性体イオンが電子により励起される結果
1発光する。
When a KAC voltage is applied to these two conductors, light is generated in the phosphor, and the active ions are excited by electrons, resulting in one light emission.

例えば航空機用計器板その他に用いられているように、
いかなるタイプの表示体においても問題となる主な点は
、直射日光のような著しく明るい環境下でこの表示体が
どれ程よく読みとれるかということである。このような
環境下では高い金属性反射率を有する不透明背面導体が
エレクトロルミネセントエレメントが発する以上の光を
反射するので表示が判読しにくくなる。
For example, as used in aircraft instrument panels, etc.
A major issue with any type of display is how well the display is readable in extremely bright environments such as direct sunlight. Under these circumstances, the opaque back conductor with its high metallic reflectivity reflects more light than the electroluminescent elements emit, making the display difficult to read.

非常に明るい環境下においても発光の明るさを犠牲にせ
ずに高コントラスト比で操作できるようなけい光発生表
示デバイスを提供するために多くの試みがなされてきた
Many attempts have been made to provide fluorescent display devices that can be operated with high contrast ratios even in very bright environments without sacrificing the brightness of the emitted light.

この問題を解決するなめの一つの方法はガラス層中に暗
色物質を導入したり、又はけい光体を分数させた誘電体
層中に暗色染料を混ぜることである。これらの諸方法の
不満足な点は反射光と同時に放出光もまたその強さが減
少することである。
One way to solve this problem is to incorporate a dark material into the glass layer or a dark dye into the dielectric layer with a fraction of the phosphor. A disadvantage of these methods is that the intensity of the emitted light is reduced as well as the reflected light.

このデバイスの基板ガラスの観測者側表面上に不透明な
有孔層を上乗せすることが提案、されてき九が、この方
法は視野角を制限するので好ましくない。
It has been proposed and proposed to overlay an opaque porous layer on the viewer-facing surface of the substrate glass of this device, but this method is undesirable because it limits the viewing angle.

背面導体の観測者側表面上に光吸収層を設ける提案が米
国特許第5.560,784号においてなされ九。この
光吸収物質はその屈折率が実質的にけい光・体層の屈折
率と同じであるために、けい光体層と光吸収層との界面
において切れ目がなく、かつ連続した移動が起こる結果
、この界面上での反射を最少限におさえつる。この光吸
収層は界面では実質的に透明であるが、背面層に向って
光吸収物質の濃度が次第に増加するようになっている。
A proposal was made in US Pat. No. 5,560,784 to provide a light absorbing layer on the viewer side surface of the back conductor. Since the refractive index of this light-absorbing material is substantially the same as that of the phosphor layer, continuous movement occurs at the interface between the phosphor layer and the light-absorbing layer. , to minimize reflections on this interface. This light-absorbing layer is substantially transparent at the interface, but has a progressively increasing concentration of light-absorbing material toward the back layer.

この方法の欠点は手の込んだ材料と複雑な制御を要する
詐りか、薄膜中に光吸収物質を漸減濃度で側出スるため
の複雑な装置が必要になることである。
The disadvantages of this method include the need for elaborate materials and complex controls, as well as the need for complex equipment for dispensing the light-absorbing material in decreasing concentrations into the thin film.

表示体を非常圧明るい環境下で観察した場合に起こるこ
の反射の問題は、干渉効果と通過光の吸収能を併せ持っ
た材料を黒色層として用いるととkよって排除できるこ
とがこのたび判明し九。
It has now been found that this problem of reflection, which occurs when a display is observed under extremely bright conditions, can be eliminated by using a material that has both an interference effect and an ability to absorb passing light as the black layer.

第2図は基板ガラス1と、透明導体2と、透明絶縁体3
と、けい光体層4と、絶縁層5と、アルミニウム導体6
とから成る通常の表示体を示す。
Figure 2 shows a substrate glass 1, a transparent conductor 2, and a transparent insulator 3.
, a phosphor layer 4, an insulating layer 5, and an aluminum conductor 6
This shows a normal display body consisting of.

このアルミニウム層は金属性の高い反射率を有している
ので、直射日光下のように非常に明るい環境下で使用す
るとエレクトロルミネセントエレメントが発するよりも
多くの光をI!測者に向って反射するのでこの表示体の
効率が阻害される。
This aluminum layer has a high metallic reflectivity, so it emits more light than an electroluminescent element when used in very bright environments, such as in direct sunlight. The efficiency of this display is hampered by the reflection towards the observer.

第3図は、この発明の好ましい実施態様を示す。FIG. 3 shows a preferred embodiment of the invention.

基板ガラス11上に直接に析出せしめられ良薬1層12
は透明で導電性の皮膜である。この第1層は一般的には
鍍化すず及び酸化インジウムから成る組成のものである
。この皮膜を有する基板ガラスは1例えばネサトロンガ
ラス(Neaatronがラス、商標名)として市販さ
れている。
1 layer 12 of a good drug deposited directly on the substrate glass 11
is a transparent and conductive film. This first layer is generally of a composition consisting of tin plating and indium oxide. A substrate glass having this coating is commercially available, for example, as Neaatron glass (trade name).

!2層13及び菖4層14は放電破壊を防止するための
絶縁層である。酸化イツトリウム(Y2(Js)、酸化
アルミニウム(AJL20. ) 、 r:lL化メタ
ンタル ’f’Jlz05 >又はその他のような材料
がこれらの層に好適でおる。
! The second layer 13 and the fourth layer 14 are insulating layers for preventing discharge breakdown. Materials such as yttrium oxide (Y2(Js)), aluminum oxide (AJL20.), r:IL methanalium 'f'Jlz05> or others are suitable for these layers.

第3層15は光の供給源をなすけい光体である。The third layer 15 is a phosphor that serves as a light source.

Zn8 :Mn (オL/ 7ジ)、 Ca8:Co 
(グリーン)、8r8 : Co (ブルー )、Zn
8:T+、Mn (vyド)及びその他が好ましい材料
であるがこれらに限定はされない。
Zn8:Mn (O-L/7-di), Ca8:Co
(green), 8r8: Co (blue), Zn
Preferred materials include, but are not limited to, 8: T+, Mn (vydo), and others.

第5層16は黒色層であってコントラストを改善する層
である。これは半導性で分散能が高い材料から成る硬質
フィルムである。このものは好ましい光学分散能を有し
ているので、この薄膜エレクトロルミネセント表示体の
誘電体層14と背面金属電極層17−の間で好適な強制
吸収が起こる。
The fifth layer 16 is a black layer and is a layer that improves contrast. This is a rigid film made of semiconducting, highly dispersive material. Since it has a favorable optical dispersion ability, favorable forced absorption occurs between the dielectric layer 14 and the back metal electrode layer 17- of this thin film electroluminescent display.

ランタン6ホウ化物(LaB6 ) 、酸化りOA (
Cr 205 )、酸化チタン(TiO) 、酸化バナ
ジウム(■20s)及び炭化ホウ素(BO2)が好まし
い材料の例であるが、これらに限定されるものではない
、これらの材料は性質からみて耐火セラミックであって
ショート及びパンクに対しての真性女定性、を有してい
る。
Lanthanum hexaboride (LaB6), oxidized OA (
Examples of preferred materials include, but are not limited to, Cr205), titanium oxide (TiO), vanadium oxide (20s), and boron carbide (BO2); these materials are fire-resistant ceramics due to their properties. She has a true female determination towards shorts and punks.

最終層17は通常アルミニウムから成る背面導体である
The final layer 17 is a back conductor, usually made of aluminum.

第1図に示したよう忙、入ってくる光18は黒色層16
が形成する二つの境界面の間で反射されて、この黒色層
を通過する九び毎に部分的に吸収される、換言すればこ
の黒色層によって入ってきた光が捕そくされる。加えて
この材料は効果的な反射抑制作用を有するので、この黒
色層からの反射光は著しく少ない。
As shown in FIG.
The incoming light is reflected between the two interfaces formed by the black layer and is partially absorbed for every light that passes through the black layer, in other words, the black layer traps the incoming light. In addition, this material has an effective antireflection effect, so that significantly less light is reflected from this black layer.

この発明による黒色層16は第3図のように背面電極1
7の前面に設けることが好ましい。しかしながら他の位
置、例えば絶縁層140代りとしての位置(第4図)、
絶縁層13とけい光体15の間の位置(第5図)又は背
面電極17の代替としての電極の位置(第6図)K設け
ることもこの発明の範囲に入る。
The black layer 16 according to the present invention is formed on the back electrode 1 as shown in FIG.
It is preferable to provide it on the front surface of 7. However, in other positions, such as in place of the insulating layer 140 (FIG. 4),
It is also within the scope of the invention to provide a position K between the insulating layer 13 and the phosphor 15 (FIG. 5) or a position K as an alternative to the back electrode 17 (FIG. 6).

各層の厚みは決定的なものではないが、一般的にはガラ
ス層上の皮df2#i約20OAからt000A4で、
好ましくは約500A;けい光体層15は約1.0OO
Aから10.C100Aまで、好ましくは約4.000
人;絶縁層13及び14はそれぞれが約50OAから5
.000Atで、好ましくはそれぞれが約2,0OOA
ニアルミニウム電極17は約200人から1代000人
まで、好ましくは約t000人二燕色層16の厚さは選
択した材料によってJIfk石。
The thickness of each layer is not critical, but generally the skin df2#i on the glass layer is about 20OA to t000A4,
Preferably about 500A; phosphor layer 15 about 1.0OO
A to 10. up to C100A, preferably about 4.000
person; insulating layers 13 and 14 are each about 50 OA to 5 OA;
.. 000 At, preferably each about 2,0 OOA
The thickness of the aluminum electrode 17 ranges from about 200 to 1,000, preferably about 1,000, depending on the material selected.

しくは約250人: Ti0層の場合は一般的に約40
OAから1.O[lOAまで、好ましくは約500A;
■2υ1層の場合は一般的には約300Aから1.00
0A′、好ましくは約3s OA ; Cr 2 Os
層の場合は−約300人; 804層の場合は一般的に
は約5OAから500人、好ましくは約100人である
。少量の残留反射光は緑色、マゼンタ又は金色を呈する
が、これはこの黒色層の光学的厚さ又は可視スペクトル
におけるTウェーブピークの位置によって変動する。し
たがって黒色層の厚さを変えゐこと罠よりこの色相の変
更が可能になる。
Or about 250 people: Generally about 40 people for Ti0 layer
From OA 1. O[up to lOA, preferably about 500A;
■In the case of 2υ1 layer, it is generally about 300A to 1.00A.
0A', preferably about 3s OA; Cr2Os
For layers - about 300 people; for 804 layers - typically about 5OA to 500 people, preferably about 100 people. The small amount of residual reflected light appears green, magenta or gold, depending on the optical thickness of this black layer or the position of the T-wave peak in the visible spectrum. Therefore, it is possible to change the hue by changing the thickness of the black layer.

エレクトロルミネセント(EL)表示デバイス中の黒色
層として用いた各層の材料の有効性を説明するために実
験を行なった。アルミニウム電極使用の場合は、この材
料は該電極と絶縁層14の聞に析出せしめた。この表示
体はシルパニア(Sylvania ) 8G−77サ
ンガy (Sun Gun ) IfCより試験してそ
の結果を次表に示した: 上表の結果から明らかなように、T i 04p La
Bgの場合のように電気抵抗率が著しく低い場合には、
この材料は直接に背面電極として用いることができる。
Experiments were conducted to illustrate the effectiveness of each layer material used as a black layer in an electroluminescent (EL) display device. When aluminum electrodes were used, this material was deposited between the electrodes and the insulating layer 14. This display body was tested using a Sylvania 8G-77 Sun Gun IfC and the results are shown in the following table: As is clear from the results in the above table, T i 04p La
When the electrical resistivity is extremely low as in the case of Bg,
This material can be used directly as a back electrode.

いずれの場合においても、この黒色層はコントラストを
改善する結果、表示体の輝きを抹殺することなしに、こ
のガンを表示体の前、6インチ(15偉)(日光シミュ
レーションに用い九距鴫の了、したがって明るさ9倍)
に置くことができ良。
In either case, this black layer improves the contrast so that the gun can be placed 6 inches (15 mm) in front of the display (for daylight simulation) without obliterating the brightness of the display. (therefore 9 times brighter)
Good to be able to put it on.

この光干渉黒色層を用いることにより、黒色層とそれに
隣接する観測者側の層との間の界面ならびに黒色層と背
面金属導体との間の界面からの反射率を最少限(約1%
)に減少せしめつる。加えて、発光の明るさは犠牲にな
らず、普通のCRTKよるテレビジョン(TV)  の
場合の約100ft−Lの輝度に対して1,000ft
−L以上の輝度がえら1.る、その上、40,000時
間以上の寿命があった。− この発明による製品は公知、公用のいかなる方法によっ
て本製造が可能である。しかしながら。
By using this optical interference black layer, the reflectance from the interface between the black layer and the adjacent layer on the observer side as well as the interface between the black layer and the back metal conductor can be minimized (approximately 1%).
). In addition, the brightness of the emitted light is not sacrificed, with a brightness of 1,000 ft-L compared to about 100 ft-L for ordinary CRTK televisions (TVs).
-L or higher brightness is 1. Moreover, it had a lifespan of over 40,000 hours. - The product according to the present invention can be manufactured by any known or publicly available method. however.

かかる薄層のエレクトロルンネセント表示デバイスは電
子ビーム蒸発法のような真空蒸着による製造が好ましく
、これによると高分解能(highresolutio
n )を有する大形基板の製造ができる。
Such thin-layer electroluminescent display devices are preferably manufactured by vacuum deposition, such as electron beam evaporation, whereby high resolution
n) can be manufactured.

全体構造は外界からの汚染防止のためにシールするのが
普通である。
The entire structure is typically sealed to prevent contamination from the outside world.

この発明による表示デバイスは、例えば数字表示又は航
空機計器板、コンピュータ端末、ワードグロセサ及びそ
の他にお匹て垂直スケール表示。
The display device according to the invention is suitable for example for numerical displays or vertical scale displays for aircraft instrument panels, computer terminals, word glossers and others.

円形ダイヤル表示、発光十字線、!トリクス形表示及び
その他の形で用いている他の臘の情報表示板のようなエ
レクトロルきネセントパネルトシての用途に好適である
Circular dial display, luminous crosshair,! It is suitable for use in electroluminescent panels such as trix displays and other types of information display boards.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はエレクトロルイネセント表示デバイスにおける
絶縁層と背面導体間を投入光が通過する状態を示す路線
図である。 第2図は従来のエレクトロルきネセント表示デ 、バイ
スを示す拡大断面図である。 wX3図はこの発明の好ましい実施態様を示す拡大断面
図である。 第4図はこの発明の他の実施態様を示す拡大断面図であ
る。 第5図はこの発明のその他の実施態様を示す拡大断面図
である。 第6図はこの発明の他の実施態様を示す拡大断面図であ
る。
FIG. 1 is a route diagram showing the state in which input light passes between an insulating layer and a back conductor in an electroluminescent display device. FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a conventional electroluminescent display device. Figure wX3 is an enlarged sectional view showing a preferred embodiment of the present invention. FIG. 4 is an enlarged sectional view showing another embodiment of the invention. FIG. 5 is an enlarged sectional view showing another embodiment of the invention. FIG. 6 is an enlarged sectional view showing another embodiment of the invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)  ガラスの観測面、透明導体、2枚の絶縁層K
・−はさまれたけい光体層及び不透明背面導体から成る
薄層エレクトロルイネセント表示デバイxにおいて、投
入光と干渉する材料を挿入してllN#J面の反射を最
少@に抑えて改善せられ九コントラストがえられるよう
kした改嵐。 Q) この光干渉層が高分散性の半導性物質がら成る硬
質フィルムであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載のデバイス。 (3)  この光干渉材料がランタン6ホク化物、酸化
クロム、酸化チタン、酸化パナジクム及び炭化ホウ素か
ら成る部類から選択せられることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載のデバイス。 (4)  この光干渉層が背面導体と絶縁層の間に設け
られることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
デバイス。 (5)  この光干渉層がけい光体層と、透明導体に隣
接する絶縁層との間に設けられることを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載のデバイス。 ら) この光干渉層が絶縁層の代りに、けい光体層と不
透明導体との間に設けられることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載のデバイス。 (7)  この光干渉層が不透明背面導体の代りに用い
られることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
デバイス。
[Claims] (1) Glass observation surface, transparent conductor, two insulating layers K
・-In a thin-layer electroluminescent display device x consisting of a sandwiched phosphor layer and an opaque back conductor, an improvement is made by inserting a material that interferes with the input light to minimize the reflection on the llN#J surface. Kai-Arashi has been designed to give you nine contrasts. Q) Claim 1, characterized in that the optical interference layer is a hard film made of a highly dispersive semiconducting material.
Devices listed in section. 3. Device according to claim 1, characterized in that the optical interference material is selected from the group consisting of lanthanum hexafluoride, chromium oxide, titanium oxide, panadicum oxide and boron carbide. (4) The device according to claim 1, wherein the optical interference layer is provided between the back conductor and the insulating layer. 5. Device according to claim 1, characterized in that the optical interference layer is provided between the phosphor layer and the insulating layer adjacent to the transparent conductor. 2. Device according to claim 1, characterized in that this optical interference layer is provided between the phosphor layer and the opaque conductor instead of an insulating layer. (7) A device according to claim 1, characterized in that this optical interference layer is used in place of an opaque back conductor.
JP57156488A 1981-09-21 1982-09-08 Improved thin layer electroluminescent display device Pending JPS5858583A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30396581A 1981-09-21 1981-09-21
US303965 1994-09-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5858583A true JPS5858583A (en) 1983-04-07

Family

ID=23174462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57156488A Pending JPS5858583A (en) 1981-09-21 1982-09-08 Improved thin layer electroluminescent display device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5858583A (en)
CA (1) CA1223054A (en)
DE (1) DE3231727A1 (en)
FR (1) FR2513415B1 (en)
GB (1) GB2106317B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180093A (en) * 1984-02-24 1985-09-13 ホ−ヤ株式会社 Thin film el element
JPS625598A (en) * 1985-07-01 1987-01-12 シャープ株式会社 Thin film el element
JPS6293897A (en) * 1985-10-19 1987-04-30 日本精機株式会社 Thin film electroluminescence device
JPH0712359A (en) * 1993-06-25 1995-01-17 Tomeji Kawasaki Exhaust apparatus for cooking for multiple dwelling house
JP2007134345A (en) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc Organic electroluminescence device array and package therefor

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849674A (en) * 1987-03-12 1989-07-18 The Cherry Corporation Electroluminescent display with interlayer for improved forming
CA1302547C (en) * 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
KR910017908A (en) * 1990-03-14 1991-11-05 이헌조 EL display element
JPH07211458A (en) * 1994-01-17 1995-08-11 Fuji Electric Co Ltd Thin film light emitting device
US5504389A (en) * 1994-03-08 1996-04-02 Planar Systems, Inc. Black electrode TFEL display
GB9901334D0 (en) 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
CA2352390A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-04 Luxell Technologies Inc. Contrast enhancement apparatus
WO2003105248A1 (en) * 2002-06-11 2003-12-18 Luxell Technologies Inc. Oled display with contrast enhancing interference members
US8212474B2 (en) 2004-01-08 2012-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
JP2007518237A (en) * 2004-01-08 2007-07-05 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Display device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099091A (en) * 1976-07-28 1978-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent panel including an electrically conductive layer between two electroluminescent layers
CA1144265A (en) * 1978-12-29 1983-04-05 John M. Lo High contrast display device having a dark layer
FI60332C (en) * 1980-04-24 1981-12-10 Lohja Ab Oy ELEKTROLUMINENSSTRUKTUR

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180093A (en) * 1984-02-24 1985-09-13 ホ−ヤ株式会社 Thin film el element
JPS625598A (en) * 1985-07-01 1987-01-12 シャープ株式会社 Thin film el element
JPH0371759B2 (en) * 1985-07-01 1991-11-14 Sharp Kk
JPS6293897A (en) * 1985-10-19 1987-04-30 日本精機株式会社 Thin film electroluminescence device
JPH0712359A (en) * 1993-06-25 1995-01-17 Tomeji Kawasaki Exhaust apparatus for cooking for multiple dwelling house
JP2007134345A (en) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc Organic electroluminescence device array and package therefor

Also Published As

Publication number Publication date
CA1223054A (en) 1987-06-16
GB2106317B (en) 1985-06-19
GB2106317A (en) 1983-04-07
FR2513415B1 (en) 1987-08-28
FR2513415A1 (en) 1983-03-25
DE3231727A1 (en) 1983-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5049780A (en) Optical interference, electroluminescent device having low reflectance
JPS5858583A (en) Improved thin layer electroluminescent display device
US3560784A (en) Dark field, high contrast light emitting display
US4287449A (en) Light-absorption film for rear electrodes of electroluminescent display panel
US5847858A (en) Electrochromic element
US4963788A (en) Thin film electroluminescent display with improved contrast
US4758765A (en) Black layer for thin film EL display device
EP0910865B1 (en) Display device with optical element
RU2129344C1 (en) Luminescent indication board which is visible under day light
RU2126609C1 (en) Electroluminescent display panel visible at sunlight
RU2119274C1 (en) Thin-film high-contrast fluorescent display unit and its manufacturing process
US20090153989A1 (en) Optical filter for display device
US5084650A (en) Thin-film el display device having a high-contrast ratio
US4634639A (en) Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide
US4143404A (en) Laminated filter-electroluminescent recitular index for cathode ray display
US20090295297A1 (en) Optical filter and plasma display device having the same
JP2001076884A (en) Organic el panel
KR100326464B1 (en) Electroluminescent display device
JP2781492B2 (en) Color electroluminescence display device
JPH0325916B2 (en)
JPS5835360B2 (en) Thin film EL panel
JPS6315719B2 (en)
JPS6298534A (en) Plasma display panel
JPH0460317B2 (en)
JPS6344685A (en) Thin film image display device