JPS5855466A - 新規な１，３−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
新規な１，３−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法Info
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- JPS5855466A JPS5855466A JP56153404A JP15340481A JPS5855466A JP S5855466 A JPS5855466 A JP S5855466A JP 56153404 A JP56153404 A JP 56153404A JP 15340481 A JP15340481 A JP 15340481A JP S5855466 A JPS5855466 A JP S5855466A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な１．３−二置換イミダゾール誘導体およ
びその製造方法に関するものである。さらに詳しく述べ
ると、本発明は医薬品として有用なイミダゾール誘導体
の重要な合成中間体である、一般式 （式中のＡおよびＢは同じでも異なっていてもよく、そ
れぞれ炭素数１から８の直鎖状または枝分れ状アルキレ
ン鎖またはアルケニレン鎖であり、Ｙは炭素数２から１
０のアシル基、炭素数２から７のアルコキシカルボニル
基あるいは炭素数３から１３のジアルコキシメチル基で
あり、Ｘは酸残基であり、Ｚはシア）基または炭素数２
から７のアルコキシカルボニル基であり、ｎ ＆＠ Ｏ
または１である）で表わされる１、３−二置換イミダゾ
ール誘導体だよびその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。さらに詳しく述べ
ると、本発明は医薬品として有用なイミダゾール誘導体
の重要な合成中間体である、一般式 （式中のＡおよびＢは同じでも異なっていてもよく、そ
れぞれ炭素数１から８の直鎖状または枝分れ状アルキレ
ン鎖またはアルケニレン鎖であり、Ｙは炭素数２から１
０のアシル基、炭素数２から７のアルコキシカルボニル
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あり、Ｘは酸残基であり、Ｚはシア）基または炭素数２
から７のアルコキシカルボニル基であり、ｎ ＆＠ Ｏ
または１である）で表わされる１、３−二置換イミダゾ
ール誘導体だよびその製造方法に関するものである。
特開昭５５−３１３にぢいて、一般式
（式中のＲは水素原子またはアルキル基であり、Ａ、Ｂ
およびｎは前記と同じ意味をもつ）で表わされるイミダ
ゾール誘導体およびその薬理学的に許容される塩カ、ト
ロンボキサン脅シンセターゼ（Ｔｈｒｏｍｂｏｘａｎｅ
−６ｙｎｔｈｅｔａｓｅ ）に対し強力な阻害活性を有
し、トロンボキサンＡ、 （Ｔｈｒｏｍｂｏｘａｎｅ
Ａ２）に起因する疾患の治療薬として有用であることが
開示さｎてＫす、さらにその製造方法として、式で表わ
されるイミダゾールと、一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、Ｒ１およびＸは前記と同じ意味を
もつ）で表わされる化合物とを反応させる方法が示され
ている。
およびｎは前記と同じ意味をもつ）で表わされるイミダ
ゾール誘導体およびその薬理学的に許容される塩カ、ト
ロンボキサン脅シンセターゼ（Ｔｈｒｏｍｂｏｘａｎｅ
−６ｙｎｔｈｅｔａｓｅ ）に対し強力な阻害活性を有
し、トロンボキサンＡ、 （Ｔｈｒｏｍｂｏｘａｎｅ
Ａ２）に起因する疾患の治療薬として有用であることが
開示さｎてＫす、さらにその製造方法として、式で表わ
されるイミダゾールと、一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、Ｒ１およびＸは前記と同じ意味を
もつ）で表わされる化合物とを反応させる方法が示され
ている。
しかしながら上記のような方法で前記一般式（＋１）で
表わされる化合物を製造する場合、イミダゾリウム誘導
体、すなわち一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、ＲおよびＸは前記と同じ意味をも
つ）で表わされる化合物が副生じ、目的物の前記一般式
（ＩＩ）で表わされる化合物の純ａＳよび収率に多大な
影響を２よぼしていた。このような前記一般式（ＶＪで
表わされる化合物の副生を抑える方法としては、原料の
式（Ｔ［）で表わされるイミダゾールを大過剰用いる方
法、水素化ナトＩＪウムなどのような強い塩基ケ用いて
反応を行なう方法などが考えられ、一般に行なわれてい
るが、いずれも完全に副生を２さえるものではなく、し
かもイミダゾールを過剰量用いることによる原料の浪費
、危険で取り扱いにくい試薬の使用等の新たな問題があ
り、工業的な製造方法と−しては必ずしも満足できる方
法とは言えない。
表わされる化合物を製造する場合、イミダゾリウム誘導
体、すなわち一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、ＲおよびＸは前記と同じ意味をも
つ）で表わされる化合物が副生じ、目的物の前記一般式
（ＩＩ）で表わされる化合物の純ａＳよび収率に多大な
影響を２よぼしていた。このような前記一般式（ＶＪで
表わされる化合物の副生を抑える方法としては、原料の
式（Ｔ［）で表わされるイミダゾールを大過剰用いる方
法、水素化ナトＩＪウムなどのような強い塩基ケ用いて
反応を行なう方法などが考えられ、一般に行なわれてい
るが、いずれも完全に副生を２さえるものではなく、し
かもイミダゾールを過剰量用いることによる原料の浪費
、危険で取り扱いにくい試薬の使用等の新たな問題があ
り、工業的な製造方法と−しては必ずしも満足できる方
法とは言えない。
本発明者らはこのような問題点を解決すべ（検討を重ね
た結果、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を経由す
る方法によって前記一般式（ＴＩ）で表わされる化合物
がきわめて容易に、純度よく、しかも高収率で得られる
ことを見出した。本発明はこのような知見にもとづ（も
のであり、前記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合物の改
装な製造中間体である前記一般式（Ｉ）で表わされる１
、３−二晩換イミダゾール誘導体Ｓよびその製造方法を
提供するものである。
た結果、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を経由す
る方法によって前記一般式（ＴＩ）で表わされる化合物
がきわめて容易に、純度よく、しかも高収率で得られる
ことを見出した。本発明はこのような知見にもとづ（も
のであり、前記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合物の改
装な製造中間体である前記一般式（Ｉ）で表わされる１
、３−二晩換イミダゾール誘導体Ｓよびその製造方法を
提供するものである。
本発明の前記一般式（１）で表わさｎる化合物はきわめ
て容易に前記一般式（１１）で表わされるイばダゾール
誘導体に導びくことかできる。すなわち、前記一般式（
１）で表わさｒｔ、７？化合物を適量の水に溶解し、室
温〜１２０℃で、１０分〜３時間、酸または塩基で処理
することにより前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
が純度よく、高収率で得らｎる。
て容易に前記一般式（１１）で表わされるイばダゾール
誘導体に導びくことかできる。すなわち、前記一般式（
１）で表わさｒｔ、７？化合物を適量の水に溶解し、室
温〜１２０℃で、１０分〜３時間、酸または塩基で処理
することにより前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
が純度よく、高収率で得らｎる。
本発明の前記一般式（１）で表わされる化合物は、たと
えば一般式 （式中のＹは前記と同じ意味をもつ）で表わされる化合
物と、一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、Ｘ′ｊ６よびＺは前記と同じ意味
をもつ］で表わされる化合物とを反応させることにより
製造することができる。この反応に８いて原料として用
いられる一般式（■）で表わされるイミダゾール誘導体
は公知化合物であり、文献記載（Ｊ、 Ａｍｅｒ、 Ｃ
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ７４．６２７４ （１９５２）、
Ｃｈｅｍ、 Ｂａｒ、 ９３゜２８０４ （１９６０
）、 Ａｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｍ、■ｎｔ、 Ｅｄ、 Ｅ
ｎｇｌ、 ｌ、 ３５１（１９６２）、 Ｊ、 Ｏｒｇ
、 Ｃｈｅｍ、 ４５．４０３８ （１９８０） ］の
方法により容易に製造することができ、たとえば１−ア
セチルイミタゾール、１−プロピオニルイミダゾール、
１−ベンゾイルイミダゾール、■−エトキシカルボニル
イミダゾール、１−ジェトキシメチルイミダゾールなど
をｈげることかできる。これらの化合物の中で、その反
応特性にぢいて好ましいものはｌ−了シルイミダゾール
誘導体であり、特に好ましいのは１−７セ千ルイミダゾ
ールである。
えば一般式 （式中のＹは前記と同じ意味をもつ）で表わされる化合
物と、一般式 （式中のＡ、Ｂ、ｎ、Ｘ′ｊ６よびＺは前記と同じ意味
をもつ］で表わされる化合物とを反応させることにより
製造することができる。この反応に８いて原料として用
いられる一般式（■）で表わされるイミダゾール誘導体
は公知化合物であり、文献記載（Ｊ、 Ａｍｅｒ、 Ｃ
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ７４．６２７４ （１９５２）、
Ｃｈｅｍ、 Ｂａｒ、 ９３゜２８０４ （１９６０
）、 Ａｎｇｅｗ、 Ｃｈｅｍ、■ｎｔ、 Ｅｄ、 Ｅ
ｎｇｌ、 ｌ、 ３５１（１９６２）、 Ｊ、 Ｏｒｇ
、 Ｃｈｅｍ、 ４５．４０３８ （１９８０） ］の
方法により容易に製造することができ、たとえば１−ア
セチルイミタゾール、１−プロピオニルイミダゾール、
１−ベンゾイルイミダゾール、■−エトキシカルボニル
イミダゾール、１−ジェトキシメチルイミダゾールなど
をｈげることかできる。これらの化合物の中で、その反
応特性にぢいて好ましいものはｌ−了シルイミダゾール
誘導体であり、特に好ましいのは１−７セ千ルイミダゾ
ールである。
また、前記一般式（■）で表わされる化合物も一般に公
知の化合物であり、文献記載の方法（Ｊ、 Ｃｈｅｍ。
知の化合物であり、文献記載の方法（Ｊ、 Ｃｈｅｍ。
Ｓｏｃ、 １９４２．１０３． Ｃｈｅｍ、 Ａｂｓｔ
ｒ、 ６０．１０７０７ｃ （１９６４）。
ｒ、 ６０．１０７０７ｃ （１９６４）。
Ｃｈｅｍ、 Ａｂｓｔｒ、 ６２．１５９１ｈ （１９
６５Ｌ Ｃｈｅｍ、 Ａｂｓｔｒ、 ６４゜１７７３７
ｂ （１９６６）、 Ｊ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｓｃｉ、
５５（３）、 ２９５−３０２（１９６６）、 Ｊ、
Ｏｒｇ、 Ｃｈｅｍ、 ３５（９）、 ３１６１−４
（１９７０） ） Ｍよびこｎもと類似の方法により
容易に製造することができる。このような例として、た
とえば２−１３−マｆ、Ｊｔ−！、４−クロロメチルベ
ンゾニトリル、２−１３−または４−ブロモメチルベン
ゾニトリＡ’、 ２−１３−マタハ４−ヨードメチルベ
／ソニトＩＪ ル、 ２−、 ３−マタは４−クロロ
メチルシンナモニトリル、２−１３−または４−ブロモ
メチルシンナモニトリル、２−．３−または４−ヨード
メチルシンナモニトリル、３−（２−１３−または４−
クロロメチルフェニル）プロピオニ） ＩＩル、３−（
２−１３−または４−ブロモメチルフェニル）プロピオ
ニトリル、３−（２−１３−または４−ヨードメチルフ
ェニル）プロピオニトリル、４−（２−１３−または４
−クロロメチルフェニル〕ブチロニトリル、４−（２−
１３−マｆ、−’ハ４−フロモメチルフェニル）ブチロ
ニトリル、４−（２−１３−または４−ヨードメチルフ
ェニル）ブチロニトリル、２−１３−または４−クロロ
メチル−α−メチルシンナモニトリル、２−１３−また
は４−ブロモメチル−α−メチルシンナーＥ：＝ トＩ
） Ａ、、２−１３ または４−ヨードメチル−α−
メチルシンナモニトリル、 ２−１３−また＆！４−
（２−７’ロモエチル）ベンゾニトリル、２−１３−ま
たは４−（２−ヨードエチル）ベンゾニトリル、２−１
３−または４−（２−ｐ−１ルエンスルホニルオキシエ
チル）ベンゾニトリル、２−１３−または４−（２−ブ
ロモエチル）フェニルアセトニトリル、２−．３−また
は４−（２−ヨードエチル）フェニルアセトニトリル、
２−１３−または４−（２−ｐ−トルエンスルボニルオ
キシエチル）フェニルアセトニトリル、２−１３−また
は４−（３−ブロモプロピル）ベンゾニトリル、２−１
３−または４−（３−ヨードプロピル）ベンゾニトリル
、２−１３−またＶ工４−（３−ｐ−）ルエンスルボニ
ルオキシグロビル）ベンゾニトリル、 ２−１３−マ
ｒ、：ハ４−（３−ブロモー１−７’ロベニル）ベンゾ
ニトリル、２−１３−または４−（３−ヨード−１−グ
ロペニル）ベンゾニトリル、 ２−、 ３−マたは４
−（３−ｐ−）ルエンスルボニルオキシ−１−クロペニ
ルンベンゾニトリルなどのニトリル誘導体号よび対応す
るカルボン酸のアルキルエステル誘４体、たトエばメチ
ルエステル、エチルエステル、プロピルエステルなどを
あげることができる。
６５Ｌ Ｃｈｅｍ、 Ａｂｓｔｒ、 ６４゜１７７３７
ｂ （１９６６）、 Ｊ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｓｃｉ、
５５（３）、 ２９５−３０２（１９６６）、 Ｊ、
Ｏｒｇ、 Ｃｈｅｍ、 ３５（９）、 ３１６１−４
（１９７０） ） Ｍよびこｎもと類似の方法により
容易に製造することができる。このような例として、た
とえば２−１３−マｆ、Ｊｔ−！、４−クロロメチルベ
ンゾニトリル、２−１３−または４−ブロモメチルベン
ゾニトリＡ’、 ２−１３−マタハ４−ヨードメチルベ
／ソニトＩＪ ル、 ２−、 ３−マタは４−クロロ
メチルシンナモニトリル、２−１３−または４−ブロモ
メチルシンナモニトリル、２−．３−または４−ヨード
メチルシンナモニトリル、３−（２−１３−または４−
クロロメチルフェニル）プロピオニ） ＩＩル、３−（
２−１３−または４−ブロモメチルフェニル）プロピオ
ニトリル、３−（２−１３−または４−ヨードメチルフ
ェニル）プロピオニトリル、４−（２−１３−または４
−クロロメチルフェニル〕ブチロニトリル、４−（２−
１３−マｆ、−’ハ４−フロモメチルフェニル）ブチロ
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メチル−α−メチルシンナモニトリル、２−１３−また
は４−ブロモメチル−α−メチルシンナーＥ：＝ トＩ
） Ａ、、２−１３ または４−ヨードメチル−α−
メチルシンナモニトリル、 ２−１３−また＆！４−
（２−７’ロモエチル）ベンゾニトリル、２−１３−ま
たは４−（２−ヨードエチル）ベンゾニトリル、２−１
３−または４−（２−ｐ−１ルエンスルホニルオキシエ
チル）ベンゾニトリル、２−１３−または４−（２−ブ
ロモエチル）フェニルアセトニトリル、２−．３−また
は４−（２−ヨードエチル）フェニルアセトニトリル、
２−１３−または４−（２−ｐ−トルエンスルボニルオ
キシエチル）フェニルアセトニトリル、２−１３−また
は４−（３−ブロモプロピル）ベンゾニトリル、２−１
３−または４−（３−ヨードプロピル）ベンゾニトリル
、２−１３−またＶ工４−（３−ｐ−）ルエンスルボニ
ルオキシグロビル）ベンゾニトリル、 ２−１３−マ
ｒ、：ハ４−（３−ブロモー１−７’ロベニル）ベンゾ
ニトリル、２−１３−または４−（３−ヨード−１−グ
ロペニル）ベンゾニトリル、 ２−、 ３−マたは４
−（３−ｐ−）ルエンスルボニルオキシ−１−クロペニ
ルンベンゾニトリルなどのニトリル誘導体号よび対応す
るカルボン酸のアルキルエステル誘４体、たトエばメチ
ルエステル、エチルエステル、プロピルエステルなどを
あげることができる。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の製造方
法は以下のようにして行なうことができる。
法は以下のようにして行なうことができる。
すなわち、前記一般式（■）で表わされる化合切と、こ
れと等モル量の前記一般式（ＶＩＯで表わされる化合物
とを無溶媒で、または不活性溶媒中、たとえばクロロホ
ルム、塩化メ壬しン、ベンゼン、トルエン、アセトニト
リル中で、好ましくはアセトニトリル中で室温〜１５０
℃で２時間〜−夜かきまぜる。
れと等モル量の前記一般式（ＶＩＯで表わされる化合物
とを無溶媒で、または不活性溶媒中、たとえばクロロホ
ルム、塩化メ壬しン、ベンゼン、トルエン、アセトニト
リル中で、好ましくはアセトニトリル中で室温〜１５０
℃で２時間〜−夜かきまぜる。
反応終了後必要に応じて反応液に、あるいは減圧Ｆに溶
媒ケ留去した後の残留物に、適当なＭ機溶媒、たとえば
、エチルエーテルを加えて析出する結晶または粉末をろ
取し、乾燥して目的物（ｆｆｆ辱る。
媒ケ留去した後の残留物に、適当なＭ機溶媒、たとえば
、エチルエーテルを加えて析出する結晶または粉末をろ
取し、乾燥して目的物（ｆｆｆ辱る。
この反応にＫいては前記一般式（Ｖ）に対応する副生成
物はほとんどみられず、また目的生成物が反応系にＫい
て塩の形で鍔らルるために不純物が混入せず、簡単な単
離、精製法によって目的物が純度よ（得られる。また、
上記製造方法の反応は中性条件下で行なわれ、かつきわ
めて緩和な条件Ｆで進行するために副反応が少な（目的
物が高収率で得られる。さらに、この反応では等モル献
の原料を使用し、いずれか一方の原料のみを過剰量用い
て浪費することがないので製造コストが廉価である。本
発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合例から前記一
般式（ＩＩ）で表わされる化合物への変換は、前述した
ようにきわめて容易にしかもほとんど定量的に進行する
ため、目的物の補記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合物
がきわめて高収率でしかも高純度で得られる。
物はほとんどみられず、また目的生成物が反応系にＫい
て塩の形で鍔らルるために不純物が混入せず、簡単な単
離、精製法によって目的物が純度よ（得られる。また、
上記製造方法の反応は中性条件下で行なわれ、かつきわ
めて緩和な条件Ｆで進行するために副反応が少な（目的
物が高収率で得られる。さらに、この反応では等モル献
の原料を使用し、いずれか一方の原料のみを過剰量用い
て浪費することがないので製造コストが廉価である。本
発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合例から前記一
般式（ＩＩ）で表わされる化合物への変換は、前述した
ようにきわめて容易にしかもほとんど定量的に進行する
ため、目的物の補記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合物
がきわめて高収率でしかも高純度で得られる。
このように、本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化
合物から前記一般式（Ｕ）で表わさ几るイミダゾール誘
導体を製造する方法は、従来の製造方法に４七べ、目的
生成物の純度、収率、反応条件、反応操作、製造コスト
など多（の点できわめて凝れだ方法であり、工業的製造
方法としてきわめて有用性の扁い製造方法である。従っ
て本発明の前記一般式（１）で表わさｎる化合物は医薬
品として有用な前記一般式（ＩＩ）で表わされるイミダ
ゾール誘導体の製造中間体としてきわめて重要な化合物
である。
合物から前記一般式（Ｕ）で表わさ几るイミダゾール誘
導体を製造する方法は、従来の製造方法に４七べ、目的
生成物の純度、収率、反応条件、反応操作、製造コスト
など多（の点できわめて凝れだ方法であり、工業的製造
方法としてきわめて有用性の扁い製造方法である。従っ
て本発明の前記一般式（１）で表わさｎる化合物は医薬
品として有用な前記一般式（ＩＩ）で表わされるイミダ
ゾール誘導体の製造中間体としてきわめて重要な化合物
である。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物としては
、たとえば１−アセチル−３−（２−（２−１トキシ力
ルポニルビニル）ベンジルコイミダゾリウムプロミド、
１−アセ千ルー３−（：３−（２−エトキシカルボニル
ビニル）ベンジル］イミタソリウムプロミド、１−了セ
チル−３−ｒ：４−（２−メトキシカルボニルビニル）
ベンジルコイミダゾリウムプロミド、１−アセキル−３
−〔４−（２−エトキシカルボニル−１−７”ロベニル
）ベンジルコイミダゾリウムヨーシト、１−アセ千ルー
３−［４−（２−シアンビニル）ベンジルコイばダゾリ
ウムグロミド、ｌ−アセチル−３−〔４−（２−エトキ
シカルボニルエチル）ベンジルコイミダゾリウムヨーシ
ト、ｌ−了七千ルー３−〔３−（４−エトキシカルボニ
ルフェニル）フロビル」イばダゾリウムヨージド、１−
アセチル−３−（４−エトキシカルボニルシンナミル）
イεダゾリウムプロミド、■−ベノゾイルー３−〔４−
（２−メトキシカルボニルビニル）ベンジルコイミダゾ
リウムプロミド、１−ベンゾイル−３−（４−（２−１
−）キシカルボニル−１−フロベニル）ヘンシル〕イミ
ダゾリウムヨーシト、１−エトキシカルボニル−３−Ｃ
４−（２−メトキシカルボニルビニル）ベンジルコイミ
ダゾリウムプロミドなどをあげることができる。
、たとえば１−アセチル−３−（２−（２−１トキシ力
ルポニルビニル）ベンジルコイミダゾリウムプロミド、
１−アセ千ルー３−（：３−（２−エトキシカルボニル
ビニル）ベンジル］イミタソリウムプロミド、１−了セ
チル−３−ｒ：４−（２−メトキシカルボニルビニル）
ベンジルコイミダゾリウムプロミド、１−アセキル−３
−〔４−（２−エトキシカルボニル−１−７”ロベニル
）ベンジルコイミダゾリウムヨーシト、１−アセ千ルー
３−［４−（２−シアンビニル）ベンジルコイばダゾリ
ウムグロミド、ｌ−アセチル−３−〔４−（２−エトキ
シカルボニルエチル）ベンジルコイミダゾリウムヨーシ
ト、ｌ−了七千ルー３−〔３−（４−エトキシカルボニ
ルフェニル）フロビル」イばダゾリウムヨージド、１−
アセチル−３−（４−エトキシカルボニルシンナミル）
イεダゾリウムプロミド、■−ベノゾイルー３−〔４−
（２−メトキシカルボニルビニル）ベンジルコイミダゾ
リウムプロミド、１−ベンゾイル−３−（４−（２−１
−）キシカルボニル−１−フロベニル）ヘンシル〕イミ
ダゾリウムヨーシト、１−エトキシカルボニル−３−Ｃ
４−（２−メトキシカルボニルビニル）ベンジルコイミ
ダゾリウムプロミドなどをあげることができる。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物から導び
かれる前記一般式（Ｉ［）で表わされるイミダゾール誘
導体はトロンボキサン・シンセターゼに対して強い阻筈
活性を有し、トロンボキサンＡ２の生合成２強力に阻害
する。従って前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は
トロンボキサンＡ２に起因する疾患の治療薬としてきわ
めて有用な化合物である。
かれる前記一般式（Ｉ［）で表わされるイミダゾール誘
導体はトロンボキサン・シンセターゼに対して強い阻筈
活性を有し、トロンボキサンＡ２の生合成２強力に阻害
する。従って前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は
トロンボキサンＡ２に起因する疾患の治療薬としてきわ
めて有用な化合物である。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物はぎ、２
）めて６易に前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物に
導びくことができる。本発明の前記一般式（Ｉ）で表わ
される化合物から前記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合
物を製造する方法は、従来の製造方法に比べ目的生成物
の純度が高く収率も良好であり、過スｊ≠の原料の浪費
がな（、特別な試薬の使用もないので製造コストが廉価
である。さらに、反応条件が緩４０であり、危険な試薬
の使用もないので安全であり、反応操作が簡単なので製
造設備も簡略化できる。このように、本発明の前記一般
式（Ｉ）で表わされる化合物から前記一般式（Ｉ［）で
表わされる化合物を製造する方法は、従来の製造方法に
比べぎυめて優ｎｆこ方法で占り、工業的製造方法とし
て非常に有用性の高い製造方法である。従って、本発明
の前記一般式（Ｉ）で表わさｎる化合物は、医薬品とし
て有用な前記一般式（ＩＩ）で表わされるイミダゾール
誘導体の製造中間体としてきわめて重要な化合物である
。
）めて６易に前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物に
導びくことができる。本発明の前記一般式（Ｉ）で表わ
される化合物から前記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合
物を製造する方法は、従来の製造方法に比べ目的生成物
の純度が高く収率も良好であり、過スｊ≠の原料の浪費
がな（、特別な試薬の使用もないので製造コストが廉価
である。さらに、反応条件が緩４０であり、危険な試薬
の使用もないので安全であり、反応操作が簡単なので製
造設備も簡略化できる。このように、本発明の前記一般
式（Ｉ）で表わされる化合物から前記一般式（Ｉ［）で
表わされる化合物を製造する方法は、従来の製造方法に
比べぎυめて優ｎｆこ方法で占り、工業的製造方法とし
て非常に有用性の高い製造方法である。従って、本発明
の前記一般式（Ｉ）で表わさｎる化合物は、医薬品とし
て有用な前記一般式（ＩＩ）で表わされるイミダゾール
誘導体の製造中間体としてきわめて重要な化合物である
。
本発明をさらに詳細に説明するために、以下に実施例Ｓ
よび参考例を示す。なお、各実施例Ｓよび参考例におけ
る融点はいずｎも未補正である。
よび参考例を示す。なお、各実施例Ｓよび参考例におけ
る融点はいずｎも未補正である。
実施例 １
１−アセチルイミダゾール１．４３５ｐと４−ブロモメ
チルケイ皮酸メチル３．３３ｙとを乾燥アセトニトリル
７ 、Ｏｒｔｔｅに別え、室温で一夜かきまぜる。析出
する結晶をろ取し、アセトニトリル−エーテルより再結
晶して１−アセ千ルー３−（４−（２−メトキシカルボ
ニルビニル）ベンジルコイミダゾリ９ムブロミド４．７
Ｑを得る（定量的）。
チルケイ皮酸メチル３．３３ｙとを乾燥アセトニトリル
７ 、Ｏｒｔｔｅに別え、室温で一夜かきまぜる。析出
する結晶をろ取し、アセトニトリル−エーテルより再結
晶して１−アセ千ルー３−（４−（２−メトキシカルボ
ニルビニル）ベンジルコイミダゾリ９ムブロミド４．７
Ｑを得る（定量的）。
融 点： １５３〜１５４℃
赤外線吸収スペクトル（’ＫＢｒ）
１／ＣＯ： １７７０．１７１５ｃＴｎ−１核磁気共鳴
スペクトル（ｄ、−ＤＭ８Ｕ）δ： １．９０（ｓ、
３Ｈ） 、 ３．７５（ｓ、 ３［（） 、 ５．５
０Ｃｓ。
スペクトル（ｄ、−ＤＭ８Ｕ）δ： １．９０（ｓ、
３Ｈ） 、 ３．７５（ｓ、 ３［（） 、 ５．５
０Ｃｓ。
２ Ｈ） ｔ ６．６７ （ｄ 、Ｉ Ｅ（、Ｊ−１６
Ｆｌｚ ） ＊ ７．３６〜７−９０ （ｍ、７ Ｈ）
ｔ ９．３１ （ｍ、Ｌ Ｈ）元素分析直 Ｃ、、Ｅ−１，、Ｕ、Ｎ、Ｂｒ トＬ テＣチ
Ｉ−１チ Ｎチ 計算値 ５２．６１ ４，６９ ７．６７実
測値 ５２．８０ ４，６０ ７．８３実施
例 ２ １−ベンゾイルイミダゾール１．７ｙと４−プロモメチ
ルヶイ皮酸メチル２．６１とを乾燥アセトニトリルＯｒ
ｎｌに加え、室温で５時間かぎまぜる。析出する結晶な
ろ框し、了セトニトリルーエーテルより再結晶してｌ−
ベンゾイル−３−（４−（２−メトキシカルボニルビニ
ル〕ベンジル〕イミダゾリウムプロミド３．５１を碍る
（ ８１．４％ ）。
Ｆｌｚ ） ＊ ７．３６〜７−９０ （ｍ、７ Ｈ）
ｔ ９．３１ （ｍ、Ｌ Ｈ）元素分析直 Ｃ、、Ｅ−１，、Ｕ、Ｎ、Ｂｒ トＬ テＣチ
Ｉ−１チ Ｎチ 計算値 ５２．６１ ４，６９ ７．６７実
測値 ５２．８０ ４，６０ ７．８３実施
例 ２ １−ベンゾイルイミダゾール１．７ｙと４−プロモメチ
ルヶイ皮酸メチル２．６１とを乾燥アセトニトリルＯｒ
ｎｌに加え、室温で５時間かぎまぜる。析出する結晶な
ろ框し、了セトニトリルーエーテルより再結晶してｌ−
ベンゾイル−３−（４−（２−メトキシカルボニルビニ
ル〕ベンジル〕イミダゾリウムプロミド３．５１を碍る
（ ８１．４％ ）。
融 点＝１５４〜１５６℃
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
νＣＯ： １７８５．１７４５．１７２０ｃｍ−”ｔＬ
磁気共鳴スペクトル（ｄ６−ＤＭｓｏ）δ： ３．７２
（ｓ 、３ Ｆｌ ） 、５．００ （Ｓ 、３ Ｈ
） ｓ ６．ｂ ６ （ｄ 。
磁気共鳴スペクトル（ｄ６−ＤＭｓｏ）δ： ３．７２
（ｓ 、３ Ｆｌ ） 、５．００ （Ｓ 、３ Ｈ
） ｓ ６．ｂ ６ （ｄ 。
ＩＨ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、７．３３〜８．０７（ｍ、１２
ｔ（）。
ｔ（）。
９．３６（ｍ、ＩＨ）
元素分析値
Ｃ，、ｌ（１，（Ｊ、Ｎ、Ｂｒ としてＣチ Ｈ
％ Ｎ係 計算値 ５９．０２ ４．４８ ６．５６実
測値 ５９，０３ ４．４６ ６．５５実施
列 ３ １−エトキシヵ゛レボニルイミダゾール１．４ｚと４−
ブロモメチルケイ皮酸メチル２．５５ｙとを乾燥アセト
ニトリル５１ＩＩｌに加え、室温で５時間がきまぜる。
％ Ｎ係 計算値 ５９．０２ ４．４８ ６．５６実
測値 ５９，０３ ４．４６ ６．５５実施
列 ３ １−エトキシヵ゛レボニルイミダゾール１．４ｚと４−
ブロモメチルケイ皮酸メチル２．５５ｙとを乾燥アセト
ニトリル５１ＩＩｌに加え、室温で５時間がきまぜる。
析出する結晶なろ取し、了セトニトリルーエーテルヨＱ
４ 結６して１−エトキシカルボニル−３−（４−（
２−メト＊ジカルボニルビニル）ベンジルコイミダゾリ
ウムプロミド２．９１を得る（ ７４．４％ ）。
４ 結６して１−エトキシカルボニル−３−（４−（
２−メト＊ジカルボニルビニル）ベンジルコイミダゾリ
ウムプロミド２．９１を得る（ ７４．４％ ）。
融 点：１２９°Ｃ（分解）
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
νｃｏ： １７８５、ｌ ７１５ｃｍ−”核磁気共鳴ス
ペクトル（ｄ、−ＤＩＪＳＯ）δ： １．３５（ｔ、
３Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ ） 、 ３．７０（ｓ、 ３１（
） 。
ペクトル（ｄ、−ＤＩＪＳＯ）δ： １．３５（ｔ、
３Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ ） 、 ３．７０（ｓ、 ３１（
） 。
４−５３（ｑ、２ Ｈ２Ｊ ＝７Ｈｚ ） ＋ ５．
６０ （Ｓ 、２ Ｈ） ＋７．４７〜８．００（ｍ、
５１（） 、 ８．１０（ｒｎ、 Ｉｔ−１） 。
６０ （Ｓ 、２ Ｈ） ＋７．４７〜８．００（ｍ、
５１（） 、 ８．１０（ｒｎ、 Ｉｔ−１） 。
８．２５（ｍ、 ＩＨ） 、 ８．６５ （ｄ、 Ｉ
ｔ（、Ｊ＝１６ｔ（ｚ ） 。
ｔ（、Ｊ＝１６ｔ（ｚ ） 。
１０．２７（ｍ、ＩＨＪ
元素分析値
Ｃ，、）（１，０，Ｎ、Ｂｒ として６％ Ｈ
％ Ｎ係 計算値 ５１．６６ ４，８５ ７．０９実
測値 ５１．６４ ４，９３ ７．１２実施
例 ４ １−アセチルイミダゾール３．３ｙと４−エトキシカル
ボニルシンナミルプロミド８．ｏ４Ｌｔとを乾燥アセト
ニトリル１０／ｌＩｅに加え、６０ ’Ｃ，で３時間加
熱する。冷却後反応液に乾朶エーテルを加え、析出する
粉末なろ取し、乾燥して１−アセチル−３−（４−エト
キシシンナミル）イミダゾリウムプロミド１０．８．＠
を得る（ ９５．２％ ）。無色、吸湿性アモルファス
。
％ Ｎ係 計算値 ５１．６６ ４，８５ ７．０９実
測値 ５１．６４ ４，９３ ７．１２実施
例 ４ １−アセチルイミダゾール３．３ｙと４−エトキシカル
ボニルシンナミルプロミド８．ｏ４Ｌｔとを乾燥アセト
ニトリル１０／ｌＩｅに加え、６０ ’Ｃ，で３時間加
熱する。冷却後反応液に乾朶エーテルを加え、析出する
粉末なろ取し、乾燥して１−アセチル−３−（４−エト
キシシンナミル）イミダゾリウムプロミド１０．８．＠
を得る（ ９５．２％ ）。無色、吸湿性アモルファス
。
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
シＣＯ：１７７５．１７１５Ｃｒｎ−”核磁気共鳴スペ
クトル（ｄ、−ＤｚｖｌＳＯ）δ： １．３１（ｔ、
３ｔ（、Ｊ＝７Ｈｚ） 、 １．９０（ｓ、 ３ｔ（
） 。
クトル（ｄ、−ＤｚｖｌＳＯ）δ： １．３１（ｔ、
３ｔ（、Ｊ＝７Ｈｚ） 、 １．９０（ｓ、 ３ｔ（
） 。
４．３３（Ｑ、２比Ｊ ＝７Ｈｚ）、 ５．１３（ｄ
、２ｔ（。
、２ｔ（。
Ｊ＝５ｆ（ｚ）、 ６．６７〜６．８５″Ｃｍ、２ｌ
−１）、 ７．６５（ｄ、 ２ｆ（、Ｊ＝８Ｈｚ
） 、 ７．７８ （Ｉｎ、 １ｌ−１
） 。
−１）、 ７．６５（ｄ、 ２ｆ（、Ｊ＝８Ｈｚ
） 、 ７．７８ （Ｉｎ、 １ｌ−１
） 。
７．８７（ｍ、ｌＨ）、７．９５（ｄ、２１］、Ｊ−８
Ｈ２）。
Ｈ２）。
９．２７（ｍ、ＩＨ）
実施例 ５
１−アセチルイミダゾール１．１ ｙと４−（３−クロ
ロプロピル）安息香酸エチル２．２Ｑとヨウ化ナトリウ
ム１．５ｚとを乾燥了セトニトリル１ｏＩｎｌに＠濁し
、封管中１４０ ’Ｃ，で１８時間加熱が（はんする。
ロプロピル）安息香酸エチル２．２Ｑとヨウ化ナトリウ
ム１．５ｚとを乾燥了セトニトリル１ｏＩｎｌに＠濁し
、封管中１４０ ’Ｃ，で１８時間加熱が（はんする。
冷却後、不溶物をろ去し、減圧下に各課を留去する。残
留物に乾燥エーテルを加え、析出する粉末なろ取し、乾
燥して１−了セチル−３−（３−（４−エトキシカルボ
ニルフェニル）フロビル〕イミダゾリウムヨーシト３．
９’Ｑを得る（ ９３．２％ ）。淡黄色、吸湿性アモ
ルファス。
留物に乾燥エーテルを加え、析出する粉末なろ取し、乾
燥して１−了セチル−３−（３−（４−エトキシカルボ
ニルフェニル）フロビル〕イミダゾリウムヨーシト３．
９’Ｑを得る（ ９３．２％ ）。淡黄色、吸湿性アモ
ルファス。
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ ）
ｖｃＯ：１７８０．１７０５ｃＭＴ−’核磁気共鳴スペ
クトル（ｄ、 −Ｄ＋ＪＳＯ）δ ： １．３３
（ｔ、 ３Ｈ，Ｊ＝７ トＩｚ）、 １．９
５（ｓ、 ３Ｈ）。
クトル（ｄ、 −Ｄ＋ＪＳＯ）δ ： １．３３
（ｔ、 ３Ｈ，Ｊ＝７ トＩｚ）、 １．９
５（ｓ、 ３Ｈ）。
２−００〜２−４５ （ｍ、２ Ｈ） ＋ ２−６０〜
２−９０ （ｍ 。
２−９０ （ｍ 。
２ｔ−１）、 ４．０５〜４．４５（ｍ、２Ｈ）、
４．３５（ｑ。
４．３５（ｑ。
２）（、Ｊ＝７Ｈｚ）、 ７．３５（ｍ、ｔＨ）、
７．４０（ｄ、２１Ｌ Ｊ＝９ｔ（ｚ）、 ７．５
８（ｍ、ＩＨ）。
７．４０（ｄ、２１Ｌ Ｊ＝９ｔ（ｚ）、 ７．５
８（ｍ、ＩＨ）。
７．９３ （ｄ、 ２Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ ） 、
８．４９ （ｍ、 ＩＨ）実施例 ６ 実施例１〜実施例５の方法と実質上同一の方法によって
以下の化合物を製造することができる。
８．４９ （ｍ、 ＩＨ）実施例 ６ 実施例１〜実施例５の方法と実質上同一の方法によって
以下の化合物を製造することができる。
参考例 １
１−アセチル−３−（４−（２−メトキシカルボニルビ
ニル）ベンジルコイミダゾリウムプロミド６００ ｍｇ
を２Ｎ−塩ｄ１６０ｍｅｔ／Ｃ浴解し、８０℃で１時間
加熱する。反応液を減圧下に虚縮し、残留物にアセトン
を加えて析出する結晶なろ取し、乾燥して４−（１−イ
ミダゾリルメチル）ケイ皮酸・塩酸塩・−水和物４５０
ｍｇを得る（９７．０係）。
ニル）ベンジルコイミダゾリウムプロミド６００ ｍｇ
を２Ｎ−塩ｄ１６０ｍｅｔ／Ｃ浴解し、８０℃で１時間
加熱する。反応液を減圧下に虚縮し、残留物にアセトン
を加えて析出する結晶なろ取し、乾燥して４−（１−イ
ミダゾリルメチル）ケイ皮酸・塩酸塩・−水和物４５０
ｍｇを得る（９７．０係）。
融 点：２２８〜２３２℃（分解）
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ ）
）／ＣＯ： １６９０．１６３０ｃｒｎ−’核磁気共鳴
スペクトル（ｄ６−ＤＭ８０）δ： ５．５５（ｓ、
２Ｈ） 、 ６．５７（ｄ、 Ｉｔ（、Ｊ ＝１６ｔ（
ｚ） 。
スペクトル（ｄ６−ＤＭ８０）δ： ５．５５（ｓ、
２Ｈ） 、 ６．５７（ｄ、 Ｉｔ（、Ｊ ＝１６ｔ（
ｚ） 。
７．４０−７．９５（ｍ、 ７Ｈ） 、 ９．４４（
ｍ、 ＩＨ）元素分析値 Ｃ８−■□、Ｕ、Ｎ、ＣＩ として Ｃチ １■チ Ｎチ 計算値 ５５．２２ ５．３５ ９．９１実
測値 ５５．３１ ５，３８ ９．８５参考
例 ２ １−アセチル−３−［４−（２−メトキシカルボニルビ
ニル）ベンジル〕イミダツリウムプロミド３，６Ｑを水
３０ｍ１ＶＣｆＪかし、炭酸ナトリウムケ加えて弱アル
カリ性とし、析出する結晶なう取し、四塩化炭素より再
結晶して４−（１−イミダソ゛１」ルメ千ル）ケイ皮酸
メ千ル２．３ｙ’ｔｒ得る（９５．８％ ）。
ｍ、 ＩＨ）元素分析値 Ｃ８−■□、Ｕ、Ｎ、ＣＩ として Ｃチ １■チ Ｎチ 計算値 ５５．２２ ５．３５ ９．９１実
測値 ５５．３１ ５，３８ ９．８５参考
例 ２ １−アセチル−３−［４−（２−メトキシカルボニルビ
ニル）ベンジル〕イミダツリウムプロミド３，６Ｑを水
３０ｍ１ＶＣｆＪかし、炭酸ナトリウムケ加えて弱アル
カリ性とし、析出する結晶なう取し、四塩化炭素より再
結晶して４−（１−イミダソ゛１」ルメ千ル）ケイ皮酸
メ千ル２．３ｙ’ｔｒ得る（９５．８％ ）。
融 点 ： １１６〜１１７℃
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
ｖｃＯ： １７０５Ｃｒｎ−’
核Ｉｌａ気共鳴スヘク） ル（ＣＩ）ＣＩ、 ）δ：
３．８０（ｓ、 ３Ｈ） 、 ５．１３（ｓ、 ２Ｈ）
、 ６．４０（ｄ。
３．８０（ｓ、 ３Ｈ） 、 ５．１３（ｓ、 ２Ｈ）
、 ６．４０（ｄ。
ＩＨ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、 ６．９０（ｍ、１ｆ−１）、
７．０５〜７．８０（ｍ、 ７Ｈ） 元素分析値 Ｃ１４Ｈ１４ＯＮ”ｔ として Ｃチ ）Ｉ ｔＩ）Ｎチ
７．０５〜７．８０（ｍ、 ７Ｈ） 元素分析値 Ｃ１４Ｈ１４ＯＮ”ｔ として Ｃチ ）Ｉ ｔＩ）Ｎチ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）一般式 （式中のＡおよびＢは同じでも異なっていてもよく、そ
れぞれ炭素数１から８の直鎖状または枝分れ状アルキレ
ン鎖またはアルケニレン鎖テあり、Ｙは炭素数２から１
０のアシル基、炭素数２から７のアルコキシカルボニル
基あるいは炭素ａ３から１３のジアルコキシメチル基で
あり、Ｘは酸残基であり、Ｚはシアン基または炭素数２
から７のアルコキシカルボニル基テあり、ｎは０または
ｌである）で表わされるｌ、４−二置換イミダゾール誘
導体。 ２）一般式 （式中のＹ工は炭素数２から１０のアシル基であり、Ａ
、Ｂ、Ｘ、Ｚおよびｎは前記と同じ意味をもつ）で表わ
される特許請求の範囲第１項記載の１，３−二置換イミ
ダゾール誘導体。 ３）前記一般式においてＹ□が了セチル基である特許請
求の範囲第２項記載のイミダゾール誘導体。 ４）前記一般式においてＹｌがベンゾイル基である特許
請求の範囲第２項記載のイミダゾール誘導体。 ５）一般式 （式中のＹ２は炭素数２から７のフルコキシカルポニル
基であり、Ａ、Ｂ、ｎ、ＸおよびＺは前記と同じ意味を
もつ）で表わされる特許請求の範囲第１項記載のイミダ
ゾール誘導体。 ６）前記一般式に、６いてＹｔがエトキシカルボニル基
である特許請求の範囲第５項記載のイミダゾール誘導体
。 ７）一般式 （式中のＹ、は炭素数３から１３のジアルコキシメチル
基であり、Ａ、Ｂ、ｎ、ＸｇよびＺは前記と同じ意味を
もつ）で表わされる特許請求の範囲第１項記載のイミダ
ゾール誘導体。 ８）前記一般式にどいてＹ、がジェトキシメチル基であ
る特許請求の範囲第７項記載のイミダゾール誘導体。 ９）式 ％式％（２） で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １０）代 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １１）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １２）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １３）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １４）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １５）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １６）式 で表わされる特許請求の範囲第３項記載のイミダゾール
誘導体。 １７３式 で表わされる特許請求の範囲第４項記載のイミダゾール
誘導体。 １８）式 で表わされる特許請求の範囲第４項記載のイミダゾール
誘導体。 １９）式 で表わされる特許請求の範囲、５ｇ６項記載のイミダゾ
ール誘導体。 ２０）一般式 （式中のＹは炭素数２から１０のアシル基、炭素数２か
ら７の了ルコキ７カルボニｌし基ある（・は炭素数３か
ら１３のジアルコキシメチル基である）で表わされるイ
ばダゾール誘導体と、一般式 （式中のＡおよびＢは同じでも異なってし・てもよ（、
それぞれ炭素数１から８の直鎖状または枝分れ状アルキ
レン鎖またはアルケニレン鎖であり、Ｘは酸残基であり
、Ｚはシア〕基また＆ま炭素数２から７のフルコキシ力
ルボニル基であり、ｎはＯまたは１である）で表わされ
る化合物とを反応させることを特徴とする、一般式（式
中のＡ、Ｂ、Ｘ、Ｙ、Ｚｇよびｎは前記と同じ意味をも
つ）で表わされるイミダゾール誘導体の製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153404A JPS5855466A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 新規な１，３−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
| FI823291A FI823291L (fi) | 1981-09-28 | 1982-09-24 | Foerfarande foer produktion av 1,3-disubstituerade imidazoler |
| US06/423,332 US4469865A (en) | 1981-09-28 | 1982-09-24 | 1,3-Disubstituted imidazoles |
| DK428382A DK428382A (da) | 1981-09-28 | 1982-09-27 | Hidtil ukendte 1,3-disubstituerede imidazoler og fremgangsmaade til deres fremstilling |
| HU823106A HU188808B (en) | 1981-09-28 | 1982-09-27 | Process for preparing 1,3-disubstituted imidazoles |
| KR1019820004368A KR840001558A (ko) | 1981-09-28 | 1982-09-28 | 1,3-디치환된 이미다졸의 제조방법 |
| EP82305099A EP0076140A3 (en) | 1981-09-28 | 1982-09-28 | 1,3-disubstituted imidazoles and a process for their production |
| CA000412356A CA1184185A (en) | 1981-09-28 | 1982-09-28 | 1,3-disubstituted imidazoles and a process for their production |
| AU88809/82A AU8880982A (en) | 1981-09-28 | 1982-09-28 | 1-acetyl(benzoyl)-3-(substituted benzyl)-imidazolium halides |
| ES516035A ES516035A0 (es) | 1981-09-28 | 1982-09-28 | "un procedimiento para la produccion de un derivado de imidazol 1,3-disustituido". |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153404A JPS5855466A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 新規な１，３−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855466A true JPS5855466A (ja) | 1983-04-01 |
| JPH0234943B2 JPH0234943B2 (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=15561744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56153404A Granted JPS5855466A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 新規な１，３−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4469865A (ja) |
| EP (1) | EP0076140A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5855466A (ja) |
| KR (1) | KR840001558A (ja) |
| AU (1) | AU8880982A (ja) |
| CA (1) | CA1184185A (ja) |
| DK (1) | DK428382A (ja) |
| ES (1) | ES516035A0 (ja) |
| FI (1) | FI823291L (ja) |
| HU (1) | HU188808B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4581370A (en) * | 1983-07-12 | 1986-04-08 | Schering A.G. | Antiarrhythmic imidazoliums |
| CN103044333A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-17 | 德州翰华医药化学有限公司 | 一种高纯度奥扎格雷钠的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS55313A (en) * | 1978-06-13 | 1980-01-05 | Kissei Pharmaceut Co Ltd | Imidazole derivative |
| JPS56113766A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-07 | Teijin Ltd | Novel 1-substituted imidazole derivative and its preparation |
| JPS57131769A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-14 | Kissei Pharmaceut Co Ltd | 4-(1-imidazolylmethyl)cinnamic acid hydrochloride monohydrate, its preparation and drug containing the same |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56153404A patent/JPS5855466A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-24 FI FI823291A patent/FI823291L/fi not_active Application Discontinuation
- 1982-09-24 US US06/423,332 patent/US4469865A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-27 DK DK428382A patent/DK428382A/da not_active Application Discontinuation
- 1982-09-27 HU HU823106A patent/HU188808B/hu unknown
- 1982-09-28 CA CA000412356A patent/CA1184185A/en not_active Expired
- 1982-09-28 ES ES516035A patent/ES516035A0/es active Granted
- 1982-09-28 AU AU88809/82A patent/AU8880982A/en not_active Abandoned
- 1982-09-28 KR KR1019820004368A patent/KR840001558A/ko unknown
- 1982-09-28 EP EP82305099A patent/EP0076140A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
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|---|---|
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| EP0076140A2 (en) | 1983-04-06 |
| FI823291L (fi) | 1983-03-29 |
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| ES516035A0 (es) | 1983-10-01 |
| KR840001558A (ko) | 1984-05-07 |
| US4469865A (en) | 1984-09-04 |
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| CA1184185A (en) | 1985-03-19 |
| AU8880982A (en) | 1983-04-14 |
| EP0076140A3 (en) | 1984-02-15 |
| HU188808B (en) | 1986-05-28 |
| DK428382A (da) | 1983-03-29 |
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