JPS5854462B2 - 電子線偏向器 - Google Patents
電子線偏向器Info
- Publication number
- JPS5854462B2 JPS5854462B2 JP53114628A JP11462878A JPS5854462B2 JP S5854462 B2 JPS5854462 B2 JP S5854462B2 JP 53114628 A JP53114628 A JP 53114628A JP 11462878 A JP11462878 A JP 11462878A JP S5854462 B2 JPS5854462 B2 JP S5854462B2
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- JP
- Japan
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- deflector
- electron beam
- magnetic field
- electrostatic
- deflection
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線描画装置などに用いられる電子線の走
査偏向器の改良に関するものである。
査偏向器の改良に関するものである。
電子線描画装置においで、試料面に電子線を垂直入射さ
せる電子光学系は、試料面の上下変動が生起しても位置
ずれを生じさせないため、電子線描画を行なう上で非常
に有効な手段である。
せる電子光学系は、試料面の上下変動が生起しても位置
ずれを生じさせないため、電子線描画を行なう上で非常
に有効な手段である。
一般に、このような電子光学系を用いた方式は、第１図
に示されるように、テレセンドリンク方式といわれてい
る。
に示されるように、テレセンドリンク方式といわれてい
る。
図１こおいて、レンズ３の焦点距離の位置に配置された
偏向器１により偏向された電子線２は、レンズ３を通っ
て光軸に平行に進む。
偏向器１により偏向された電子線２は、レンズ３を通っ
て光軸に平行に進む。
従って、試料面４に垂直入射される電子線２は、試料面
４が上下に変動しても位置ずれを生じない。
４が上下に変動しても位置ずれを生じない。
従来のテレセンドリンク方式は、磁界型偏向器を１個用
いて構成しているのが普通であるが、近年、描画速度向
上のために、第２図に示すような磁界型偏向器１１と静
電型偏向器１２とを組み合わせて用いる構成のものが考
案されている。
いて構成しているのが普通であるが、近年、描画速度向
上のために、第２図に示すような磁界型偏向器１１と静
電型偏向器１２とを組み合わせて用いる構成のものが考
案されている。
この場合、偏角収差の小さい磁界型偏向器１１で大角偏
向を行ない、速度のはやい静電型偏向器１２で小角偏向
を行なう。
向を行ない、速度のはやい静電型偏向器１２で小角偏向
を行なう。
図のように磁界型偏向器１１の上方に静電型偏向器１２
を配置したものの他に、その逆に配置された構成のもの
もある。
を配置したものの他に、その逆に配置された構成のもの
もある。
いずれにしろ、このような構成では、高速でかつ収差を
小さくできる利点を有する反面、本来のテレセンドリン
ク方式がくずれてしまう欠点を有する。
小さくできる利点を有する反面、本来のテレセンドリン
ク方式がくずれてしまう欠点を有する。
また、従来の静電偏向器は導電体でつくられているため
、磁界型偏向器を働らかせると導電体にエディ−カレン
ト（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）が生じ必要な磁場を得
るのに時間がかかるなどの種々の欠点を有する。
、磁界型偏向器を働らかせると導電体にエディ−カレン
ト（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）が生じ必要な磁場を得
るのに時間がかかるなどの種々の欠点を有する。
本発明は、上記の点に着目してなされたものであり、磁
界型と静電型偏向器からなる電子線の走査偏向器におい
て、試料面の上下変動が生じても位置ずれを生じさせず
、かつ周波数特性のすぐれた電子線偏向器を提供するも
のである。
界型と静電型偏向器からなる電子線の走査偏向器におい
て、試料面の上下変動が生じても位置ずれを生じさせず
、かつ周波数特性のすぐれた電子線偏向器を提供するも
のである。
上記目的を達成するために、本発明では、磁界型偏向器
の内部もしくは近傍に静電型偏向器を配設して両偏向器
の偏向中心を一致せしめ、かつ周波数特性向上のため静
電型偏向器の偏向板には、絶縁体に非磁性導電物を塗布
したものを用いる。
の内部もしくは近傍に静電型偏向器を配設して両偏向器
の偏向中心を一致せしめ、かつ周波数特性向上のため静
電型偏向器の偏向板には、絶縁体に非磁性導電物を塗布
したものを用いる。
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
第３図は、本発明の一実施例を示す図である。
絶縁体２１の板の表面に非磁性導電物２２を塗布した静
電型偏向器と、偏向コイル２３と磁性体（フェライト）
２４とからなる磁界型偏向器とからなっている。
電型偏向器と、偏向コイル２３と磁性体（フェライト）
２４とからなる磁界型偏向器とからなっている。
静電型偏向器の絶縁体２１の表面に非磁性導電物２２を
塗布したものを用いるのは、磁界型偏向器のエディ−カ
レントによる磁場レスポンスの悪化を防止するためであ
る。
塗布したものを用いるのは、磁界型偏向器のエディ−カ
レントによる磁場レスポンスの悪化を防止するためであ
る。
これによって、動特性（周波数特性）を向上させること
ができる。
ができる。
本実施例では、静電型偏向器の方が磁界型偏向器の内部
に配置され、両者の偏向中心が一致するように構成され
ている。
に配置され、両者の偏向中心が一致するように構成され
ている。
図のように上、下対称形の場合は、各々の偏向器の機械
的中心を一致させればよい。
的中心を一致させればよい。
また、非対称の場合には、電場、磁場分布をもとめれば
偏向中心が知れるので、これによって両者の偏向中心を
一致させる。
偏向中心が知れるので、これによって両者の偏向中心を
一致させる。
静電型偏向器は高速、小角偏向に用い、電磁型偏向器は
低速、大角偏向に用いる。
低速、大角偏向に用いる。
これは、磁場レスポンスや収差の観点から各々の偏向器
の特徴をいかしたものである。
の特徴をいかしたものである。
偏向中心の一致は、いかなる偏向時にも偏向中心を固定
にできるためである。
にできるためである。
このような電子線偏向器を有する偏向系を最終レンズの
焦点距離の位置に配置させることによって、試料面に上
下変動が生起しても位置ずれを生起することはなく、所
謂テレセンドリンク方式を維持できる。
焦点距離の位置に配置させることによって、試料面に上
下変動が生起しても位置ずれを生起することはなく、所
謂テレセンドリンク方式を維持できる。
本発明では、静電型偏向器における絶縁体２１としてデ
ルリン、ガラス、テフロン等を用い、非磁性導電物２２
にはネサコーティング、銅メッキ、金メッキ等を用い、
また、磁界型偏向器における磁性体２４として、フェラ
イト等を用いる。
ルリン、ガラス、テフロン等を用い、非磁性導電物２２
にはネサコーティング、銅メッキ、金メッキ等を用い、
また、磁界型偏向器における磁性体２４として、フェラ
イト等を用いる。
本発明により周波数特性がどのように向上するかを以下
に示す。
に示す。
最初に、従来のように静電偏向板に導体（銅板）を用い
たとする。
たとする。
この銅板の厚みを、今１間（一般によく使用されている
値）とすると、この場合の電磁偏向の周波数特性は、ｆ
ｏご１．３ｋ Ｈｚとなり、目標値の２Ｘ１０’の精度
内（これは５關のステップ偏向で０．１μｍの精度を意
味する。
値）とすると、この場合の電磁偏向の周波数特性は、ｆ
ｏご１．３ｋ Ｈｚとなり、目標値の２Ｘ１０’の精度
内（これは５關のステップ偏向で０．１μｍの精度を意
味する。
）におさめるために必要な時間ｔは、約１．４ＴＬＢ、
となる。
となる。
ここで、上記のｆＣは、時定数τ、透磁率μ、導電率σ
および導体の厚みｄによって与えられる次式から求めら
れる。
および導体の厚みｄによって与えられる次式から求めら
れる。
すなわち、τ ＝μ・σ・ｄ２
ｆｃ＝０．１６／τ
ここで、μ二４π・１０−７〔ｇ−８ｅｃ−１・ｍ−１
〕、σ二１０８〔ｇ−１・ｍ−１〕である。
〕、σ二１０８〔ｇ−１・ｍ−１〕である。
また、上述の時間ｔは、ｅ−’Ａ ＝ ２ Ｘ １０−
５から求められる。
５から求められる。
これに対して、本発明の場合には、静電偏向板として絶
縁体に厚さ３０μｍ以下の銅メッキを施したものを用い
たとすると、上式から電磁偏向の周波数特性はｆ。
縁体に厚さ３０μｍ以下の銅メッキを施したものを用い
たとすると、上式から電磁偏向の周波数特性はｆ。
：：１．４ｋＨｚとなり、目標値の２×１０−５の精度
内におさめるために必要な時間ｔは、１．２μＳでよい
ことになる。
内におさめるために必要な時間ｔは、１．２μＳでよい
ことになる。
このことから、電子線描画装置などのように高速偏向が
要求される場合に、本発明を適用して得られる効果は非
常に大きい。
要求される場合に、本発明を適用して得られる効果は非
常に大きい。
第１図は、テレセンドリンク方式の電子光学系を説明す
る図、第２図は、従来の電子線偏向器の一例を示す図、
および第３図は、本発明の電子線偏向器の一実施例を示
す図である。 図において、１１・・・・・・磁界型偏向器、１２・・
・・・・静電型偏向器、２１・・・・・・絶縁体、２２
・・・・・・非磁性導電物、２３・・・・・・偏向コイ
ル、２４・・・・・・磁性体。
る図、第２図は、従来の電子線偏向器の一例を示す図、
および第３図は、本発明の電子線偏向器の一実施例を示
す図である。 図において、１１・・・・・・磁界型偏向器、１２・・
・・・・静電型偏向器、２１・・・・・・絶縁体、２２
・・・・・・非磁性導電物、２３・・・・・・偏向コイ
ル、２４・・・・・・磁性体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁界型偏向器の内部に静電型偏向器を配置してなる
電子線偏向器において、該静電型偏向器を、絶縁体の表
面に非磁性導電物を塗布しで構成したことを特徴とする
電子線偏向器。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電子線偏向器において
、前記磁界型偏向器と前記静電型偏向器の偏向中心を一
致せしめて構成したことを特徴とする電子線偏向器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53114628A JPS5854462B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 電子線偏向器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53114628A JPS5854462B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 電子線偏向器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541654A JPS5541654A (en) | 1980-03-24 |
| JPS5854462B2 true JPS5854462B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14642597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53114628A Expired JPS5854462B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 電子線偏向器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854462B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585952A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | 荷電粒子集束偏向装置 |
| FR2584234B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1988-12-09 | Cameca | Testeur de circuit integre a faisceau d'electrons |
| JPH078850B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1995-02-01 | 三菱油化株式会社 | ペンタエリスリト−ル−テトラキス（３−アルキルチオ−プロピオネ−ト）の製造方法 |
| JPH08124505A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nikon Corp | 電磁レンズ及び該電磁レンズの製造方法 |
-
1978
- 1978-09-20 JP JP53114628A patent/JPS5854462B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541654A (en) | 1980-03-24 |
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