JPS5854191B2 - Double-sided sputtering equipment - Google Patents
Double-sided sputtering equipmentInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平板状基板の両面に同一の性質を有する薄膜
を作製するためのスパッタリング装置の構造に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the structure of a sputtering apparatus for producing thin films having the same properties on both sides of a flat substrate.
特に基板が薄い場合に基板に付着したスパッタ膜に生ず
る内部応力による基板の変形を防止するため、基板の両
面にほぼ同時にスパッタリングによる薄膜形成ができる
装置に関するものである。In particular, the present invention relates to an apparatus that can form thin films on both surfaces of a substrate almost simultaneously by sputtering in order to prevent deformation of the substrate due to internal stress generated in a sputtered film attached to the substrate when the substrate is thin.
スパッタリングにより薄膜が形成される極く初期の段階
では、膜を形成する原子の作る結晶格子間隔が、下地の
基板の原子を作る結晶格子間隔に近い配列をすると考え
られている。At the very early stage when a thin film is formed by sputtering, the crystal lattice spacing of the atoms forming the film is thought to be arranged close to the crystal lattice spacing of the atoms in the underlying substrate.
そして膜が成長して厚くなるのに従い、膜を形成する材
料本来の結晶格子間隔に原子配列が近づいていく。As the film grows and becomes thicker, the atomic arrangement approaches the original crystal lattice spacing of the material forming the film.
従って膜の内部では、原子配列が完全に均一には行われ
ておらず、これが膜内に応力を生ずる第1の原因となる
。Therefore, the atomic arrangement within the film is not completely uniform, and this is the primary cause of stress within the film.
次にスパッタリングによる膜作製最中には基板側を高エ
ネルギーのアルゴン原子が叩き、一部は膜の内部にまで
突入する。Next, during film fabrication by sputtering, high-energy argon atoms hit the substrate side, and some of them penetrate into the film.
本来存在すべからざるアルゴン原子が膜を形成する結晶
格子の格子間に入ることになり、格子を押し拡げようと
する力が働き、これは膜内に圧縮応力を生ずる原因とな
る。Argon atoms, which should not exist in the first place, enter the interstitial spaces of the crystal lattice forming the film, exerting a force that tries to expand the lattice, which causes compressive stress within the film.
更にスパッタリング最中の基板温度が常温でない場合に
は、膜作製後に常温に戻すと、膜材料と基板材料の熱膨
張係数が異なるために膜に応力が生ずることになる。Further, if the substrate temperature during sputtering is not room temperature, stress will be generated in the film if the temperature is returned to room temperature after film fabrication because the film material and the substrate material have different coefficients of thermal expansion.
以上がスパッタリングによって作製した膜に応力が発生
する機構であると考えられている。The above is thought to be the mechanism by which stress is generated in a film produced by sputtering.
生ずる応力は引張と圧縮の異なる方向のものがある。The stresses that occur are in different directions: tensile and compressive.
圧縮応力となるか引張応力となるかは、膜材質と基板材
質の組合わせのほかに、膜作製中の基板温度、膜付着速
度、スパッタリング最中の圧力、その他の作製条件によ
っても影響を受ける。Whether the stress is compressive or tensile is influenced not only by the combination of film and substrate materials, but also by the substrate temperature during film fabrication, film deposition rate, pressure during sputtering, and other fabrication conditions. .
圧縮にせよ引張にせよ膜に大きな応力が働く場合には、
膜あるいは基板に歪みとか変形をきたす。When a large stress is applied to the membrane, whether compressive or tensile,
This causes distortion or deformation of the film or substrate.
特に基板が比較的薄い場合には膜に生ずる応力のために
基板が変形する。Particularly when the substrate is relatively thin, the stress generated in the film causes the substrate to deform.
引張応力の場合には、膜は基板に収縮する力を与えるの
で、膜のついた基板面が凹面状となる。In the case of tensile stress, the membrane exerts a shrinking force on the substrate, so that the surface of the substrate with the membrane becomes concave.
逆に圧縮応力の場合には、膜は基板との境界面で基板を
拡仲する力を与えるので、膜のついた面が凸面状になる
。Conversely, in the case of compressive stress, the film applies a force that expands the substrate at the interface with the substrate, so that the surface with the film becomes convex.
これらの変形は多くの応用面で好ましくない。These deformations are undesirable in many applications.
変形を防止するために基板の両面に膜を作製することは
有効である。It is effective to form a film on both sides of the substrate to prevent deformation.
それにより膜には応力がかかつているが、基板の両面に
生ずる応力が全体として補償しあい基板が変形すること
が避けられる。As a result, stress is applied to the film, but the stress generated on both sides of the substrate compensates for each other as a whole, and deformation of the substrate can be avoided.
しかし基板上の片面に一度所定の厚みの膜を形成してか
ら基板の逆の面に変形を補正するために必要な厚みの膜
を形成することは実際には非常に困難である。However, it is actually very difficult to form a film of a predetermined thickness on one side of the substrate and then form a film of the thickness necessary to correct the deformation on the opposite side of the substrate.
これを実現するためには両面の膜作成条件を変える必要
がある。To achieve this, it is necessary to change the film formation conditions on both sides.
このような方法で基板の変形が防止できたとしても、両
面の膜作成条件が異なるため両面に作成された膜の性質
が大幅に異なり、場合によっては全く使用不能となって
j7まう。Even if deformation of the substrate can be prevented by such a method, since the film forming conditions on both sides are different, the properties of the films formed on both sides will be significantly different, and in some cases, they may become completely unusable.
本発明はこれらの問題点を解決する目的でほとんど同一
膜作製条件で両面にほぼ同時に同一の性質を有する膜作
製を行うための技術と装置を提供するものである。The present invention aims to solve these problems by providing a technique and an apparatus for producing a film having substantially the same properties on both sides at the same time under substantially the same film production conditions.
以下図面により本発明による膜作製の説明を行う。The film production according to the present invention will be explained below with reference to the drawings.
従来のスパッタリング装置は、第1図に示すように電極
1、即ちターゲットがスパッタ室2の中に基板3に対し
、上下に2個配置されている。In a conventional sputtering apparatus, as shown in FIG. 1, two electrodes 1, that is, targets are arranged in a sputtering chamber 2, above and below a substrate 3.
独立した2個のターゲットから別々にスパッタリングし
て基板のそれぞれの片側の面に嘩を作製することは可能
ではあるが、全く同一の膜付着速度で同質の嘆を同一の
厚みで両面に形成することは非常に難しい。Although it is possible to sputter separately from two independent targets to create a layer on each side of the substrate, it is possible to create a layer of the same quality and thickness on both sides at exactly the same film deposition rate. That is very difficult.
このような形状に2個の電極を組むことは装置の構造が
複雑になりやすい。Assembling two electrodes in such a shape tends to complicate the structure of the device.
また装置を製造するための経費も高く操作性、メンテナ
ンスなどが低い欠点がある。Furthermore, the manufacturing cost of the device is high and operability and maintenance are low.
第2図は、本発明の両面スパッタリング装置の一断面図
である。FIG. 2 is a sectional view of the double-sided sputtering apparatus of the present invention.
図に於いて、4は電極、即ちターゲット、5は基板ホル
ダー、6は基板、7は基板ホルダー支持シャフト、8は
ベアリングシャフト、9はベアリング、10はベアリン
グホルダー、11はギヤーカバー、12はホルダー固定
台、13は回転リング、14は大口径ベアリング、15
はベアリング押え、16はベアリングホルダーリング、
17はレール、18はモーター、19は小歯車、20は
大歯車、21は連結シャフト、22は回転ベースリング
、23は支持リング、24はナツト板、25はL型支持
板、26は支持リング固定板、27はスプリングピン、
28はバネ押え、29はスライドシャッター、30は回
転シャッター 31はギヤー小、32はギヤー犬である
。In the figure, 4 is an electrode or target, 5 is a substrate holder, 6 is a substrate, 7 is a substrate holder support shaft, 8 is a bearing shaft, 9 is a bearing, 10 is a bearing holder, 11 is a gear cover, and 12 is a holder Fixed base, 13 is a rotating ring, 14 is a large diameter bearing, 15
is the bearing holder, 16 is the bearing holder ring,
17 is a rail, 18 is a motor, 19 is a small gear, 20 is a large gear, 21 is a connecting shaft, 22 is a rotating base ring, 23 is a support ring, 24 is a nut plate, 25 is an L-shaped support plate, 26 is a support ring Fixed plate, 27 is a spring pin,
28 is a spring presser, 29 is a slide shutter, 30 is a rotary shutter, 31 is a small gear, and 32 is a gear dog.
尚、本発明装置においては、これらの両面スパッタ用の
機構部品が全てベアリングホルダーリング16をベース
に組み立てられているため、ベアリングホルダー16ご
と取り外せる構造になっている。In the apparatus of the present invention, all of these mechanical parts for double-sided sputtering are assembled based on the bearing holder ring 16, so the structure is such that the bearing holder 16 can be removed together.
そのため第3図のプラネタリ−型基板ホルダー33も、
極めて簡単に取り付けることができる。Therefore, the planetary type board holder 33 in FIG.
It can be installed extremely easily.
このように1台の装置で、片面あるいは両面のスパッタ
リングを行なえる特徴を持っていることが、この装置の
利用を広範囲にしている。The ability to perform sputtering on one or both sides with a single device makes it widely available.
基板の両面にスパッタリングするための詳細について説
明する。Details of sputtering on both sides of the substrate will be explained.
第2図に示したように、ターゲット4、回転シャッター
30、スライドシャッター29は、垂直に配置する。As shown in FIG. 2, the target 4, rotary shutter 30, and slide shutter 29 are arranged vertically.
回転シャッター30は、スパッタリング開始前の予備ス
パッタリングの際、使用する。The rotating shutter 30 is used during preliminary sputtering before starting sputtering.
本スパッタリングの時は、スライドシャッター29を右
方向へずらして行なう。During the main sputtering, the slide shutter 29 is shifted to the right.
基板6を保持するため、基板ホルダー5に基板6は取り
付けられ、基板ホルダー5は、基板ホルダー支持シャフ
ト7に固定する。In order to hold the substrate 6, the substrate 6 is attached to a substrate holder 5, and the substrate holder 5 is fixed to a substrate holder support shaft 7.
これをベアリングシャフト8に挿入する。Insert this into the bearing shaft 8.
ベアリングシャフト8は、ベアリング9によって支持さ
れていて、ベアリングホルダー10に組み込まれている
。The bearing shaft 8 is supported by a bearing 9 and is assembled into a bearing holder 10.
ベアリングホルダー10は、ホルダー固定台12によっ
て回転リング13に固定されている。The bearing holder 10 is fixed to a rotating ring 13 by a holder fixing base 12.
回転リング13には、大口径ベアリング14が、はめ込
まれていて、且つレール17に載せられたベアリングホ
ルダーリング16にもはめ込まれている。A large-diameter bearing 14 is fitted into the rotating ring 13, and is also fitted into a bearing holder ring 16 placed on a rail 17.
スパッタリングによる膜付着防止及びベアリングの押え
用として、ベアリング押え15がベアリングホルダー1
6に固定されている。A bearing holder 15 is attached to the bearing holder 1 to prevent film adhesion due to sputtering and to hold down the bearing.
It is fixed at 6.
このような構造から、ギヤー犬32に噛み合っているギ
ヤー小31が回転可能となる。This structure allows the small gear 31 meshing with the gear dog 32 to rotate.
またギヤーにスパッタ膜が付着しないようにギヤーカバ
ー11が回転リング13に取り付けられている。Further, a gear cover 11 is attached to the rotating ring 13 to prevent sputtered film from adhering to the gear.
ギヤー小31は、ベアリングシャフト8に固定されてい
て、しかも基板ホルダー支持シャフト7に打ち込まれて
いる。The small gear 31 is fixed to the bearing shaft 8 and is driven into the substrate holder support shaft 7.
スプリングピン27が、ベアリングシャフト8の溝に入
っていることにより、基板ホルダー5が回転可能となる
。Since the spring pin 27 is placed in the groove of the bearing shaft 8, the substrate holder 5 can be rotated.
実際の基板ホルダー5の自転及び公転させるには、モー
ター18を駆動させ、その駆動軸の小歯車19に回転を
与え、大歯車20を回転させることにより、大歯車20
に固定されている連結シャフト21が、回転ベースリン
グ22の溝に入り、回転を伝達する。In order to actually rotate and revolve the substrate holder 5, the motor 18 is driven, the small gear 19 of the drive shaft is rotated, and the large gear 20 is rotated.
A connecting shaft 21 fixed to the rotating base ring 22 enters the groove of the rotating base ring 22 and transmits rotation.
なお、この回転ベースリング22には、支持リング23
が固定されていて、これをL型支持板25がナツト板2
4により固定され、支持リング固定板26がこれらと回
転リング13とを連結固定している。Note that this rotating base ring 22 includes a support ring 23.
is fixed, and the L-shaped support plate 25 connects it to the nut plate 2.
4, and a support ring fixing plate 26 connects and fixes these and the rotating ring 13.
よってモーター18を回転させることにより、回転リン
グ13が回転してギヤー小31が回転すると共に、基板
ホルダー5が公転しながら自転する。Therefore, by rotating the motor 18, the rotating ring 13 rotates, the small gear 31 rotates, and the substrate holder 5 rotates while revolving.
前記した実施例では、公転の回転数12rpm。In the above embodiment, the revolution speed is 12 rpm.
自転の回転数1100rpで行なっている。The rotation speed is 1100 rpm.
また、このような公転しながら自転する機構を持つため
、スパッタリングで作成された膜厚は均一になる。Furthermore, since it has such a mechanism that rotates while revolving, the thickness of the film created by sputtering becomes uniform.
しかも基板に付着したスパッタ膜に生ずる内部応力が両
面において補償しあい変形が防止される。Moreover, the internal stress generated in the sputtered film attached to the substrate is compensated for on both sides, thereby preventing deformation.
スパッタリング後、基板6を交換する操作は、基板ホル
ダー6を引き抜くことにより、バネ押え28が基板ホル
ダー支持シャフト7の■形溝から外れて、簡単に基板ホ
ルダー6ごと取り外せるため作業上便利である。After sputtering, the operation of replacing the substrate 6 is convenient because by pulling out the substrate holder 6, the spring presser 28 comes off from the ■-shaped groove of the substrate holder support shaft 7, and the substrate holder 6 can be easily removed.
以上説明したように、本発明に依れば基板の両面に瞬時
にスパッタリング薄膜を作製できるので、大気に一度晒
して再度片面を行なうスパッタリングと違って、スパッ
タ膜の酸化防止及びスパッタ膜付工程の短縮ができる。As explained above, according to the present invention, it is possible to instantaneously produce a sputtered thin film on both sides of a substrate, so unlike sputtering in which one side is once exposed to the atmosphere and then re-performed on one side, it is possible to prevent oxidation of the sputtered film and improve the sputtered film application process. Can be shortened.
またスパッタリング条件が同一条件下で、両面にスパッ
タリングされるため、基板の両面にほとんど完全に同質
同一厚みの膜を作製することができる。Furthermore, since sputtering is performed on both sides under the same sputtering conditions, it is possible to produce almost completely homogeneous and uniform films on both sides of the substrate.
またこの結果、極めて薄い機械的強度の弱い基板上にも
変形をきたすことなく膜作製が可能となる。Furthermore, as a result, it becomes possible to fabricate a film without causing deformation even on an extremely thin substrate with low mechanical strength.
本発明は、時計業界に使われている水晶振動子あるいは
光学フィルム膜などに応用できる。The present invention can be applied to crystal resonators or optical films used in the watch industry.
第1図は従来の両面スパッタリング装置のターゲットと
基板の配置図、第2図は本発明の両面スパッタ装置の断
面図、第3図は一般の片面スパッタリング装置の部分断
面図である。
1・・・・・・電極(ターゲット)、2・・・・・・ス
パッタ室、3・・・・・・基板、4・・・・・・電極(
ターゲット)、5・・・・・・基板ホルダー 6・・・
・・・基板、7・・・・・・基板ホルダー支持シービフ
ト、8・・・・・・ベアリングシャフト、9・・・・・
・ベアリング、10・・・・・・ベアリングホルダー、
11・・・・・・ギヤーカバー、12・・・・・・ホル
ダー固定台、13・・・・・・回転リング、14・・・
・・・大口径ベアリング、15・・・・・・ベアリング
押え、16・・・・・・ベアリングホルダーリング、1
7・・・・・・レール、18・・・・・・モーター、1
9・・・・・・小歯車、20・・・・・・大歯車、21
・・・・・・連結シャフト、22・・・・・・回転ベー
スリング、23・・・・・・支持リング、24・・・・
・・ナツト板、25・・・・・・L型支持板、26・・
・・・・支持リング固定板、27・・・・・・スプリン
グピン、28・・・・・・バネ押え、29・・・・・・
スライドシャッター、30・・・・・・回転シャッター
31・・・・・・ギヤー小、32・・・・・・ギヤー犬
、33・・・・・・プラネタリ−型基板ホルダー。FIG. 1 is a layout diagram of targets and substrates in a conventional double-sided sputtering apparatus, FIG. 2 is a sectional view of the double-sided sputtering apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a partial sectional view of a general single-sided sputtering apparatus. 1... Electrode (target), 2... Sputtering chamber, 3... Substrate, 4... Electrode (
Target), 5... Substrate holder 6...
... Board, 7... Board holder support CBIFT, 8... Bearing shaft, 9...
・Bearing, 10...Bearing holder,
11... Gear cover, 12... Holder fixing base, 13... Rotating ring, 14...
... Large diameter bearing, 15 ... Bearing holder, 16 ... Bearing holder ring, 1
7...Rail, 18...Motor, 1
9... Small gear, 20... Large gear, 21
......Connection shaft, 22...Rotating base ring, 23...Support ring, 24...
... Nut plate, 25 ... L-shaped support plate, 26 ...
...Support ring fixing plate, 27...Spring pin, 28...Spring holder, 29...
Slide shutter, 30... Rotating shutter 31... Gear small, 32... Gear dog, 33... Planetary type board holder.
Claims (1)
極と、前記ターゲットに垂直な軸を中心にターゲットの
回りを公転しながらターゲツト面にほぼ平行な回転軸の
回りを自転することが可能な基板ホルダーとを設け、平
板状の基板の両面に薄膜を形成することを特徴とする両
面スパッタリング装置。1. A sputtering electrode with a flat target attached thereto, and a substrate holder capable of rotating around a rotation axis substantially parallel to the target surface while revolving around the target around an axis perpendicular to the target. , a double-sided sputtering device characterized by forming a thin film on both sides of a flat substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20117081A JPS5854191B2 (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Double-sided sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20117081A JPS5854191B2 (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Double-sided sputtering equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104180A JPS58104180A (en) | 1983-06-21 |
| JPS5854191B2 true JPS5854191B2 (en) | 1983-12-03 |
Family
ID=16436518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20117081A Expired JPS5854191B2 (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Double-sided sputtering equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854191B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5986408B2 (en) | 2012-03-22 | 2016-09-06 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Sample preparation method |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20117081A patent/JPS5854191B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58104180A (en) | 1983-06-21 |
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