JPS5853227A - Logical circuit - Google Patents
Logical circuitInfo
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- JPS5853227A JPS5853227A JP15267481A JP15267481A JPS5853227A JP S5853227 A JPS5853227 A JP S5853227A JP 15267481 A JP15267481 A JP 15267481A JP 15267481 A JP15267481 A JP 15267481A JP S5853227 A JPS5853227 A JP S5853227A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第1の7エーズスプリツト用トランジスタと第
2のフェーズスプリット用トランジスタとによ!、12
つの出力トランジスタをオン−オンするようにした論理
回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is based on a first 7A-split transistor and a second phase-split transistor! , 12
This invention relates to a logic circuit that turns two output transistors on and off.
高い出力電圧レベルを発生させるように改良されたトラ
ンジスタートランジスタ論理回路として、第1図に示さ
れる如きものがある。この回路において第2のトランジ
スタ(1)のオン−オフを制御するために、フェーズス
プリッタ(2)の逆相出力とトランジスタ(1)のベー
スとの間に非反転ゲート(3)が接続されている。その
視察から判るように、非反転ゲート(3)は多数の素子
を用いてい”ることがら、上記回路を集積化する際の集
積密度を低下させるばかりでなく、フェーズスプリッタ
(2)の逆相出力信号をトランジスタ(1)のベースに
伝播させる時間が長くか\る。これはNPN形トランジ
スタ(4)、(5)がオン(オフ)に転じ、そしてNP
N形トランジスタ(7)をオフ(オン)に転じることに
よシ、初めてトランジスタ(1)をオン(オフ)に転じ
せしめ得るからである。つ1シ時間遅れが出て論理回路
の動作速度が遅くなる。このことは又、トランジスタ(
8)がオンに転じられたときに1だNPN形トランジス
タ(1)がオンにあることをも音吐する。オンにあるト
ランジスタ(1)、(8)を経て過渡電流が流れ、消費
電流の増大となる。A transistor-transistor logic circuit that has been improved to produce high output voltage levels is shown in FIG. In this circuit, a non-inverting gate (3) is connected between the negative phase output of the phase splitter (2) and the base of the transistor (1) to control on-off of the second transistor (1). There is. As can be seen from the inspection, the non-inverting gate (3) uses a large number of elements, which not only lowers the integration density when integrating the above circuit, but also reduces the phase splitter (2)'s negative phase. The time it takes for the output signal to propagate to the base of transistor (1) is long. This is because NPN transistors (4) and (5) turn on (off), and
This is because the transistor (1) can only be turned on (off) by turning off (on) the N-type transistor (7). This causes a time delay and slows down the operating speed of the logic circuit. This also means that the transistor (
8) is turned on, it also emits a sound that the NPN transistor (1) is on. A transient current flows through the transistors (1) and (8) that are on, resulting in an increase in current consumption.
これらは好捷しくない事項である。These are unsavory matters.
本発明は上述したような従来回路の欠点を解決すべく創
案されたもので、その目的は同相用と逆相用のフェーズ
スプリット用l・ランジスタを用い、オン−オフ又はオ
フ−オンの切換え時に直列接続の2つの出力トランジス
タを共にオフにさせた後上記切換えを生ぜしめることに
より、上述した従来回路の有する欠点を可及的に解決し
た論理回路を提供することにある。The present invention was devised in order to solve the above-mentioned drawbacks of the conventional circuit, and its purpose is to use phase split transistors for in-phase and anti-phase, and to solve the problem when switching between on-off or off-on. The object of the present invention is to provide a logic circuit in which the above-mentioned drawbacks of the conventional circuit are solved as much as possible by causing the switching after turning off both of the two output transistors connected in series.
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例を説明する
。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第2図は本発明の実施例回路を示す。この論理回路(1
0)は入力部(11)の出力に第1及び第2のフェーズ
スプリット用トランジスタ(12)、(13)の制御入
力が接!16さ71−1これらトランジスタ(12)、
(13)の各出力によって直列接続の第1及び第2の出
力トランジスタ(14)、(15)がオン−オフ制御さ
れるようにして構成されている。FIG. 2 shows an embodiment circuit of the present invention. This logic circuit (1
0), the control inputs of the first and second phase splitting transistors (12) and (13) are connected to the output of the input section (11)! 16 71-1 These transistors (12),
The configuration is such that first and second output transistors (14) and (15) connected in series are on-off controlled by each output of (13).
入力部(11)は図示例では、入力信号を受ける端子(
16)、(17)へダイオード(18)、(19)のカ
ソードを接続し、それらのアノードを共通接続してこれ
を抵抗(20)を経て電源(V c c)に接続すると
共に、上記制御入力へ接続し7て構成されている。In the illustrated example, the input section (11) has a terminal (
Connect the cathodes of diodes (18) and (19) to 16) and (17), connect their anodes in common, connect this to the power supply (V c c) via the resistor (20), and perform the above control. It consists of 7 connected to the input.
第1のフェーズスプリット用トランジスタ(12)は、
図示例ではN l) N形トランジスタ(12)で、そ
のヘ−スが制御入力となりコレクタは抵抗(21)を経
て電源(VcC)へ接続され、エミッタは抵抗(22)
を経て基準電位、例えばアース1ト位に接続されると共
に第1の出力l・シンジスタ、例えばNPN形トランジ
スタ(14)のベースに接続されており、この構成の下
でこのトランジスタ(12)のオン−オフ/(L/ ニ
ア ショールド電圧idi 2のフェーズスプリット用
トランジスタ(13)のオン−オフスレッショールド電
圧より高く設定される。The first phase splitting transistor (12) is
In the illustrated example, the N type transistor (12) has its base as a control input, the collector is connected to the power supply (Vcc) via the resistor (21), and the emitter is connected to the resistor (22).
It is connected to a reference potential, e.g., the ground level, through the terminal, and to the base of a first output l/synthesistor, e.g., an NPN transistor (14). Under this configuration, this transistor (12) is turned on. -Off/(L/Near short voltage idi Set higher than the on-off threshold voltage of the phase splitting transistor (13) of 2.
捷た、第2のフェーズスプリット用トランジスタ(13
)は図示例ではNPN形トランジスタ(13)で、その
ベースが抵抗(23)を経て上述入力部(11)へ接続
されるその接続端が上記制御人力となり、コレクタが抵
抗(24)を経て電源(VcC)へ接続されると共に、
上記第2の出力トランジスタ、例えばNPN形トランジ
スタ(15)のベースに接続される一方、エミッタはダ
イオード、例えばショットキダイオード(25)を経て
基準電位、例えばアース電位に接続されている。この構
成の下においてトランジスタ(13)のオン−オフスレ
ッショールド電圧は上述の如くトランジスタ(12)の
オン−オフスレッショールド電圧よリモ低くなるように
設定される。The second phase split transistor (13
) is an NPN transistor (13) in the illustrated example, the base of which is connected to the input section (11) through the resistor (23), the connection end of which is the control power, and the collector is connected to the power supply through the resistor (24). (VcC) and
It is connected to the base of said second output transistor, for example an NPN transistor (15), while its emitter is connected to a reference potential, for example ground potential, via a diode, for example a Schottky diode (25). Under this configuration, the on-off threshold voltage of transistor (13) is set to be significantly lower than the on-off threshold voltage of transistor (12), as described above.
第1の出力トランジスタ(14)のエミッタは基準電位
、例乏ばアース電位に接続され、そのコレクタ及び第2
の出力トランジスタ(15)のエミッタは出力端子(2
6)へ接続されている。第2の出力トランジスタ(15
)のコレクタは抵抗(27)を経て電源(Vcc )へ
接続されている。The emitter of the first output transistor (14) is connected to a reference potential, for example earth potential, and its collector and the second
The emitter of the output transistor (15) is connected to the output terminal (2
6). Second output transistor (15
) is connected to the power supply (Vcc) via a resistor (27).
次に、上述構成の本発明回路の動作を説明する。Next, the operation of the circuit of the present invention having the above configuration will be explained.
入力部(11)の出力信号が低レベルにあると、第1及
び第2のフェーズスプリット用トランジスタ(12)、
(13)はオフにあり、従ってmlの出力トランジスタ
(14)はオフにあり、@2の出力トランジスタ(15
)はオンにある。結果として、出力端子(26)の電圧
は電源(’Vcc)の電圧からトランジスタ(15)の
VBEだけ低い比較的に高い電圧にあり高出力電圧が得
られる。When the output signal of the input section (11) is at a low level, the first and second phase splitting transistors (12),
(13) is off, so the output transistor (14) of ml is off, and the output transistor (15) of @2 is off.
) is on. As a result, the voltage at the output terminal (26) is at a relatively high voltage that is lower than the voltage at the power supply ('Vcc) by the VBE of the transistor (15), and a high output voltage is obtained.
との状態から入力部(11)の出力信号レベルが高い電
圧レベルへの遷移を生ぜしめられると、その遷移過程に
おいて入力部(11)の出力信号レベルが比較的に低い
第2のフェーズスプリット用トランジスタ(13)のオ
ンスレッショールド電圧を通過する際にトランジスタ(
13)はオンに切換わり、第2の出力トランジスタ(1
5)をオフに切換える。更に入力部(11)の出力信号
レベルが一ヒ昇すると、トランジスタ(]−3)のオン
スレッショールド電圧よす高いオンスレッショールド電
圧を有する第1の7エーズスプリツト用トランジスタ(
12)をオンに切換える。これに応答して第1の出力ト
ランジスタ(14)がオンに切換わり、出力端子(26
)の電圧を11ソ基準電位、例えばアース電位にならし
める。When the output signal level of the input section (11) is caused to transition from the state to the high voltage level, during the transition process, the output signal level of the input section (11) is changed to the second phase split voltage level where the output signal level is relatively low. When passing the on-threshold voltage of the transistor (13), the transistor (
13) is switched on and the second output transistor (1
5) switch off. Furthermore, when the output signal level of the input section (11) rises by a moment, the first 7A-split transistor (11) has a higher on-threshold voltage than the on-threshold voltage of the transistor (1-3).
12). In response, the first output transistor (14) is switched on and the output terminal (26
) to the 11-so reference potential, for example, ground potential.
寸だ、入力部(11)の出力信号レベルが高レベルから
低レベルへ遷移する場合にも、先ず、オンにあるトラン
ジスタ(14)がオフになり、吹込でオフにあるトラン
ジスタ(15)がオンになる、。In fact, even when the output signal level of the input section (11) changes from a high level to a low level, first the transistor (14) that is on is turned off, and the transistor (15) that is off is turned on. become,.
このように、入力部(11)の出力信号レベルが低レベ
ルから高レベルへ遷移するときも、−また高レベルから
低レベルへ遷移するときも、2つの出力トランジスタ(
14)、(15)it:それらのオン又はオフへの切換
わりに先立って、必ず共にオフにf+Mtかれる。従っ
て、」二重両トランジスタ(:1.4)、(15)を経
て大きな過渡電流は流れない。このととに論理回路の消
費電力が過渡時に少ないということを意味する。また、
過大電流が流れないことは電源容量の小容量化、他の集
積回路の動作に悪影響を及はさないという事にもなる。In this way, when the output signal level of the input section (11) transitions from a low level to a high level, and also when it transitions from a high level to a low level, the two output transistors (
14), (15) it: both f+Mt must be turned off prior to their switching on or off. Therefore, no large transient current flows through the double transistors (1.4) and (15). This means that the power consumption of the logic circuit is small during transient periods. Also,
The fact that excessive current does not flow also means that the power supply capacity can be reduced and the operation of other integrated circuits will not be adversely affected.
また、入力部(11)の出力から第2の出力トランジス
タ(15)tでの素子数が少なく、従って、上記出力か
らトランジスタ(15)のベースへの信号伝播遅れは小
さくなるから動作速度が速くなる。また、素子数の少な
いことはそれだけ消費tW力も小さく集積回路での集積
密度の向」二に役立つ。In addition, the number of elements from the output of the input section (11) to the second output transistor (15) t is small, and therefore, the signal propagation delay from the output to the base of the transistor (15) is small, so the operation speed is high. Become. Furthermore, the smaller the number of elements, the smaller the tW power consumption, which is useful for increasing the integration density of integrated circuits.
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次の効
果が得られる。As is clear from the above description, the following effects can be obtained according to the present invention.
■ 素子数を少なくして消費電力及び信号伝播遅れを小
さくし得る。従って、集積回路での集積密度を高くして
動作速度を高くし得る。(2) Power consumption and signal propagation delay can be reduced by reducing the number of elements. Therefore, the integration density in the integrated circuit can be increased to increase the operating speed.
■ 2つの出力トランジスタを必ず共にオフにした後、
いづれか一方をオンにするから過渡電流はこれら両トラ
ンジスタを流れず、消費電力は過渡時にも定常時にも小
さい。■ After turning off both output transistors,
Since only one transistor is turned on, no transient current flows through both transistors, and power consumption is small both during transient and steady states.
■ 電源の電流容量を小宴〈出来ると共に他の回路への
悪影響を防止し得る等である。。■ It is possible to reduce the current capacity of the power supply and prevent adverse effects on other circuits. .
第1図は従来の論理回路図、第2図は本発明の論理回路
図である。
図中、(11)は入力部、(12)は第1の7エーズス
プリソト用トランジスタ、(13)は第2のフェーズス
プリット用トランジスタ、(14)は第1の出力トラン
ジスタ、(15)は第2の出力トランジスタである。
第1図
CCFIG. 1 is a conventional logic circuit diagram, and FIG. 2 is a logic circuit diagram of the present invention. In the figure, (11) is the input section, (12) is the first 7A-split transistor, (13) is the second phase split transistor, (14) is the first output transistor, and (15) is the second This is the output transistor of Figure 1 CC
Claims (1)
に受けてオン−オンする第1及び第2のフェーズスプリ
ット用トランジスタと、上記第1の7エーズスプリツト
用トランジスタの同相出力に応答してオン−オフ制御さ
れる第1の出力トランジスタと、該第1の出力トランジ
スタと共に出力に接続され、上記第2のフェーズスプリ
ット用トランジスタの逆相出力に応答してオン−オフ制
御される第2の出力トランジスタとを備え、上記第1の
フェーズスプリット用トランジスタのオン−オフスレッ
ショールド−17,圧を上記第2のフェーズスプリット
用トランジスタのオン−オフスレッショールド電圧よシ
高くなるように構成I〜たことを特徴とする論理回路。an input section that receives an input signal; first and second phase splitting transistors that are turned on and off in response to the output of the input section; and responsive to the in-phase output of the first 7-Aze splitting transistor; a first output transistor that is controlled on and off; and a second output transistor that is connected to the output together with the first output transistor and that is controlled on and off in response to the negative phase output of the second phase splitting transistor. an output transistor, configured such that the on-off threshold voltage of the first phase-splitting transistor is higher than the on-off threshold voltage of the second phase-splitting transistor. A logic circuit characterized by ~.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15267481A JPS5853227A (en) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | Logical circuit |
EP82305013A EP0076099B1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-23 | A ttl circuit |
DE8282305013T DE3275895D1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-23 | A ttl circuit |
US06/423,716 US4562364A (en) | 1981-09-26 | 1982-09-27 | TTL Circuit in which transient current is prevented from flowing therethrough |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15267481A JPS5853227A (en) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | Logical circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS5853227A true JPS5853227A (en) | 1983-03-29 |
Family
ID=15545621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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