JPS5852680A - 液晶パネル基板の製造方法 - Google Patents
液晶パネル基板の製造方法Info
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- JPS5852680A JPS5852680A JP56151167A JP15116781A JPS5852680A JP S5852680 A JPS5852680 A JP S5852680A JP 56151167 A JP56151167 A JP 56151167A JP 15116781 A JP15116781 A JP 15116781A JP S5852680 A JPS5852680 A JP S5852680A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマ） ＩＪクス型の液晶パネル基板の製造方法
に係り、詳しくは非線型抵抗素子を用いたアクティブマ
） ＩＪクス型液晶パネル基板の製造方法に関する。
に係り、詳しくは非線型抵抗素子を用いたアクティブマ
） ＩＪクス型液晶パネル基板の製造方法に関する。
近年、ＴＮ形液晶表示装Ｒの応用が進み腕時計、電卓等
の分野で大量に用いられている。
の分野で大量に用いられている。
この液晶表示装置の応用分野を拡げるためには表示容量
の増大が必要であるが従来のＴＮ形液晶表示装置すなわ
ち、偏光軸を約９０°に交差させた２枚の偏光板にはさ
まれた２枚の透明電極を備えた基板間にネマチック液晶
をその分子軸がねじれた状態になるよう封入し電界効果
によって表示を行なう方法では、電圧−コントラスト特
性の立上りがあまり急峻でないためマルチプレックス駆
動の桁数を上げていくと半選択点が点灯し始めるという
クロストークが生じ数１０桁の多桁駆動が限界であった
。
の増大が必要であるが従来のＴＮ形液晶表示装置すなわ
ち、偏光軸を約９０°に交差させた２枚の偏光板にはさ
まれた２枚の透明電極を備えた基板間にネマチック液晶
をその分子軸がねじれた状態になるよう封入し電界効果
によって表示を行なう方法では、電圧−コントラスト特
性の立上りがあまり急峻でないためマルチプレックス駆
動の桁数を上げていくと半選択点が点灯し始めるという
クロストークが生じ数１０桁の多桁駆動が限界であった
。
そこで液晶表示装置の表示容量を増すために非線型素子
を用いたアクティブマ） ＩＪクス型の装置が考えられ
、アモルファスシリコンやポリシリコンによるＴＦＴや
ダイオード、あるいは酸化亜鉛等を用いたバリスタなど
種々のアプローチがなされている。その中でＢａｒａｆ
ｆ、Ｄ、Ｒ，ｅｔ、＃Ａ、 。
を用いたアクティブマ） ＩＪクス型の装置が考えられ
、アモルファスシリコンやポリシリコンによるＴＦＴや
ダイオード、あるいは酸化亜鉛等を用いたバリスタなど
種々のアプローチがなされている。その中でＢａｒａｆ
ｆ、Ｄ、Ｒ，ｅｔ、＃Ａ、 。
（１９８０Ｓ より Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｓｙｍｐ。
ｌ Ｓｙｍｐ。
ｅｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈ、ｎ１
ｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ 。
ｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ 。
Ｖｏｌ、Ｘ工、 Ｐ 、 ２００ 、 Ａｐｒｉｌ
ｉ ９８０ ）によるタンタルあるいは窒化タンタル
の酸化膜を用いた非線型抵抗素子は製造工程が比較的簡
単なこと、素子設計が容易であるといった利点を有して
いる。この素子の基本構成は第１図および第２図に示す
ようにガラス基板１をＴａ２Ｏ，膜２で被覆し、Ｔａ薄
膜あるいは窒素をドープしたＴａＮ膜３をスパッタリン
グした後所定の形状にパターニングし表面を＠極酸化し
て酸化膜４とする。ざらニＮ ｉ −ＯｒおよびＡｕ薄
膜を蒸着しバターニングして対向電極５とする。この対
向電極５と電気的導通がとれるようにＮ ｉ −Ｏｒ及
びＡｕの透明′ｒＩｉ極６をつける。表示装置とするた
めには、この透明電極６を第３図に示すようにマトリク
ス状に配置して一絵素とし、第６因におけるリード部７
と直交するような複数のストライブ状透明電極を備えた
対向基板との間に液晶を封入してＴＮパネルを作る。
ｉ ９８０ ）によるタンタルあるいは窒化タンタル
の酸化膜を用いた非線型抵抗素子は製造工程が比較的簡
単なこと、素子設計が容易であるといった利点を有して
いる。この素子の基本構成は第１図および第２図に示す
ようにガラス基板１をＴａ２Ｏ，膜２で被覆し、Ｔａ薄
膜あるいは窒素をドープしたＴａＮ膜３をスパッタリン
グした後所定の形状にパターニングし表面を＠極酸化し
て酸化膜４とする。ざらニＮ ｉ −ＯｒおよびＡｕ薄
膜を蒸着しバターニングして対向電極５とする。この対
向電極５と電気的導通がとれるようにＮ ｉ −Ｏｒ及
びＡｕの透明′ｒＩｉ極６をつける。表示装置とするた
めには、この透明電極６を第３図に示すようにマトリク
ス状に配置して一絵素とし、第６因におけるリード部７
と直交するような複数のストライブ状透明電極を備えた
対向基板との間に液晶を封入してＴＮパネルを作る。
この素子（便宜」−Ｍｅｔａｌ−工ｎ５ｕｌａｔｏｒ
−Ｍｅｔａｌ 略してＩＡ 工Ｍ素子と呼ぶ）の両端即
ちＴａ薄膜あるいは窒素をドープしたＴａ薄膜３とＮ
ｉ Ｏｒ ／ Ａ ｕ薄膜の対向電極５の間に電圧を
印加すると第４図に示すように非線型な電圧−■−電電
流時特性得られその関係が、 工＝ Ｋｖｅｘｐ （βＪ］−）（１）〔式中、Ｋ９β
は係数〕 というＰｏｏｌｅ −Ｆｒθｎ、 ｋ ｅ ｌ効果を表
わす式にあてはまる。
−Ｍｅｔａｌ 略してＩＡ 工Ｍ素子と呼ぶ）の両端即
ちＴａ薄膜あるいは窒素をドープしたＴａ薄膜３とＮ
ｉ Ｏｒ ／ Ａ ｕ薄膜の対向電極５の間に電圧を
印加すると第４図に示すように非線型な電圧−■−電電
流時特性得られその関係が、 工＝ Ｋｖｅｘｐ （βＪ］−）（１）〔式中、Ｋ９β
は係数〕 というＰｏｏｌｅ −Ｆｒθｎ、 ｋ ｅ ｌ効果を表
わす式にあてはまる。
このＭ工Ｍ素子と液晶を組合わせた前記ＴＮパネルをダ
イナミック駆動すると、Ｍ工Ｍ素子の非線型性によって
実際に液晶に印加されるＯＮ電圧と０１ｉ″Ｆ 雷、圧
の実効値比が大きくなって、より多桁のダイナミック駆
動が可能になりＢａｒａｆｆらによれば１／１００−１
／２００デユーテイのダイナミック駆動が容易に達成で
きる。
イナミック駆動すると、Ｍ工Ｍ素子の非線型性によって
実際に液晶に印加されるＯＮ電圧と０１ｉ″Ｆ 雷、圧
の実効値比が大きくなって、より多桁のダイナミック駆
動が可能になりＢａｒａｆｆらによれば１／１００−１
／２００デユーテイのダイナミック駆動が容易に達成で
きる。
しかしながらＢａｒａｆｆらの構成によるＭ工Ｍ素子は
異なった２種の金属−酸化膜界面を持つ、即ぢＴａ薄膜
あるいは窒素ドープされたＴａ薄膜−同薄膜の陽極酸化
膜−（Ｎ ｉ、 −Ｏｒ ／ Ａ ｕ ）薄膜の２界面
があり、そこを通って電流が流れるためにＭ工Ｍ素子に
印加される電圧の極性が変ると電圧−電流特性が非対称
になる。そのためにＭ工Ｍ素子を用いたＴＮパネルに対
称な交番信号を印加しても液晶に直接印加される波形は
非対称になって直流成分が残りパネルの寿命に著しい影
響を及ぼず。
異なった２種の金属−酸化膜界面を持つ、即ぢＴａ薄膜
あるいは窒素ドープされたＴａ薄膜−同薄膜の陽極酸化
膜−（Ｎ ｉ、 −Ｏｒ ／ Ａ ｕ ）薄膜の２界面
があり、そこを通って電流が流れるためにＭ工Ｍ素子に
印加される電圧の極性が変ると電圧−電流特性が非対称
になる。そのためにＭ工Ｍ素子を用いたＴＮパネルに対
称な交番信号を印加しても液晶に直接印加される波形は
非対称になって直流成分が残りパネルの寿命に著しい影
響を及ぼず。
またＭＩＭ素子を用いたＴＮパネルを駆動する場合、Ｍ
Ｉ’Ｍ素子とＴＮパネルの等価回路は第６図に示すより
に容量分ＯＭｆＭと非線型抵抗外ＲＭＩＭとが並列にな
ったＭ工Ｍ素子８と、容量分ＯＬＯと抵抗外ＲＬＯとが
並列になった液晶部分９が直列に接続されていると考え
られる。そしてこの両端に駆動電圧を印加するわけであ
るがＭ工Ｍ素子８の容量分ＯＭＩＭ と液晶９の容量
分ＯＬＯの組合せによって実際に液晶９に印加される実
効電圧が左右され、計算してみるとＭＩＭ素子８の容量
分ＯＭＫＭ の値が液晶９の容量分ＱＬＯＯ値にくらべ
て小さい方がＭ工Ｍ素子８の特性設定の幅が広がり、そ
の容量比ＯＬ Ｏ／ ＯＭ Ｉ Ｍ の値が５〜２０
程度でその値が大きい方が１い。
Ｉ’Ｍ素子とＴＮパネルの等価回路は第６図に示すより
に容量分ＯＭｆＭと非線型抵抗外ＲＭＩＭとが並列にな
ったＭ工Ｍ素子８と、容量分ＯＬＯと抵抗外ＲＬＯとが
並列になった液晶部分９が直列に接続されていると考え
られる。そしてこの両端に駆動電圧を印加するわけであ
るがＭ工Ｍ素子８の容量分ＯＭＩＭ と液晶９の容量
分ＯＬＯの組合せによって実際に液晶９に印加される実
効電圧が左右され、計算してみるとＭＩＭ素子８の容量
分ＯＭＫＭ の値が液晶９の容量分ＱＬＯＯ値にくらべ
て小さい方がＭ工Ｍ素子８の特性設定の幅が広がり、そ
の容量比ＯＬ Ｏ／ ＯＭ Ｉ Ｍ の値が５〜２０
程度でその値が大きい方が１い。
Ｂａｒａｆｆ 、 Ｄ、Ｒ，ｅｔ、ａｌの設計ではＭ
工Ｍ素子が１２μ常×１２μ常の寸法に対して液晶部分
（絵素）は１２５Ｈピツチになっておりかなり粗い寸法
となっている。実際に各機器に用いられるドツトマトリ
クス液晶パネルでは０．３〜０５咽ピツチが多く採用さ
れるため同一構成でＭ工Ｍ素子を設計Ｖると６〜５μｍ
角の寸法となる。
工Ｍ素子が１２μ常×１２μ常の寸法に対して液晶部分
（絵素）は１２５Ｈピツチになっておりかなり粗い寸法
となっている。実際に各機器に用いられるドツトマトリ
クス液晶パネルでは０．３〜０５咽ピツチが多く採用さ
れるため同一構成でＭ工Ｍ素子を設計Ｖると６〜５μｍ
角の寸法となる。
液晶パネル全体での光学特性を均一にするためには基板
内で各Ｍ工Ｍ素子の特性が揃っていることが必要である
が、３〜５μ毒という寸法領域は現在のマスクアライナ
では通常品と微細パターン加工（ｖｒ、、ｓＩ用）との
境界領域に近い。
内で各Ｍ工Ｍ素子の特性が揃っていることが必要である
が、３〜５μ毒という寸法領域は現在のマスクアライナ
では通常品と微細パターン加工（ｖｒ、、ｓＩ用）との
境界領域に近い。
したがって各素子の面積に起因する特性を揃えるために
はより高精度のマスクアライナが必要となり、特にＭ工
Ｍ素子組込のＴＮ液晶パネルの大型化を計ろうとする時
にはＭ工Ｍ素子の製造コストに大きな影響を及ぼず。
はより高精度のマスクアライナが必要となり、特にＭ工
Ｍ素子組込のＴＮ液晶パネルの大型化を計ろうとする時
にはＭ工Ｍ素子の製造コストに大きな影響を及ぼず。
本発明はかかる欠点を除去するために２個のＭ工Ｍ素子
を電圧−電流特性の非対称性を相補する方向に直列接続
することで対称な電圧−電流特性を得ると同時に、Ｍ工
Ｍ素子１個を用いる場合にくらべＭＩＭ素子１個当りの
面積が２倍で同一の容量値がとれることを利用し、フォ
トリソグラフ工程で必要なパターン精度をゆるやかにす
るものである。
を電圧−電流特性の非対称性を相補する方向に直列接続
することで対称な電圧−電流特性を得ると同時に、Ｍ工
Ｍ素子１個を用いる場合にくらべＭＩＭ素子１個当りの
面積が２倍で同一の容量値がとれることを利用し、フォ
トリソグラフ工程で必要なパターン精度をゆるやかにす
るものである。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第７図および第８図はＭ工Ｍ素子製造工程の一実施例を
示したもので第７図は断面図、第８図は平面図である。
示したもので第７図は断面図、第８図は平面図である。
基板１１は、ソーダガラスやパイレックスガラスあるい
は石英ガラスといったいわゆるガラスから成っている。
は石英ガラスといったいわゆるガラスから成っている。
このガラス基板１１と後工程で形成される金属との密着
性を向上させるため、さらにはアルカリ金属や重金属等
を含有するソーダガラス等の場合には前記含有金属がＭ
工Ｍ素子特性や液晶に悪影響をおよぼすと考えられるた
め基板に対してパッシベーション膜となすため金属酸化
膜をＯＶ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法もしくはスパッタ蒸着法ににり形
成してもよい。本実施例では、上記理由を考慮しＴａ２
Ｏ。
性を向上させるため、さらにはアルカリ金属や重金属等
を含有するソーダガラス等の場合には前記含有金属がＭ
工Ｍ素子特性や液晶に悪影響をおよぼすと考えられるた
め基板に対してパッシベーション膜となすため金属酸化
膜をＯＶ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法もしくはスパッタ蒸着法ににり形
成してもよい。本実施例では、上記理由を考慮しＴａ２
Ｏ。
膜１２を形成しである。次にＴａ１３をスパッタ等によ
り１０００〜４０００Ｘの膜厚で形成して、フォトエツ
チング法でパターンニングする。エツチングはＯＦ、も
しくは０２を含んだＯＦ、ガスのプラズマエツチングに
より行うことが出来る。本実施例においてＴａを用いで
あるが、Ｔａ以外の材料としてはＭ工Ｍ素子に通常使用
されている金属であればよく、例えば、チッ素ドープし
た’Ｉ’ａ、Ｏｒ、Ｗ、Ａｔを用いることが出来る。前
記Ｔａパターン１３は、後工程で行われる陽極酸化工程
で各Ｔａパターン１３（被陽極酸化金属パターン）に電
気的に導通をとるため第９図のごとく各Ｔ ａ パター
ン１３を接続しておくとよい。Ｔａ薄膜をパターンニン
グした後、クエン酸水溶液中で陽極酸化することにより
Ｔａ１３の表面を酸化して絶縁体膜１４を形成する。陽
極酸化膜厚は印加電圧に比例し２０Ｖで約３００大程度
となる陽極酸化後、前記ＴａおよびＴ ａ ２０ Ｈか
ら成るパターンのうち必要な部分を残し、他はフォトエ
ツチング法等により除去する。Ｔａ表面に絶縁膜を形成
した後、熱処理することにより陽極酸化膜の膜質や後工
程で形成される酸化膜上層の金属膜の膜質やあるいは酸
化膜と金属膜との界面状態を改善することが出来、さら
には上層の金属膜の密着性を向上させることが出来る。
り１０００〜４０００Ｘの膜厚で形成して、フォトエツ
チング法でパターンニングする。エツチングはＯＦ、も
しくは０２を含んだＯＦ、ガスのプラズマエツチングに
より行うことが出来る。本実施例においてＴａを用いで
あるが、Ｔａ以外の材料としてはＭ工Ｍ素子に通常使用
されている金属であればよく、例えば、チッ素ドープし
た’Ｉ’ａ、Ｏｒ、Ｗ、Ａｔを用いることが出来る。前
記Ｔａパターン１３は、後工程で行われる陽極酸化工程
で各Ｔａパターン１３（被陽極酸化金属パターン）に電
気的に導通をとるため第９図のごとく各Ｔ ａ パター
ン１３を接続しておくとよい。Ｔａ薄膜をパターンニン
グした後、クエン酸水溶液中で陽極酸化することにより
Ｔａ１３の表面を酸化して絶縁体膜１４を形成する。陽
極酸化膜厚は印加電圧に比例し２０Ｖで約３００大程度
となる陽極酸化後、前記ＴａおよびＴ ａ ２０ Ｈか
ら成るパターンのうち必要な部分を残し、他はフォトエ
ツチング法等により除去する。Ｔａ表面に絶縁膜を形成
した後、熱処理することにより陽極酸化膜の膜質や後工
程で形成される酸化膜上層の金属膜の膜質やあるいは酸
化膜と金属膜との界面状態を改善することが出来、さら
には上層の金属膜の密着性を向上させることが出来る。
以上の効果から熱処理を行う必要があり熱処理条件とし
ては、Ｎ２ガス、０゜ガスもしくはＮ ２ と０２の混
合ガス雰囲気で２００℃以上５００℃以下の温度で行う
ことにより前記効果を得ることが出来る。この後Ｔａ薄
膜１５をスパッタ蒸着方法等により形成する。Ｔ ａ
Ｎ１ｇ、％ １５のかわりにＭ工Ｍ素子に用いられる金
属、例えばチノ素ドープしたＴａ、Ｗ。
ては、Ｎ２ガス、０゜ガスもしくはＮ ２ と０２の混
合ガス雰囲気で２００℃以上５００℃以下の温度で行う
ことにより前記効果を得ることが出来る。この後Ｔａ薄
膜１５をスパッタ蒸着方法等により形成する。Ｔ ａ
Ｎ１ｇ、％ １５のかわりにＭ工Ｍ素子に用いられる金
属、例えばチノ素ドープしたＴａ、Ｗ。
Ａ Ｌ 、 Ｔ ｉ 、 Ｍ ｏ 、 Ｏｒ 、 Ｎ
ｉ Ｏｒ等の金属でもよい。膜厚は３００１〜４０００
Ｘとする。４０ｏｏＸ以上にすると応力によりヒビ割れ
を生ずることが有り、薄くすると抵抗が大きくなったり
、段差部で断線したりする。フォトエツチング法により
Ｔａ１５を所望の形状にパターンニングする。この時、
第８図に示ずＪ：うにＭ １Ｍ素子が直列にしかも極性
が逆方向になるにうにする。この時に各ＩＩ工Ｍ”Ｊ４
子を接続する配線１５も同時に形成する。また第８図の
ようにすることによりＴａ１３に対してＴａ１５の合せ
が多少ずれてもＭ ｘ ｒＩＩＩＩｇ子寸法に変化はな
く合せ精度に余裕が出来、合せ不良による歩留りの低下
を防ぐことが出来る。以上によりＭＩＭ素子を直列接続
したものを７トリクス状に配列した基板が出来る。さら
に液晶パネル基板となすため透明電極１６を形成してＭ
工Ｍ素子を直列接続してマ） ＩＪクス状に配列した液
晶パネル基板となすことが出来る。透明’ＮＵ極１６は
、通常の液晶パネルに用いられるＩｎ、、Ｏ，。
ｉ Ｏｒ等の金属でもよい。膜厚は３００１〜４０００
Ｘとする。４０ｏｏＸ以上にすると応力によりヒビ割れ
を生ずることが有り、薄くすると抵抗が大きくなったり
、段差部で断線したりする。フォトエツチング法により
Ｔａ１５を所望の形状にパターンニングする。この時、
第８図に示ずＪ：うにＭ １Ｍ素子が直列にしかも極性
が逆方向になるにうにする。この時に各ＩＩ工Ｍ”Ｊ４
子を接続する配線１５も同時に形成する。また第８図の
ようにすることによりＴａ１３に対してＴａ１５の合せ
が多少ずれてもＭ ｘ ｒＩＩＩＩｇ子寸法に変化はな
く合せ精度に余裕が出来、合せ不良による歩留りの低下
を防ぐことが出来る。以上によりＭＩＭ素子を直列接続
したものを７トリクス状に配列した基板が出来る。さら
に液晶パネル基板となすため透明電極１６を形成してＭ
工Ｍ素子を直列接続してマ） ＩＪクス状に配列した液
晶パネル基板となすことが出来る。透明’ＮＵ極１６は
、通常の液晶パネルに用いられるＩｎ、、Ｏ，。
ＳｎＯ２、工Ｔｏ（工ｐｄｉｕｍ −Ｔｊ、ｎ −Ｏｘ
ｊ、ｄｅ）からなる。本実施例では工Ｔｏを約３００Ｘ
スパツタ蒸着し、第８図のごとく直列接続されたＭＩＭ
素子の一端と接続されるようにパターンニンクする。透
明導電薄膜は熱処理をすることによりその膜質を向上す
ることが出来る。熱処理の方法としては、スパッタ蒸着
やＯｖＤによる膜形成時に基板を加熱するかもしくは膜
形成後あるいはパターンユング後に大気雰囲気かＮ、雰
囲気で熱処理を行う。熱処理温度は温度が高いほうが膜
質は改善され、１００℃〜５００℃が適当である。本実
施例では１２０℃で行った。液晶パネル基板となすため
さらに液晶の配向処理として通常行われている方法、す
なわぢラビングやＳｉＯ等の無機物質の斜方蒸着あるい
けポリイミド、有機シラン化合物やテフロン等の有機化
合物質を被着して配向膜としてラビング処理して液晶パ
ネル基板となす以上により直列接続したＭ工Ｍ素子を各
絵素に有する液晶パネル基板を得ることが出来、しかも
従来のごとくＭ工Ｍ素子の電圧−電流特性がその極性に
より非対称となる場合においても、本発明によれば２つ
のＭ工Ｍ素子を電圧−電流特性の非対称性を相補する方
向に直列接続されていることから対称な電圧−電流特性
を得ることが出来た。
ｊ、ｄｅ）からなる。本実施例では工Ｔｏを約３００Ｘ
スパツタ蒸着し、第８図のごとく直列接続されたＭＩＭ
素子の一端と接続されるようにパターンニンクする。透
明導電薄膜は熱処理をすることによりその膜質を向上す
ることが出来る。熱処理の方法としては、スパッタ蒸着
やＯｖＤによる膜形成時に基板を加熱するかもしくは膜
形成後あるいはパターンユング後に大気雰囲気かＮ、雰
囲気で熱処理を行う。熱処理温度は温度が高いほうが膜
質は改善され、１００℃〜５００℃が適当である。本実
施例では１２０℃で行った。液晶パネル基板となすため
さらに液晶の配向処理として通常行われている方法、す
なわぢラビングやＳｉＯ等の無機物質の斜方蒸着あるい
けポリイミド、有機シラン化合物やテフロン等の有機化
合物質を被着して配向膜としてラビング処理して液晶パ
ネル基板となす以上により直列接続したＭ工Ｍ素子を各
絵素に有する液晶パネル基板を得ることが出来、しかも
従来のごとくＭ工Ｍ素子の電圧−電流特性がその極性に
より非対称となる場合においても、本発明によれば２つ
のＭ工Ｍ素子を電圧−電流特性の非対称性を相補する方
向に直列接続されていることから対称な電圧−電流特性
を得ることが出来た。
第１図、第２図および第３４ ｉ」Ｂａ ｒ ａ ｆ
ｆ 。 Ｄ、Ｒ，らのＭ工Ｍ素子の構成を示し、第４図はその電
圧−電流特性である。 第５図はＭ工Ｍ素子を用いない場合と用いた場合の液晶
表示素子の′重圧コントラスト特性の差を示す。 第６図はＭ Ｘ Ｍ素子を組込んだ液晶パネルの一絵素
の等何回路である。 第７図（ａ、）〜（ｆ）および第８［閃（α）〜（ｆ）
は本発明による直列接続したＭ工Ｍ素子を有する液晶パ
ネル基板の製造方法を示す断面図及び平面図である。 第９１ては陽極酸化のための配線閏の例である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ゴ 第１図
ｆ 。 Ｄ、Ｒ，らのＭ工Ｍ素子の構成を示し、第４図はその電
圧−電流特性である。 第５図はＭ工Ｍ素子を用いない場合と用いた場合の液晶
表示素子の′重圧コントラスト特性の差を示す。 第６図はＭ Ｘ Ｍ素子を組込んだ液晶パネルの一絵素
の等何回路である。 第７図（ａ、）〜（ｆ）および第８［閃（α）〜（ｆ）
は本発明による直列接続したＭ工Ｍ素子を有する液晶パ
ネル基板の製造方法を示す断面図及び平面図である。 第９１ては陽極酸化のための配線閏の例である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ゴ 第１図
Claims (9)
- （１） 絶縁体基板上に第一の導体簿膜を形成したの
ち選択的にエツチングして所定の形状に第一の導１１を
パターンニングする工程と、前記第一の導体薄膜を陽極
酸化して第一の導体薄膜表面を第一の導体の酸化膜で包
う工程と、前記第一の導体薄膜及び第一の導体の酸化膜
を選択的にエツチングして所定の形状にパターンニング
する工程と、前記陽極酸化後のパターンニングの後に熱
処理する工程と、第二の導体薄膜を形成した後第二の導
体薄膜を選択的にエツチングして所定の形状にパターン
ニングする丁合と、第三の導体薄膜を形成してのち第三
の導体薄膜を選択的にエツチングして所定の形状にパタ
ーンニングする工程とを特徴とする液晶パネル基板の製
造方法。 - （２） 絶縁体基板が、ソーダガラス、パイレックス
ガラス、石英ガラスといったいわゆるガラスもしくは、
前記ガラス表面上に第一の導体の酸化物を形成した絶縁
体基板であることを特徴とする特許請求の範囲第一項記
載の液晶パネル基板の製造方法。 - （３） 第一の導体薄膜がＴａ、Ｏｒ、ＷもしくはＡ
ｔのいずれかからなり、スパッタ蒸着等により、１００
０〜４０００１の膜厚としたことを特徴とする特許請求
の範囲第一項記載の液晶パネルＬ（板の製造方法。 - （４） 第一の導体の陽極酸化膜厚が１００〜１００
０スとしたことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載
の液晶パネル基板の製造方法。 - （５） 第二の導体薄膜が、Ｔａ、Ｗ、Ａｔ、Ｔｉ。 Ｍｏ 、Ｏｒ 、Ｎｉｏｒ合金のいづれがからなり、ス
パッタ蒸着等により３００〜４０００Ｘの膜厚としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の液晶パネル
基板の製造方法。 - （６）第三の導体が工ｎ２０．．ＳｎＯ，，■Ｔ。 あるいは薄い金属薄膜の透明な導体から成ることを特徴
とする前記第一項記載の液晶パネル基板。 - （７） 陽極酸化後の熱処理が、Ｎ２ガス９０２ガス
もしくはＮ、と０２の混合界ｕＨ気で２００°Ｃ以上５
００°Ｃ以下の温度であることを特徴とする特許請求の
範囲第一項記載の液晶パネル基板の製造方法。 - （８）透明導体薄膜をスパッタ蒸着法もしくは０■Ｄ法
により形成し、膜形成時に基板を１００℃〜５００℃で
加熱したことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の
液晶パネル基板の製造方法。 - （９）透明導体薄膜を形成した後、Ｎ２もしくは大気雰
囲気で１００°Ｃ〜５００℃で熱処理したことを特徴と
する特許請求の範囲第一項記載の液晶パネル基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151167A JPS5852680A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 液晶パネル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151167A JPS5852680A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 液晶パネル基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852680A true JPS5852680A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15512779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151167A Pending JPS5852680A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 液晶パネル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852680A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455539A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPH01105913A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
| JPH02171726A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Toshiba Corp | 液晶表示装置用非線形抵抗素子の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56151167A patent/JPS5852680A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455539A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPH01105913A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Toshiba Corp | マトリックスアレイ基板の製造方法 |
| JPH02171726A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Toshiba Corp | 液晶表示装置用非線形抵抗素子の製造方法 |
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