JPS5850635A - スタンパとその製造方法 - Google Patents
スタンパとその製造方法Info
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- JPS5850635A JPS5850635A JP14622081A JP14622081A JPS5850635A JP S5850635 A JPS5850635 A JP S5850635A JP 14622081 A JP14622081 A JP 14622081A JP 14622081 A JP14622081 A JP 14622081A JP S5850635 A JPS5850635 A JP S5850635A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ディスク、ビデオディスク等の製造に使用す
るスタンパとその製造方法に関するものである。
るスタンパとその製造方法に関するものである。
従来、光ディスク、ビデオディスクの製造に使用するス
タンパは、第1図(al〜Telに示す方法により製造
されていた。すなわち、第1図(atのようにガラス原
盤1にホトレジストを塗布してホトレジスト膜2とし、
第1図(blのように通常のホトプロセスによシ所定形
状のパターン3を形成する0次に第1図(Qlのように
蒸着法等の手段によってニッケル等の金属薄膜4を形成
する。ついでJIEI図Fdlに示すようにこの金属薄
M4を導電膜として、通常の電気めっき法によってニッ
ケルめっき膜等のめっきMIsを形成する。めっき後第
1図(e+に示すように金属薄膜4とホトレジスト2の
界面で剥離することによシ、ホトレジストに形成したノ
くターンを反転したパターンを有するスタンパが得られ
る。
タンパは、第1図(al〜Telに示す方法により製造
されていた。すなわち、第1図(atのようにガラス原
盤1にホトレジストを塗布してホトレジスト膜2とし、
第1図(blのように通常のホトプロセスによシ所定形
状のパターン3を形成する0次に第1図(Qlのように
蒸着法等の手段によってニッケル等の金属薄膜4を形成
する。ついでJIEI図Fdlに示すようにこの金属薄
M4を導電膜として、通常の電気めっき法によってニッ
ケルめっき膜等のめっきMIsを形成する。めっき後第
1図(e+に示すように金属薄膜4とホトレジスト2の
界面で剥離することによシ、ホトレジストに形成したノ
くターンを反転したパターンを有するスタンパが得られ
る。
金柑薄膜4は、スタンパのスタンピング面として使用さ
れるため、硬度および耐磨耗性を要求される。そのため
金属薄膜4には、ニッケル、クロム、タンタル等の金属
が用いられるが、これらの金属薄膜はその表面が極めて
酸化されやすい性質を有している。その次め、蒸着等の
気相成長装置から取出したとき、金属薄膜の表面が空気
中の酸素により容墨に酸化され酸化膜で被れてしまう。
れるため、硬度および耐磨耗性を要求される。そのため
金属薄膜4には、ニッケル、クロム、タンタル等の金属
が用いられるが、これらの金属薄膜はその表面が極めて
酸化されやすい性質を有している。その次め、蒸着等の
気相成長装置から取出したとき、金属薄膜の表面が空気
中の酸素により容墨に酸化され酸化膜で被れてしまう。
上記金属の酸化膜は強固かつ緻密である念め、通常の酸
洗等の手段では溶解除去することはできない、このため
酸化膜の形成され次金属薄膜上にめっき膜を形成すると
、めっき膜は金属薄膜と十分接着せず、接着力は数Kg
/cm’ +Na度にすぎない。
洗等の手段では溶解除去することはできない、このため
酸化膜の形成され次金属薄膜上にめっき膜を形成すると
、めっき膜は金属薄膜と十分接着せず、接着力は数Kg
/cm’ +Na度にすぎない。
このようにめっき膜と金属薄膜との接着力が小さいと、
金属薄jl[Fi一般に数1000λ程度の薄い膜であ
るため、スタンピング時に容異にめっき膜から剥離して
しまいスタンパの寿命は著しく短いものとなる。 tt
、接着力が極端に小さいときけ、金属薄膜とホトレジス
トの界面での剥離を行なう工程で金属薄膜がめつき膜か
ら剥れてし甘い、スタンパを製造できなくなってしオう
。
金属薄jl[Fi一般に数1000λ程度の薄い膜であ
るため、スタンピング時に容異にめっき膜から剥離して
しまいスタンパの寿命は著しく短いものとなる。 tt
、接着力が極端に小さいときけ、金属薄膜とホトレジス
トの界面での剥離を行なう工程で金属薄膜がめつき膜か
ら剥れてし甘い、スタンパを製造できなくなってしオう
。
本発明の目的は、上記(2次従来技術の欠点をな。
くし、寿命の長いスタンパとその製造方法を提供するに
ある。
ある。
本発明によるスタンパは、蒸着等の気相成長法で形成し
次所定形状のパターンを有する第1の金属薄膜とめっき
膜との間に、第1の金属薄膜と同一の気相成長装置で形
成した接着層となる第2の金属薄膜を設けることによシ
スタンパを構成する金属膜間の接着力を向上せしめ、寿
命の長い本のとし次ことに特徴がある。
次所定形状のパターンを有する第1の金属薄膜とめっき
膜との間に、第1の金属薄膜と同一の気相成長装置で形
成した接着層となる第2の金属薄膜を設けることによシ
スタンパを構成する金属膜間の接着力を向上せしめ、寿
命の長い本のとし次ことに特徴がある。
接着層となる第2の金属薄膜としては、空気中で酸化膜
の形成されにくい金属もしくけ酸化族が形成されても酸
洗等の手段で容易に除去できる金属であれば特に制限は
なく、例えば金、銀、鋼、亜鉛、スズ、鉛などがある。
の形成されにくい金属もしくけ酸化族が形成されても酸
洗等の手段で容易に除去できる金属であれば特に制限は
なく、例えば金、銀、鋼、亜鉛、スズ、鉛などがある。
ま次第2の金属薄膜の厚さは0.01〜10μmがよい
。0.01)trn以下では第2の金属薄膜が完全な膜
として形成されずま皮めっき前の酸洗工程でその大部分
が溶解除去されてしまい接着層としての効果を失ってし
まう。
。0.01)trn以下では第2の金属薄膜が完全な膜
として形成されずま皮めっき前の酸洗工程でその大部分
が溶解除去されてしまい接着層としての効果を失ってし
まう。
また10μm以上の厚さでは、上記の第2の金属薄膜は
歌い金属である之め、#!1の金属薄膜に形成したパタ
ーンを変形させ、′!逢スタンバ面に微小なうねりを生
じ好ましくない。
歌い金属である之め、#!1の金属薄膜に形成したパタ
ーンを変形させ、′!逢スタンバ面に微小なうねりを生
じ好ましくない。
本発明のスタンパを製造する方法を以下実施例(ユ従い
詳述する。
詳述する。
実施例
第2図fal〜(flは、本発明のスタンパの製造方法
を示すスタンパの断面図である。厚さ5 mm、直径3
00mmのガラス原盤1にホトレジスト膜2を形成した
。ホトレジストは例えばAZ1350 (シップレイ社
)で、厚さは0.1〜1.0μmである。つぎに寓光、
現像によりホトレジスト膜2にノくターンを形成する。
を示すスタンパの断面図である。厚さ5 mm、直径3
00mmのガラス原盤1にホトレジスト膜2を形成した
。ホトレジストは例えばAZ1350 (シップレイ社
)で、厚さは0.1〜1.0μmである。つぎに寓光、
現像によりホトレジスト膜2にノくターンを形成する。
ついでパターン3を形成し急ホトレジスト膜2上に蒸着
によりニッケルによる第1の金属薄膜6を形成する。ニ
ッケルによる第1の金属薄膜の厚さは0.05〜1.0
μmが適しておシ、さらに好ましくは0.1〜0.3μ
mがよい。蒸着時には蒸着膜内の内部応力を減少させる
ため、ガラス原盤1を蒸着装置内で80〜150’Cに
予め加熱することは効果的である。オ友蒸着後80〜1
50@Cでアニールすることも効果がある。第1の金属
薄膜としてはニッケルに限ることはなくクロム、タンタ
ル、チタン、コバルト等の硬い金属であれば制限はない
。
によりニッケルによる第1の金属薄膜6を形成する。ニ
ッケルによる第1の金属薄膜の厚さは0.05〜1.0
μmが適しておシ、さらに好ましくは0.1〜0.3μ
mがよい。蒸着時には蒸着膜内の内部応力を減少させる
ため、ガラス原盤1を蒸着装置内で80〜150’Cに
予め加熱することは効果的である。オ友蒸着後80〜1
50@Cでアニールすることも効果がある。第1の金属
薄膜としてはニッケルに限ることはなくクロム、タンタ
ル、チタン、コバルト等の硬い金属であれば制限はない
。
゛つぎに、ニッケル蒸着を行なった同一の蒸着装置内で
、引続いて銅蒸着を行ない、第1の金属薄膜6上に鋼に
よる第2の金属薄膜7を形成する。
、引続いて銅蒸着を行ない、第1の金属薄膜6上に鋼に
よる第2の金属薄膜7を形成する。
銅膜の厚さは0.01〜10μmがよく、さらに好オし
く /d o、o 5〜0.5μmである。このように
二yケル蒸着に続けて、同一の蒸着装置内で銅蒸着を行
なえばニッケル蒸着膜表面には酸化ニッケルの膜が形成
されずに銅膜が形成されるため、両者の接着力は1QO
Kg10Il、2程度と大きい。
く /d o、o 5〜0.5μmである。このように
二yケル蒸着に続けて、同一の蒸着装置内で銅蒸着を行
なえばニッケル蒸着膜表面には酸化ニッケルの膜が形成
されずに銅膜が形成されるため、両者の接着力は1QO
Kg10Il、2程度と大きい。
つぎに硝酸水溶液で酸洗を行ない銅膜表面上に形成され
皮酸化J[を溶解除去する。酸洗液は、例えば硫酸、塩
酸水溶液がよ<a度は1〜10チがよい、液温は15〜
30@Cが適している。つぎに接着層である第2の金属
薄1[7の銅膜と第1の金属薄膜6であるニッケル膜を
導電膜として電気めっきを行ないめっき膜8を形成する
。めっき膜8はニッケル、銅、真ちゅう等の膜が適して
お夛、またそれらの2種類以上被合した複合膜としても
よい。
皮酸化J[を溶解除去する。酸洗液は、例えば硫酸、塩
酸水溶液がよ<a度は1〜10チがよい、液温は15〜
30@Cが適している。つぎに接着層である第2の金属
薄1[7の銅膜と第1の金属薄膜6であるニッケル膜を
導電膜として電気めっきを行ないめっき膜8を形成する
。めっき膜8はニッケル、銅、真ちゅう等の膜が適して
お夛、またそれらの2種類以上被合した複合膜としても
よい。
めっきMをニッケル膜としたときのめっき条件は、例エ
バスルファずン酸ニッケル200g/l、スルファミン
酸1oog7z、塩化ニッケル10 g4 、ホウ酸3
0 g/i から成るスル7アオン酸ニツケルめっき液
で、液温30°C1電流密度0.1〜5A/dm2、め
1き時間約100分である。1之めつき膜8の厚さは5
0〜500μmが適しておシ、先に記し念ようにニッケ
ル鋼、真ちゅう等の単一膜としてもそれらの僚合膜とし
てもよい。つぎにホトレジスト膜2とニッケル蒸着層の
#!1の金属薄116との界面で剥離し、ホトレジスト
j[2に形放し次パターン3を反転したパターン9を有
するスタンノくを得次。
バスルファずン酸ニッケル200g/l、スルファミン
酸1oog7z、塩化ニッケル10 g4 、ホウ酸3
0 g/i から成るスル7アオン酸ニツケルめっき液
で、液温30°C1電流密度0.1〜5A/dm2、め
1き時間約100分である。1之めつき膜8の厚さは5
0〜500μmが適しておシ、先に記し念ようにニッケ
ル鋼、真ちゅう等の単一膜としてもそれらの僚合膜とし
てもよい。つぎにホトレジスト膜2とニッケル蒸着層の
#!1の金属薄116との界面で剥離し、ホトレジスト
j[2に形放し次パターン3を反転したパターン9を有
するスタンノくを得次。
本方法で形成し逢スタンパの各金属M間の接着力は10
0 Kg742以上の大きなfEを有したものである。
0 Kg742以上の大きなfEを有したものである。
本爽施例ではめっきJ[8を形成し次後、剥離を行ない
スタンパを形成したが、めつきMを形成した後、裏打ち
材で補強し念後、剥離してもjl、q。
スタンパを形成したが、めつきMを形成した後、裏打ち
材で補強し念後、剥離してもjl、q。
補強材としてはアルミニウム、鋼、鉄、真ちゅう等の板
が適している。また補強材は例えばセメダイン、アラル
ダイト等のエポキシ系接着剤でめつき膜8と接着する。
が適している。また補強材は例えばセメダイン、アラル
ダイト等のエポキシ系接着剤でめつき膜8と接着する。
″
ま九本例ではガラス原盤から直接スタンノくを製造する
方法について説明したが、ガラス原盤からマスクを作シ
、ついでマザーを作シ、ついでスタンパを作る方法にお
けるマスクの製造方法についても適用できること#i言
うまでもない。
方法について説明したが、ガラス原盤からマスクを作シ
、ついでマザーを作シ、ついでスタンパを作る方法にお
けるマスクの製造方法についても適用できること#i言
うまでもない。
本発明により、従来数にレース程度にすぎなかつ次スタ
ンパを構成する金Jl膜間の接着力を100Kg/cm
2以上に向上できた。これによシスタンピング時の第1
の金属薄膜の剥離がなくなり、極めて寿命の長いスタン
パを製造することができ次、また、接着層である第2の
金属薄Mを設けることによシ、第2の金属薄膜が第1の
金属薄膜にくらべて電気伝導率が大きいことから、めっ
き開始時からめっき厚が1μm程度に成長するまでの電
流密度を0.05 AI、3□2から0.5 ’/dm
’に上昇させることが可能となシ、めっき時間を約2時
間短縮することができ次。さらに第1および第2の金属
薄膜の電気抵抗が小さい念め、通電部であるガラス原盤
の中心から周辺部までの抵抗値が小さくなり、従来にく
らべてめっき膜の均一性を向上させることができた。
ンパを構成する金Jl膜間の接着力を100Kg/cm
2以上に向上できた。これによシスタンピング時の第1
の金属薄膜の剥離がなくなり、極めて寿命の長いスタン
パを製造することができ次、また、接着層である第2の
金属薄Mを設けることによシ、第2の金属薄膜が第1の
金属薄膜にくらべて電気伝導率が大きいことから、めっ
き開始時からめっき厚が1μm程度に成長するまでの電
流密度を0.05 AI、3□2から0.5 ’/dm
’に上昇させることが可能となシ、めっき時間を約2時
間短縮することができ次。さらに第1および第2の金属
薄膜の電気抵抗が小さい念め、通電部であるガラス原盤
の中心から周辺部までの抵抗値が小さくなり、従来にく
らべてめっき膜の均一性を向上させることができた。
第1図のtal〜to+は、従来のスタンノくを製造す
る・方法を示す図、第2図の(al〜Triは本発明の
スタンパを製造する方法を示す図である。 1 ガラス原盤 2、 ホトレジスト膜 五 パターン 歳 金属薄膜 5 めっき膜 6、 第1の金属薄膜 l 第2の金属薄膜 a めっき膜 賃 反転したパターン グ/ 図 ケ2図 手続補正書(自発) ・it f’lの人生 昭和 56 りI 特許願第 146220 シJ。 発明の名称 スタンパとその製造方法補正をする者 ′・□′孟;”・二・: ++ :l 製 作 所
7+ ′ ″ 111゛勝 茂 代 理 人 捕II:、の内容 1 明細書第2頁、第14行目の「金円薄膜4」を「金
属薄膜4」に訂正する。 2 明1111I書第6頁、第8行目の「硝酸水溶液」
を「硫酸水浴液」に訂正する。
る・方法を示す図、第2図の(al〜Triは本発明の
スタンパを製造する方法を示す図である。 1 ガラス原盤 2、 ホトレジスト膜 五 パターン 歳 金属薄膜 5 めっき膜 6、 第1の金属薄膜 l 第2の金属薄膜 a めっき膜 賃 反転したパターン グ/ 図 ケ2図 手続補正書(自発) ・it f’lの人生 昭和 56 りI 特許願第 146220 シJ。 発明の名称 スタンパとその製造方法補正をする者 ′・□′孟;”・二・: ++ :l 製 作 所
7+ ′ ″ 111゛勝 茂 代 理 人 捕II:、の内容 1 明細書第2頁、第14行目の「金円薄膜4」を「金
属薄膜4」に訂正する。 2 明1111I書第6頁、第8行目の「硝酸水溶液」
を「硫酸水浴液」に訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 所定形状のパターンを有する第1の金属薄膜と、
接着層となる第2の金属薄膜と、めっき膜とから成るこ
とを特徴としたスタンパ。 2 所定形状のパターンを形成した原盤に蒸着法等の気
相成長法によって第1の金属薄膜を形成し、該金属薄膜
に同様の気相成長法によって接着材となる第2の金属薄
膜を形成し、つbで電気めっき法によってめっき展を形
成し、必要に応じて裏打材を接着した接菌1の金属薄膜
と原盤との界面から剥離してなることを特徴とするスタ
ンパの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14622081A JPS5850635A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スタンパとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14622081A JPS5850635A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スタンパとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5850635A true JPS5850635A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15402820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14622081A Pending JPS5850635A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スタンパとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5850635A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956307A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 東芝ライテック株式会社 | 照明器具 |
JPS59177742A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | 情報記録担体の複製用型およびその製法 |
JPS59193560A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Daicel Chem Ind Ltd | 回転記録体用スタンパ−及びその製造法 |
EP0395395A2 (en) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Roll stamper for molding substrate used for optical recording medium, process for preparing same, and process for preparing optical recording medium making use of it |
US5489082A (en) * | 1987-12-28 | 1996-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Reproducible molding die having a removable cleaning layer |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14622081A patent/JPS5850635A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956307A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 東芝ライテック株式会社 | 照明器具 |
JPS59177742A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | 情報記録担体の複製用型およびその製法 |
JPS59193560A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Daicel Chem Ind Ltd | 回転記録体用スタンパ−及びその製造法 |
US5489082A (en) * | 1987-12-28 | 1996-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Reproducible molding die having a removable cleaning layer |
EP0395395A2 (en) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Roll stamper for molding substrate used for optical recording medium, process for preparing same, and process for preparing optical recording medium making use of it |
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