JPS5849698A - 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 - Google Patents
炭化珪素ウイスカ−の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化珪素ウィスカーの製造方法に関し、より詳
細には高品質かつ高収率で炭化珪素ウィスカーを工業的
に製造する方法に関する。
細には高品質かつ高収率で炭化珪素ウィスカーを工業的
に製造する方法に関する。
従来より炭化珪素ウィスカーはプラスチック。
ガラス、金属等の補強材として注目されており、その製
造法としては(1)気相法、(2)固相法、および(3
)液相法が知られている。これら製造法の中で<11は
主流をなし、針状の単結晶であるウィスカーを作るには
、反応系が気相である必要があると云う基本的工程を考
慮して開発された方法であり、珪素源としての四塩化珪
素と、炭素源としての四塩化炭素捷たは黒鉛の水素気流
中での反応や、メチルトリクロルンランなど有機ンラン
の熱分解がこれに属する。しかしながら、これらの方法
は工業的にウィスカーを製造する方法としては原料のコ
スト高、気相系反応ガスの取扱い困錘さ、装置の複雑さ
、スケールアップの困難さ、又、収率が約5〜10係と
低いなど問題点が多かった。
造法としては(1)気相法、(2)固相法、および(3
)液相法が知られている。これら製造法の中で<11は
主流をなし、針状の単結晶であるウィスカーを作るには
、反応系が気相である必要があると云う基本的工程を考
慮して開発された方法であり、珪素源としての四塩化珪
素と、炭素源としての四塩化炭素捷たは黒鉛の水素気流
中での反応や、メチルトリクロルンランなど有機ンラン
の熱分解がこれに属する。しかしながら、これらの方法
は工業的にウィスカーを製造する方法としては原料のコ
スト高、気相系反応ガスの取扱い困錘さ、装置の複雑さ
、スケールアップの困難さ、又、収率が約5〜10係と
低いなど問題点が多かった。
(2)は珪素源として二酸化珪素や窒化珪素を、炭素源
として黒鉛を用いる方法であり、原料が固体であるので
取扱いが容易である利点はあるが、ウィスカーを得るた
めには、まず原料を固相から気相に変換する工程1次い
でこれを混合。
として黒鉛を用いる方法であり、原料が固体であるので
取扱いが容易である利点はあるが、ウィスカーを得るた
めには、まず原料を固相から気相に変換する工程1次い
でこれを混合。
反応させる工程を夫々必要とし、装置の複雑化。
大型化を避は得す、かつ収率も約50〜60係程度で悪
いなどの欠点があった。
いなどの欠点があった。
(3)は沸化物を用いてNi −Si −C、Fe −
Si −C,Mg−8i−C系などからウィスカーを析
出させる方法であるが、装置の複雑さに加えてこの方法
も収率が約数チと低いことが欠点とされて 1いた。
“ そこで本発明はかかる従来の欠点を解消するためになさ
れたものであり、高品質、かつ高収率で炭化珪素ウィス
カーを大量に製造することができ、工業的製造方法とし
て最適であるなどの特長ケ有する。すなわち本発嬰は、
磁5性管もしくは黒鉛管に粉末状の二酸化珪素、窒化珪
素。
Si −C,Mg−8i−C系などからウィスカーを析
出させる方法であるが、装置の複雑さに加えてこの方法
も収率が約数チと低いことが欠点とされて 1いた。
“ そこで本発明はかかる従来の欠点を解消するためになさ
れたものであり、高品質、かつ高収率で炭化珪素ウィス
カーを大量に製造することができ、工業的製造方法とし
て最適であるなどの特長ケ有する。すなわち本発嬰は、
磁5性管もしくは黒鉛管に粉末状の二酸化珪素、窒化珪
素。
又は二酸化珪素と触媒との混合物、および嵩高度0.1
2〆C以下の炭素粉末を充填し、これを少くとも130
0°Cに加熱し一々がら水素を供給することを特徴とす
るものである。
2〆C以下の炭素粉末を充填し、これを少くとも130
0°Cに加熱し一々がら水素を供給することを特徴とす
るものである。
本発明においては炭化珪素ウィスカーの珪素源として粉
末状の二酸化珪素、窒化珪素、又は二酸化珪素と触媒と
の混合物を用いる。ここで触媒とは粉末状のシリコン、
鉄、ニッケル、又はラネーニッケルなどであり、これら
触媒と二酸化珪素との混合比率は通常0.1〜5 wt
%である。かかる珪素源の粉末度は後述する炭素源の嵩
密度とも関係して、通常ではね径5μ以下、好まし、く
け1μ以下のものを用いる。珪素源の粉末度が5 tt
以−]−では製造ウィスカー性状にムラができて、好ま
しくない。
末状の二酸化珪素、窒化珪素、又は二酸化珪素と触媒と
の混合物を用いる。ここで触媒とは粉末状のシリコン、
鉄、ニッケル、又はラネーニッケルなどであり、これら
触媒と二酸化珪素との混合比率は通常0.1〜5 wt
%である。かかる珪素源の粉末度は後述する炭素源の嵩
密度とも関係して、通常ではね径5μ以下、好まし、く
け1μ以下のものを用いる。珪素源の粉末度が5 tt
以−]−では製造ウィスカー性状にムラができて、好ま
しくない。
炭化珪素ウィスカーの炭素源としては、前記珪素源の粉
末度とも関連して、嵩密度0,17メC以下、軽重しく
は0077メQ以下の炭素粉末を用いる。嵩密席瀘0.
19/cc=以−にでは磁性管もしくは黒鉛管に充填し
たとき水素ガスの均一な流れが不可能になってウィスカ
ーの収率が著るしく低下し、また炭素粉末の表層部と内
層部で生成するウィスカーの性状に著るしい差が生じ、
前者では綿状の非常に長いウイスノノー1後者では不均
一な細く、短いウィスカーとなり、不均一な品質となる
。かかる炭素粉Azは前記嵩密度の条件を具備すれば如
何なる種類であっても良いが、鉱物原料系活性炭、たと
えばコークス系、タールピッチ系2石油系など、および
有機原料系活性炭、たとえばヤ7ガラ炭、アイポリー炭
の使用が好ましい。
末度とも関連して、嵩密度0,17メC以下、軽重しく
は0077メQ以下の炭素粉末を用いる。嵩密席瀘0.
19/cc=以−にでは磁性管もしくは黒鉛管に充填し
たとき水素ガスの均一な流れが不可能になってウィスカ
ーの収率が著るしく低下し、また炭素粉末の表層部と内
層部で生成するウィスカーの性状に著るしい差が生じ、
前者では綿状の非常に長いウイスノノー1後者では不均
一な細く、短いウィスカーとなり、不均一な品質となる
。かかる炭素粉Azは前記嵩密度の条件を具備すれば如
何なる種類であっても良いが、鉱物原料系活性炭、たと
えばコークス系、タールピッチ系2石油系など、および
有機原料系活性炭、たとえばヤ7ガラ炭、アイポリー炭
の使用が好ましい。
(3)
珪素源と炭素源との混合比率は、たとえば珪素源として
二酸化珪素を用いる場合には、下記反応式、 5102 + C+2H2→SIC+ 2’H20で求
められる炭素量の10〜50%過剰を一般に用い、好ま
しくは20%過剰の炭素量を用いる。
二酸化珪素を用いる場合には、下記反応式、 5102 + C+2H2→SIC+ 2’H20で求
められる炭素量の10〜50%過剰を一般に用い、好ま
しくは20%過剰の炭素量を用いる。
珪素源として窒化珪素、又は二酸化珪素と触媒との混合
物を用いる場合も同様である。炭素粉末の過剰使用が1
0チ以下では反応が不十分になり、又50%以上過剰で
は未反応の炭素が多くなる。
物を用いる場合も同様である。炭素粉末の過剰使用が1
0チ以下では反応が不十分になり、又50%以上過剰で
は未反応の炭素が多くなる。
上述したような珪素源粉末および炭素粉末を混合したの
ち、本発明においては磁性管、もしくは黒鉛管に充填す
る。しかし、黒鉛管の使用が好ましく、磁性管でもウィ
スカー生成に支障はないが、磁性管内壁に接している部
分にウィスカー状とならないで微粒状炭化珪素が生成す
ることがある。これら磁性管もしくは黒鉛管の長さ、径
は珪素源および炭素粉末の使用量に応じて適宜選定する
ことができる。充填にあたつ(4) てdl、特に不均一な充填でない限り通常の充填方法で
良いが、ウィスカー生成反応の均一化を考慮すれば、出
来るだけ均一な充填が好ましい。充填後、この充j(i
域を少くとも1300°Cに加熱する。得られたウィス
カーの形状を被補強材中への分散、混合や複合化に好都
合なものにすることを考慮すれば、少くとも1450°
Cに加熱することが軽重しい。加熱温度が1300°C
以下ではウィスカー生成反応が進行しがたく、収率が著
るしく低下する。加熱手段は如何外るものであっても良
く、たとえば電気炉が用いられる。
ち、本発明においては磁性管、もしくは黒鉛管に充填す
る。しかし、黒鉛管の使用が好ましく、磁性管でもウィ
スカー生成に支障はないが、磁性管内壁に接している部
分にウィスカー状とならないで微粒状炭化珪素が生成す
ることがある。これら磁性管もしくは黒鉛管の長さ、径
は珪素源および炭素粉末の使用量に応じて適宜選定する
ことができる。充填にあたつ(4) てdl、特に不均一な充填でない限り通常の充填方法で
良いが、ウィスカー生成反応の均一化を考慮すれば、出
来るだけ均一な充填が好ましい。充填後、この充j(i
域を少くとも1300°Cに加熱する。得られたウィス
カーの形状を被補強材中への分散、混合や複合化に好都
合なものにすることを考慮すれば、少くとも1450°
Cに加熱することが軽重しい。加熱温度が1300°C
以下ではウィスカー生成反応が進行しがたく、収率が著
るしく低下する。加熱手段は如何外るものであっても良
く、たとえば電気炉が用いられる。
本発明においては一]二記反応温度は単に炭:化珪素ウ
ィスカーの生成を促進するばかりでなく、反応温度の変
化によって、得られる炭化珪素ウィスカーの径、長さ、
アスペクト比(径/長さ比)などを変化させることがで
きる。すなわち反応温度1300°C付近では炭化珪素
ウィスカーの径は0.1〜03μであり、長さは20〜
50μであり、アスペクト比は100〜200であるが
、1450°C付近では、得られるウィスカーの径は0
5〜1μとなり、長さは60〜100μとなり、アスペ
クト比は40〜80となる。すなわち本発明においては
反応温度の調整によって、炭化珪素ウィスカーの性状を
変化させることができる。
ィスカーの生成を促進するばかりでなく、反応温度の変
化によって、得られる炭化珪素ウィスカーの径、長さ、
アスペクト比(径/長さ比)などを変化させることがで
きる。すなわち反応温度1300°C付近では炭化珪素
ウィスカーの径は0.1〜03μであり、長さは20〜
50μであり、アスペクト比は100〜200であるが
、1450°C付近では、得られるウィスカーの径は0
5〜1μとなり、長さは60〜100μとなり、アスペ
クト比は40〜80となる。すなわち本発明においては
反応温度の調整によって、炭化珪素ウィスカーの性状を
変化させることができる。
次に上記温度に加熱された炭素粉末と珪素源粉末との混
合物に水素を供給する。水素の供給流速は、炭化珪素ウ
ィスカーの生成に対してさほど影響はなく通常2c′m
//Inm〜20CTL/In1nであり、流速2C1
n−/mln以下では反応が遅くなり、20 (171
/、n、7以上では収率は変らず効果はない。反応時間
は通常では約3時間で良く、3時間以下では反応不十分
の傾向が見られ、又3時間以上反応を行なっても特に著
るしい収率の上昇は見られない。
合物に水素を供給する。水素の供給流速は、炭化珪素ウ
ィスカーの生成に対してさほど影響はなく通常2c′m
//Inm〜20CTL/In1nであり、流速2C1
n−/mln以下では反応が遅くなり、20 (171
/、n、7以上では収率は変らず効果はない。反応時間
は通常では約3時間で良く、3時間以下では反応不十分
の傾向が見られ、又3時間以上反応を行なっても特に著
るしい収率の上昇は見られない。
水素ガスの供給にあたっては、珪素源粉末と炭素粉末と
の混合物を充填した黒鉛管もしくは磁性管を外套管内に
挿抜可能に挿入し、この外套管に水素を供給する。しか
し、珪素源および炭素粉未使用量が少ない場合や、これ
ら原料の加熱を均一にするためには、外套管を用いて原
料が充填された黒鉛管や磁性管を電気炉の中心部近くに
挿入することが軽重しい。外套管としては一般にアルミ
ナ管などが用いられる。
の混合物を充填した黒鉛管もしくは磁性管を外套管内に
挿抜可能に挿入し、この外套管に水素を供給する。しか
し、珪素源および炭素粉未使用量が少ない場合や、これ
ら原料の加熱を均一にするためには、外套管を用いて原
料が充填された黒鉛管や磁性管を電気炉の中心部近くに
挿入することが軽重しい。外套管としては一般にアルミ
ナ管などが用いられる。
以上述べた如く、本発明によれば嵩密度01’Ice以
下の炭素粉末を用いたので水素の供給が均一化され、珪
素源をベースとして収率70〜100%で炭化珪素ウィ
スカーが得られる。この値は、従来法による収率の約5
〜10倍の高収率に相当する。また、本発明は黒鉛管ま
たは磁性管に珪素源粉末と炭素粉末の混合物を充填し、
これに加熱下に水素を供給するだけの簡単な方法なので
、スケールアップが極めて容易であり、前記高収率とあ
わせて大量生産の目的に好適な方法と云える。
下の炭素粉末を用いたので水素の供給が均一化され、珪
素源をベースとして収率70〜100%で炭化珪素ウィ
スカーが得られる。この値は、従来法による収率の約5
〜10倍の高収率に相当する。また、本発明は黒鉛管ま
たは磁性管に珪素源粉末と炭素粉末の混合物を充填し、
これに加熱下に水素を供給するだけの簡単な方法なので
、スケールアップが極めて容易であり、前記高収率とあ
わせて大量生産の目的に好適な方法と云える。
更に本発明では、反応条件、特に反応温度を適宜調節す
ることによって、ウィスカー性状、すなわち径、長さ、
アスペクト比を変化させることができるので、用途に応
じて目的とする性質のウィスカーを得ることができる。
ることによって、ウィスカー性状、すなわち径、長さ、
アスペクト比を変化させることができるので、用途に応
じて目的とする性質のウィスカーを得ることができる。
更に寸だ、本発明により得られた炭化珪素ウィスカーを
大気中で焼成することにより未反応(7) の炭素源を除去し、高品質のウィスカーとすることがで
きる。すなわち本発明は炭化珪素ウィスカーの工業的製
法として好適である。
大気中で焼成することにより未反応(7) の炭素源を除去し、高品質のウィスカーとすることがで
きる。すなわち本発明は炭化珪素ウィスカーの工業的製
法として好適である。
以下、本発明を実施例にもとづき更に詳細に説明する。
実施例1
平均粒径10μの石英粉27 gに325メツシュ全通
の鉄粉、又はニッケル粉を5重量%加え、これに嵩密度
0.03 ’Ar−の石油系活性炭77を混合しくS1
0□:C二1 : 1.3 )、これを図に示す外径3
7×内径32×長さ300龍の黒鉛管1に充填し、これ
を外径50×内径42×長さ1000mmの外套管2中
に挿入し、電気炉3(/リコニット炉。
の鉄粉、又はニッケル粉を5重量%加え、これに嵩密度
0.03 ’Ar−の石油系活性炭77を混合しくS1
0□:C二1 : 1.3 )、これを図に示す外径3
7×内径32×長さ300龍の黒鉛管1に充填し、これ
を外径50×内径42×長さ1000mmの外套管2中
に挿入し、電気炉3(/リコニット炉。
加熱体300 mm )中に挿入した。次いでアルゴン
ガス200 ”Aninを矢印方向に通しながら145
0°Cに加熱した。アルゴンガスを止め、水素を100
0C%mの流量(流速70cnV1nln)で同様に供
給した。
ガス200 ”Aninを矢印方向に通しながら145
0°Cに加熱した。アルゴンガスを止め、水素を100
0C%mの流量(流速70cnV1nln)で同様に供
給した。
約2時間の反応後、電気炉3を止め、水素ガスをアルゴ
ンガスに切換えて放置した。反応生成物は、わずかに黒
味を帯び、未反応物としての(8) 活性炭が認められた。この反応生成物を700°Cで1
時間、大気中で焼成して残留活性炭を除去した。得られ
た炭化珪素ウィスカー〇、約137゜石英粉をベースと
する収率は67チであった。このものの性状は径約0.
3tt、長さ50〜100μ。
ンガスに切換えて放置した。反応生成物は、わずかに黒
味を帯び、未反応物としての(8) 活性炭が認められた。この反応生成物を700°Cで1
時間、大気中で焼成して残留活性炭を除去した。得られ
た炭化珪素ウィスカー〇、約137゜石英粉をベースと
する収率は67チであった。このものの性状は径約0.
3tt、長さ50〜100μ。
アスペクト比150〜200であり、曲ったものは認め
られなかった。
られなかった。
実施例2
水素供給時間を3.5時間とした以外は、実施例1と同
様にして実験を行なった。反応生成物中に原料粉末は全
く認められず、実施例と同様のウィスカーのみが得られ
た。
様にして実験を行なった。反応生成物中に原料粉末は全
く認められず、実施例と同様のウィスカーのみが得られ
た。
実施例3
粒径0.1〜3μの窒化珪素307と007k(−の嵩
密度のヤシ殻炭107を混合しくSi:Cモル比=1°
13)、実施例1と同一の条件で2時間。
密度のヤシ殻炭107を混合しくSi:Cモル比=1°
13)、実施例1と同一の条件で2時間。
および3.5時間、水素を供給して反応させた。
反応時間2時間の場合には未反応残渣がみられたが3.
5時間では全く未反応物は存在せず、生成物全てが炭化
珪素ウィスカーであった。収量237、収率90チ、径
】/l、長さ60〜1001z。
5時間では全く未反応物は存在せず、生成物全てが炭化
珪素ウィスカーであった。収量237、収率90チ、径
】/l、長さ60〜1001z。
平均アスペクト比60であった。
実施例4
実施例3において黒鉛管に外径50×内径43×長さ4
!50mmのものを用い、外套管に外径72×内径65
×長さ1500mmを用いた以外は同様な条件で反応を
行なった。得られたウィスカー量は102 f 、収率
96%であった。
!50mmのものを用い、外套管に外径72×内径65
×長さ1500mmを用いた以外は同様な条件で反応を
行なった。得られたウィスカー量は102 f 、収率
96%であった。
比較例
実施例3において嵩密度0.3 久c、の石油系活性炭
357および粒径0.1〜3μの窒化珪素粉末1057
を混合し、他は同一条件で反応を行なった。
357および粒径0.1〜3μの窒化珪素粉末1057
を混合し、他は同一条件で反応を行なった。
反応物を取り出したところ、水素流入口伺近に綿状の炭
化珪素ウィスカーが、又、活性炭内に微細な炭化珪素ウ
ィスカーの生成が家められだが、はとんどは未反応窒化
珪素と活性炭であった。
化珪素ウィスカーが、又、活性炭内に微細な炭化珪素ウ
ィスカーの生成が家められだが、はとんどは未反応窒化
珪素と活性炭であった。
図は本発明で用いるウィスカー製造装置の説明図である
。 1・・・黒鉛管、2・・・外套管、3・・・電気炉。 工業技術院長の復代理人 1]東電気工業株式会社の代理人 弁理士 小 川 信 − 野 口 賢 照 新 下 和 彦 手続補正書 昭和56年10月20日 特許庁長官 殿 1事件の表示 昭和56年特γ1°願第148998号2発明の名称 炭化珪素ウィスカーの製造方法 3補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号氏名 (
1,1,4)工業技術院長 石 坂 誠 −小川・野[
1国際特許事務所内(電話431−5361)(2)日
東電気工業株式会社の代理人 6 補正の対象 明細書「発明の詳細な説明」の欄7
、補正の内容 (1) 明細書第3頁第10〜11行の「嵩高度」を
1高密度」と補正する。 (2) 同第9頁第14行の「加熱体−1を「均熱部
」と補正する。
。 1・・・黒鉛管、2・・・外套管、3・・・電気炉。 工業技術院長の復代理人 1]東電気工業株式会社の代理人 弁理士 小 川 信 − 野 口 賢 照 新 下 和 彦 手続補正書 昭和56年10月20日 特許庁長官 殿 1事件の表示 昭和56年特γ1°願第148998号2発明の名称 炭化珪素ウィスカーの製造方法 3補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号氏名 (
1,1,4)工業技術院長 石 坂 誠 −小川・野[
1国際特許事務所内(電話431−5361)(2)日
東電気工業株式会社の代理人 6 補正の対象 明細書「発明の詳細な説明」の欄7
、補正の内容 (1) 明細書第3頁第10〜11行の「嵩高度」を
1高密度」と補正する。 (2) 同第9頁第14行の「加熱体−1を「均熱部
」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁性管もしくは黒鉛管に粉末状の二酸化珪素。 窒化ケイ素、又は二酸化ケイ素と触媒との混合物、およ
び嵩密度01久仁以下の炭素粉末を充填して外套管に挿
入し、これを少くとも1300°Cに加熱し々から水素
を供給することを特徴とする炭化珪素ウィスカーの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56148998A JPS5945637B2 (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56148998A JPS5945637B2 (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5849698A true JPS5849698A (ja) | 1983-03-23 |
JPS5945637B2 JPS5945637B2 (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=15465413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56148998A Expired JPS5945637B2 (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5945637B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2567873A1 (fr) * | 1984-07-17 | 1986-01-24 | Nippon Light Metal Co | Procede d'obtention de whiskers de carbure de silicium de type b et four a reaction continue pour sa mise en oeuvre |
JPS63156100A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | Kobe Steel Ltd | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
US5116679A (en) * | 1988-07-29 | 1992-05-26 | Alcan International Limited | Process for producing fibres composed of or coated with carbides or nitrides |
CN104592430A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-05-06 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种超高分子量聚乙烯催化剂载体材料及其制备方法 |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56148998A patent/JPS5945637B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2567873A1 (fr) * | 1984-07-17 | 1986-01-24 | Nippon Light Metal Co | Procede d'obtention de whiskers de carbure de silicium de type b et four a reaction continue pour sa mise en oeuvre |
JPS63156100A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | Kobe Steel Ltd | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
JPH0351678B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1991-08-07 | Kobe Seikosho Kk | |
US5116679A (en) * | 1988-07-29 | 1992-05-26 | Alcan International Limited | Process for producing fibres composed of or coated with carbides or nitrides |
CN104592430A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-05-06 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种超高分子量聚乙烯催化剂载体材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5945637B2 (ja) | 1984-11-07 |
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