JPS5848526A - Driving circuit for transistor - Google Patents
Driving circuit for transistorInfo
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- JPS5848526A JPS5848526A JP56147593A JP14759381A JPS5848526A JP S5848526 A JPS5848526 A JP S5848526A JP 56147593 A JP56147593 A JP 56147593A JP 14759381 A JP14759381 A JP 14759381A JP S5848526 A JPS5848526 A JP S5848526A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
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- Inverter Devices (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタの駆動回路の改良に関するもので
従来コイル負荷等を大電流トランジスタでスイッチング
を行い駆動させる電磁誘導加熱器やスイッチングレギュ
レーター等において、たとえば負荷がショートシたりし
て大電流トランジスタが破壊されると、該トランジスタ
のベースに接続された駆動回路も破壊されていた。サー
ビス性やコスト上、大電流トランジスタや駆動回路、両
方が破壊されることは多大なる損害であった。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a transistor drive circuit, and in electromagnetic induction heaters, switching regulators, etc., in which a coil load, etc. is conventionally driven by switching with a large current transistor, for example, the load may be short-circuited. When the large current transistor was destroyed, the drive circuit connected to the base of the transistor was also destroyed. In terms of serviceability and cost, the destruction of both the high-current transistor and the drive circuit was a huge loss.
本発明はこの点にかんがみ、負荷が７ヨートして大電流
トラン９ジスタが破壊しても駆動回路のトランジスタ等
の破壊を防止するもので、サービスする時間を短縮すと
ともにサービス性を容易にするものである。In view of this point, the present invention prevents the transistors in the drive circuit from being destroyed even if the load is 70% and the large current transistor is destroyed, thereby shortening the service time and facilitating serviceability. It is something.
以下本発明の一実施例を図面に従って説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例でちゃ、１は商用電源、３〜
６は整流ブリッジ用ダイオード、７は整流用コンデンサ
、８はチョークコイルであり、その一端は、エミッタ接
地のＮＰＮ型トランジスタ８のコレクタとダ／）（−ダ
イオード９のカソード’ （ｔｉｌｌ及びコンデンサ１
１の一端に接続され、コンデンサ１１の一端は加熱コー
イルの一端に、力ｎ熱コイルの他端はトランジスタ１０
のエミッタと電源コンデンサ７及び非直線性酸化亜鉛〕
（１ノスター１２の一端に接続されている。トランジス
タ１００ベースは、非直線性素子酸化亜鉛）（リスター
１２の他端とトランジスタ３６，３８、抵抗３ら、３７
で構成、され今プッシュプル回路−９抵抗３６．３７の
−ｔ−２
端に接続されており、トランジメタ３６のエミッタは、
電源トランス１４の２次側センタータップ出力をダイオ
ード１６とコンデンサ１７で整流された正電圧源に接続
され、トランジスタ３８のエミッタはダイオード１６と
コンデンサ１８で整流された負電圧源に接続されている
。トランジスタ３６のベースは抵抗３９の一端に接続さ
れ、抵抗３９の他端ハ、トランジスタ３８のベースト、
トランジスタ３４のコレクタ及びダイオード３２０カソ
ードに接続され、ダイオード３２のアノードは抵抗３１
の一端と発振信号のオンオフを行うスイッチ２６の一端
に接続されており、抵抗３１の他端は抵抗３３の一端と
トランジスタ３４０ペースに接続され、抵抗３３の他端
とトランジスタ３４のエミッタはトランジスタ３１３の
エミッタに接続されている。スイッチ２ｅの他端は、抵
抗１９゜２０．２６，２６，２３，２９コンデンサ２１
゜：？
２７、ダイオード２４．２Ｂ、トランジスタ２２゜３ｏ
で構成される無安定マルチバイブレータ−４１の出力で
あるトランジスタ３０のコレクタに接続されている。Figure 1 shows an embodiment of the present invention, where 1 is a commercial power supply, 3 -
6 is a rectifying bridge diode, 7 is a rectifying capacitor, and 8 is a choke coil, one end of which is connected to the collector of NPN transistor 8 whose emitter is common.
1, one end of the capacitor 11 is connected to one end of the heating coil, and the other end of the heating coil is connected to the transistor 10.
emitter, power supply capacitor 7 and nonlinear zinc oxide]
(Connected to one end of Lister 12. The base of transistor 100 is a non-linear element zinc oxide) (The other end of Lister 12 and transistors 36, 38, resistors 3, 37
is now connected to the -t-2 end of the push-pull circuit -9 resistor 36.37, and the emitter of the transistor 36 is
The secondary side center tap output of the power transformer 14 is connected to a positive voltage source rectified by a diode 16 and a capacitor 17, and the emitter of the transistor 38 is connected to a negative voltage source rectified by a diode 16 and a capacitor 18. The base of the transistor 36 is connected to one end of the resistor 39, the other end of the resistor 39 is connected to the base of the transistor 38,
The collector of the transistor 34 and the cathode of the diode 320 are connected, and the anode of the diode 32 is connected to the resistor 31.
One end of the resistor 31 is connected to one end of the switch 26 that turns on and off the oscillation signal, the other end of the resistor 31 is connected to one end of the resistor 33 and the transistor 340, and the other end of the resistor 33 and the emitter of the transistor 34 are connected to the transistor 313. is connected to the emitter of The other end of the switch 2e is a resistor 19°20.26, 26, 23, 29 and a capacitor 21.
゜：? 27, diode 24.2B, transistor 22°3o
It is connected to the collector of the transistor 30, which is the output of an astable multivibrator 41 composed of the following.
上記構成において、電源１が印加されるとダイオード３
〜６とコンデンサ７で平滑された電圧が、チークコイル
８を介してトランジスタ１０のエミッターコレ−フタ間
と、コンデンサ１１とコイル１３の直列共振回路に印加
される。又、同時に電源トランス１４とダイオード１５
、１８、コンデンサ１７．１８で正負の２電圧が発生
し、無安定マルチバイブレータ−４１に印加され、その
出力のトランジスタ３０のコレクタにノぐルスが生じる
、その時、スイッチを閉成すれば、安定マルチノ（イブ
レータ−の出力を抵抗３１と３３で分圧される電圧が、
トランジスタ３４のベースに印加され、トランジスタ３
４をスイッチングさせる。抵抗３１の一端とトランジス
タ３４のコレクタに接続されたダイオード３２はトラン
ジスタ３４を不飽和でスイッチングさせ、ス、イツチン
グスピードを上げ、１．：、）
るためである。トランジスタ３４のコレクタは抵抗’５
ｓｔ４ｏの一端とトランジスタ３８０ベースに接慧−１
れているため、トランジスタ３４がオンすると、抵抗３
９の他端に接続されたトランジスタ３６がオンし、同時
にトランジスタ３８がオフする。トランジスタ３６がオ
ンするため正電圧が抵抗３６を介して、トランジスタ１
０のベースに電流が流れ、トランジスタ１ｏが、オンす
る。逆にトランジスタ３４がオフすると、トランジスタ
３６がオフし、トランジスタ３８がオンする。すると、
トランジスタ１ｏのベースに蓄積されたキャリアが抵抗
３８を通して負電圧にひっばられ、トランジスタ１０が
オフする。以下このオン−オフ動作をくり返す。、この
オンオフの発振周波数を、コンデンサ１１とコイル１３
で決められる発振周波数と同調させるとコイル１３の上
におかれた鉄等の強磁性体ら代３９が加熱される。In the above configuration, when power supply 1 is applied, diode 3
6 and the capacitor 7 are applied between the emitter and the collector of the transistor 10 through the cheek coil 8 and to the series resonant circuit of the capacitor 11 and the coil 13. Also, at the same time, the power transformer 14 and the diode 15
, 18. Two positive and negative voltages are generated in the capacitor 17.18 and applied to the astable multivibrator 41, and a noggle is generated at the collector of the output transistor 30. At that time, if the switch is closed, the voltage becomes stable. The voltage obtained by dividing the output of the Martino (ibrator) by resistors 31 and 33 is
applied to the base of transistor 34 and
Switch 4. A diode 32 connected to one end of the resistor 31 and the collector of the transistor 34 causes the transistor 34 to switch in unsaturated state, increasing the switching speed.1. :,) This is because. The collector of transistor 34 is resistor '5
Connect one end of st4o and the base of transistor 380-1
Therefore, when the transistor 34 is turned on, the resistor 3
The transistor 36 connected to the other end of the transistor 9 is turned on, and at the same time, the transistor 38 is turned off. Since the transistor 36 is turned on, a positive voltage is applied to the transistor 1 through the resistor 36.
Current flows through the base of transistor 1o, turning on transistor 1o. Conversely, when transistor 34 is turned off, transistor 36 is turned off and transistor 38 is turned on. Then,
The carriers accumulated at the base of the transistor 1o are drawn to a negative voltage through the resistor 38, and the transistor 10 is turned off. This on-off operation is then repeated. , this on/off oscillation frequency is controlled by the capacitor 11 and the coil 13.
When the oscillation frequency is tuned to the oscillation frequency determined by , a ferromagnetic material 39 such as iron placed on the coil 13 is heated.
ところが前記トランジスタ１６の負荷であるチョークコ
イル８がショートした時又は一般に低インピーダンスで
あるので、トランジスタのオン時間が長くなった時トラ
ンジスタ１０コレクタからエミッタに大電流が流れる。However, when the choke coil 8, which is the load of the transistor 16, is short-circuited, or because the impedance of the transistor is generally low, a large current flows from the collector of the transistor 10 to the emitter when the transistor is on for a long time.
その時、ＮＰＮ型トランジスタの構造は第２図に示す如
く１ｏ２のコレクタ上より、ベース端子１０１にリード
セン１０４でポンディン屯し、エミッタ端子１０３にリ
ードセン１０６にボンディングし、電気的に接続してい
る構造であり、前記異常状態時にコレクタ１０２からエ
ミッタ端子１０１に異常電流が流。At this time, the structure of the NPN transistor is as shown in FIG. 2, in which a lead sensor 104 is connected to the base terminal 101 from above the collector of 1o2, and a lead sensor 106 is bonded to the emitter terminal 103 for electrical connection. Yes, an abnormal current flows from the collector 102 to the emitter terminal 101 during the abnormal state.
れリードセン１０５が溶けて、コレクタに接続された異
常電圧がエミッタ端子に印加されず、ベース端子１０１
に印加され、上記ベース端子に接続された抵抗３６．３
７を介してトランジスタ３６゜３８に上記異常電圧が印
加される。従来は、上記トランジスタ１０のベース・工
、ミッタ間に非直線素子がないため、上記異濃電圧が、
トランジスタ３６．３８のエミッタ・コレクタ間耐圧ｖ
ｃＥ。As a result, the lead sensor 105 melts, and the abnormal voltage connected to the collector is not applied to the emitter terminal, causing the base terminal 101 to melt.
and a resistor 36.3 connected to the base terminal.
The abnormal voltage is applied to the transistors 36 and 38 through the transistors 7 and 7. Conventionally, since there is no nonlinear element between the base, capacitor, and emitter of the transistor 10, the differential concentration voltage is
Emitter-collector breakdown voltage v of transistor 36.38
cE.
を超えた場合、トランジスタ３５．３８が破壊されてい
た。本発明のように、トランジスタ１ｏのエミッタ・ベ
ース間に、トランジスタ３５ 、３８のエミッタ・コレ
クタｖｃＥｏ 以下の電産特性をもつ非直線性素子酸化
亜鉛バリスタ１２を接続すれば、前記異常状態時には、
非直線素子がトランジスタ３５．３８のエミッタ・コレ
クタ耐圧ＶＣＥＯ７、−１
以下に抑えるためトランジスタ３６・３８が、保護され
る。又、非直線性素子の電圧特性を、トランジスタ３８
のエミッタと同電位の負電位卵にすると、トランジスタ
がオンしても、非直線性素子が働くため、抵抗３７を介
してトランジスタ１０のベースのキャリア（電荷）を引
っばることができず、トランジスタ１ｏがオフしないと
いう問題が生じる。すなわち、非直線性素子の電圧特性
を、トランジスタ゛３５，３Ｂのエミッタ・コレクタ間
電圧ｖｃＥｏより小さく、かつ、トランジスタ３８のエ
ミッタと同電位の負電位以上に設定し、本発明のように
トランジスタ１ｏのベース・エミッタ間に取り付ければ
、正常時には正常状態の発振を行い、チョーク・コイル
８のショート等の異常時ニハ、トランジスタ１ｏのみの
破壊だけですみ、駆動回路のトランジスタ３５．３８を
保護するという効果を有する。又、非直線性素子は、ト
ランジスタ１ｏのベース・エミッタ間の異常電圧を吸収
し、トランジスタ１０のベース・エミッタ間の保護の役
割も果している。If it exceeds 35.38, transistors 35 and 38 have been destroyed. If, as in the present invention, the zinc oxide varistor 12, a nonlinear element, which has electrical characteristics equal to or less than the emitter-collector vcEo of the transistors 35 and 38 is connected between the emitter and base of the transistor 1o, in the abnormal state,
Transistors 36 and 38 are protected in order to suppress the non-linear elements to below the emitter-collector breakdown voltage VCEO7,-1 of transistors 35 and 38. In addition, the voltage characteristics of the nonlinear element are determined by the transistor 38.
If the negative potential is the same as the emitter of the transistor 10, even if the transistor is turned on, the nonlinear element will work, so carriers (charges) at the base of the transistor 10 cannot be pulled through the resistor 37, and the transistor A problem arises in that 1o does not turn off. That is, the voltage characteristics of the non-linear element are set to be smaller than the emitter-collector voltage vcEo of the transistors 35 and 3B and to a negative potential equal to or higher than the same potential as the emitter of the transistor 38, and as in the present invention, the voltage characteristics of the transistor 1o are set. If installed between the base and emitter, normal oscillation will occur under normal conditions, and in the event of an abnormality such as a short circuit in the choke coil 8, only the transistor 1o will be destroyed, and the transistors 35 and 38 of the drive circuit will be protected. has. Further, the nonlinear element absorbs abnormal voltage between the base and emitter of the transistor 1o, and also plays the role of protecting the base and emitter of the transistor 10.
この様に本発明によれば、回路の故障を最小限に、くい
止め、サービス時の仕易さ時間短縮を図るとともに、メ
インのトランジスタ１０のベースエミッタ間の異常電圧
保護をし、機器の信頼性を上げることができ、その効果
は絶大なものがある。As described above, according to the present invention, it is possible to minimize and prevent circuit failures, reduce the ease of use and time during service, and protect the abnormal voltage between the base and emitter of the main transistor 10, thereby increasing the reliability of the equipment. It can be increased, and the effect is tremendous.
第１図は本発明の一実施例におけるトランジスタの駆動
回路の回路図、第２図は同回路に用いるトランジスタ構
造の斜視図である。
８・・・・・・ＮＰＮ型トランジスタ、９・・・・・拳
ダンパーダイオード、１ｏ・・・・・・トランジスタ、
１１１ＩａＩｌ・・・コンデンサ。FIG. 1 is a circuit diagram of a transistor drive circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a transistor structure used in the circuit. 8...NPN type transistor, 9...Fist damper diode, 1o...Transistor,
111IaIl... Capacitor.
Claims (1)
ジスタをスイッチング動作させ、正負の電源母線にそれ
ぞれ接続された半導体スイッチング素子のオスオフによ
り上記トランジスタに正又は負のベース電流を供給する
と共（、上記トランジスタのペースエミッタ間に非直線
性半導体素子を接続したトランジスタの駆動回路。An NPN transistor that is substantially directly connected between the rectified power supplies is operated for switching, and a positive or negative base current is supplied to the transistor by switching off/on the semiconductor switching elements connected to the positive and negative power supply buses respectively. A transistor drive circuit in which a nonlinear semiconductor element is connected between the pace emitters of the above transistors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147593A JPS5848526A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Driving circuit for transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147593A JPS5848526A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Driving circuit for transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848526A true JPS5848526A (en) | 1983-03-22 |
Family
ID=15433853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147593A Pending JPS5848526A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Driving circuit for transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848526A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161590U (en) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123160A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor driving system |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56147593A patent/JPS5848526A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123160A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor driving system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161590U (en) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 |
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