[go: up one dir, main page]

JPS5844699Y2 - 固体カラ−撮像装置 - Google Patents

固体カラ−撮像装置

Info

Publication number
JPS5844699Y2
JPS5844699Y2 JP1976172950U JP17295076U JPS5844699Y2 JP S5844699 Y2 JPS5844699 Y2 JP S5844699Y2 JP 1976172950 U JP1976172950 U JP 1976172950U JP 17295076 U JP17295076 U JP 17295076U JP S5844699 Y2 JPS5844699 Y2 JP S5844699Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light
signal
solid
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1976172950U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5389229U (ja
Inventor
康雄 中田
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP1976172950U priority Critical patent/JPS5844699Y2/ja
Publication of JPS5389229U publication Critical patent/JPS5389229U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5844699Y2 publication Critical patent/JPS5844699Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 撮像素子として電荷転送素子、例えばCCDを使用する
と共に、これに被写体の色分解像を投影すれば、固体カ
ラー撮像装置を構成することができる。
しかし、その場合には、被写体の色分解像を形成する縞
状の色分解フィルタを、CCDの撮像部に対して極めて
正確な位置に取り付けなければならず、歩留りが悪くな
ると共に、コストアップとなってしまう。
また色分解フィルタ自身もコストアップを招いてしまう
本考案は、このような点を改善した固体カラー撮像装置
を提供しようとするものである。
今、第1図に示すように、シリコン基体1上に、310
2層2、多結晶シリコン層3.3102層4が順次形成
されているとする。
そして、これら各層2〜4の厚さをそれぞれt2〜t4
とするとき、これら厚さt2〜t4を第2図に示すよう
なパラメータとして入射光りに対する基体1の分光感度
特性を測定すると、第3図に示すような特性となる。
すなわち、A 曲線II 、 IIIでは、層2〜4の
干渉の影響が顕著になり、大きなリップルを生じている
が、曲線■。
IVでは、比較的素直である。
B 多結晶シリコン層3は、入射光りに対する内部吸収
係数が大きいので、層3の厚さt3を厚くすると、短波
長での感度が低くなり、t3〉4000Aでは、青色光
に対して感度がほとんどなくなる。
C3iO2層2,4は、内部吸収係数が小さいので長波
長での感度はもちろんのこと、短波長での感度も充分に
ある。
本考案は、以上の点を利用して固体カラー撮像装置を構
成するものである。
以下その一例について説明しよう。
第4図において、10は被写体、20は輝度信号用のC
CDを示し、これらの間の光路上に、撮像レンズ11.
近赤外カットフィルタ12、ハーフミラ−13及び視感
度フィルタまたは輝度フィルタ16が順次数けられ、C
CD21の撮像部20 Iには被写体10の像が投影さ
れる。
またハーフミラ−13の反射光が、フルミラー14で反
射されてからマゼンタ色光を透過光とする光学的色フィ
ルタ15を通じて色信号用のCCD 30の撮像部30
Iに供給され、ここに、被写体10のマゼンタ色光の
像が投影される。
そして、CCD20,30は、例えばフレームトランフ
ァー型とされているもので、投影された像を電荷像に変
換する撮像部20 I 、30 Iと、その電荷像を一
度蓄積しておく蓄積部2O3,305と、その蓄積され
ている電荷を順次読み出して出力信号とする読み出し部
20R,30Rとを有する。
そしてこの場合、輝度信号用のCCD 20については
、一般のものと同様に構成されているが、色信号用のC
CD 30は、例えば次のように構成されている。
すなわち、第5図は、CCD30の撮像部30 Iにつ
いて示すもので、この例では2相のクロック型とされ、
31は1の導電型を有する半導体基体を示す。
この基体31には、その入射光側の表面に臨んで帯状の
チャンネルストッパ領域36が、垂直方向に沿って形成
されている。
この場合、この領域36は、基体31と同導電型で、か
つ、基体31に比べて十分に高い不純物濃度を有する。
そして領域36の水平方向における間隔は、水平方向に
おける絵素のピッチとされているもので、交互に2対1
の割り合いとされている。
なお、この領域36で挾まれた区間のうち、水平方向の
幅が広い区間31Wは、最終的に赤色信号に対応する区
間であり、狭い区間31Nは、青色信号に対応する区間
である。
そしてこの基体31上には、領域36上を含んで、31
02層32が絶縁層として一様な厚さ、例えば1000
〜1500久程度の厚さに形成され、さらにこの310
2層32の表面上に、帯状のストレージゲート電極33
、すなわち、リンあるいはボロンなどがドープされた多
結晶シリコン層33が、水平方向に沿って、かつ、垂直
方向における1絵素につき2本の割り合いで互いに並行
に形成されている。
ただしこの場合、多結晶シリコン層33には、区間31
Wに対応する部分のうち、水平方向におけるほぼ士の部
分に、透孔37、すなわち、受光窓37が形成されてい
る。
また多結晶シリコン層33の厚さは、例えば4000〜
5000 A、またはこれ以上である。
さらに、3102層32及び゛多結晶シリコン層33上
には、受光窓37の部分を除いて、3102層34が全
面的に、かつ、一様な厚さ、例えば1000人の厚さに
形成され、この3102層34上、特に多結晶シリコン
層33にまたがるように、水平方向に沿って例えばアル
ミニウムよりなる帯状のトランスファーゲート電極35
が形成されている。
ただし、この電極35は、受光窓37の部分及び区間3
1 Nの部分(鎖線図示の部分)38では、幅が狭くさ
れている。
なおこの部分38も受光窓となるものである。
そして多結晶シリコン層(ストレージゲ−ト電極)33
と、垂直方向に関してこの層33に隣り合うトランスフ
ァーゲート電極35とが、電気的に互いに接続されてゲ
ート電極39とされている。
このようにCCD30の撮像部30 Iが構成され、ま
た蓄積部30 S及び読み出し部30 Rは、一般のも
のと同様に構成されている。
従って受光窓37においては、基体31に対して310
2層32のみが形成されているので、この受光窓37に
おける分光感度特性は、第3図の曲線■で示される。
また部分38、すなわち、受光窓38においては、基体
31に対して3102層32、多結晶シリコン層33.
3102層34か゛形成されているので、この受光窓3
8における分光感度特性は、第3図の曲線IVで示され
る。
そして近赤外カットフィルタ12は、第6図Aの曲線V
Iのような分光透過特性を有し、またマゼンタフィルタ
15は、第6図Aの曲線Vllのような分光透過特性を
有している。
従ってフィルタ12.13.15と受光窓37との合成
の分光感度特性は、曲線I 、VI、Vllを合成した
特性となるので、第6図Bに曲線37 Sとして示すよ
うに、青色光及び赤色光に対して感度を有する特性とな
り、第7図に示すように、受光窓37からは青色信号E
b及び赤色信号Erとの加算信号(マゼンタ信号)(E
b+Er)が得られることになる。
またフィルタ12.14と受光窓38との合成の分光感
度特性は、曲線IV 、 VI 、Vllを合成した特
性となるので、第6図Bに曲線38 Sとして示すよう
に、赤色光に対してのみ感度を有する特性となり、第7
図に示すように、受光窓38からは赤色信号Erが得ら
れることになる。
一方、第5図Bに示すように、1つおきのゲートを極3
9に、2相のクロックパルス(転送パルス)φ1.φ2
が供給されれば、基体31には、ストレージ領域と、ト
ランスファ領域とが形成され、受光窓37.38(7)
電荷〔信号(Eb + Er) 、Er)は、垂直方向
に順次転送される。
そこで、マスク発振回路25の発振信号が分周回路26
に供給されてクロックパルスφ1.φ2及び転送パルス
が形成され、これらパルスがCCD 30に供給されて
色信号(Eb + Er) 、Erが取り出される。
この場合、第7図に示すように、受光窓37.38は、
水平方向に交互に形成されているので、CCD 30か
らは、信号(Eb+Er)とErとが点順次に得られる
また分周回路26からクロックパルス及び転送パルスが
CCD 20に供給され、CCD 20からは輝度信号
EVが取り出される。
そしてこの信号Eyがアンプ41に供給されて必要な信
号処理が行われてからNTSOエンコーダ回路42に供
給される。
さらにCCD 30からの信号(Eb + Er) 、
Ert7)点順次信号が、アンプ51を通じて減算回路
52に供給されると共(こ、1ビツトの遅延回路53に
供給されて信号Er、(Eb + Er)の点順次信号
とされ、この信号が減算回路52に供給され、減算回路
52からは青色信号Eb、−Ebの点順次信号が取り出
される。
そしてこの信号が、サンプリングホールド回路54に供
給されると共に、分周回路26からサンプリングパルス
も供給されて青色信号Ebが取り出され、この信号Eb
がエンコーダ回路42に供給される。
またアンプ51からの信号(Eb+Er)、Erの点順
次信号が、サンプリングホールド回路55に供給される
と共に、分周回路26からサンプリングパルスも供給さ
れて赤色信号Erが取り出され、この信号Erがエンコ
ーダ回路42に供給される。
さらに、分周回路26から色副搬送波信号及びバースト
信号がエンコーダ回路42に供給される。
こうしてエンコーダ回路42において、信号EV。
Eb 、ErがNTSCカラー映像信号に変換され、こ
の信号が端子43に取り出される。
そしてこの場合、本考案によれば、SiO2層32 、
34及び多結晶シリコン層33によって必要な分光特性
を得ているので、色分解フィルタが不要であり、従って
CCD30に対する色分解フィルタの位置合わせが不要
なので、歩留りがよく、またコストダウンができる。
さらに色分解フィルタ自身が不要なことによってもコス
トダウンができる。
また青色光及び赤色光に対する合成の分光特性(第5図
B)は、主としてフィルタ15の特性により決まるので
、CCD 30に分光特性のばらつきがあっても、これ
はあまり問題にならず、この点からもコストダウンがで
きる。
さらに、ストレージゲート電極33、すなわち、多結晶
シリコン層33を厚くできるので、その抵抗を小さくす
ることができ、従って基体31は、全面がクロックパル
スφ1.φ2によって均一に駆動され、シエーテ゛イン
グなどが改善される。
また受光窓38が形成される区間31 Nは、水平方向
の幅を狭くできるので、水平方向の絵素数を増やして解
像度を改善でき、あるいは、同じ解像度のときには、受
光窓37.38を大きくして高感度化で゛きる。
さらに色分解フィルタが不要なので、リレーレンズやグ
ラスファイバプレートが不要となり、小型化できると共
に、光の損失を小さくできる。
また製造も容易である。
なおCCD30をインターライントランスファー型とす
ることもできる。
また上述においては、受光窓37.38が水平方向に交
互に形成されているが、垂直方向に交互に形成されてい
るときには、CCD30からは、信号(Eb + Er
) 、Erの線順次信号となるので、遅延回路53の遅
延時間は1水平期間とされる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図、第6図及び第7図は本考案を説明する
ための図、第4図は本考案の一例の系統図、第5図Aは
その要部の一例の正面図、第5図B、Cは同図Acr)
B−B線及びC−C線における断面図である。 20.30はCCD、31は半導体基体、32.34は
SiO2層、33は多結晶シリコン層、54.55はサ
ンプリングホールド回路で゛ある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 固体撮像素子と、この固体撮像素子に被写体のマゼンタ
    色光成分だけを供給する光学的フィルタ手段とを有し、
    上記固体撮像素子は、半導体基体と、この半導体基体の
    表面に第1のSiO2層を介して形成された多結晶シリ
    コン層よりなる第1の電極と、この第1の電極上に第2
    のSin、、層を介して形成された第2の電極とを有す
    ると共に、はぼ全色光に対して感度を有するように上記
    第2の電極、上記第2のSiO2層及び上記第1の電極
    が除去されている第1の受光窓と、はぼ赤色光に対して
    のみ感度を有するように上記第2の電極だけが除去され
    ている第2の受光窓とが周期的に形成され、上記固体撮
    像素子から上記被与体に対するマゼンタ色信号と、赤色
    信号とが、上記第1及び第2の受光窓の配列周期で順次
    信号として取り出される固体カラー撮像装置。
JP1976172950U 1976-12-23 1976-12-23 固体カラ−撮像装置 Expired JPS5844699Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1976172950U JPS5844699Y2 (ja) 1976-12-23 1976-12-23 固体カラ−撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1976172950U JPS5844699Y2 (ja) 1976-12-23 1976-12-23 固体カラ−撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5389229U JPS5389229U (ja) 1978-07-21
JPS5844699Y2 true JPS5844699Y2 (ja) 1983-10-11

Family

ID=28780430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1976172950U Expired JPS5844699Y2 (ja) 1976-12-23 1976-12-23 固体カラ−撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5844699Y2 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4896020A (ja) * 1972-03-22 1973-12-08
JPS4971824A (ja) * 1972-11-10 1974-07-11
JPS5023526A (ja) * 1973-06-29 1975-03-13

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4896020A (ja) * 1972-03-22 1973-12-08
JPS4971824A (ja) * 1972-11-10 1974-07-11
JPS5023526A (ja) * 1973-06-29 1975-03-13

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5389229U (ja) 1978-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9591239B2 (en) Physical information acquisition method, physical information acquisition device, and semiconductor device
US20040169749A1 (en) Four-color mosaic pattern for depth and image capture
JPS6115475A (ja) 撮像素子及び撮像装置
JPH11313334A (ja) 固体撮像装置
US5138416A (en) Multi-color photosensitive element with heterojunctions
JPS6348235B2 (ja)
EP0509820B1 (en) Image pickup apparatus
US20040169748A1 (en) Sub-sampled infrared sensor for use in a digital image capture device
JPS5844699Y2 (ja) 固体カラ−撮像装置
JPS598491A (ja) カラ−固体撮像装置
EP0034361A2 (en) Solid state color imaging apparatus
JPH09116815A (ja) 固体撮像装置
JPS6019718B2 (ja) カラ−固体撮像装置
JPS5967791A (ja) 固体撮像素子
JPS6089187A (ja) カラ−固体撮像装置
JP2750602B2 (ja) 固体撮像素子およびその素子を用いた電子スチルカメラ
JPH023990A (ja) 固体撮像素子
JPH0488781A (ja) 撮像素子
JPS6242690A (ja) 固体撮像装置
JPH02177474A (ja) 固体撮像素子
JP2908136B2 (ja) 固体撮像素子用光学分光装置
JPH0488779A (ja) 固体撮像素子
JPS6281755A (ja) 電子的撮像装置
JPS59103486A (ja) 固体カラ−撮像装置
JPH03187591A (ja) 固体撮像素子の駆動方法